CN1862751A - 等离子体显示面板的阻隔壁及其制作方法 - Google Patents

Abstract

一种等离子体显示面板的阻隔壁制作方法，包含提供一个基板，于基板上形成阻隔壁材料层，再于阻隔壁材料层上形成图案化光阻层，并且形成多数阻隔壁。其中，图案化光阻层包含多数第一平行线和多数第二平行线，而且第二平行线与第一平行线互相交错且垂直，且第一平行线的厚度较第二平行线的厚度厚。

Description

等离子体显示面板的阻隔壁及其制作方法

技术领域

本发明关于一种等离子体显示面板(plasma display panel，PDP)的阻隔壁制作方法，尤指一种可减少工艺步骤的PDP封闭式阻隔壁的制作方法。

背景技术

一般而言，等离子体显示面板是一种利用气体放电(discharge)时产生真空紫外光(ultraviolet rays)，以激发荧光物质产生可见光的显示面板组件，因为等离子体显示面板比阴极射线管(cathode ray tube，CRT)来得更轻薄，所以成为主要被使用的显示面板组件，再者，等离子体显示面板具有高分辨率和大尺寸屏幕的优点。

为了提升等离子体显示面板的亮度，一种可增加荧光层覆盖面积的封闭式阻隔壁(barrier rib)结构应运而生。请参考图1，图1为习知技术中等离子体显示面板的后基板(rear substrate)10示意图。如图1所示，封闭式阻隔壁12包含有多数垂直平行阻隔壁14和多数水平平行阻隔壁16设置于后基板10上，并形成多数放电空间18，例如，放电单元(discharge cell)。另外有多数寻址电极(address electrode)20彼此互相平行地设置在封闭式阻隔壁12的下方。其中，寻址电极20和维持电极(sustain electrode)(未显示于图1)交错之处会产生寻址放电(address discharge)，另外，覆盖在封闭式阻隔壁12上的荧光层22被放电单元内产生的真空紫外光所激发，进而发射出可见光。再者，在后基板10上及寻址电极20的表面上形成介电层24。

上述具有封闭式阻隔壁12的后基板10具有一缺点，就是在后基板10和前基板(未显示于第1图)藉由密封物质封闭(sealing)其周围以接合两者后，难以进行两基板间的抽气(exhausting)的步骤。

因此，发展出一种包含有多数垂直平行阻隔壁和低于垂直平行阻隔壁20微米(micron)的水平平行阻隔壁的封闭式阻隔壁，这种结构具有更多的面积来披覆荧光层，进而增加等离子体显示面板的亮度，以及保留足够的抽气通道供抽气工艺使用。然而，这种结构的制作方法包含有对垂直平行阻隔壁进行网版印刷(screen printing)工艺以形成垂直平行阻隔壁和水平平行阻隔壁的高度差异的额外工艺步骤，使得工艺更复杂。再者，垂直平行阻隔壁在网版印刷中的对位精度也是一个需考虑的问题。

发明内容

本发明的目的为提供一种PDP阻隔壁的工艺方法，以简化具有足够抽气通道供抽气使用的封闭式阻隔壁的工艺方法。

根据本发明提出的一种等离子体显示面板阻隔壁的制作方法包含有提供一个基板，在基板上形成多数寻址电极，在寻址电极及基板上形成介电层，在介电层上形成阻隔壁材料层，在阻隔壁材料层上形成图案化光阻层，其中，图案化光阻层包含多数第一平行线和多数第二平行线，而且第二平行线与第一平行线互相交错且垂直，且第一平行线具有的第一厚度较第二平行线具有的第二厚度厚。以及，形成多数第一平行阻隔壁和多数第二平行阻隔壁，第一平行阻隔壁具有的第三厚度较第二平行阻隔壁具有的第四厚度厚。

根据本发明另提出一种等离子体显示面板阻隔壁的制作方法，包含提供一个基板，在基板上形成多数寻址电极，在寻址电极及基板上形成介电层，在介电层上形成阻隔壁材料层，在阻隔壁材料层上形成图案化光阻层，其中，图案化光阻层包含多数第一平行线和多数第二平行线，第二平行线与第一平行线互相交错垂直，且第一平行线具有的第一键结力(bonding strength)较第二平行线具有的第二键结力大。以及，形成多数第一平行阻隔壁和多数第二平行阻隔壁，第一平行阻隔壁具有的第三厚度较第二平行阻隔壁具有的第四厚度厚。

本发明利用第一平行线和第二平行线的厚度不同或者是键结力不同，以形成有足够抽气通道供抽气使用的封闭式阻隔壁。本发明的优点是可简化封闭式阻隔壁的工艺。

附图说明

图1为习知技术中等离子体显示面板的后基板示意图；

图2至6为本发明第一较佳实施例的等离子体显示面板阻隔壁的工艺示意图；

图7为多数可应用于特定区域24的图案示意图。

主要组件符号说明

10后基板

12封闭式阻隔壁

14垂直平行阻隔壁

16水平平行阻隔壁

18放电空间

20、32寻址电极

22荧光层

24、34介电层

30基板

36阻隔壁材料层

38光阻层

40第一平行线

42第二平行线

44垂直平行阻隔壁

46水平平行阻隔壁

48封闭式阻隔壁

50光掩模

52平行线

54特定区域

54a斑点数组

54b栅栏数组

54c垂直狭缝数组

54d水平狭缝数组

54e马赛克格状数组

54f半色调斜纹区域

58图案化光阻层

具体实施方式

请参考图2至6，图2至6为本发明第一较佳实施例的等离子体显示面板阻隔壁的工艺示意图。如图2所示，提供基板30，在基板30上形成多数寻址电极32。

如图3所示，介电层34形成在基板30上，并且覆盖住寻址电极32，另外，阻隔壁材料层36被形成在基板30上以覆盖住介电层34，再进行干燥(drying)步骤以干燥阻隔壁材料层36，之后，利用负光阻型态的光阻层(photoresist layer)38覆盖在阻隔壁材料层36上，接着，利用光掩模(photo mask)50进行曝光(exposure)工艺，其中，光掩模50包含有多数可透光的平行线52，其曝光后形成相对应的第一平行线40在光阻层38上，光掩模50又包含多数特定区域54，其曝光后形成相对应的第二平行线42在光阻层38上。其中，在多数第一平行线40和第二平行线42交错的区域不具有特定区域54。

请参考图7，图7为多数可被应用于特定区域54的图案示意图。如图7所示，每一个特定区域54的图案皆可设计为斑点(spot)数组54a、栅栏(fence)数组54b、垂直狭缝数组54c、水平狭缝数组54d、马赛克(mosaic)格状数组54e以及半色调(halftone)斜纹区域54f等形式。

请参考图3，由于曝光工艺的光源会通过具有斑点数组54a、栅栏数组54b、垂直狭缝数组54c、水平狭缝数组54d或者马赛克格状数组54e图案的特定区域54，进而产生干扰的效果使得曝光能量下降。又或者当曝光光源通过具有半色调斜纹区域54f的特定区域54时，因为半色调斜纹区域54f的影响，曝光能量也会下降。因此，曝光工艺中作用在第一平行线40的第一曝光能量大于作用在第二平行线42的第二曝光能量。另外，控制第二曝光能量为一精确的能量值，以使在特定区域54下的光阻层38不会在后续显影(development)工艺中被完全移除，这个精确的能量值由光阻层的材料、曝光能量大小、特定区域54的图案和显影工艺的显影时间等因素所决定。

如图4所示，进行显影工艺以形成图案化光阻层58在阻隔壁材料层36上，其中，图案化光阻层58包含第一平行线40和与第一平行线40垂直交错的第二平行线42，而且第一平行线40具有第一厚度，该第一厚度较第二平行线42具有的该第二厚度厚，其中，第一平行线40和第二平行线42的交错区域也具有第一厚度。在此请注意，尽管在其它实施例中，第一厚度和第二厚度可以在显影工艺进行后具有相同的厚度，但第一平行线40所具有的第一键结力依旧大于第二平行线42所具有的第二键结力，其中，第一平行线40和第二平行线42的交错区域也具有第一键结力。

如图5所示，藉由蚀刻工艺或者喷砂工艺移除没有被图案画光阻层58覆盖的阻隔壁材料层36，同时，一部分第一平行线40和所有的第二平行线42都被移除，且位于第二平行线42下方的一部分阻隔壁材料层36亦被移除。

请参考图6，利用剥除(striping)工艺移除图案化光阻层58，以形成多数阻隔壁在基板30上，其中，阻隔壁包含有多数垂直平行阻隔壁44和多数与垂直平行阻隔壁44交错且垂直的水平平行阻隔壁46。另外，垂直平行阻隔壁44具有第三厚度，第三厚度比水平平行阻隔壁46具有的第四厚度厚。之后，进行烧结(firing)工艺以形成阻隔壁，最后，形成包含有垂直平行阻隔壁44和高度低于垂直平行阻隔壁44的水平平行阻隔壁46的封闭式阻隔壁48。

在第二最佳实施例中，负光阻型态的光阻层38也可替换成正光阻型态，假若光阻层是正光阻型态，则光掩模包含有多数遮蔽平行线和多数特定区域以利用来形成光阻层图案。遮蔽平行线遮盖住光阻层中多数对应的第一平行线，特定区域则遮盖光阻层中多数对应的第二平行线。另外，每个特定区域的图案为选择自斑点数组、栅栏数组、垂直狭缝数组、水平狭缝数组、马赛克格状数组和半色调斜纹图案。由于曝光工艺的光源在通过特定区域时已减弱，即曝光工艺中作用在第二平行线上的曝光能量已经减弱，因此，经过显影工艺后，第一平行线的厚度较第二平行线的厚度厚，或是第一平行线的键结力较第二平行线的键结力大，其中第二较佳实施例的其它步骤和第一实施例相似。

和习知技术相较，本发明利用第一平行线和第二平行线的厚度不同或是键结力不同，来达到形成有足够抽气通道供抽气使用的封闭式阻隔壁。本发明的优点是可简化封闭式阻隔壁的工艺。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (25)

1.一种等离子体显示面板的阻隔壁制作方法，包含：

提供基板；

在该基板上形成阻隔壁材料层；

在该阻隔壁材料层上形成图案化光阻层，该图案化光阻层包含多数第一平行线和多数第二平行线，该等第二平行线与该等第一平行线互相交错且垂直设置，且该等第一平行线具有第一厚度，该等第二平行线具有第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度；以及

形成多数第一平行阻隔壁和多数第二平行阻隔壁，该等第一平行阻隔壁具有第三厚度，该等第二平行阻隔壁具有第四厚度，该第三厚度大于该第四厚度。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中还包含在形成该阻隔壁材料层之前，在该基板上形成多数寻址电极，以及在该等寻址电极和该基板上形成介电层。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中还包含在形成该阻隔壁材料层后，进行干燥该阻隔壁材料层的步骤。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中还包含在该图案化光阻层形成前，在该阻隔壁材料层上方披覆负光阻型态的光阻层。

5.如权利要求4所述的制作方法，其中该图案化光阻层是利用第一光掩模、第一曝光工艺和第一显影工艺所完成，其中该第一光掩模包含有多数第三平行线在曝光后形成相对应的该等第一平行线，以及多数第一特定区域在曝光后形成相对应的该等第二平行线。

6.如权利要求5所述的制作方法，其中作用在该等第一平行线的该第一曝光工艺的第一曝光能量大于作用在该等第二平行线的该第一曝光工艺的第二曝光能量，使得该等第一平行线的该第一厚度大于该等第二平行线的该第二厚度。

7.如权利要求5所述的制作方法，其中各该第一特定区域具有第一图案，其选择自斑点数组、栅栏数组、垂直狭缝数组、水平狭缝数组、马赛克格状数组以及半色调斜纹区域。

8.如权利要求1所述的制作方法，其中还包含在形成该图案化光阻层之前，在该阻隔壁材料层上披覆正光阻型态的光阻层。

9.如权利要求8所述的制作方法，其中该图案化光阻层是利用第二光掩模、第二曝光工艺和第二显影工艺所完成，其中该第二光掩模包含有多数第四平行线以遮蔽相对应的该等第一平行线，以及多数第二特定区域以遮蔽相对应的该等第二平行线。

10.如权利要求9所述的制作方法，其中作用在该等第二平行线的该第二曝光工艺的第三曝光能量，使得该等第一平行线的该第一厚度大于该等第二平行线的该第二厚度。

11.如申权利要求9所述的制作方法，其中各该第二特定区域具有第二图案，其选择自斑点数组、栅栏数组、垂直狭缝数组、水平狭缝数组、马赛克格状数组以及半色调斜纹区域。

12.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该等第一平行阻隔壁和该等第二平行阻隔壁还包含下列步骤：

去除未被该图案化光阻层覆盖的阻隔壁材料层，其中该等第二平行线被去除后，一部分位于该等第二平行线下方的该阻隔壁材料层被去除，以形成该等第一平行阻隔壁在该等第一平行线下方，以及该等第二平行阻隔壁在先前的该等第二平行线下方；

去除剩余的该图案化光阻层；以及

烧结该等第一平行阻隔壁和该等第二平行阻隔壁。

13.如权利要求12所述的制作方法，其中该阻隔壁材料层是藉由喷砂工艺所移除。

14.如权利要求12所述的制作方法，其中该阻隔壁材料层是藉由蚀刻工艺所移除。

15.如权利要求12所述的制作方法，其中该图案化光阻层是藉由剥除(striping)工艺所移除。

16.如权利要求1所述的制作方法，其中该等第一平行线具有第一键结力，较该等第二平行线具有的第二键结力大。

17.一种等离子体显示面板的阻隔壁，包含：

基板；

阻隔壁材料层，位于该基底上；以及

形成多数第一平行阻隔壁和多数第二平行阻隔壁，该等第一平行阻隔壁具有第三厚度，较该等第二平行阻隔壁具有的第四厚度厚。

18.如权利要求17所述的等离子体显示面板的阻隔壁，其中该阻隔壁材料层和该基板之间又包含多数寻址电极，以及介电层，覆盖在该等寻址电极上。

19.如权利要求18所述的等离子体显示面板的阻隔壁，其中该等第一平行线具有第一键结力，较该等第二平行线具有的第二键结力大。

20.一种等离子体显示面板的阻隔壁，包含：

基板；以及

多数第一平行阻隔壁和多数第二平行阻隔壁，位于该基板上，该等第一平行阻隔壁的厚度较该等第二平行阻隔壁的厚度厚。

21.如权利要求20所述的等离子体显示面板的阻隔壁，其中该等第一平行阻隔壁、该等第二平行阻隔壁和该基板之间又包含多数寻址电极，以及介电层覆盖在该等寻址电极上。

22.一种等离子体显示面板的阻隔壁，包含：

基板；

阻隔壁材料层，位于该基底上；

光阻层，在该阻隔壁材料层上；以及

光掩模，位于该光阻层上方，该光掩模包含多数平行线和多数特定图案。

23.如权利要求22所述的等离子体显示面板的阻隔壁，其中该光掩模为负光阻型态。

24.如权利要求22所述的等离子体显示面板的阻隔壁，其中该光掩模为正光阻型态。

25.如权利要求22所述的等离子体显示面板的阻隔壁，其中该特定图案选自斑点数组、栅栏数组、垂直狭缝数组、水平狭缝数组、马赛克格状数组以及半色调斜纹区域。

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