CN1788965B - 晶棒的切割方法及其装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的晶棒的切割方法及其装置，用于改善所切割晶片表面的纳米形貌，其向金属丝供给切割液的同时移动金属丝，并通过切割液将所送进的晶棒切成若干晶片，随后进入研磨、蚀刻、抛光等工序。本发明的晶棒的切割方法包括第一切片阶段，其利用小直径第一金属丝切割晶棒的一侧，以在晶片上形成第一切片部；及第二切片阶段，其利用直径大于第一金属丝直径的第二金属丝切割晶棒的剩余部分，以在所述晶片上形成连续于第一切片部的第二切片部。

Description

晶棒的切割方法及其装置
技术领域
本发明涉及一种晶棒的切割方法及其装置，特别涉及一种能够改善晶片纳米表面形貌(Nanotopography)的晶棒的切割方法及装置。
背景技术
晶片的制造流程一般包括晶棒(ingot)生长工序、切片(slicing)工序、边缘磨削(edge grinding)工序、研磨(lapping)工序、蚀刻(etching)工序、背面抛光(back side polishing)工序、预退火清洗(pre anneal clean)工序、边缘抛光工序及正面抛光(front polishing)工序。
所述晶棒生长工序是，从砂子中提炼出硅，生成硅原材料，并在所述硅原材料中添加所需杂质而形成N型或P型晶棒。
所述切片工序是，将所述晶棒生长工序中生成的晶棒切成预定厚度的晶片。
所述边缘磨削工序是，研磨所述切片工序中生成的晶片的边缘，将其加工成特定的形状，以改善边缘的表面粗糙度。
所述研磨工序是，研磨所述切成所需厚度的晶片的正面及背面，藉以消除其表面的损伤部分，提高平坦度。
所述蚀刻工序是，通过化学反应蚀刻晶片表面，藉以消除在所述研磨工序中未能消除的微小裂痕及表面缺陷。
所述背面抛光工序是，研磨所述经蚀刻的晶片的背面，清除其表面的损伤部分，提高其平坦度。
所述预退火清洗工序是，热处理及洗净所述经蚀刻的晶片的表面，以清除在蚀刻工序中形成于晶片表面上的不平整的网格纹。
所述边缘抛光工序是，研磨所述经蚀刻的晶片的边缘部分，藉以清除在蚀刻工序中形成在晶片边缘部分的表面损伤，提高平坦度。
所述正面抛光工序是，研磨所述经蚀刻的晶片正面，藉以改善晶片的表面粗糙度和平坦度。
如上所述，晶片制作流程是经过晶棒生长工序、切片工序等过程后，再经过研磨工序、蚀刻工序及抛光工序而制造出抛光的晶片。
具体在所述切片工序中，利用切片装置可将所述晶棒生长工序中生成的晶棒切成至少一片薄晶片。该切片装置用如钢琴线等高强度钢丝以规定间距(pitch)连续缠绕在设有多个槽的辊上，并向该金属丝供给切割液。然后使粘附有切割液的金属丝往复高速移动或往一个方向高速移动，并将晶棒按一定速度进给到金属丝上。由此，晶棒在粘附于金属丝上的切割液的辅助作用下被高速移动的金属丝切割成薄晶片。
在此切片过程中，由于所述具圆形断面的晶棒是由具有一定直径圆形断面的金属丝所切割，并且晶棒往金属丝方向移动时，其进给速度(feed rate)在切片的起始点和结束点上高，而越接近晶棒轴心部分，其速度就变得越慢，因此在切片起始阶段，难以在晶棒表面上确定金属丝的位置。
其结果，经上述切片工序的晶片即使再经过研磨、蚀刻、抛光工序，晶片上对应于切片起始点部位的纳米表面形貌仍然很高，导致半导体芯片的成品率下降。
需要说明的是，表示所述晶片表面上突出的波纹(wave)大小，即表示细微表面的特性时，将计量级称为粗糙度，将μm计量级称为平坦度，将nm计量级称为纳米表面形貌(nanotopography)。
随着半导体技术的发展，人们需要一种设计规则(desgin rule)，来改善纳米表面形貌。
这一设计规则的出台是为了改善晶片的微表面特性，而这一微表面特性就意味着纳米(nm)计量级的波纹，它在晶片的制造过程中受机械化学研磨条件的影响。
由于所述切片工序使用现有金属丝切割晶棒，因此在切片过程中所产生波纹的纳米表面形貌就比较高。
因此，即使在切片工序后再经研磨、蚀刻、抛光等工序，由于晶片的纳米表面形貌仍然很高，所以半导体芯片的不合格率也很高。
发明内容
本发明的目的是弥补现有技术的不足，提供一种晶棒的切割方法及装置，用以改善晶片表面的纳米表面形貌。
本发明的晶棒切割方法第一实施例，其向金属丝供给切割液的同时移动金属丝，并通过切割液将所给进的晶棒切成多片晶片，随后进入研磨、蚀刻、抛光等工序。本方法包括以下阶段：
第一切片阶段，其利用小直径金属丝切割晶棒的一侧，藉以在所述晶片上形成第一切片部；以及
第二切片阶段，其继第一切片阶段，利用断面直径大于所述第一金属丝的第二金属丝切割晶棒的剩余部分，藉以在晶片上形成连接于第一切片部的第二切片部。
所述第一切片阶段中，采用在第二切片阶段中使用过的旧金属丝作为第一金属丝切割晶棒；而所述第二切片阶段中，采用新的金属丝作为第二金属丝切割晶棒。
所述第一切片阶段中采用的第一金属丝的长度范围在1-20Km，优选在晶棒的表面上切入晶片直径的1-25％深度。
本发明的晶棒切割方法第二实施例如下：其向金属丝供给切割液的同时移动金属丝，并通过切割液将所送进的晶棒切成至少一片晶片，这些晶片将进入研磨、蚀刻、抛光阶段。而本方法包括以下阶段：
第一切片阶段，其将所述晶棒的进给速度分阶段逐步提升至最高速度以下；
第二切片阶段，其相继第一切片阶段开始，根据所切入位置到晶棒轴心的距离，调节晶棒的进给速度；以及
第三切片阶段，继第二切片阶段，将晶棒的进给速度维持在所述提升后速度。
所述第一切片阶段中，晶棒的切片起始速度最好低于第二切片阶段中最低进给速度。
本发明的晶棒切割方法第三实施例如下：其向金属丝供给切割液的同时移动金属丝，并以切割液为媒介，将所送进的晶棒切成至少一片晶片，这些晶片将依次进入研磨阶段、蚀刻阶段和抛光阶段。而本方法包括以下阶段：
第一切片阶段，其利用所述金属丝切割粘附在晶棒一侧的第一导板；
第二切片阶段，继第一切片阶段，用于切割晶棒；
第三切片阶段，继第二切片阶段，切割粘附在所述晶棒另一侧的第二导板。
所述第一切片阶段最好包括利用水溶性粘合剂粘附所述第一导板、晶棒、第二导板的阶段。
所述第三切片阶段最好包括分离所述切割后的包括第一导板、晶棒、第二导板的结合体的阶段。
所述分离阶段中可利用温度为70-95℃的水分离所述切割后的第一导板、晶棒、第二导板结合体。
本发明的晶棒切片装置包括，相互平行设置的第一工作辊和第二工作辊；沿工作辊的圆周方向以规定的间距连续缠绕在所述第一工作辊和第二工作辊上、并维持着一定张力移动的金属丝；设置在所述位于第一工作辊和第二工作辊之间金属丝上方的晶棒至少一侧、用以供给切割液的切割液供给单元；以及用于带动晶棒向金属丝进给、使晶棒在粘附有切割液并且高速移动的金属丝的作用下被切割的工作板，其中所述金属丝由第一金属丝和与之连接且直径略大的第二金属丝构成。
所述第一金属丝可使用在切割晶棒时已用过的旧金属丝，第二金属丝可以用未使用过的新金属丝。
所述第一金属丝的长度在1-20Km之间。
本发明晶棒切割装置还包括第三工作辊，其与第一工作辊及第二工作辊形成三角形配置结构。根据设备需要，可以仅设置第一工作辊及第二工作辊，也可以设置第一、第二工作辊及第三工作辊，或者可以设置第一、第二、第三工作辊及第四工作辊。
本发明晶棒切片装置另一种形态包括，相互平行的第一工作辊和第二工作辊；沿工作辊的圆周方向，以规定的间距连续缠在所述第一工作辊和第二工作辊上并且维持着一定张力移动的金属丝；设置在所述位于第一工作辊及第二工作辊之间金属丝上的晶棒，位于晶棒至少一侧的切割液供给单元；以及用于带动晶棒向金属丝进给、使晶棒在粘附有切割液并且高速移动的金属丝的作用下被切割的工作板，其中所述晶棒上，其面向金属丝的一侧和面向工作板的一侧分别结合有第一导板和第二导板。
所述第一导板及第二导板上与晶棒的接触面最好具有和晶棒接触面相同的曲率。
本发明利用第一金属丝对晶棒进行第一次切割，紧接着用第二金属丝对晶棒进行第二次切割。而因为在第一次切割中所形成的第一切割部的厚度大于第二次切分中形成的第二切割部的厚度。所以，在切片工序后对晶片进行研磨、蚀刻、抛光加工时，可将晶片的纳米表面形貌降低到所允许范围之内。通过改善纳米表面形貌，可以提高半导体芯片的合格率。
另外，在本发明的切片起始阶段中，可以将晶棒的进给速度由低于最高速度分阶段逐步提升。此外，在晶棒的两侧设置导板，由此先将导板切割后再对晶棒进行切割，因此在切片起始阶段，可以使金属丝在晶棒上定位，进一步达到将晶棒切割成均匀厚度晶片的目的。
此外，根据本发明可获得符合要求的纳米表面形貌，进而可降低半导体芯片的不合格率。
附图说明
图1为本发明的晶棒切片装置第一实施例的示意图。
图2为利用本发明的晶棒切割方法第一实施例切割形成的晶片俯视图。
图3为利用本发明的晶棒切割方法第一实施例切割形成的晶片侧视图。
图4为采用本发明的晶棒切割方法第二实施例时，晶棒的进给速度与切割时间关系的曲线图。
图5为图4中晶棒的进给速度和切片时间关系的晶片俯视图。
图6为本发明的晶棒切片装置第二实施例的示意图。
图7和图8为本发明晶棒切割方法的第三实施例切割形成的晶片俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式详细说明本发明。
图1为本发明的晶棒切片装置的第一实施例。
如图1所示，本发明的晶棒切片装置包括有第一工作辊10、第二工作辊20、第三工作辊30、金属丝40、切割液供给单元50及工作板60。
第一工作辊10和第二工作辊20上缠有金属丝40，这两个工作辊可使金属丝40处于绷紧状态，用于将晶棒1切分成若干晶片W。
即，所述第一工作辊10和第二工作辊20平行设置，其圆周面上设置有若干个间距P相同的槽11、21，这些槽11、21可用作使金属丝在工作辊10、20表面移动的通道。
所述槽11、21以螺旋状形成在第一工作辊10和第二工作辊20的外周面。因此在晶棒的切片工序中，可以使金属丝40在第一工作辊10和第二工作辊20上沿着其圆周方向按一定方向移动或者往复移动从而对晶棒进行切割。
第三工作辊30设置在第一工作辊10和第二工作辊20的下侧，第三工作辊30将金属丝40从第一工作辊10和第二工作辊20下方拉开一段距离，从而在切割晶棒1时，使之免于受到第一工作辊10及第二工作辊20下方金属丝40的干扰。
所述第三工作辊30可免设置，也可以设置两个以上。
为此，第三工作辊30可与第一工作辊10和第二工作辊20形成三角形或四角形以上的多角形配置结构(从图1一侧观看的形状)。当省略第三工作辊30时，第一工作辊10和第二工作辊20可形成平形配置结构。
此外，第三工作辊30上设有间距相同的若干个槽31，这些槽31与第一工作辊10和第二工作辊20上的槽具有相同的结构，从而使在第一工作辊10和第二工作辊20上沿圆周方向移动的金属丝40，也同步在第三工作辊30上沿其圆周方向移动。
如上所述，金属丝40连续缠绕在具三角形或多角形配置结构的第一工作辊10、第二工作辊20和第三工作辊30上。当省略第三工作辊30时，金属丝40按一定方向或往复相继缠绕在第一工作辊10和第二工作辊20之间。
所述金属丝40为一单线，该金属丝40依次缠在第一工作辊10、第二工作辊20及第三工作辊30上的槽11、21、31上，并在每个工作辊的长度方向上，继续缠在相邻的槽11、21、31上。
该金属丝40沿工作辊10、20、30的长度方向，连续缠绕在设置于工作辊10、20、30的槽11、21、31上。
即金属丝40在所述第一工作辊10和第二工作辊20上以相同的间距P，沿槽(groove)形成平行配置结构。
上述金属丝40的间距数决定晶片W的数量。当对缠绕在所述工作辊10、20、30上、并具有一定张力的金属丝40的一端施加如图1所示方向的牵引力F时，缠绕在工作辊10、20、30上的金属丝40在牵引力的作用下不断从工作辊10，20，30的一侧被引出。
此时，第一工作辊10、第二工作辊20以及第三工作辊30做旋转运动，同时把缠绕在槽11、21、31上的金属丝40带到相邻的槽11、21、31上，也就是使金属丝40在工作辊10、20、30的圆周方向上移动。
第一工作辊10、第二工作辊20及第三工作辊30可在工作辊与金属丝40之间磨擦力的作用下，利用金属丝40移动时产生的动力而旋转，或者也可以通过在其中之至少一个工作辊上设置的驱动电机(未图示)的作用下旋转。
此外，所述金属丝40可以采用拉伸强度高的钢琴线。
所述金属丝40可以具有一定大小的断面直径。
所述金属丝40可以由具小直径断面的第一金属丝40a和连接在第一金属丝40a上、且其断面直径大于第一金属丝40a的第二金属丝40b构成。
所述第一金属丝40a可以是已在切割晶棒1时使用过的旧金属丝，第二金属丝40b可以是尚未使用过的新金属丝。
在切片的起始阶段，第一金属丝40a在晶棒1的一侧进行切片，而所述第一金属丝40a在晶棒1上定位后，第二金属丝40b开始继续切割晶棒1的剩余部分。
这里，所述第一金属丝40a的长度范围最好是1-20Km。
如果利用第一金属丝40a在晶棒上确定好起始切割位置，由于该部分的晶片W会较厚，因此可在切片工序后再通过研磨、蚀刻、抛光等工序降低纳米表面形貌。
第一金属丝40a的长度可根据晶棒1的长度和晶片W的数量而定，当晶棒1的长度为30-45Cm时，如果金属丝40a的长度小于1Km，则对晶棒1的切割深度很浅，难以使金属丝40在晶棒1上定位。
如果第一金属丝40a的长度超过20Km，则晶片W上所形成的较厚部分过宽，会加大研磨工序的负担。
所述金属丝40上配置有将被切成若干晶片W的晶棒1。
所述金属丝40上设有切割液供给单元50，所述切割液供给单元50用于在切割所述晶棒1时向金属丝40供应切割液。
所述切割液供给单元50可以设置在金属丝40上晶棒1的一侧，但最好设置在晶棒1的两侧。
特别是，当所述金属丝40在第一工作辊和第二工作辊之间往复移动时，也可将所述切割液供给单元50设置在晶棒1的两侧，由此可有效地供给切割液。
所供给的切割液粘附在金属丝40上，并随金属丝40一起移动。
本发明晶棒的切片装置上还设有工作板60，所述工作板60用于将晶棒1进给到高速移动的金属丝40上，即，所述工作板60带动晶棒1往金属丝40方向垂直下降，并以粘附在金属丝40上的切割液为媒介，将晶棒1切割形成晶片W。
贴合在所述工作板6上的晶棒1的下降速度需要根据晶棒1的直径、金属丝40的移动速度及所需晶片W的纳米表面形貌而适当控制。
半导体晶片W是由晶棒生长工序中生成的晶棒1经过切片工序后，再经研磨、蚀刻、抛光等工序后制成。
本发明晶棒切片装置可利用多种方法将晶棒1切成若干晶片W。
图2是采用本发明晶棒的切割方法第一实施例切割形成的晶片俯视图，图3是采用本发明晶棒的切割方法第一实施例切割形成的晶片侧视图。
如图2、图3所示，晶棒的切割方法包括第一切片阶段ST10和第二切片阶段ST20。
在第一切片阶段ST10中，使用小直径第一金属丝40a切割晶棒1的一侧，以在晶片W上形成第一切片部W1。
这时，可以重绕(rewinding)已在第二切片阶段ST20中使用过的旧金属丝，并将其当作第一金属丝40a使用。而且，所述第一金属丝40a的长度范围最好是1-20Km。
具有上述长度的第一金属丝40a将晶棒1切至晶片W直径的1-25％深度，从而形成第一切片部W1。
第二切片阶段ST20继第一切片阶段ST10执行，利用断面直径大于第一金属丝40a的第二金属丝40b，切割晶棒1的剩余部分以形成第二切片部W2。
此时第二金属丝40b最好使用未使用过的新金属丝。
由第一金属丝40a切割形成的第一切片部W1的厚度t1比由第二金属丝40b切割形成的第二切片部W2的厚度t2大。
如此，所述第一金属丝40a在晶棒1上确定金属丝的位置，并形成具较大厚度t1的第一切片部W1。经过切片工序后，晶片W的第一切片部W1能够在其后的工序中得到充分的加工，由此可获得所需纳米表面形貌。
图4是用来表示采用本发明方法第二实施例时，晶棒的进给速度与切片时间关系的曲线图。
图5是用来表示图4中晶棒进给速度和切片时间之间关系的晶片俯视图。
如图4、图5所示，本发明方法的第二实施例包括有第一切片阶段ST30、第二切片阶段ST40及第三切片阶段ST50，并在图中示有用于表示现有技术中晶棒进给速度和切片时间之间关系的曲线a，以及用于表示本发明中晶棒进给速度和切片时间之间关系的曲线b。
所述晶棒切割方法可以使用具不同直径断面的第一金属丝40a及第二金属丝40b(如上述晶棒切片装置中所说明)，也可以使用具较大直径断面的相同的金属丝40。
在所述第一切片阶段ST30中，将晶棒的进给速度V分阶段逐步提升至最高速度Vmax以下，并同时进行切片。
所述第一切片阶段ST30，其起始速度小于第二切片阶段ST40最低进给速度Vmin，并分成至少两个以上阶段逐步提升至最高进给速度Vmax以下。
所述第一切片阶段ST30，可以分至少两个以上阶段逐步提升其进给速度，此时所提升的进给速度V可以等于或小于最高进给速度Vmax。
如上所述，第一切片阶段ST30将晶棒1的进给速度V先维持在较低水平后，再分阶段逐步提升其速度，因此在晶棒1的切片起始阶段，可稳定维持金属丝40在晶棒1上的位置的同时逐渐加大速度，对晶棒1分阶段进行切片。
所述第一切片阶段ST30中，可将晶棒1的进给速度V由较低速度逐渐提升至较高速度，由此保持金属丝在晶棒1上的位置，并形成与第二切片部W4、第四片部W5具有相同表面的第一切片部W3。
由此，经过所述切片工序后，晶片W的第一切片部W3能够在其后道工序中得到充分的加工，由此可获得所需纳米表面形貌。
执行所述第一切片阶段ST30后，紧接着进入第二切片阶段ST40。
第二切片阶段ST40中进行切片时，根据所切入位置到晶棒1轴心的距离调节晶棒1的进给速度V。
比如，在金属丝40的移动速度不变的情况下，当切割具圆形断面的晶棒1时，从晶棒1的边缘越靠近其中心，如图5中从1/8L的位置处到轴心处，晶棒1的进给速度V也就逐步减少。相反，经过晶棒1的中心之后，晶棒1的进给速度V将逐渐增大。
第二切片阶段ST40结束之后即进入第三切片阶段ST50，所述阶段ST50中，在将晶棒1的进给速度V维持在所述最高速度Vmax的情况下，切割晶棒1的最后剩余部分。
所述第三阶段的进给速度V不可大于最高进给速度Vmax。
本发明方法的第二实施例中的速度控制方法不仅适用于本发明装置的第一实施例(未设置第一导板和第二导板)，也适用于本发明装置的第二实施例。
图6是本发明晶棒切片装置第二实施例的示意图。
如图6所示，本实施例和第一实施例装置相比，二者的整体结构及作用相似。因此在下面仅针对二者的区别进行说明。
本实施例晶棒切片装置和第一实施例相比，进一步包括第一导板70和第二导板80。
和第一实施例相同，本实施例可以采用由大、小直径金属丝构成的金属丝40，也可以采用相同直径的金属丝40。
第一导板70设置在晶棒1的下侧，其面向金属丝40，而第二导板80设置在晶棒1的上侧，其面向工作板60。
所述第一导板70首先被切割，而所述第二导板80则在切完晶棒1后最后被切割。
所述第一导板70、晶棒1及第二导板80可用水溶性粘合剂粘合在一起，而所述水溶性粘合剂最好能够在70-95℃的水中溶解。
即所述水溶性粘合剂应具有适当的粘附力，并可在切片工序结束后易于剥离。
因此，最好采用高于切片温度条件下分解的粘合剂，使该粘合剂在切片过程中不被剥离，而等到加热时才能得以溶解。
在切片起始阶段，所述第一导板70首先被切割，直到金属丝40在晶棒1上定位为止，由此稳定维持金属丝40在晶棒1上的位置。
另外，第二导板80在晶棒1被切割之后，继续稳定金属丝40的位置，并固定所述晶片在切割后不致立即分离。
由此产生的晶片W，可获得所希望的纳米表面形貌。
在所述第一导板70和第二导板80中，与所述晶棒1接触的接触面71、81最好具有和晶棒1上的接触面1a和1b相同的曲率，以使导板与晶棒1的粘合结构更为坚固(图8)。
图7及图8表示利用本发明方法的第三实施例切割形成的晶片俯视图。
下面结合图7、图8进一步描述利用本发明装置的第二实施例切割晶棒的方法。
如前所述，本实施例方法也可以适用对晶棒1进给速度的控制方法，以便能够进一步改善晶片W的纳米表面形貌。
本实施例方法包括第一切片阶段ST60、第二切片阶段ST70及第三切片阶段ST80。
所述第一切片阶段ST60中，用金属丝40切割所述第一导板70。
所述第一切片阶段ST60中，在切割晶棒1之前首先切割第一导板70，由此确定金属丝40在晶棒1上的位置。
所述第一切片阶段ST60，最好在切片工序之前利用水溶性粘合剂将第一导板70和第二导板80粘附在晶棒1上。
所述第一切片阶段ST60结束之后紧接着进入第二切片阶段ST70，并对晶棒1进行切割。此时，金属丝40在第一导板70的导引作用下维持稳定状态的同时切割晶棒1。
第三切片阶段ST80中，相继第二切片阶段ST70，切割所述第二导板80。此时，金属丝40在维持稳定状态的情况下切割晶棒1的剩余部分，并继而切割第二导板80。晶棒1在所述第二导板80的导引下，能够稳定地被切割完毕。
所述第三切片阶段ST80中，最好还包括分离晶棒1、第一导板70和第二导板80的阶段，也就是由图7所示的状态变为图8所示的状态。
所述分离阶段中，将所切割的第一导板70-晶棒1-第二导板80结合体放入70-95℃的水中以清除水溶性粘合剂，由此达到分离目的。
由于所述水溶性粘合剂及水不会对晶片W的纳米表面形貌产生影响，因此可适用于本阶段中。
上述实施例是本发明的较佳实施例，但本发明并不限于上述实施例，可以在权利要求和说明书以及附图基础上进行多种变化和修饰，而这种变化和修饰应属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种晶棒的切割方法，其向移动的金属丝供给切割液，并通过切割液将所送进的晶棒切割形成至少一片待加工晶片，其特征在于，包括以下阶段：
第一切片阶段，其利用所述金属丝切割附着在晶棒一侧的第一导板；
第二切片阶段，其继第一切片阶段，对晶棒进行切割；以及
第三切片阶段，其继第二切片阶段，切割附着在晶棒的另一侧且与第一导板相对的第二导板，
其中所述第一切片阶段进一步包括利用水溶性粘合剂依次粘合所述第一导板、晶棒、第二导板的阶段，
其中所述第三切片阶段进一步包括分离所述切割后的包括第一导板、晶棒、第二导板的结合体的阶段。
2.根据权利要求1所述的晶棒的切割方法，其特征在于，所述切割后的第一导板、晶棒、第二导板结合体在70-95℃的水中分离。
3.一种晶棒的切片装置，其特征在于，包括：相互平行的第一工作辊和第二工作辊；沿工作辊圆周方向以规定的间距连续缠绕在所述第一工作辊和第二工作辊上的金属丝；设置在缠绕于所述第一工作辊和第二工作辊之间金属丝上的晶棒；至少设置在所述晶棒的一侧并向所述金属丝提供切割液的切割液供给单元；以及用于将晶棒进给至金属丝上部的工作板，其中所述晶棒的一侧设置有和金属丝相对面的第一导板，所述晶棒的另一侧设置有和所述工作板相对面的第二导板，
所述第一导板及第二导板附着于晶棒的一侧具有和所述晶棒相同的曲率，所述第一导板、晶棒、及第二导板通过水溶性粘合剂可分离地结合。
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