CN1871627A - 显示器 - Google Patents

显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN1871627A
CN1871627A CNA2004800314319A CN200480031431A CN1871627A CN 1871627 A CN1871627 A CN 1871627A CN A2004800314319 A CNA2004800314319 A CN A2004800314319A CN 200480031431 A CN200480031431 A CN 200480031431A CN 1871627 A CN1871627 A CN 1871627A
Authority
CN
China
Prior art keywords
selective reflecting
layer
light
luminescent layer
peak wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2004800314319A
Other languages
English (en)
Inventor
久武雄三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Central Inc
Original Assignee
Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd filed Critical Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Publication of CN1871627A publication Critical patent/CN1871627A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示器包括选择性反射层SR，该选择性反射层SR位于1/4波片WP和发光层64之间并包括按预定的螺旋节距排列的液晶分子，该选择性反射层SR使第一圆偏振光通过而反射第二圆偏振光，第二圆偏振光具有与第一圆偏振光的偏振态相反的偏振态并具有预定的波长。发光层64具有至少一个峰值波长，并且当峰值波长的数目是m时选择性反射层SR包括m个选择性反射区域。当从发光层64中射出的光线的峰值波长是λp(k)(k＝1，2，...，m从最小的波长起)时，峰值波长λp(k)小于通过使用于形成各选择性反射区域的选择性反射层SR的异常光折射率ne(k)乘以螺旋节距P(k)而获得的一个数值ne(k)P(k)，并且大于通过使寻常光折射率no(x)乘以螺旋节距P(k)而获得的一个数值no(k)P(k)。在用于形成选择性反射区域的诸多选择性反射层之间建立这样一种关系：ne(k－1)P(k－1)＜no(k)P(k)。

Description

显示器
技术领域
本发明涉及显示器，尤其涉及一种包括能够实现高对比度的圆偏振片和自发光元件的显示器。
背景技术
近年来，作为一种能够被包括在显示器中的典型的自发光元件，有机电致发光(EL)元件已经吸引了特殊的注意力，因为应用于有机EL元件的有机发光材料已经开发到了实用的水平，并且有机EL元件具有诸如低功耗、宽视角、厚度小和重量轻等特征。
一般的有机EL元件是这样配置的，发光层夹在第一电极(它主要具有反光性)和第二电极(它主要具有透光性)之间。在具有这种结构的有机EL元件中，由发光层产生的光线是从第二电极一侧提取出来的。具体来讲，从发光层中发出的部分光线从第二电极中朝着观察者的方向射出，并且从发光层中朝着第一电极发出的光线被第一电极朝着第二电极的方向反射。简言之，第一电极具有尽可能将更多发出的光线朝着观察者引导这样一种功能。
不过，当有机EL元件具有该结构时，随着充当反射层的第一电极的反射率增大，对比度特性将变得更低。具体来讲，当入射的外部光的状态为不使发光层产生任何光时(即黑色显示状态)，第一电极反射外部光并且黑色显示的黑色等级在下降。此外，当入射的外部光的状态为使发光层产生光线时，这种外部光出现在显示屏上并且对比度下降。
可能的解决该问题的方法包括降低反射层的反射率这样一种方法(极端地来讲，几乎减小到零)以及用圆偏振片吸收外部光的反射组分这样一种方法。后一种方法的目的在于基于下面的原理来提高对比度。
从有机EL元件的第二电级一侧入射的外部光穿过偏振片和1/4波片，并由此变为(例如)顺时针的圆偏振光。如果该顺时针的圆偏振光被基板或反射层的界面反射了，则该顺时针的圆偏振光使其相位移动180度并变为逆时针的圆偏振光。该逆时针的圆偏振光接着通过1/4波片并变为其方向与入射时的方向相垂直的线性偏振光。由此，该线性偏振光平行于偏振片的吸收轴并被该偏振片吸收了。
因此，不管反射层的反射率是多少，有可能获得与并不反射外部光的情形相同的有利效果。该相同的有利效果的获得不仅与反射层的反射有关，还与基板界面处的电介质反射或布线电极处的反射有关。由此，与没有提供偏振片和1/4波片的情形相比，可以提高对比度特征(参阅例如公开号为9-127885的日本专利申请)。
不过，从发光层中发出的光线也包括顺时针的偏振光和逆时针的偏振光。尽管顺时针的偏振光穿过偏振片，但是逆时针的偏振光被偏振片吸收。即，从发光层中发出的光线的至少50％被偏振片吸收了。结果，显示亮度自身下降了。对于目前实际可用的偏振片而言，与不提供偏振片和1/4波片的情况相比，显示亮度约降低56％。
如上所述，在像有机EL元件这样的自发光元件中，反射层(提供反射层是为了有效地提取发光层所产生的光线)使对比度特性下降。该问题在明亮的环境中(即，当外部光强烈的时候)尤为明显。为应对该问题，可以提供偏振片和1/4波片。不过，在这种情况下，对比度特性得到改善但显示亮度下降了。
发明内容
本发明是在考虑到上述问题的情况下得以产生的，并且本发明的目的在于提供一种显示器，它包括自发光元件并能够改善对比度特性并且提高显示亮度。
根据本发明的第一方面，提供了一种显示器，它包括反射层、发光层、1/4波片和偏振片，1/4波片位于偏振片和发光层之间，并且发光层位于1/4波片和反射层之间，该显示器包括：
位于1/4波片和发光层之间的选择性反射层，该选择性反射层包括按预定的螺旋节距排列的液晶分子，使第一圆偏振光通过并反射第二圆偏振光，该第二圆偏振光具有与第一圆偏振光的偏振态相反的偏振态并且具有预定的波长，
其中发光层具有至少一个峰值波长，并且当峰值波长的数目是m时选择性反射层包括m个选择性反射区域，
当从发光层中射出的光线的峰值波长是λp(k)(k＝1、2、……m从最小波长起)时，峰值波长λp(k)小于通过使选择性反射层(它用来形成各选择性反射区域)的异常光折射率ne(k)乘以螺旋节距P(k)所获得的一个数值ne(k)P(k)，并大于通过使寻常光折射率no(k)乘以螺旋节距P(k)所获得的一个数值no(k)P(k)，并且
在用于形成选择性反射区域的选择性反射层之间建立关系：
ne(k-1)P(k-1)＜no(k)P(k)。
根据本发明的第二方面，提供了一种包括反射层、发光层、彩色滤光片、1/4波片和偏振片的显示器，1/4波片位于偏振片和彩色滤光片之间，并且彩色滤光片位于1/4波片和发光层之间，该显示器包括：
位于1/4波片和彩色滤光片之间的选择性反射层，该选择性反射层包括按预定的螺旋节距排列的液晶分子，让第一圆偏振光通过并反射第二圆偏振光，第二圆偏振光具有与第一圆偏振光的偏振态相反的偏振态并具有预定的波长，
其中从发光层中发出并透射过彩色滤光片的光线具有至少一个峰值波长，并且当峰值波长的数目是m时选择性反射层包括m个选择性反射区域，
当从彩色滤光片中射出的光线的峰值波长是λp(k)(k＝1、2、……m从最小波长起)时，峰值波长λp(k)小于通过使选择性反射层(它用来形成各选择性反射区域)的异常光折射率ne(k)乘以螺旋节距P(k)所获得的一个数值ne(k)P(k)，并大于通过使寻常光折射率no(k)乘以螺旋节距P(k)所获得的一个数值no(k)P(k)，并且
在用于形成选择性反射区域的选择性反射层之间建立关系：
ne(k-1)P(k-1)＜no(k)P(k)。
附图说明
图1是示意性地示出了根据本发明一实施例的有机EL显示器的结构的透视图；
图2是示意性地示出了图1所示的有机EL显示器的结构的横截面图；
图3示意性地示出了在有机EL显示器的各像素中发光光谱分布；
图4示意性地示出了在图2所示的有机EL显示器中选择性反射层的结构示例；
图5解释了在从各像素中发出的逆时针圆偏振光组分的反射率与反射性反射层的选择性反射功能之间的关系；
图6解释了上表面发光型显示器中光的运行；
图7示意性地示出了根据本发明一实施例的显示器的结构；
图8示出了在不具有选择性反射层的显示器与具有选择性反射层的显示器之间比较发射光透射率所得的结果；
图9解释了具有选择性反射层的显示器中的防反射作用；
图10示意性地示出了根据本发明另一个实施例的显示器的结构；并且
图11示意性地示出了根据本发明又一个实施例的显示器的结构。
具体实施方式
现在将参照附图来描述根据本发明一实施例的显示器。在该实施例中，作为显示器的示例，描述了像有机EL(电致发光)显示器这样的自发光式显示器。
如图1和2所示，有机EL显示器1被配置成具有：阵列基板100，它具有用于显示图像的显示区域102；以及密封构件200，至少用来密封阵列基板100的显示区域102。阵列基板100的显示区域102包括排列成矩阵的多个像素PX(R，G，B)。
各像素PX(R，G，B)包括：像素开关10，其功能为使导通态像素和截止态像素电分离并将视频信号保留在导通态像素上；驱动晶体管20，它基于通过像素开关10而提供的视频信号将期望的驱动电流提供给相关的显示元件；以及存储电容元件30，它存储驱动晶体管20的栅源电势并保持预定的时间周期。在本实施例中，各像素开关10和驱动晶体管20可以由例如薄膜晶体管来组成，并包括由多晶硅形成的半导体层。
各像素PX(R，G，B)包括充当显示元件的有机EL元件40(R，G，B)。具体来讲，红色像素PXR包括发出红光的有机EL元件40R。绿色像素PXG包括发出绿光的有机EL元件40G。蓝色像素PXB包括发出蓝光的有机EL元件40B。
各有机EL元件40(R，G，B)基本上具有相同的结构。有机EL元件40包括：多个第一电极60中相关的一个，这些第一电极60形成于各像素PX中的岛形之中并排列成矩阵；第二电极66，所形成的第二电极66为所有的像素PX共用以便与第一电极60对置；以及有机有源层64，它插放在第一电极60与第二电极66之间。
阵列基板100包括：多个扫描线Ym(m＝1，2，……)，它们排列在像素PX的行方向上(即图1中的y方向)；多个信号线Xn(n＝1，2，……)，它们排列在与扫描线Ym基本上成直角交叉的方向上(即图1中的x方向)；以及电源线P，用于向有机EL元件40的第一电极60提供电源。
电源线P连接到第一电极电源线(未示出)，第一电极电源线位于显示区域102的四周。有机EL元件40的第二电极66连接到第二电极电源线(未示出，并位于显示区域102的四周)，并提供共用的电势(在本示例中即为接地电势)。
在位于显示区域102外围的周边区域104中，阵列基板100进一步包括向扫描线Ym提供扫描信号的扫描线驱动电路107以及向信号线Xn提供视频信号的信号线驱动电路108。所有的扫描线Ym都连接到扫描线驱动电路107。所有的信号线Xn都连接到信号线驱动电路108。
像素开关10位于扫描线Ym和信号线Xn交叉处附近。像素开关10具有连接到扫描线Ym的栅电极、连接到信号线Xn的源电极以及连接到存储电容元件30的多个电极之一并连接到驱动晶体管20的栅电极的一个漏电极。驱动晶体管20具有：源电极，它连接到存储电容元件30的多个电极中其它的电极上并连接到电源线P；以及漏电极，它连接到有机EL元件40的第一电极60上。
如图2所示，阵列基板100包括位于布线基板120上的有机EL元件40。配置布线基板120，使得像素开关10、驱动晶体管20、存储电容元件30、扫描线驱动电路107、信号线驱动电路108以及各种线路(例如，扫描线、信号线和电源线)都位于绝缘支撑基板(比如玻璃板或塑料板)上。
作为有机EL元件40的结构组件的第一电极60位于布线基板120的绝缘膜上。第一电极60包括主要具有透光性的透射膜60T和主要具有反光性的反射膜60R。第一电极60充当阳极。透射膜60T电连接到驱动晶体管20并且是由像ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)这样的透光导电材料构成的。反射膜60R通过绝缘层HRC位于透射膜60T下面，即位于布线基板120一侧。反射膜60R是由例如钼(Mo)/铝(Al)/钼(Mo)的多层膜构成的。反射膜60R像透射膜60T那样电连接到驱动晶体管20。不过，反射膜60R并不必然要电连接到驱动晶体管20。简言之，在第一电极60中，是透射膜60T的导电材料充当阳极，并且反射膜60R可以被配置成反射由有机有源层64所产生的具有预定波长的光。另外，第一电极60可以是由单层形成的。具体来讲，在图2中，可以用具有阳极特性和反光性的材料来代替透射膜60T。在这种情况下，图2所示的反射膜60R可以省却。适合用于这种单层第一电极的材料示例是Pt。
有机有源层64至少包括具有发光功能的有机化合物。有机有源层64可以是由包括空穴缓冲层和电子缓冲层(这些缓冲层是针对所有的彩色像素而形成的)以及发光层(发光层是针对各个彩色像素而形成的)的多层结构来构成的。或者，有机有源层64可以由在其中集成了各种层的功能的两层或单层而构成。空穴缓冲层被插入阳极和有机发光层之间，并且是由例如芳族胺衍生物、聚噻吩(polythiophene)衍生物或聚苯胺(polyaniline)衍生物的薄膜构成的。发光层是由有机化合物构成的，该有机化合物具有发出红光、绿光或蓝光的功能。当使用高聚物发光材料时，发光层是由PPV(polyparaphenylenevinylene聚旁亚苯基次亚乙烯基)或聚芴(polyfluorene)衍生物或其前体构成的。
第二电极66位于所有的有机EL元件40所共用的有机有源层64上。第二电极66是由主要具有透光性并充当阴极的金属膜构成的。在本示例中，第二电极66是由具有电子注入功能的金属膜(比如，Ca(钙)、Al(铝)、Ba(钡)、Ag(银)或Yb(镱))构成的。第二电极66可以是两层结构，其中充当阴极的金属膜的表面涂有覆盖金属。覆盖金属是由例如铝构成的。
第二电极66的表面最好涂有具有吸潮特性的材料以作为干燥剂。如果有机EL元件40接触湿气，则其发光特性将迅速恶化。由此，为了保护有机EL元件40免受湿气影响，在与有机EL元件40的表面相对应的第二电极66上放置干燥剂68。干燥剂68可以用具有吸潮特性的任何材料构成。干燥剂68的材料示例是简单物质碱金属(比如，锂(Li)、钠(Na)或钾(K)、或它们的氧化物)以及碱土金属(比如，镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)、或它们的氧化物)。
阵列基板100包括隔离壁70，至少用来将显示区域102中相邻的彩色像素RX(R，G，B)分离开。最好形成隔离壁70以便将这些像素分离开。在本示例中，隔离壁70沿第一电极60的外围边缘排列成格子形状，所以隔离壁70所界定的小孔(其中露出第一电极60)可以是圆形或多边形。
阵列基板100包括密封体300，至少用于覆盖布线基板120的主表面之一的有效区域106。在本示例中，假定有效区域106至少包括具有像素PX(R，G，B)并用于显示图像的显示区域102。或者，有效区域106可以包括含扫描线驱动电路107和信号线驱动电路108的外围区域104。密封体300的表面基本上是平的。
密封构件200是用涂在密封体300整个表面上的黏合剂来附在密封体300的表面上的。密封构件200是用例如透光绝缘膜构成的，诸如塑料板或象金刚石那样的碳。
密封体300具有叠层结构，该结构包括至少一个缓冲层311和至少两个阻挡层320和321，各阻挡层的图案具有比缓冲层要大的面积并覆盖缓冲层以便将缓冲层与外部空气隔开。在本示例中，密封体300包括第一阻挡层320、位于第一阻挡层320上以便对应于有效区域106的缓冲层311、以及覆盖缓冲层311的全部(包括其侧面)的第二阻挡层321。
缓冲层311是由有机材料构成的，比如丙烯酸树脂材料。缓冲层311所形成的厚度约为0.1到2微米。特别是，作为缓冲层311的材料，最好选择一种能够在粘性相对较低的液态情况下涂覆的材料，并且该材料能够在这样的情况下固化以便使它下面的层上的不规则变得平整。用这种材料构成的缓冲层311可充当平整层，使下面的层的表面平整化。
各阻挡层320、321都是由无机材料构成的。例如，各阻挡层320、321都是由金属材料(比如，铝或钛)、金属氧化物材料(比如，ITO或IZO)、或陶瓷材料(比如，氧化铝)构成的，其厚度在例如0.1微米的量级上。在背面反射类型中，EL光线是从第一电极60一侧中提取出来的，至少用于阻挡层320、321之一的材料较佳地应该具有遮光特性和反光性。在顶面发光类型中，EL光线是从第二电极66一侧中提取出来的，用于阻挡层320、321的材料较佳地应该具有透光性。
在具有上述结构的有机EL器件40中，电子和空穴被注入到有机有源层64中，该层64被夹在第一电极60和第二电极66之间。电子和空穴复合形成激子，当激子被释放时通过预定波长的光子发射而产生了光。具体来讲，在构成各像素PX(R，G，B)的有机EL元件40中，相关的有机有源层(发光层)64发出具有不同的单峰值波长的EL光。例如，当三种像素构成1个像素单元时，可以由具有红色峰值波长(620纳米附近)的红色像素PXR、具有绿色峰值波长(550纳米附近)的绿色像素PXG以及具有蓝色峰值波长(在440纳米附近)的蓝色像素PXB来实现彩色显示和黑白显示。
在具有上述结构的顶面发射类型显示器中，由有机有源层64的发光层产生的EL光是从阵列基板100的上表面一侧发出的，即，从第二电极66一侧。朝着第一电极60发射的EL光线是由反射膜60R反射的，并从第二电极66中出来。
在上述上表面发射类型显示器中，在EL发光表面上(即在密封构件200上)按指定的顺序叠放着选择性反射层SR、1/4波片WP和偏振片PP。在图2所示的示例中，1/4波片WP插放在偏振片PP和有机有源层(发光层)64之间。另外，有机有源层64插放在1/4波片WP和反射膜60R之间。
选择性反射层SR包括按预定的螺旋节距排列的液晶分子，具有使第一圆偏振光(例如，顺时针的圆偏振光)通过并反射与第一圆偏振光偏振态相反并具有预定波长的第二圆偏振光(例如，逆时针圆偏振光)的功能。当从有机有源层64中发出的EL光线的峰值波长的数目是m时，选择性反射层SR被配置成包括m个选择性反射区域。
在本实施例中，1个像素单元是由三种像素的阵列以平面方式组成的，即红色像素PXR、绿色像素PXG和蓝色像素PXB，各像素PX(R，G，B)中提供的有机EL元件40的有机有源层64发出具有单个峰值波长的EL光线。由此，峰值波长的数目m是3。例如，如图3所示，从蓝色像素PXB的有机有源层64中发出的EL光线具有440纳米附近的单个第一峰值波长λp(1)。从绿色像素PXG的有机有源层64中发出的EL光线具有550纳米附近的单个第二峰值波长λp(2)。从红色像素PXR的有机有源层64中发出的EL光线具有620纳米附近的单个第三峰值波长λp(3)。简言之，从最小的一个起，从各个有机有源层64中发出的光线的峰值波长是λp(1)、λp(2)和λp(3)。
在本实施例中，选择性反射层SR被配置成具有三种选择性反射波长区域。具体来讲，如图4所示，选择性反射层SR包括第一反射层SR1、第二反射层SR2和第三反射层SR3。
第一反射层SR1包括按第一螺旋节距P(1)排列的液晶分子，该第一螺旋节距P(1)对应于第一峰值波长λp(1)。第一反射层SR1使第一圆偏振光通过并反射第二圆偏振光，该第二圆偏振光具有预定的波长(包括第一峰值波长λp(1)，其偏振态与第一圆偏振光的偏振态相反)。
第二反射层SR2包括按第二螺旋节距P(2)排列的液晶分子，该第二螺旋节距P(2)对应于第二峰值波长λp(2)。第二反射层SR2使第一圆偏振光通过并反射第二圆偏振光，该第二圆偏振光具有预定的波长(包括第二峰值波长λp(2)，其偏振态与第一圆偏振光的偏振态相反)。第二螺旋节距P(2)被设置成大于第一螺旋节距P(1)。
第三反射层SR3包括按第三螺旋节距P(3)排列的液晶分子，该第三螺旋节距P(3)对应于第三峰值波长λp(3)。第三反射层SR3使第一圆偏振光通过并反射第二圆偏振光，该第二圆偏振光具有预定的波长(包括第三峰值波长λp(3)，其偏振态与第一圆偏振光的偏振态相反)。第三螺旋节距P(3)被设置成大于第一螺旋节距P(2)。
各反射层SR(1，2，3)被配置成包括具有不同螺旋节距的胆甾型液晶层。如图4所示，在各反射层SR(1，2，3)中，液晶分子(通常，向列型液晶分子)LM排列在与水平面(各反射层的主平面)H平行的方向上，并且在法线方向(垂直于各反射层的主平面的厚度方向)上扭曲。各反射层SR(1，2，3)的螺旋节距对应于各反射层的法线方向V上的长度，该长度是液晶分子LM在水平面上旋转一周所需的长度。在本示例中，从最小的一个起，螺旋节距是P(1)、P(2)和P(3)。
较佳地，各反射层SR(1，2，3)应该是由下列各种层之一构成的：胆甾型液晶层，通过使胆甾型液晶层聚合而获得的层，以及通过形成膜形的胆甾型液晶层而获得的层。在如图2所示的示例中，可以通过在密封构件200或1/4波片WP上直接连续堆叠多个反射层SR(1，2，3)而构成选择性反射层SR。或者，可以通过在底膜(比如，聚酰亚胺树脂膜)上堆叠多个反射层SR(1，2，3)而形成选择性反射层SR，之后可以将该选择性反射层SR附在密封构件200或1/4波片WP上。当选择性反射层SR具有足够的屏蔽特性(防止外部空气的影响，即防湿气或氧气)时，选择性反射层SR可以兼作密封构件200并且可以放在密封体300之上，或者选择性反射层SR可以兼作密封体300并直接放在有机EL元件40之上。
通过选择手性材料类型的最佳组合以便使液晶材料或液晶分子定向，便可以控制各反射层SR(1，2，3)的螺旋节距。即便使用相同的手性材料，通过调节手性材料的浓度，也可以控制螺旋节距(浓度越高，螺旋节距越小)。
如图3所示，有红绿蓝三种发射光峰值波长。当从最小的一个起三种波长依次是λp(1)、λp(2)和λp(3)时，数值no(1)P(1)和数值ne(1)P(1)被设置为要满足与峰值波长λp(1)有关的下列关系：
no(1)P(1)＜λp(1)＜ne(1)P(1)，
其中，数值no(1)P(1)是通过将在波长λp(1)附近选择性反射层SR(特别是第一反射层SR1)的寻常光折射率no(1)与选择性反射层SR(特别是第一反射层SR1)的螺旋节距P(1)相乘而获得的一个数值，数值ne(1)P(1)是通过将异常光折射率ne(1)与螺旋节距P(1)相乘而获得的一个数值。
相似的是，数值no(2)P(2)和数值ne(2)P(2)被设置为要满足与峰值波长λp(2)有关的下列关系：
no(2)P(2)＜λp(2)＜ne(2)P(2)，
其中，数值no(2)P(2)是通过将在波长λp(2)附近选择性反射层SR(特别是第二反射层SR2)的寻常光折射率no(2)与选择性反射层SR(特别是第二反射层SR2)的螺旋节距P(2)相乘而获得的一个数值，数值ne(2)P(2)是通过将异常光折射率ne(2)与螺旋节距P(2)相乘而获得的一个数值。
相似的是，数值no(3)P(3)和数值ne(3)P(3)被设置为要满足与峰值波长λp(3)有关的下列关系：
no(3)P(3)＜λp(3)＜ne(3)P(3)，
其中，数值no(3)P(3)是通过将在波长λp(3)附近选择性反射层SR(特别是第三反射层SR3)的寻常光折射率no(3)与选择性反射层SR(特别是第三反射层SR3)的螺旋节距P(3)相乘而获得的一个数值，数值ne(3)P(3)是通过将异常光折射率ne(3)与螺旋节距P(3)相乘而获得的一个数值。
同时，包括单独的选择性反射波长区域(这些区域构成选择性反射层SR)的反射层SR(1，2，3)被设置成具有螺旋节距P(1)、P(2)和P(3)，它们满足下列关系：ne(1)P(1)＜no(2)P(2)并且ne(2)P(2)＜no(3)P(3)。
具有这种结构的选择性反射层SR具有如图5所示的与圆偏振光有关的反射率的波长色散，该圆偏振光具有与选择性反射层SR中的液晶分子LM的螺旋方向相同的旋转方向。图5示出了当选择性反射层SR中的螺旋方向是逆时针时与逆时针的圆偏振光有关的反射率的波长色散。如图3和5所示，选择性反射层SR具有只反射有机有源层64所发出的EL光(即，包括峰值波长在内的预定波长的光)的发射光谱的功能，该EL光被包括在圆偏振光中，该圆偏振光具有与选择性反射层SR中液晶分子LM的螺旋方向相同的旋转方向。
如图5所示，数值n(k)P(k)最好被设置为基本上等于峰值波长λp(k)，其中数值n(k)P(k)是通过将选择性反射层SR的选择性反射层SR(1，2，3)的平均折射率n(k)(＝({ne(k)2+no(k)2}/2)1/2；异常光波长λe＞寻常光波长λo)与螺旋节距P(k)相乘而获得的。通过这样的设置，选择性反射层的发射光谱和反射率的波长色散更精确地相一致，并且增强了上述有利的效果。
所期望的是，在峰值波长λp(k)处，被选择性反射层反射的第二圆偏振光的反射率应该被设置成50％或更大。通过这样的设置，与不具有选择性反射层的常规元件相比，各EL元件40的亮度提高了50％或更多，并且可以获得足够的亮度特征。
接下来，参照图6，解释上述上表面发射型显示器中的光学功能。为了简便起见，作为示例，图6只描绘了偏振片PP、1/4波片WP、选择性反射层SR、有机有源层(发光层)64、反射膜60R以及具有有机有源层(发光层)64的布线基板120，它们按指定的顺序排列。另外，为了方便起见，针对外部光线(从外部进入显示器)和从有机有源层64中发出的光线，描绘了不同的光路。
偏振片PP在其平面中具有位于不同方向上的吸收轴和透射轴。在预定波长的寻常光和异常光之间，1/4波片WP赋予1/4波长相位差。设置偏振片PP和1/4波片WP的光轴，使得入射的外部光(非偏振光)可以基本上变为圆偏振光，例如，顺时针的圆偏振光。
由此，入射到显示器上的外部光(非偏振光)穿过偏振片PP和1/4波片WP，并变为顺时针的圆偏振光。既然选择性反射层SR的液晶分子是逆时针扭曲的，那么从1/4波片WP中射出的圆偏振光不被反射而是透射，同时还保持其偏振态。由此，入射光变为顺时针的圆偏振光(不管其波长是多少)，并穿过有机有源层64并被反射膜60R反射。
被反射膜60R反射的反射光具有移动了180°的相位，并且变为逆时针的圆偏振光。在该逆时针的圆偏振光中，选择性反射层SR反射具有预定波长(该预定的波长对应于螺旋节距，即包括有机有源层64中发射光的峰值波长在内的预定的波长)的逆时针圆偏振光组分，但使具有其它波长的逆时针圆偏振光组分透射。由此，反射光的大多数作为不带有任何变化的逆时针圆偏振光穿过选择性反射层SR。
从选择性反射层SR中射出的透射光经1/4波片WP而转变为平行于偏振片PP的吸收轴的线性偏振光，并且该线性偏振光是由偏振片PP吸收的。由此，即使大部分外部光被反射膜60R反射了，它也会被偏振片PP吸收掉。因此，可以获得足够的防反射功能。
相反，三种像素类型的有机有源层64的发射光是具有峰值波长λp(1)、λp(2)和λp(3)的非偏振光。如果发射光被分离成诸多组分，则它可以被归类为逆时针圆偏振光和顺时针圆偏振光。在具有峰值波长λp(1)、λp(2)和λp(3)的发射光中，顺时针的圆偏振光穿过选择性的偏振层SR。另一方面，具有峰值波长λp(1)的发射光的逆时针圆偏振光组分作为逆时针的圆偏振光被第一反射层SR1朝着反射膜60R反射，因为第一反射层SR1具有选择性反射的功能。相似的是，具有峰值波长λp(2)的发射光的逆时针圆偏振光组分作为逆时针的圆偏振光被第二反射层SR2朝着反射膜60R反射，因为第二反射层SR2具有选择性反射的功能。同样，具有峰值波长λp(3)的发射光的逆时针圆偏振光组分作为逆时针的圆偏振光被第三反射层SR3朝着反射膜60R反射，因为第三反射层SR3具有选择性反射的功能。
被选择性反射层SR反射的逆时针圆偏振光再一次被反射膜60R朝着选择性反射层SR反射。被反射膜60R反射的发射光具有移动了180度的相位，并且变为顺时针的圆偏振光。由此，顺时针的圆偏振光穿过选择性的反射层SR，像具有峰值波长λp(1)、λp(2)和λp(3)的发射光的顺时针圆偏振光组分那样。结果，有机有源层64中发出的所有的发射光变为顺时针的圆偏振光，并穿过选择性的反射层SR。
从选择性的反射层SR中射出的顺时针的圆偏振光经1/4波片WP被转变为平行于偏振片PP的透射轴的线性偏振光，并且该线性偏振光穿过偏振片PP。由此，从有机有源层64中射出的所有的发射光都穿过偏振片PP，并对显示做出贡献。
根据上述显示器，实现了与入射外部光的大部分波长有关的防反射功能。此外，尽管使用了偏振片，但是从有机EL元件中发出的大部分光线都通过了该偏振片。因此，可以实现卓越的对比度特征和高显示亮度。根据本实施例，可以获得具有卓越的对比度特征和高显示亮度的显示器。
〔实施例〕
如图7所示，包括反射膜60R和有机有源层64的有机EL元件40位于布线基板120上，并被密封了。然后，选择性反射层SR、1/4波片WP和偏振片PP接着放置在有机有源层64一侧，由此制成了显示器。为了简便起见，图7只描绘了偏振片PP、1/4波片WP、选择性反射层SR、有机有源层(发光层)64、反射膜60R和具有有机有源层(发光层)64的布线基板120。其它结构元件的描述在此省略。
形成选择性反射层SR，使得充当第一反射层的胆甾型液晶聚合物(由BASF制造)、充当第二反射层的胆甾型液晶聚合物(由BASF制造)和充当第三反射层的胆甾型液晶聚合物(由BASF制造)在具有平面定向的情况下堆叠起来。第一反射层的胆甾型液晶聚合物具有275纳米的螺旋节距，并且在440纳米的波长处寻常光折射率为1.53而异常光的折射率为1.65。第二反射层的胆甾型液晶聚合物具有350纳米的螺旋节距，并且在550纳米的波长处寻常光折射率为1.52而异常光的折射率为1.62。第三反射层的胆甾型液晶聚合物具有400纳米的螺旋节距，并且在620纳米的波长处寻常光折射率为1.51而异常光的折射率为1.61。
各反射层的厚度被设置成约为液晶分子的螺旋节距的10倍(即，如果1个节距对应于液晶分子的1周旋转则液晶分子要旋转10倍这样一种状态中的厚度)。通过将螺旋节距与各反射层中的平均折射率相乘而获得的数值被设置为有效地与有机有源层的三个峰值波长λp(1)、λp(2)和λp(3)一致。由此，各反射层反射与扭曲方向相同的方向中的圆偏振光，例如，逆时针的圆偏振光，它被包括在与通过将螺旋节距与平均折射率相乘而获得的数值相对应的波长的光线中。各反射层的反射率根据膜厚度而变化，并且在螺旋节距约10倍所对应的膜厚度处约为100％。
由此，各反射层反射逆时针的圆偏振光的带宽的光线，该带宽对应于通过将寻常光折射率和异常光折射率之差Δn与螺旋节距相乘而获得的一个数值，该光线的中心波长被设定为通过将螺旋节距与平均折射率相乘而获得的一个数值。如上所述，形成具有不同螺旋节距的三种反射层，以具有使逆时针圆偏振光的反射率为100％的膜厚度，并且各层能够反射通过将Δn与螺旋节距相乘而获得的数值所对应的带宽的光线。因此，各层具有选择性地反射波长区域中的逆时针圆偏振光的功能，该波长区域基本上等于发射光的带宽。
较佳地，在本示例中所使用的液晶聚合物层应该是可以被当作类膜聚合物或薄层聚合物来处理的一种层。例如，液晶聚合物层可以包括紫外线固化树脂，并且可以通过因紫外线辐射而导致的交叉耦合反应而固化。或者，液晶聚合物层可以包括热固树脂，并可以通过因热能而导致的热聚合反应而固化。尽管选择性反射层SR包括上述具有不同节距的三类反射层的堆叠，但是即便选择性反射层SR是由具有连续变化螺旋节距的层构成的，也可以获得相同的功能和效果。另外，即便通过使用两个或更多基板而不使用液晶聚合物，选择性反射层SR可以作为液晶层而形成，光学效果也不会改变。
接下来，ARTON树脂的第一相位片(由NITTO DENKO公司制造，延迟值为140纳米)被附在上述选择性反射层SR上，其到器件的纵向的角度为125度(该角度是在逆时针方向上定义的；下文也同样如此)。ARTON树脂的第二相位片(由NITTO DENKO公司制造，延迟值为270纳米)被附在上述第一相位片上，其到器件的纵向的角度为62.5度。
之后，偏振片SEG1224DUAGAR(由NITTO DENKO公司制造)被附在第二相位片上，其到器件的纵向的角度为45度。通过按上述角度配置连接第一相位片、第二相位片和偏振片，两个相位片充当与所有的可见光波长有关的1/4波片WP，并且包括偏振片PP的结构充当逆时针圆形偏振器。由此，成功地获得了具有防止外部光反射的功能和发射大部分所产生的光的功能的显示器。
图8示出了不带选择性反射层的现有技术的显示器的结构与本实施例的结构在从偏振片中射出的发射光的透射率方面比较的结果。如图8所示，已确定使用本实施例的显示器可以获得的透射率约为现有技术的显示器的两倍。图9示出了在本实施例的显示器中的防反射功能，即与外部光谱有关的本实施例的显示器的反射率的波长色散。如图9所示，已确定光线的反射很少，并且获得了足够的防反射效果。因此，应该理解，使用本实施例的结构便可以获得高对比度特性和高显示亮度。
本发明并不限于上述实施例。在实施本发明的阶段，在不背离本发明的精神的情况下可以通过修改结构元件而产生各种实施例。上述实施例中所揭示的结构元件可以适当地组合起来，并且可以产生各种发明。例如，某些结构元件可以从上述实施例中省去。此外，不同实施例中的结构元件可以适当地组合起来。
在上述实施例中，配置上表面发光型显示器，使得红色像素PXR包括发出红光的有机EL元件40R，绿色像素PXG包括发出绿光的有机EL元件40G，并且蓝色像素PXB包括发出蓝光的有机EL元件40B。不过，本发明并不限于本实施例。
例如，各像素PX(R，G，B)可以具有相同类型的有机EL元件40，并且各有机EL元件40可以包括发出白光的有机有源层。对于这种结构，各像素PX(R，G，B)在它们的EL发光表面上包括红色彩色滤光片、绿色彩色滤光片和蓝色彩色滤光片，由此实现了彩色显示。即，充当发光层的有机有源层发出不具有明确的峰值波长的光线。负有任务的光线当通过彩色滤光片时具有预定的峰值波长。
具体来讲，如图10所示，包括反射膜60R和有机有源层64的有机EL元件40位于布线基板120上并且被密封。然后，彩色滤光片CF、选择性反射层SR、1/4波片WP和偏振片PP接连放置在有机有源层64一侧，由此制成了显示器。1/4波片WP位于偏振片PP和彩色滤光片CF之间，并且彩色滤光片CF位于1/4波片WP和有机有源层(发光层)64之间。为了简便起见，图10只描绘了偏振片PP、1/4波片WP、选择性反射层SR、彩色滤光片CF、有机有源层(发光层)64、反射膜60R以及具有有机有源层(发光层)64的布线基板120。其它结构元件的描述就此省略。
例如，作为彩色滤光片CF，红色像素包括红色彩色滤光片CFR(其峰值透射率在例如620纳米处)，绿色像素包括绿色彩色滤光片CFG(其峰值透射率在例如550纳米处)，蓝色像素包括蓝色彩色滤光片CFB(其峰值透射率在例如440纳米处)。
使用这种结构时，从有机有源层64和彩色滤光片CF中射出的光线经历和上述实施例相同的设置。由此，基于相同的原理，有可能获得上述防止外部光的反射的功能和防止彩色滤光片中发出的光线在偏振片中被吸收的功能。
具体来讲，选择性反射层SR包括按预定的螺旋节距排列的液晶分子，并且具有使第一圆偏振光(例如，顺时针的圆偏振光)通过而反射其偏振态与第一圆偏振光相反并具有预定的波长的第二圆偏振光(例如，逆时针的圆偏振光)。当从有机有源层64中发出并穿过彩色滤光片CR的光线的峰值波长的数目是m时，选择性反射层SR被配置成包括m个选择性反射区域。
在本示例的结构中，从各像素PX(R，G，B)中提供的有机EL元件40的有机有源层64中发出的白色EL发射光穿过相关的彩色滤光片并具有单个峰值波长。由此，峰值波长的数目m是3。例如，从蓝色像素PXB的彩色滤光片CFB中发出的光线具有在440纳米附近的单个第一峰值波长λp(1)。从绿色像素PXG的彩色滤光片CFG中发出的光线具有在550纳米附近的单个第二峰值波长λp(2)。从红色像素PXR的彩色滤光片CFR中发出的光线具有在620纳米附近的单个第三峰值波长λp(3)。简言之，从有机有源层64中发出并穿过各彩色滤光片CF的光线的峰值波长从最小的起依次是λp(1)、λp(2)和λp(3)。
由此，选择性反射层SR被配置成具有三种选择性的反射波长区域。具体来讲，选择性反射层SR包括第一反射层SR1(它反射具有第一峰值波长λp(1)的光线的逆时针圆偏振光)、第二反射层SR2(它反射具有第二峰值波长λp(2)的光线的逆时针圆偏振光)以及第三反射层SR3(它反射具有第三峰值波长λp(3)的光线的逆时针圆偏振光)。
从彩色滤光片中射出的光线具有红绿蓝三种峰值波长。当三种波长从最小的起依次是λp(1)、λp(2)和λp(3)时，数值no(1)P(1)和数值ne(1)P(1)被设置为要满足与峰值波长λp(1)有关的下列关系：
no(1)P(1)＜λp(1)＜ne(1)P(1)，
其中，数值no(1)P(1)是通过将在波长λp(1)附近选择性反射层SR(特别是第一反射层SR1)的寻常光折射率no(1)与选择性反射层SR(特别是第一反射层SR1)的螺旋节距P(1)相乘而获得的一个数值，数值ne(1)P(1)是通过将异常光折射率ne(1)与螺旋节距P(1)相乘而获得的一个数值。
相似的是，数值no(2)P(2)和数值ne(2)P(2)被设置为要满足与峰值波长λp(2)有关的下列关系：
no(2)P(2)＜λp(2)＜ne(2)P(2)，
其中，数值no(2)P(2)是通过将在波长λp(2)附近选择性反射层SR(特别是第二反射层SR2)的寻常光折射率no(2)与选择性反射层SR(特别是第二反射层SR2)的螺旋节距P(2)相乘而获得的一个数值，数值ne(2)P(2)是通过将异常光折射率ne(2)与螺旋节距P(2)相乘而获得的一个数值。
相似的是，数值no(3)P(3)和数值ne(3)P(3)被设置为要满足与峰值波长λp(3)有关的下列关系：
no(3)P(3)＜λp(3)＜ne(3)P(3)，
其中，数值no(3)P(3)是通过将在波长λp(3)附近选择性反射层SR(特别是第三反射层SR3)的寻常光折射率no(3)与选择性反射层SR(特别是第三反射层SR3)的螺旋节距P(3)相乘而获得的一个数值，数值ne(3)P(3)是通过将异常光折射率ne(3)与螺旋节距P(3)相乘而获得的一个数值。
同时，包括单独的选择性反射波长区域(这些区域构成选择性反射层SR)的反射层SR(1，2，3)被设置成具有螺旋节距P(1)、P(2)和P(3)，它们满足下列关系：ne(1)P(1)＜no(2)P(2)并且ne(2)P(2)＜no(3)P(3)。
使用这种结构时，也可以获得具有卓越的对比度特征和显示亮度的显示器。
在上述上表面发光型显示器中，如果偏振片PP、1/4波片WP、选择性反射层SR、有机有源层(发光层)64、反射膜60R以及具有有机有源层64的布线基板120按指定的顺序放置，则有机有源层邻接反射膜60R。由此，几乎所有的被选择性反射层SR反射的圆偏振光都可以被反射膜60R反射，并且可以充分地获得上述效果。不用说，本发明可应用于背面发光型显示器，它从布线基板120(第一电极)一侧提取EL光线。
对于背面发光类型，第一电极60是由主要具有透光性的导电材料构成的，第二电极66是由主要具有反光性的导电材料构成的。充当发光层的有机有源层64位于第一电极60和第二电极66之间，由此构造出有机EL元件60。在本示例的结构中，第一电极60并不包括反射膜，第二电极66充当反射膜。
具体来讲，如图11所示，包括反射膜60R和有机有源层64的有机EL元件40位于布线基板120上并被密封。然后，选择性反射层SR、1/4波片WP和偏振片PP接连位于布线基板120一侧，由此制成了背面发光类型的显示器。即，偏振片PP、1/4波片WP、选择性反射层SR、带有有机有源层(发光层)64的布线基板120、有机有源层64以及反射膜(第二电极)66按指定的顺序放置。为了简便起见，图11只描绘了偏振片PP、1/4波片WP、选择性反射层SR、有机有源层(发光层)64、反射膜60R以及带有有机有源层(发光层)64的布线基板120。其它结构元件的描述将省略。
在上述结构中，选择性反射层SR和反射膜66之间的距离增加了一定的程度，该程度对应于布线基板120和有机有源层64的厚度。因此，视差出现了。在这种情况下，除非选择性反射层SR和反射膜66之间的距离相对于像素大小达到最佳，否则在直接从有机有源层64中穿过选择性反射层SR的圆偏振光与曾被选择性反射层SR反射而后在具有相位差180度的情况下被反射膜66反射再从选择性反射层SR中射出的光线之间将会出现位移。为解决视差的问题，布线基板120的厚度需要被设置为不大于像素节距的10倍。由此，在实际视角(例如，±60度，在普通纵横比为4∶3或16∶9的显示中图像的失真是可以忽略的)的范围中视差变得可以忽略。
作为必然的结果，即使是使用背面发光类型的显示器，选择性反射层SR也可以用和上述实施例相同的结构来形成，由此可以获得具有卓越的对比度特性和显示亮度的显示器。
根据本发明，如果提供了上述选择性反射层SR，则利用包括发光层并使用圆偏振器(每个圆偏振器都包括偏振片和1/4波片)的显示器可以获得有利的优点。换句话说，利用包括除上述有机EL元件以外的任何类型的发光层(比如，无机EL元件、FED元件或PDP元件)的显示器可以获得相同的优点。特别是，对于有机EL元件或无机EL元件而言，反射电极(或反射膜)位于发光层下面，以提高发光亮度。由此，增强了被上述选择性反射层朝着观察者反射的发射光的功能，并可以获得更有效的优点。
工业应用性
如上所述，本发明提供了一种显示器，它包括自发光式元件并能够改善对比度特性以及提高显示亮度。

Claims (18)

1.一种包括反射层、发光层、1/4波片和偏振片的显示器，所述1/4波片位于所述偏振片和所述发光层之间，并且所述发光层位于所述1/4波片和所述反射层之间，所述显示器包括：
位于所述1/4波片和所述发光层之间的选择性反射层，所述选择性反射层包括按预定的螺旋节距排列的液晶分子，使第一圆偏振光通过并反射第二圆偏振光，所述第二圆偏振光具有与所述第一圆偏振光的偏振态相反的偏振态并具有预定的波长，
其中所述发光层具有至少一个峰值波长，并且当峰值波长的数目是m时，所述选择性反射层包括m个选择性反射区域，
当从所述发光层中射出的光线的峰值波长是λp(k)(k＝1，2，...，m从最小的波长起)时，所述峰值波长λp(k)小于通过使用于形成各选择性反射区域的选择性反射层的异常光折射率ne(k)乘以螺旋节距P(k)而获得的一个数值ne(k)P(k)，并且大于通过使寻常光折射率no(x)乘以螺旋节距P(k)而获得的一个数值no(k)P(k)，并且
在用于形成所述选择性反射区域的所述诸多选择性反射层之间建立这样一种关系：ne(k-1)P(k-1)＜no(k)P(k)。
2.一种包括反射层、发光层、彩色滤光片、1/4波片和偏振片的显示器，所述1/4波片位于所述偏振片和所述彩色滤光片之间，并且所述彩色滤光片位于所述1/4波片和所述发光层之间，所述显示器包括：
位于所述1/4波片和所述彩色滤光片之间的选择性反射层，所述选择性反射层包括按预定的螺旋节距排列的液晶分子，使第一圆偏振光通过并反射第二圆偏振光，所述第二圆偏振光具有与所述第一圆偏振光的偏振态相反的偏振态并具有预定的波长，
其中从所述发光层中发出并透射过所述彩色滤光片的光线具有至少一个峰值波长，并且当峰值波长的数目是m时，所述选择性反射层包括m个选择性反射区域，
当从所述彩色滤光片中射出的光线的峰值波长是λp(k)(k＝1，2，...，m从最小的波长起)时，所述峰值波长λp(k)小于通过使用于形成各选择性反射区域的选择性反射层的异常光折射率ne(k)乘以螺旋节距P(k)而获得的一个数值ne(k)P(k)，并且大于通过使寻常光折射率no(x)乘以螺旋节距P(k)而获得的一个数值no(k)P(k)，并且
在用于形成所述选择性反射区域的所述诸多选择性反射层之间建立这样一种关系：ne(k-1)P(k-1)＜no(k)P(k)。
3.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，通过使所述选择性反射层的平均折射率n(k)乘以所述螺旋节距P(k)而获得的一个数值n(k)P(k)基本上等于所述发光层的峰值波长λp(k)。
4.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，通过使所述选择性反射层的平均折射率n(k)乘以所述螺旋节距P(k)而获得的一个数值n(k)P(k)基本上等于所述发光层的峰值波长λp(k)。
5.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，在所述发光层的峰值波长λp(k)处，被所述选择性反射层反射的第二圆偏振光的反射率是50％或更大。
6.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，在所述发光层的峰值波长λp(k)处，被所述选择性反射层反射的第二圆偏振光的反射率是50％或更大。
7.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，至少具有红色峰值波长的红色像素、具有绿色峰值波长的绿色像素以及具有蓝色峰值波长的蓝色像素是以平面的方式排列的，并且提供了用于单独驱动各个像素的手段。
8.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，至少具有红色峰值波长的红色像素、具有绿色峰值波长的绿色像素以及具有蓝色峰值波长的蓝色像素是以平面的方式排列的，并且提供了用于单独驱动各个像素的手段。
9.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述反射层、所述发光层、所述选择性反射层、所述1/4波片以及所述偏振片是按所述指定的顺序放置在基板上的。
10.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，所述反射层、所述发光层、所述选择性反射层、所述1/4波片以及所述偏振片是按所述指定的顺序放置在基板上的。
11.如权利要求7所述的显示器，其特征在于，所述选择性反射层、所述1/4波片和所述偏振片按所述指定的顺序放置在基板的一个主表面上，并且所述发光层和所述反射层按所述指定的顺序放置在所述基板的另一个主表面上，并且
所述基板的厚度不大于所述像素的排列节距的10倍。
12.如权利要求8所述的显示器，其特征在于，所述选择性反射层、所述1/4波片和所述偏振片按所述指定的顺序放置在基板的一个主表面上，并且所述发光层和所述反射层按所述指定的顺序放置在所述基板的另一个主表面上，并且
所述基板的厚度不大于所述像素的排列节距的10倍。
13.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述发光层位于一对电极之间，由此构成了EL元件。
14.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，所述发光层位于一对电极之间，由此构成了EL元件。
15.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述选择性反射层是下列各种层中的一种：胆甾型液晶层，通过使胆甾型液晶层聚合而获得的层，以及通过以膜形来构成胆甾型液晶层而获得层。
16.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，所述选择性反射层是下列各种层中的一种：胆甾型液晶层，通过使胆甾型液晶层聚合而获得的层，以及通过以膜形来构成胆甾型液晶层而获得层。
17.一种显示器，它包括按指定的顺序放置的反射层、发光层、选择性反射层、1/4波片和偏振片，
其中所述发光层包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层发出具有单个第一峰值波长的光线，所述第二发光层发出具有单个第二峰值波长的光线，并且
所述选择性反射层使第一圆偏振光通过并反射第二圆偏振光，所述第二圆偏振光具有与所述第一圆偏振光的偏振态相反的偏振态并具有预定的波长，并且所述选择性反射层还包括第一反射层和第二反射层，所述第一反射层包括按所述第一峰值波长所对应的第一螺旋节距来排列的液晶分子并反射含所述第一峰值波长在内的预定波长的第二圆偏振光，所述第二二反射层包括按所述第二发光层的波长所对应的第二螺旋节距而排列的液晶分子并反射含所述第二峰值波长在内的预定波长的第二圆偏振光。
18.一种包括反射层、发光层、1/4波片和偏振片的显示器，所述1/4波片位于所述偏振片和所述发光层之间，并且所述发光层位于所述1/4波片和所述反射层之间，所述显示器包括：
位于所述1/4波片和所述发光层之间的选择性反射层，所述选择性反射层使第一圆偏振光通过并反射第二圆偏振光，所述第二圆偏振光具有与所述第一圆偏振光的偏振态相反的偏振态并具有预定的波长，
从所述发光层中发出的光线具有至少一个峰值波长λp，并且
所述选择性反射层反射指定的波长范围所对应的光线，所述指定的波长范围包括所述峰值波长λp。
CNA2004800314319A 2003-10-24 2004-10-22 显示器 Pending CN1871627A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP364825/2003 2003-10-24
JP2003364825 2003-10-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1871627A true CN1871627A (zh) 2006-11-29

Family

ID=34510131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2004800314319A Pending CN1871627A (zh) 2003-10-24 2004-10-22 显示器

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20060187384A1 (zh)
EP (1) EP1677274A1 (zh)
JP (1) JPWO2005041155A1 (zh)
KR (1) KR100778170B1 (zh)
CN (1) CN1871627A (zh)
TW (1) TWI279751B (zh)
WO (1) WO2005041155A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101825244A (zh) * 2009-03-02 2010-09-08 上海天马微电子有限公司 背光器件和液晶显示模块
CN102569189A (zh) * 2008-07-31 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
CN101852942B (zh) * 2009-04-02 2012-09-19 北京京东方光电科技有限公司 全反射式液晶显示器
CN104766928A (zh) * 2014-01-06 2015-07-08 三星显示有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
WO2016169068A1 (zh) * 2015-04-24 2016-10-27 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板和液晶显示器

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4654207B2 (ja) * 2006-03-30 2011-03-16 キヤノン株式会社 表示装置
KR100852115B1 (ko) 2007-03-07 2008-08-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR100926372B1 (ko) * 2008-03-17 2009-11-10 주식회사 엘엠에스 콜레스테릭 액정층을 포함하는 유기박막표시장치
US8198802B2 (en) 2008-07-25 2012-06-12 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light
US8058783B2 (en) 2008-07-25 2011-11-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light
US8169386B2 (en) 2008-08-19 2012-05-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
KR100965258B1 (ko) 2008-08-27 2010-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100995067B1 (ko) * 2009-01-21 2010-11-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US9013461B2 (en) * 2010-03-18 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
KR101400389B1 (ko) * 2011-11-01 2014-05-28 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
US9219248B2 (en) * 2012-08-10 2015-12-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic electroluminescence display device
KR101711192B1 (ko) 2014-08-19 2017-03-14 삼성전자 주식회사 전기-광학 변조기, 및 그 전기-광학 변조기를 포함한 검사 장치
KR20160095315A (ko) * 2015-02-02 2016-08-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2018098085A (ja) * 2016-12-15 2018-06-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20190334127A1 (en) * 2018-04-26 2019-10-31 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Oled display device

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW359765B (en) * 1996-05-10 1999-06-01 Seiko Epson Corp Projection type liquid crystal display apparatus
US6295108B1 (en) * 1997-06-30 2001-09-25 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid crystal display device
JPH1166933A (ja) * 1997-08-12 1999-03-09 Nitto Denko Corp プラズマデイスプレイパネル用フイルタとこれを用いたプラズマデイスプレイ表示装置
JP3300642B2 (ja) * 1997-09-08 2002-07-08 株式会社東芝 画像表示装置
JP2000019323A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Nippon Mitsubishi Oil Corp カラー反射型偏光板
JP3599089B2 (ja) * 1998-11-11 2004-12-08 富士ゼロックス株式会社 多色表示装置
KR100681764B1 (ko) * 1999-12-06 2007-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 투과반사형 액정표시장치
KR100348993B1 (ko) * 2000-03-09 2002-08-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치
JP2001305520A (ja) * 2000-04-24 2001-10-31 Toshiba Corp 液晶表示素子およびその製造方法
JP2001357979A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Toshiba Corp Ｅｌ素子
JP4011292B2 (ja) * 2001-01-15 2007-11-21 株式会社日立製作所 発光素子、及び表示装置
KR100790353B1 (ko) * 2001-05-11 2008-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
TWI257828B (en) * 2001-05-31 2006-07-01 Seiko Epson Corp EL device, EL display, EL illumination apparatus, liquid crystal apparatus using the EL illumination apparatus and electronic apparatus
KR100424204B1 (ko) * 2001-08-10 2004-03-24 네오뷰코오롱 주식회사 무반사 유기 전계발광소자
JP3748406B2 (ja) * 2001-12-18 2006-02-22 株式会社日立製作所 表示装置
JP2003227933A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Nitto Denko Corp 輝度向上フィルム、その製造方法、光学フィルムおよび画像表示装置
JP4027164B2 (ja) * 2002-06-21 2007-12-26 株式会社日立製作所 表示装置
JP4350996B2 (ja) * 2002-11-26 2009-10-28 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置
JP2004361774A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Sumitomo Chem Co Ltd フレキシブルディスプレイ

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102569189A (zh) * 2008-07-31 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
CN102569189B (zh) * 2008-07-31 2015-02-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US10937897B2 (en) 2008-07-31 2021-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN101825244A (zh) * 2009-03-02 2010-09-08 上海天马微电子有限公司 背光器件和液晶显示模块
CN101852942B (zh) * 2009-04-02 2012-09-19 北京京东方光电科技有限公司 全反射式液晶显示器
CN104766928A (zh) * 2014-01-06 2015-07-08 三星显示有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
CN104766928B (zh) * 2014-01-06 2018-06-19 三星显示有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
US10141382B2 (en) 2014-01-06 2018-11-27 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting diode display panel having polymer network liquid crystal
WO2016169068A1 (zh) * 2015-04-24 2016-10-27 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板和液晶显示器

Also Published As

Publication number Publication date
US20060187384A1 (en) 2006-08-24
TWI279751B (en) 2007-04-21
KR100778170B1 (ko) 2007-11-22
KR20060065729A (ko) 2006-06-14
JPWO2005041155A1 (ja) 2007-04-26
WO2005041155A1 (ja) 2005-05-06
TW200525466A (en) 2005-08-01
EP1677274A1 (en) 2006-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1871627A (zh) 显示器
US8895955B2 (en) Display apparatus using oxide diode
CN1658726A (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
JP2007311046A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
WO2020019759A1 (zh) 显示面板及其制作方法
CN1469330A (zh) 具有用于改善对比度的滤色片的有机发光二极管显示器
JP2005209651A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
EP1968132A2 (en) Organic Light-Emitting Display Device
GB2545097A (en) Display device and method for manufacturing the same
KR20080054626A (ko) 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
CN111341792B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示面板的制作方法
US20090066259A1 (en) Organic light emitting diode device and method for manufacturing the same
CN1674752A (zh) 发光显示装置
JP2011146387A (ja) 有機発光表示装置
CN109119451A (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
CN1949530A (zh) 一种可增大对比度的透明显示器
CN101059612A (zh) 半穿透半反射式液晶面板与主动元件阵列基板的制造方法
CN1472995A (zh) 一种彩色显示器
KR101830613B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN101513121A (zh) 有机发光显示器
US20240196708A1 (en) Light-emitting substrate and light-emitting device
US20160312964A1 (en) Surface Emitting Unit
KR102642966B1 (ko) 유기 전계발광 표시 장치
KR102434387B1 (ko) 유기발광 소자를 포함하는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI733404B (zh) Qled顯示面板之串擾改善方法以及qled顯示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20061129