CN1821448A - 等离子体处理装置及其部件和部件的寿命检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明目的是提供在等离子体处理装置中，难以产生以识别标志为起点的裂纹的部件，同时提供利用此识别标志可以检测部件寿命的方法。在装入基板(W)的处理容器(10)中生成等离子体，对基板(W)实施等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，作为配置在处理容器(10)内的部件(17)，在部件(17)的表面上带有识别标志(20、21)，该识别标志(20、21)是将通过把多个在平面看具有大体圆形、纵断面形状大体为U字形的基点坑(22)并排所表示的记号进行一组或两组以上的组合而成。

Description

等离子体处理装置及其部件和部件的寿命检测方法

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置，主要涉及配置在等离子体处理装置的处理容器内的部件和它的寿命的检测方法。

背景技术

在半导体装置和液晶显示装置等的电子器具的制造工艺等中，例如为了在基板上形成规定的电路图案，进行把基板上的膜蚀刻成规定形状的蚀刻处理。而在此蚀刻处理中广泛采用等离子体处理装置。等离子体处理装置例如在处理室内有载置基板的下部电极、以及成为对在该下部电极上的基板喷出规定气体的上部电极的喷淋头。蚀刻处理例如在从喷淋头向处理室内喷出规定的混合气体的状态下，在上下两个电极之间施加高频电，通过在处理室内生成等离子体，对基板上的膜进行蚀刻。

其中在象所述那样在处理室内生成等离子体，对处理室内的基板进行蚀刻处理的情况下，存在有所谓蚀刻速度、蚀刻选择比等的所谓蚀刻特性在基板的中央部位和外周边部位产生偏差的问题。认为其原因之一是在处理室内生成的等离子体密度在中央部位附近和外周边部位附近之间不均匀。所以提出了在载置在下部电极上的基板的周围配置所谓的聚焦环，利用把生成等离子体范围扩大到基板的周围，使基板上的等离子体密度均匀化，使蚀刻处理均匀化的方案(例如参照专利文献1、2)。

专利文献1特开平9-45624号公报

专利文献2特开2002-184764号公报

可是在配置在等离子体处理装置的处理容器内的聚焦环和其他的部件上，带有用于部件管理的制造编号等的识别标志。通过用此识别标志进行管理，判断部件的更换时间，或可以对产生缺陷等的部件的制造过程等进行跟踪调查。现在对于等离子体处理装置的部件附加识别标志的情况下，利用所谓的激光标记法，通过在部件表面刻制连续的槽，形成数字和文字等的识别标志。

可是由于配置在等离子体处理装置的处理容器内的部件在处理时暴露在高温下，这样对于带有识别标志的部件，有时因等离子体处理的程度增加的热应力，产生以识别标志为起点的裂纹。特别是对于象聚焦环等这样的由Si构成的部件和由石英、氧化铝陶瓷、氧化钇陶瓷、SiC等的所谓的脆性材料构成的部件，容易产生以识别标志为起点的裂纹。

发明内容

本发明是鉴于此点而进行的发明，其目的是提供在等离子体处理装置中，难以产生以识别标志为起点的裂纹的部件，同时提供利用此识别标志可以检测部件寿命的方法。

为了达到所述目的，如采用本发明，可以提供等离子体处理装置的部件，是在装入基板的处理容器内生成等离子体，对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置中，被配置在所述处理容器内的部件，其特征在于，在所述部件的表面上带有识别标志，该识别标志是将通过把多个在平面看来具有大体圆形、纵断面形状大体为U字形的基点坑并排所表示的记号进行一组或两组以上的组合而得到。

在此部件中，例如所述基点坑的直径D为0.1mm以下，基点坑的中心轴彼此之间的最短距离L为所述直径D的3倍以上。这种情况下，所述基点坑的直径D优选的是比等离子体处理时的壳层厚度小。此外在表示所述记号时，把多个基点坑排成线状配置的基点坑列和多个基点坑排成线状配置的其他基点坑的列相接的情况下，在该相接的位置这些基点列彼此之间所成的角度可以不小于25°。

此外在所述部件露出于处理容器内的表面上，带有两个以上记号组合后的识别标志，在所述两个以上的记号中，在各记号上基点坑的深度不同也可以。此外在所述部件不露出于处理容器内的表面上，也可以带有所述识别标志。

此外所述部件可以是由Si、石英、氧化铝陶瓷、氧化钇陶瓷、SiC中的任何一个构成的部件。

此外所述基点坑例如可以用激光加工形成。所述基点坑例如可以用湿式蚀刻形成。

此外如采用本发明，提供一种等离子体处理装置，是在装入基板的处理容器内生成等离子体，对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，把所述部件配置在所述处理容器内。

此外如采用本发明，提供一种等离子体处理装置中的部件的寿命检测方法，是在装入基板的处理容器内生成等离子体，对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置中，检测配置在所述处理容器内的部件的寿命的方法，其特征在于，在所述部件的表面上带有识别标志，该识别标志是将通过把多个在平面看具有大体圆形、纵断面形状大体为U字形的基点坑并排所表示的记号进行一组或两组以上的组合而得到，利用该识别标志的状态检测所述部件的寿命。

这种情况下，所述基点坑的直径D为0.1mm以下，基点坑的中心轴彼此之间的最短距离L为所述直径D的3倍以上。此外所述基点坑的直径D优选的是比等离子体处理时的壳层厚度小。此外在所述部件的露出于处理容器内的表面上，带有将对各记号来说基点坑深度不同的两个以上的记号加以组合得到的识别标志，可以根据各记号的消失来检测所述部件的寿命。

如采用本发明，对于配置在等离子体处理装置的处理容器内的部件，可以抑制以识别标志为起点的裂纹产生。此外如采用本发明，利用部件表面上带有的识别标志可以检测该部件的寿命。

附图说明

图1为用于说明本实施方式的等离子体处理装置的简要结构的纵剖面图。

图2为聚焦环的俯视图。

图3为聚焦环的仰视图。

图4为聚焦环的上面带有的识别标志的放大图。

图5为聚焦环的下面带有的识别标志的放大图。

图6为表示从上或下看基点坑的状态的放大俯视图。

图7为表示在基点坑部位切断聚焦环的表面表示的放大纵剖面图。

图8为基点坑深度的说明图。

图9为激光加工装置的说明图。

图10为湿式蚀刻的说明图。

图11为内侧上部电极的横剖面图。

图12为表示供气系统的简要结构的说明图。

图13为本发明的实施例的测试试样的说明图。

图14为对比例的测试试样的说明图。

图15为破坏试验的说明图。

图16为表示关于本发明的实施例的测试试样和对比例的测试试样，厚度和断裂强度的关系的曲线。

符号说明：S处理室；W基板；1等离子体处理装置；10处理容器；11绝缘板；12基座支撑台；13基座；14静电卡盘；15电极；16直流电源；17聚焦环；18绝缘部件；20、21识别标志；20a、20b、20c、21a、21b、21c记号；22基点坑；23激光加工装置；24激光振荡器；25扫描机构；26透镜；27蚀刻液滴；28冷却介质室；29a、29b配管；29c供气线路；30上部电极；31外侧上部电极；32内侧上部电极；33介电体；34绝缘性屏蔽部件40匹配器；41上部供电棒；42连接器43供电筒；44第一高频电源；45绝缘部件；50电极板；50a气体喷出孔；52电极支撑体；53缓冲室；54环形隔断部件；53a第一缓冲室；53b第二缓冲室；60下部供电筒；61可变电容器；70排气口；71排气管72排气装置；80匹配器；81第二高频电源；82低通滤波器；83高通滤波器；90装置控制部；100、101气箱；102第一供气管；104质量流量控制器；105流量调节阀；110第二供气管；112质量流量控制器；113流量调节阀；120气体设定装置。

具体实施方式

下面对本发明优选的实施方式进行说明。图1为用于说明本实施方式的等离子体处理装置1的大体结构的纵剖面图。此等离子体处理装置1是构成对Si晶片等的基板W例如进行等离子体蚀刻处理的装置。

等离子体处理装置1构成所谓的平行平板型电极机构的电容耦合型。此等离子体处理装置1具有在内部形成处理室S的例如大体为圆筒形的处理容器10。处理容器10例如用铝合金制成，内壁面用氧化铝膜或氧化钇膜覆盖。此外处理容器室10被接地。

在处理容器10内的中央的底部通过绝缘板11设置圆柱形的基座支撑台12。在基座支撑台12上支撑着作为载置基板W的载置部的基座13。基座13构成平行平板型电极结构的下部电极。基座13例如用铝合金制成。

在基座13的上部设置有保持基板W的静电卡盘14。静电卡盘14内部有电极15。直流电源16与电极15进行电连接。通过从直流电源16把直流电压施加在电极15上，产生库仑力，可以把基板W吸附在基座13的上面。

在静电卡盘14周围的基座13的上面，以包围被吸附在基座13上面的基板W的周边的方式，配置聚焦环17。聚焦环17与基板W相同，由Si构成。在基座13和基座支撑台12的外周边的面上，贴上例如由石英构成的圆筒形的绝缘部件18。聚焦环17被载置在这些基座13和绝缘部件18上，成为聚焦环17的上面露出于处理容器10内，聚焦环17的下面不露出于处理容器10内的状态。此外聚焦环17的上面的高度被设定成与被吸附在基座13的上面的基板W的上面的高度相同。

图2、3为在此等离子体处理装置1中使用的聚焦环17的俯视图和仰视图。如这些图2、3所示，在聚焦环17的上面带有规定的识别标志20，同样在聚焦环17的下面带有另外的规定的识别标志21。在此实施方式中，聚焦环17的上面带有的识别标志20是由三个记号20a、20b、20c组合成的结构，同样聚焦环17的下面带有的识别标志21也是由三个记号21a、21b、21c组合成的结构。

图4为聚焦环17的上面带有的识别标志20的放大图，图5为聚焦环17的下面带有的识别标志21的放大图。如图4所示，聚焦环17的上面带有的识别标志20通过把表示数字“1”的记号20a、表示数字“2”的记号20b、表示数字“3”的记号20c并排，作为整体表示三位数字的“123”。此外如图5所示，聚焦环17的下面带有的识别标志21通过把表示数字“4”的记号21a、表示数字“5”的记号21b、表示数字“6”的记号21c并排，作为整体表示三位数字的“456”。

各记号20a、20b、20c、21a、21b、21c都是把多个在聚焦环17的表面(上面或下面)形成的基点坑22并排的结构。图6为表示从上或下看基点坑22的状态的放大平面图。如此图6所示，各基点坑22具有在平面看大体为圆形。图7为表示在基点坑22的部位把聚焦环17的表面(上面或下面)剖开表示的放大的纵剖面图。如此图7所示，各基点坑22在纵剖面上底部形成半球形，聚焦环17的表面附近的入口部分形成圆柱形。这样各基点坑22的纵剖面形状成为大体为U字形。

此外这些各基点坑22的直径D做成比在等离子体处理装置1中的等离子体处理时在处理容器10内产生的等离子体的壳层厚度小。等离子体的壳层(plasma sheath：等离子体鞘)厚度因等离子体的产生条件和处理气体等的各种主要因素而改变，具体说，各基点坑22的直径D例如在0.1mm以下，优选的是各基点坑22的直径D在0.05mm以下。

此外在为了表示各记号20a、20b、20c、21a、21b、21c并排成线的多个基点坑22之间相互间隔规定的距离而配置。在相邻的基点坑22之间，基点坑22的中心轴彼此之间的最短距离L例如设定成基点坑22的直径D的3倍以上(即L≥3D)。具体说此最短距离L例如在0.151mm以上。

此外在表示各记号20a、20b、20c、21a、21b、21c时，多个基点坑22并排成线状配置的基点列与多个基点坑22并排成线配置的另外的基点列相接的情况下，在这些基点列之间相接的位置上，基点列之间所成的角设定成不小于25°。也就是例如在图5所示的识别标志21中，如根据表示数字“4”的记号21a进行说明，此记号21a由把多个基点坑22并排成L字型线状的第一基点列22a、以及把多个基点坑22在纵轴方向并排成直线状的第二基点列22b构成。成为将并排成L字型的第一基点列22a的一端部与并排成纵向一列的第二基点列22b的几乎中央连接的结构。如以此记号21a为例，在第一基点列22a和第二基点列22b相接位置22c(也就是并排成L字型的第一基点列22a的一端位置22c＝并排成纵向一列的第二基点列22b的大体中央的位置22c)上，第一基点列22a和第二基点列22b所成的角度θa、θb被设定成都不小于25°。在此记号21a的例子中，在位置22c的第一基点列22a和第二基点列22b所成的角度θa、θb都几乎为90°。对表示数字“4”的记号21a进行了说明，其他记号20a、20b、20c、21b、21c也是在基点列之间相接的部位，这些基点列之间所成的角都被设定成不小于25°。

此外对于各基点坑22的深度d注意到在几段深度不同。也就是在此实施方式中有如图8(a)所示的比较浅的深度d1的基点坑22、图8(b)所示的中等程度的深度d2的基点坑22、图8(c)所示的比较深的深度d3的基点坑22。而对于聚焦环17的上面带有的识别标志20，被设定成对每个记号20a、20b、20c，基点坑22的深度不同。

在此实施方式中，在图4所示的识别标志20中表示数字“1”的记号20a用比较浅的深度d1的基点坑22显示。此外表示数字“2”的记号20b用中等程度的深度d2的基点坑22显示，表示数字“3”的记号20c用比较深的深度d3的基点坑22显示。

另一方面对于在聚焦环17的下面带有的识别标志21，表示各记号21a、21b、21c都同样深度的基点坑22构成。这种情况下，各记号21a、21b、21c仅用比较浅的深度d1的基点坑22构成。

例如用图9所示的激光加工装置23形成以上各基点坑22。如采用此激光加工装置23，把从激光振荡器24射出的激光通过扫描机构25、透镜26等的光学机构，照射到聚焦环17的表面上，可以形成具有希望直径D和深度d的基点坑22。在此激光加工装置23中，例如用扫描机构25通过调整激光的照射范围，可以使基点坑22的直径D为任意大小。此外例如通过调整照射到聚焦环17表面上的激光的照射数量，可以使基点坑22的深度d为任意深度。例如通过使激光的照射数量比形成中等程度的深度d2的基点坑22的情况的次数少，可以形成比较浅的深度d1的基点坑22。此外相反通过使激光的照射数量比形成中等程度的深度d2的基点坑22的情况的次数多，可以形成比较深的深度d3的基点坑22。

此外例如图10所示的那样，通过使蚀刻液滴27接触聚焦环17的表面的湿式蚀刻，可以形成各基点坑22。这种情况下例如通过调节蚀刻处理时间，可以使基点坑22的直径D和深度d为任意大小。此外通过进行用掩模的蚀刻处理也可以形成基点坑22。此外作为蚀刻液例如可以用氟酸和硝酸的混合液等。

如图1所示，在基座支撑台12内部形成环形的冷却介质室28。冷却介质室28通过配管29a、20b与设置在处理容器10外部的冷冻单元(图中没有表示)连通。在冷却介质室28中通过配管29a、29b循环提供冷却介质或冷却水，通过这样的循环提供可以控制基座13上的基板W的温度。在静电卡盘14的上面，通过通入基座13和基座支撑台12内的气体供给线29c，可以把He气等的传热气体提供到基板W和静电卡盘14之间。

在基座13的上方设置有与基座13平行面对的上部电极30。在基座13和上部电极30之间形成等离子体生成空间。

上部电极30具有环形的外侧上部电极31、其内侧的圆板形的内侧上部电极32。环形介电体33夹在外侧上部电极31和内侧上部电极32之间。例如由氧化铝构成的环形绝缘性屏蔽部件34以气体密封的状态夹在外侧上部电极31和处理容器10的内周壁之间。

第一高频电源44通过匹配器40、上部供电棒41、连接器42和供电筒43与外侧上部电极31进行电连接。第一高频电源44可以输出40MHz以上例如60MHz的频率的高频电压。

供电筒43例如做成下面开口的大体圆筒形，下端被连接在外侧上部电极31上。上部供电棒41的下端用连接器42与供电筒43的上面中央部位进行电连接。上部供电棒41的上端被连接在匹配器40的输出一侧。匹配器40连接在第一高频电源44上，可以使负荷阻抗与第一高频电源44的内部阻抗匹配。通过有与处理容器10相同直径的侧壁的圆筒形的接地导体10a覆盖供电筒43的外面。接地导体10a的下端被连接在处理容器10的侧壁的上部。所述的上部供电棒41贯通接地导体10a的上面中央部位，绝缘部件45夹在接地导体10a和上部供电棒41的接触部位。

内侧上部电极32构成向载置在基座13上的基板W喷出规定的混合气体的喷淋头。内侧上部电极32具有有多个气体喷出孔50a的圆形电极板50、可以自由装拆地支撑电极板50的上面一侧的电极支撑体52。电极支撑体52做成与电极板50相同直径的圆盘形，在内部形成圆形的缓冲室53。

在缓冲室53内设置例如图11所示由O形环构成的环形隔断部件54，把缓冲室53分割成中心部位一侧的第一缓冲室53a和外周边部位一侧的第二缓冲室53b。第一缓冲室53a与基座13上的基板W的中央部位相面对，第二缓冲室53b与基座13上的基板W的外周边部位相面对。气体喷出孔50a与在各缓冲室53a、53b的下面连通，从第一缓冲室53a可以向基板W的中央部位喷出规定的混合气体，从第二缓冲室53b可以向基板W的外周边部位喷出规定的混合气体。此外对于对各缓冲室53提供规定的混合气体的气体供给系统在后面叙述。

如图1所示，连接在上部供电棒41上的下部供电筒60与电极支撑体52的上面进行电连接。在下部供电筒60上设置可变电容器61。可变电容器61可以调整利用由第一高频电源44产生的高频电压而在外侧上部电极31的正下方所形成的电场强度和在内侧上部电极32的正下方所形成的电场强度的相对比例。

处理容器10的底部形成有排气口70。排气口70通过排气管71被连接在具有真空泵等的排气装置72上。利用排气装置72可以把处理容器10内减压到希望的真空度。

第二高频电源81通过匹配器80与基座13进行电连接。第二高频电源81可以输出例如20MHz的2MHz～20MHz范围频率的高频电压。

用于遮断来自第一高频电源44的高频电波，使来自第二高频电源81的高频电波接地通过的低通滤波器82与内侧上部电极32进行电连接。用于使来自第一高频电源44的高频电波接地通过的高通滤波器83与基座13进行电连接。

在等离子体处理装置1中设置有控制直流电源16、第一高频电源44和第二高频电源81等的用于实施蚀刻处理的各单元动作的装置控制部90。

下面对向内侧上部电极32提供混合气体的系统进行说明。如图12所示，内侧上部电极32被连接在设在处理容器10外侧的两个气箱100、101上。内侧上部电极32的中央部位一侧的第一缓冲室53a用第一供气管102连接在第一气箱100上。在第一气箱100中装入三个供气源103a、103b、103c。第一供气管102从第一缓冲室53a向第一气箱100延伸，在中途分支，与第一气箱100的各供气源103a～103c连通。第一供气管102的各分流管上分别设置有质量流量控制器104。利用此质量流量控制器104可以把各供气源103a～103c的气体以规定的混合比混合，提供给第一缓冲室53a。在第一供气管102上设置有流量调节阀105，可以把规定流量的混合气体提供给第一缓冲室53a。

在本实施方式中，例如在供气源103a中封入例如氟碳系统的氟化合物、例如CF₄、C₄F₆、C₄F₈、C₅F₈等的C_XF_Y气体，在供气源103b中封入例如作为控制CF类的反应产物的沉淀物的例如O₂气。在供气源103c中封入例如作为载体的稀有气体例如Ar气。

同样在内侧上部电极32的外周边部位一侧的第二缓冲室53b用第二供气管110连接在第二气箱101上。在第二气箱101中装入例如三个供气源111a、111b、111c。第二供气管102从第二缓冲室53b向第二气箱101延伸，在中途分支，与第二气箱101的各供气源111a～111c连通。第二供气管110的各分流管上分别设置有质量流量控制器112。利用此质量流量控制器112可以把各供气源111a～111c的气体以规定的混合比混合，提供给第二缓冲室53b。在第二供气管110上设置有流量调节阀113，可以把规定流量的混合气体提供给第二缓冲室53b。

在本实施方式中，例如与第一气箱100的供气源103a～103c相同，在供气源111a中封入作为主蚀刻气体的C_XF_Y气体，在供气源111b中封入例如作为去除CF类的反应产物的沉淀物的O₂气。在供气源111c中封入例如作为稀有气体的Ar气。

第一供气管102一侧的质量流量控制器104、流量调节阀105、第二供气管110一侧的质量流量控制器112、流量调节阀113的动作例如可以用等离子体处理装置1的装置控制部90进行控制。在装置控制部90上设定向第一缓冲室53a提供的混合气体的混合比和流量、向第二缓冲室53b提供的混合气体的混合比和流量，装置控制部90按照该混合气体的各种设定，可以控制各质量流量控制器104、112和流量调节阀105、113的动作。

在此等离子体处理装置1中设置有用于对向第一缓冲室53a、第二缓冲室53b提供的各混合气体进行设定的气体设定装置120。气体设定装置120例如可以用通用计算机构成。气体设定装置120例如可以对装置控制部90进行通信，对装置控制部90输出设定信息，可以进行装置控制部90的有关混合气体的各种设定。

在象以上这样构成的等离子体处理装置1的蚀刻处理中，首先把基板W载置在基座13上。然后通过从排气管90的排气，把处理室S调整到规定的压力。然后从内侧上部电极32把例如C_XF_Y气体、O₂气和Ar气组成的作为蚀刻气体的混合气体提供到处理室S内。此时从第一缓冲室53a对基板W的中心部位一侧提供混合气体，从第二缓冲室53b对基板W的外周边部位一侧提供混合气体。此外用高频电源81在基座13上施加高频电波，使处理室S内的气体等离子体化。利用此等离子体的作用，基板W上的膜被蚀刻成规定的形状。

其中象上述这样在处理室S对基板W进行等离子体蚀刻处理时，由于在载置在基座13上的基板W的周围配置有聚焦环17，可以使等离子体的生成范围扩展到基板W的周围，使基板W上的等离子体密度均匀化，可以使蚀刻处理均匀化。然后在蚀刻处理终了后，把这样实施均匀的蚀刻处理的基板W从处理室10内取出。

可是在这样的等离子体蚀刻处理时，在处理容器10内露出的聚焦环17暴露在高温中，每次处理聚焦环17要反复膨胀、收缩。每次反复膨胀、收缩在聚焦环17上都施加了热应力。

可是如采用在此实施方式中说明的聚焦环17，由于象在前面所述的那样，聚焦环17的表面(上面和下面)带有的识别标志20、21由利用微细的圆形基点坑22所组成的记号20a、20b、20c、21a、21b、21c构成，所以难以发生以识别标志为起点的裂纹。因此与现有相比可以长时间使用聚焦环17。这种情况下，如说到由Si构成的聚焦环17，如各基点坑22的直径D在0.1mm以下，基点坑22的中心轴彼此之间的最短距离L是直径D的3倍，可以有效地防止以识别标志为起点的裂纹。此外象根据图5所示的记号21a(数字“4”)说明的那样，在表示各记号20a、20b、20c、21a、21b、21c时，在把多个基点坑22并排成线状配置的基点列彼此之间相接的情况下，如设定这些基点列之间所成的角都不小于25°，由于没有多个基点坑22在特定的部位集中，所以可以有效地防止以识别标志20、21为起点的裂纹。此外如使基点坑22的直径D比等离子体处理时的壳层(sheath：鞘)厚度小，在等离子体处理时，等离子体不会进入基点坑22的内部，几乎也可以避免因等离子体处理而造成深挖基点坑22的问题。

此外另一方面，一旦反复进行这样的等离子体蚀刻处理，在处理容器10内露出的聚焦环17的上面因接受到来自等离子体的离子的浸蚀而被溅蚀。聚焦环17逐渐变薄。可是如采用此实施方式中说明的聚焦环17，象前面所述的那样，对于聚焦环17的上面带有的识别标志20，由于在每个记号20a、20b、20c中被设定成基点坑22的深度不同，所以各记号20a、20b、20c起到作为显示聚焦环17的损耗情况的标识器的作用，用各记号20a、20b、20c可以知道聚焦环17的寿命。

也就是由于构成识别标志20的各记号20a的深度d1、d2、d3不同，在处理容器10内露出的聚焦环17的上面一旦因等离子体的离子作用逐渐损耗，首先最初由于用比较浅的深度d1的基点坑22表示的记号20a(数字“1”)消失，这样可以检测到聚焦环17的上面大体损耗了深度d1的程度。此外聚焦环17的上面因等离子体的离子作用进一步损耗，此后在用中等程度的深度d2的基点坑22表示的记号20b(数字“2”)消失的情况下，可以检测到聚焦环17的上面大体损耗了深度d2的程度。此外聚焦环17的上面因等离子体的离子作用更进一步损耗，此后在用比较深的深度d3的基点坑22表示的记号20c(数字“3”)消失的情况下，这样可以检测到聚焦环17的上面大体损耗了深度d3的程度。这样通过把各记号20a、20b、20c作为标识器，可以分阶段知道聚焦环17的寿命。此外如使基点坑22的直径D比等离子体处理时的壳层厚度小，等离子体处理时等离子体不会进入基点坑22。因此因等离子体处理而造成深挖基点坑22的问题小，所以各基点坑22能正确起到标识器的作用。

此外不直接露出容器10内的聚焦环17的下面由于实际上没有受到等离子体的离子浸蚀作用，所以没有必要象聚焦环17的上面那样检测损耗。聚焦环17的下面带有的识别标志21以肉眼可看到的必要的最小限度尺寸的基点坑22表示就足够了，所以只用比较浅的深度d1的基点坑22构成就没有关系。这样在不直接露出于容器10内的聚焦环17的下面带有的识别标志21最适合用于例如部件管理的制造编号等。

以上对本发明的实施方式的一个例子进行了说明，但本发明不限于此例，可以采用各种各样的方式。例如对于在聚焦环17的上面带有的识别标志20对在各记号20a、20b、20c使基点坑22的深度不同的例子进行了说明，但各记号20a、20b、20c的基点坑22的深度也可以相等。即使在这种情况下，通过识别标志20的损耗情况等的状态，也可以检测出聚焦环17的寿命。

此外在此实施方式中，在聚焦环17的上面和下面带有的识别标志20、21都用三为数字表示，但是识别标志也可以仅用一个记号表示，或把三个以外的多个记号组合表示。此外识别标志不限于数字，可以使用文字、其他图案等多种多样的记号表示。

此外在聚焦环17等的表面带有识别标志20、21时，可以用图9所示的激光加工和在图10中说明的湿式蚀刻等形成基点坑22。这种情况下，如利用湿式蚀刻，没有锋利的边缘的底面容易形成半球形的光滑的基点坑22。此外湿式蚀刻在难以产生晶体缺陷方面也是有利的。

此外以聚焦环17为例进行了说明，本发明可以广泛适用于配置在等离子体处理装置的处理容器内的各种部件。本发明对用Si、石英、氧化铝陶瓷、氧化钇陶瓷、SiC等的脆性材料构成的部件特别有效。作为适用本发明的其他部件例如有上部电极、沉淀屏蔽件等。

此外作为等离子体处理装置的一个例子对进行等离子体蚀刻处理的等离子体处理装置进行了说明，而本发明除了等离子体蚀刻处理以外，也可以适用于进行各种成膜处理、CVD处理等的等离子体处理装置。

[实施例]

图13表示作为本发明的实施例使用的测试试样200，图14表示作为对比例使用的测试试样210。这些测试试样200、210都是30mm×30mm的正方形的板材。在图13表示的实施例的测试试样200的表面上，先在横向一列形成与在图5中说明的记号21a相同的、把多个基点并排表示数字“4”的记号201。另一方面在图14表示的对比例的测试试样210的表面上，通过用激光标记法刻出连续的槽，在横向一列形成表示数字“4”的记号211。如图15所示，从与记号201、211相反的面按压这些测试试样200、210的中央，测定断裂强度F。改变测试试样200、210的厚度t(mm)，调查了厚度t和断裂强度F的关系，得到图16。本发明的实施例与对比例相比，断裂强度大幅度提高。

工业实用性

本发明可以适用于等离子体处理装置。

Claims (14)

1.一种等离子体处理装置的部件，是在收容有基板的处理容器内使等离子体生成而对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置中，被配置在所述处理容器内的部件，其特征在于，

在所述部件的表面上带有识别标志，该识别标志是将通过把多个在平面看具有大体圆形、纵断面形状大体为U字形的基点坑并排所表示出的记号进行一组或两组以上的组合形成。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的部件，其特征在于，

所述基点坑的直径D为0.1mm以下，基点坑的中心轴彼此之间的最短距离L为所述直径D的3倍以上。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置的部件，其特征在于，

所述基点坑的直径D比等离子体处理时的壳层厚度小。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置的部件，其特征在于，

在表示所述记号时，在将把多个基点坑排成线状而配置出的基点坑列和把多个基点坑排成线状而配置出的其他基点坑列相接的情况下，在该相接的位置，这些基点坑列之间所成的角度不小于25°。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置的部件，其特征在于，

在所述部件的露出于处理容器内的表面上，带有两个以上的记号组合出的识别标志，在所述两个以上的记号中，在各记号中基点坑的深度不同。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置的部件，其特征在于，

在所述部件的不露出于处理容器内的表面上，带有所述识别标志。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置的部件，其特征在于，

所述部件由Si、石英、氧化铝陶瓷、氧化钇陶瓷、SiC的任一物质构成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置的部件，其特征在于，

所述基点坑用激光加工形成。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置的部件，其特征在于，

所述基点坑用湿式蚀刻形成。

10.一种等离子体处理装置，在收容有基板的处理容器内使等离子体生成而对基板实施等离子体处理，其特征在于，

在所述处理容器内配置有权利要求1～9中任何一项所述的部件。

11.一种等离子体处理装置中的部件寿命检测方法，在收容有基板的处理容器内使等离子体生成而对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置中，检测配置在所述处理容器内的部件的寿命，其特征在于，

在所述部件的表面上带有识别标志，该识别标志是将通过把多个在平面看具有大体圆形、纵断面形状大体为U字形的基点坑并排所表示出的记号进行一组或两组以上的组合形成，利用该识别标志的状态检测所述部件的寿命。

12.一种等离子体处理装置中的部件寿命检测方法，其特征在于，

所述基点坑的直径D是0.1mm以下，基点坑的中心轴彼此之间的最短距离L是所述直径D的3倍以上。

13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置中的部件寿命检测方法，其特征在于，

所述基点坑的直径D比等离子体处理时的壳层厚度小。

14.根据权利要求11～13中任一项所述的等离子体处理装置中的部件寿命检测方法，其特征在于，

所述部件的露出于处理容器内的表面上带有将对各记号来说基点坑的深度不同的两种以上的记号组合而成的识别标志，利用各记号的消耗检测所述部件的寿命。

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