CN105506402A - 一种电子封装材料 - Google Patents

一种电子封装材料 Download PDF

Info

Publication number
CN105506402A
CN105506402A CN201510971835.6A CN201510971835A CN105506402A CN 105506402 A CN105506402 A CN 105506402A CN 201510971835 A CN201510971835 A CN 201510971835A CN 105506402 A CN105506402 A CN 105506402A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic package
package material
alloy powder
packaging material
electronic packaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510971835.6A
Other languages
English (en)
Inventor
李炯利
王旭东
王胜强
罗传彪
武岳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS CHINA AVIATION INDUSTRY GROUP Corp
Original Assignee
BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS CHINA AVIATION INDUSTRY GROUP Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS CHINA AVIATION INDUSTRY GROUP Corp filed Critical BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS CHINA AVIATION INDUSTRY GROUP Corp
Priority to CN201510971835.6A priority Critical patent/CN105506402A/zh
Publication of CN105506402A publication Critical patent/CN105506402A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/0408—Light metal alloys
    • C22C1/0416—Aluminium-based alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
    • C22C1/051—Making hard metals based on borides, carbides, nitrides, oxides or silicides; Preparation of the powder mixture used as the starting material therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/10—Alloys containing non-metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/02—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides
    • C22C29/06—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbides, but not containing other metal compounds
    • C22C29/065—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbides, but not containing other metal compounds based on SiC
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/0005—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with at least one oxide and at least one of carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/0047—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
    • C22C32/0052—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only carbides
    • C22C32/0063—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only carbides based on SiC
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/0084—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ carbon or graphite as the main non-metallic constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)

Abstract

本发明提供一种电子封装材料，由基体和增强体组成，基体包括铝合金，增强体包括氧化石墨烯和SiC颗粒，按照质量百分比计，氧化石墨烯为0.5％～3％，SiC颗粒为35％～65％，余量为铝合金粉末；铝合金粉末为50％Al-Si合金粉末和50％Al合金粉末。采用本发明可制备出密度低于3.1g/cm3，导热率大于180W/(m·K)的轻质电子封装材料，从而大幅度提高军用电子设备的综合性能，适用于便携式器件、航空航天和其他对重量敏感领域的军用功率混合电路，微波管的载体、多芯片组件的热沉和超大功率模块封装材料的生产制备。

Description

一种电子封装材料
技术领域
本发明涉及一种封装材料，具体涉及铝合金基体，氧化石墨烯和SiC颗粒为增强体的电子封装材料。
背景技术
电子封装材料是指集成电路的密封体，它不仅对芯片具有机械支撑和环境保护作用，使其避免大气中的水汽、杂质及各种化学气氛的污染和侵蚀，从而使集成电路芯片能稳定地发挥正常电气功能，封装材料对电子器件和电路的热性能乃至可靠性起着举足轻重的作用。现在，电了封装材料行业已成为半导体行业中的一个重要分支，它已经广泛涉及到化学、电学、热力学、机械和工艺设备等多种学科。
作为金属基复合材料的增强物，SiC颗粒具有高模量、高硬度、低热膨胀、高热导率、来源广泛和成本低廉等优点。Al合金具有低密度、高热导率(170-220W/m·K)价格低廉以及热加工容易等优点。综合以上因素，并考虑到电子封装材料必须具备很低的且与基板匹配的热膨胀系数(CTE)，高的热导率，高刚度，低密度，及低成本等特性，将二者复合而成颗粒增强铝基复合材料后，材料具有了Al和SiC二者的优点，几乎代表了理想封装材料的所有性能要求，这使得SiC/Al复合材料成为电子封装用金属基复合材料中最倍受瞩目，潜在应用最广的复合材料。
石墨烯是世界上最坚固的材料(杨氏模量1.7TPa)，理论比表面积高达2630m2/g，具有良好的导热性(5000W/(m.k))和室温下高速的电子迁移率(200000cm2/(V.s))。同时，其独特的结构使其具有完美的量子霍尔效应、独特的量子隧道效应、双极电场效应等特殊的性质。由于石墨烯优异的性能，极大的比表面积和较低的生产成本(相对于碳纳米管)；石墨烯各碳原子之间的连接非常柔韧，当施加外部机械力时，碳原子面就会弯曲变形来适应外力，而不必使碳原子重新排列，这样就保持了结构的稳定。基于石墨烯这些优良的性能，如果将其添加在金属铝或铜中制成电子封装材料，将大大提高材料的电导率；石墨烯密度小，得到的复合材料的密度比金属基体低；热膨胀系数小；同时解决电子封装复合材料中的界面润湿问题，有利于降低界面热阻；易于加工。因此，石墨烯金属基复合材料对于电子封装领域有广阔的应用前景。
现有的SiC/Al复合材料电子封装材料主要采用渗浸法制造，其在导热性能，制造工艺和焊接性能上均存问题，特别是难以采用我国现有封装焊接进行焊接，限制了该类材料在我国有源相控阵雷达上的应用，需要一种新型的封装材料弥补传统材料的不足。石墨烯具备极佳的导热性，由石墨烯和Al/SiC复合形成的电子封装材料，不仅保持各自的性能优势，大幅度提高了材料的导热性能，而且在制造工艺和焊接性能有了明显改善，将有望成为新一代电子封装材料。
发明内容
本发明提供一种线膨胀系数可控高导热可焊电子封装材料，是通过将一定比例氧化石墨烯、SiC和铝合金粉末的进行混合，再经过热物理烧结制备而成。采用本发明可制备出密度低于3.1g/cm3，导热率大于180W/(m·K)的轻质电子封装材料，从而大幅度提高我国有源相控阵雷达等军用电子设备的综合性能。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种电子封装材料，由基体和增强体组成，所述基体包括铝和铝合金粉末，所述增强体包括氧化石墨烯和SiC颗粒，按照质量百分比计，所述氧化石墨烯为0.5％～3％，所述SiC颗粒为35％～65％，余量为铝合金粉末，所述铝合金粉末含50％Al-Si和50％Al合金粉末。
一种电子封装材料的第一优选方案，Al-Si合金粉末中Si的含量为30％～50％。
一种电子封装材料的第二优选方案，Al-Si合金粉末中Si的含量为35％～45％。
一种电子封装材料的第三优选方案，Al-Si合金粉末中Si的含量为40％。
一种电子封装材料的第四优选方案，氧化石墨烯为1％～2％，所述SiC颗粒为40％～60％。
一种电子封装材料的第五优选方案，氧化石墨烯为1.5％，所述SiC颗粒为50％。
一种电子封装材料的制备方法包括如下步骤：
(1)制备混合粉末；
(2)制备包套；
(3)物理烧结。
一种电子封装材料的制备方法的第一优选方案，步骤(1)依次采用湿法混合和干法混合。
一种电子封装材料的制备方法的第二优选方案，湿法混合时间为4～14h，搅拌速度为10～30转/分钟；所述干法混合时间为4～14h，搅拌速度为10～30转/分钟。
一种电子封装材料的制备方法的第三优选方案，湿法混合时间为10h，搅拌速度为20转/分钟；所述干法混合时间为8h，搅拌速度为20转/分钟。
一种电子封装材料的制备方法的第四优选方案，步骤(2)的材料为LF21铝合金。
一种电子封装材料的制备方法的第五优选方案，步骤(3)中物理烧结的压力为90MPa～300MPa，温度为400℃～500℃，时间为30分钟～2小时。
一种电子封装材料的制备方法的第六优选方案，压力为200MPa，温度为470℃，时间为1.5小时。
与最接近的现有技术相比，本发明的优异效果如下：
1、材料设计性强，可根据需要制备系列产品。本发明采用粉末冶金方式，可实现材料各项物理性能，特别是线膨胀系数可根据材料组成进行设计。
2、焊接性能好。本发明制备的电子封装材料，通过调节SiC颗粒尺寸，铝合金粉末成分，以及在材料加入石墨烯材料，使得采用本发明所述制备方法获得的电子封装材料不仅具备SiC/Al基复合电子封装材料导热系数高和成本低廉的优点，同时改变了以往SiC/Al基复合电子封装材料机加工困难、难以焊接的缺点，使其特别适合目前我国电子工业工艺现状，对改善我国有源相控阵雷达等军用电子器件的可靠性及集成化程度有重要意义，达到国际领先水平
3、生产成本低，容易实现工业化制备，同时操作工艺简便，利于生产控制。因此，本发明采用低成本的碳化硅颗粒铝基电子封装复合材料用于航空航天微波等电子器件及模块的封装壳体或底座，不仅会产生显著的军事效益，还将带来可观的经济效益和社会效益。
具体实施方式
下面将结合实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
按质量分数计，氧化石墨烯为0.5％～3％，SiC颗粒为35％～65％，余量为铝合金粉末，铝合金粉末含50％Al-Si和50％Al合金粉末。制备步骤如下：
(1)制备氧化石墨烯的乙醇溶液：将1体积的氧化石墨烯和10体积的乙醇混合并用超声分散；
(2)将制备的氧化石墨烯乙醇溶液，SiC颗粒，Al-Si铝合金粉末加入V型混料设备中进行湿法混合，混合10小时，转速20转/分钟；
(3)将上述获得的混合粉末进行烘干，烘干后倒入V型混料设备中进行干法混合，混合8小时，转速20转/分钟。
(4)采用2mm厚铝合金制备Φ230mm×200mm包套，总装粉重量控制在14公斤～15公斤。
(5)将混合好的粉末装入包套中，要求粉末振实密度达到大于1.7g/cm3。
(6)将装好包套的粉末进行物理烧结，压力为200MPa，温度470℃，时间1.5小时。
不同成分电子封装材料主要性能见表1，表中的百分含量均为质量分数。
表1不同成分电子封装材料主要性能对比
表1的数据说明本发明方法制备的电子封装材料低密度、高散热系数，线膨胀系数可控和易于焊接。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，所属领域的普通技术人员应当理解，参照上述实施例可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，这些未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换均在申请待批的权利要求保护范围之内。

Claims (6)

1.一种电子封装材料，由基体和增强体组成，所述基体包括铝和铝合金粉末，所述增强体包括氧化石墨烯和SiC颗粒，其特征在于，按照质量百分比计，所述氧化石墨烯为0.5％～3％，所述SiC颗粒为35％～65％，余量为铝合金粉末，所述铝合金粉末含50％Al-Si和50％Al合金粉末。
2.根据权利要求1所述的一种电子封装材料，其特征在于，所述Al-Si合金粉末中Si的含量为30％～50％。
3.根据权利要求2所述的一种电子封装材料，其特征在于，所述Al-Si合金粉末中Si的含量为35％～45％。
4.根据权利要求3所述的一种电子封装材料，其特征在于，所述所述Al-Si合金粉末中Si的含量为40％。
5.根据权利要求1所述的一种电子封装材料，其特征在于，所述氧化石墨烯为1％～2％，所述SiC颗粒为40％～60％。
6.根据权利要求5所述的一种电子封装材料，其特征在于，所述氧化石墨烯为1.5％，所述SiC颗粒为50％。
CN201510971835.6A 2015-12-22 2015-12-22 一种电子封装材料 Pending CN105506402A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510971835.6A CN105506402A (zh) 2015-12-22 2015-12-22 一种电子封装材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510971835.6A CN105506402A (zh) 2015-12-22 2015-12-22 一种电子封装材料

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105506402A true CN105506402A (zh) 2016-04-20

Family

ID=55714692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510971835.6A Pending CN105506402A (zh) 2015-12-22 2015-12-22 一种电子封装材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105506402A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106591666A (zh) * 2016-12-15 2017-04-26 北京宝航新材料有限公司 一种石墨烯增强铝基碳化硅复合材料及其制备方法和其应用
CN106676335A (zh) * 2016-12-22 2017-05-17 北京宝航新材料有限公司 一种石墨烯铝碳化硅复合材料及其制备方法和其应用
WO2022099476A1 (zh) * 2020-11-10 2022-05-19 南通优元美术图案设计有限公司 一种RGO/Al基复合材料的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1830602A (zh) * 2006-04-14 2006-09-13 北京有色金属研究总院 一种制备高导热SiCp/Al电子封装材料的方法
CN1877821A (zh) * 2006-06-30 2006-12-13 中南大学 高硅铝合金电子封装材料的制备工艺
CN103103403A (zh) * 2013-01-24 2013-05-15 西安交通大学 一种电子封装材料
CN104388725A (zh) * 2014-12-11 2015-03-04 成都明日星辰科技有限公司 一种性能高的电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1830602A (zh) * 2006-04-14 2006-09-13 北京有色金属研究总院 一种制备高导热SiCp/Al电子封装材料的方法
CN1877821A (zh) * 2006-06-30 2006-12-13 中南大学 高硅铝合金电子封装材料的制备工艺
CN103103403A (zh) * 2013-01-24 2013-05-15 西安交通大学 一种电子封装材料
CN104388725A (zh) * 2014-12-11 2015-03-04 成都明日星辰科技有限公司 一种性能高的电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王渠东: "《轻合金及其工程应用》", 30 September 2015, 机械工业出版社 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106591666A (zh) * 2016-12-15 2017-04-26 北京宝航新材料有限公司 一种石墨烯增强铝基碳化硅复合材料及其制备方法和其应用
CN106591666B (zh) * 2016-12-15 2019-05-07 北京宝航新材料有限公司 一种石墨烯增强铝基碳化硅复合材料及其制备方法和其应用
CN106676335A (zh) * 2016-12-22 2017-05-17 北京宝航新材料有限公司 一种石墨烯铝碳化硅复合材料及其制备方法和其应用
CN106676335B (zh) * 2016-12-22 2019-05-07 北京宝航新材料有限公司 一种石墨烯铝碳化硅复合材料及其制备方法和其应用
WO2022099476A1 (zh) * 2020-11-10 2022-05-19 南通优元美术图案设计有限公司 一种RGO/Al基复合材料的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bahru et al. A review of thermal interface material fabrication method toward enhancing heat dissipation
CN102290117B (zh) 一种低温烧结纳米银浆及其制备方法
Wang et al. A roadmap review of thermally conductive polymer composites: critical factors, progress, and prospects
CN103343265B (zh) 石墨/硅混杂增强高导热低膨胀铝基复合材料
CN103171207B (zh) 一种热沉材料及其制备方法
CN106977771B (zh) 氮化硼-银/纤维素复合材料及其制备方法
JP2015004122A (ja) 金属ナノ粒子ペースト、それを含有する接合材料、およびそれを用いた半導体装置
CN105506402A (zh) 一种电子封装材料
CN105568068A (zh) 一种电子封装材料的制备方法
CN105543578A (zh) 一种电子封装材料的制备方法
CN101475787A (zh) 一种各向同性高性能导热胶粘剂及其制备方法
CN104910846A (zh) 一种导热导电胶黏剂及其制备方法
CN105624509A (zh) 一种电子封装材料的制备方法
Mou et al. Enhanced heat dissipation of high-power light-emitting diodes by Cu nanoparticle paste
CN105463266A (zh) 一种电子封装材料
CN105543576A (zh) 一种电子封装材料
Kumar et al. Study on epoxy resin based thermal adhesive composite incorporated with expanded graphite/silver flake hybrids
CN109659281B (zh) 一种高导热电子封装复合材料及其制备方法
CN105603262A (zh) 一种电子封装材料的制备方法
CN105543610A (zh) 一种电子封装材料的制备方法
CN105568066A (zh) 一种电子封装材料的制备方法
CN105543577A (zh) 一种电子封装材料
CN105568067A (zh) 一种电子封装材料
CN100477016C (zh) 高导热绝缘硅脂及其制造方法
CN110951984A (zh) 一种改善金刚石/铜复合材料热导率的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160420