CN1784098A - 有机电致发光元件和具有该元件的有机电致发光装置 - Google Patents

有机电致发光元件和具有该元件的有机电致发光装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种可降低消费电力的有机电致发光元件和具有该元件的有机电致发光装置。在本发明的有机电致发光装置中,有机EL元件(100)具有空穴注入电极(2),空穴注入层(3),空穴输送层(4),橙色发光层(5),蓝色发光层(6),电子输送层(7)和电子注入电极(8)。在有机EL元件(100)的下方配置蓝色滤色片层CFB。通过调整从空穴注入电极(2)至电子输送层(7)的光学膜厚,可将蓝色波长区域的长波长侧的第二峰值的强度与短波长侧的第一峰值的强度之比设定在0.73以下。

Description

有机电致发光元件和具有该元件的有机电致发光装置
技术领域
本发明涉及有机电致发光元件和具有该元件的有机电致发光装置。
背景技术
近年来,随着信息技术(IT)的兴起,对用厚度为数mm的薄型可以进行全彩色显示的薄型显示元件的要求提高。作为这种薄型显示元件,有机电致发光(以下称为EL)元件开发的正在进行。
作为实现全彩色显示的手段可举出使用红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的方法,和组合使用白色发光元件与使光的三原色的单色光透过的滤色片的方法。该白色发光元件包含蓝色发光材料和橙色发光材料,使蓝色发光材料和橙色发光材料同时发光实现白色(例如,参照专利文献1)
[专利文献1]特开2001-52870号公报。
发明内容
在使用上述白色发光元件的有机EL装置的实用化中,降低消费电力是重要的问题之一。
目前,为了降低有机EL装置的消费电力,使用于有机EL元件的各种材料的开发正在进行。但是,要求再降低消费电力。
本发明的目的是提供可降低消费电力的有机电致发光元件和具有该元件的有机电致发光装置。
本发明者发现,除开发有机材料达到降低消费电力,还可以通过有机EL元件的结构最优化,降低消费电力。
第一发明的有机电致发光元件,依次具有:光透过性的第一电极;和至少包含发生400nm~530nm波长区域的光的发光层的有机层;第二电极,由发光层发生的光的光谱,在400nm~530nm的波长区域内的第一波长上,具有最大的发光强度,在将第一波长下的发光强度作为第一发光强度,将比第一波长多25nm的波长至530nm的波长区域内的最大发光强度作为第二发光强度的情况下,设定有机层的光学膜厚和第一电极的光学膜厚,使第二发光强度与第一发光强度之比在0.73以下。
第一发明的有机电致发光元件,在400nm~530nm的波长区域内,将长波长侧的波长区域内的第二发光强度与短波长侧的波长区域内的第一发光强度之比设定在0.73以下。在该情况下,可抑制从比第一波长长25nm的波长至530nm的波长区域的发光。这样,可减少从比第一波长长25nm的波长至530nm的波长区域内发光所使用的能量。结果,可以降低有机电致发光元件的消费电力。
有机层还可以包含在530nm以上的波长区域内,具有最大发光强度的另一个发光层。该情况下,通过组合400nm~530nm波长区域的发光与530nm以上波长区域的发光,可得到所希望的发光色。
第二发明的有机电致发光装置具有:第一发明的1个或多个有机电致发光元件;使由1个或多个有机电致发光元件发生的光透过的1个或多个色变换部件,色变换部件中至少一个可使400nm~530nm的波长区域的光透过。
第二发明的有机电致发光装置中,由1个或多个有机电致发光元件发生的光,通过1个或多个色变换部件,射出至外部。另外,由于使用第一发明的有机电致发光元件,可以抑制在比第一波长长25nm的波长至530的波长区域内的发光。这样,可降低在比第一波长长25nm的波长至530nm的波长区域内的发光所使用的能量。
另外,由于色变换部件中至少一个使400nm~530nm的波长区域的光透过,因此蓝色光可取出至外部。结果,可以降低有机电致发光装置的消费电力,并可得到色纯度高的蓝色光。
第三发明的有机电致发光装置具有:透光性基板;设在透光性基板上的第一发明的1个或多个有机电致发光元件;和设在透光性基板与1个或多个有机电致发光元件之间的1个或多个色变换部件,色变换部件中至少一个使400nm~530nm的波长区域的光透过。
第三发明的有机电致发光装置中,由1个或多个有机电致发光元件发生的光,通过1个或多个色变换部件,射出至外部。另外,由于使用第一发明的有机电致发光元件,可以抑制在比第一波长长25nm的波长至530nm的波长区域内的发光。这样,可降低在比第一波长长25nm的波长至530nm的波长区域内的发光所使用的能量。
另外,由于色变换部件中至少一个可使400nm~530nm的波长区域的光透过,因此蓝色光可取出至外部。结果,能够实现降低消费电力、并可得到色纯度高的蓝色光的反向放射(back emission)结构的有机电致发光装置。
第四发明的有机电致发光装置具有:基板;设在基板上的第一发明的1或多个有机电致发光元件;和设在1个或多个有机电致发光元件上的1个或多个色变换部件,色变换部件中至少一个使400nm~530nm的波长区域的光透过。
第四发明的有机电致发光装置中,由1个或多个有机电致发光元件发生的光,通过1个或多个色变换部件,射出至外部。另外,由于使用第一发明的有机电致发光元件,可以抑制在比第一个波长长25nm的波长至530的波长区域内的发光。这样,可降低在比第一个波长长25nm的波长至530nm的波长区域内的发光所使用的能量。
另外,由于色变换部件中至少一个使400nm~530nm的波长区域的光透过,因此蓝色光可取出至外部。结果,可以实现减少消费电力、并可得到色纯度高的蓝色光的顶发射(top emission)结构的有机电致发光装置。
至少一个色变换部件,可以在具有第二发光强度的波长内,具有比第一波长的透过率低的透过率。该情况下,可以更提高蓝色光的色纯度。
采用本发明,通过在400nm~530nm的波长区域内,设定有机层的光学膜厚和第一电极的光学膜厚,使第二发光强度与第一发光强度之比在0.73以下,可以降低有机电致发光元件和具有该元件的有机电致发光装置的消费电力。
附图说明
图1为表示本发明的一实施例的有机EL装置的示意性截面图;
图2为详细表示图1的有机EL装置的结构的截面图;
图3为表示本实施例的有机EL元件的发光光谱的一例的图;
图4为表示本发明的另一实施例的有机EL装置的详细截面图;
图5为表示实施例1~4和对照例1~3的有机元件的发光光谱的图形。
图6为表示实施列1~4和对照例1~3的有机元件的峰值比积消费电力的关系的图。
符号说明:
1基板,2空穴注入电极,3空穴注入层,4空穴输送层,5橙色发光层,6蓝色发光层,7电子输送层,8电子注入电极,100有机EL元件,CFR绿色滤色片层,CFG绿色滤色片屋,CFB蓝色滤色片层。
具体实施方式
以下,参照附图来说明本发明的有机电致发光(以下称有机EL)元件和具有该元件的有机EL装置。
图1为表示本实施例的有机EL装置的一例的示意性截面图,图2为详细表示图1的有机EL装置的结构的截面图。
图1的有机EL装置由有机EL元件100、红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG、蓝色滤色片层CFB和基板1构成。
红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG和蓝色滤色片层CFB形成在有机EL元件100和基板1之间。另外,由红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG和蓝色滤色片层CFB形成有机EL装置的各象素。
这些各滤色片层例如由玻璃或塑料等透明的材料制成。另外,作为各滤色片层使用CCM(色彩转换介质)也可以,使用玻璃或塑料等透明材料和CCM二者也可以。
其次,利用图2,详细说明图1的有机EL装置的结构。
如图2所示,在由玻璃或塑料等构成的透明的基板1上形成例如由氧化硅(SiO2)构成的层和由氮化硅(SiNX)构成的层所构成的层叠膜11。
在层叠膜11上的一部分,形成TFT(薄膜晶体管)20。TFT20由沟道(channel)区域12、漏极13d、源极13s、栅(gate)氧化膜14和栅电极15构成。
例如,在层叠膜11上的一部分,形成由多晶硅层等构成的沟道区域12。在沟道区域12上形成漏极13d和源极13s。在沟道区域12上形成栅氧化膜14。在栅氧化膜14上形成栅电极15。
TFT20的漏极13d与后述的空穴注入电极2连接,TFT20的源极13s与电源线(图中没有示出)连接。
在栅氧化膜14上形成第一层间绝缘膜16,以覆盖栅极15。在第一层间绝缘膜16上形成第二层间绝缘膜17,以覆盖漏极13d和源极13s。栅极15与电极(图中没有示出)连接。
另外,栅氧化膜14具有例如由氮化硅构成的层和由氧化硅构成的层的层叠结构。第一层间绝缘膜16具有例如由氧化硅构成的层和由氮化硅构成的层的层叠结构,第二层间绝缘膜17例如由氮化硅构成。
在第二层间绝缘膜17上分别形成红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG和蓝色滤色片层CFB。红色滤色片层CFR使红色波长区域的光透过,绿色滤色片层CFG使绿色滤长区域的光透过,蓝色滤色片层CFB使蓝色波长区域的光透过。在图2中,举例表示蓝色滤色片层CFB。蓝色滤色片层CFB优选使70%以上的400nm~530nm波长区域的光透过,更优选透过80%。
在第二层间绝缘膜17上例如形成由丙烯酸树脂构成的第一平坦化层18,以覆盖红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG和蓝色滤色片层CFB。
在第一平坦化层18上形成有机EL元件100。有机EL元件100依次包含空穴注入电极2、空穴注入层3、空穴输送层4、橙色发光层5、蓝色发光层6、电子输送层7和电子注入电极8。在第一平坦化层18上,对各个象素形成空穴注入电极2,在象素间的区域上形成绝缘性的第二平坦化层19,以覆盖空穴注入电极2。另外,空穴注入电极2例如由铟-锡氧化物(ITO)等透明导电膜构成。
形成空穴注入层3,以覆盖空穴注入电极2和第二平坦化层19。空穴注入层3例如利用等离子体CVD法(等离子体化学气相沉积法)形成的CFX(氟化碳)构成。
在该空穴注入层3上依次形成空穴输送层4、橙色发光层5、蓝色发光层6和电子输送层7。另外,在该电子输送层7上例如形成由铝等构成的电子注入电极8。
空穴输送层4例如由下述式(1)表示的N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(N,N’-Di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine)(以下简称NPB)等有机材料制成。
[化学结构式1]
Figure A20051009387400091
橙色发光层5具有在主材料中掺杂发光掺杂剂的结构。
作为橙色发光层5的主材料例如可使用NPB等。
作为橙色发光层5的发光掺杂剂例如可使用由下述式(2)表示的5,12-双(4-(6-甲基苯并噻唑-2-基)苯基)-6,11-二苯基萘(5,12-Bis(4-(6-methybenzothiazol-2-yl)phenyl)-6,11-diphenylnaphthacene)(以下简称为DBZR)等。
[化学结构式2]
Figure A20051009387400092
蓝色发光层6具有在主材料中掺杂第一和第二种掺杂剂的结构。这里,第二掺杂剂发光,第一掺杂剂通过促进从主材料向第二掺杂剂的能量移动,起到辅助第二掺杂剂发光的作用。
作为蓝色发光层6的主材料,例如可使用由下述式(3)表示的叔丁基置换联萘蒽(tert-butyl substituted dinaphthylanthracene)(以下简称TBADN)等。
[化学结构式3]
作为蓝色发光层6的第一掺杂剂例如可使用NPB等。
作为蓝色发光层6的第二掺杂剂例如可使用下述式(4)表示的1,4,7,10-四叔丁基芘(1,4,7,10-Tetra-tert-butylperylene)(以下简称为TBP)等
[化学结构式4]
作为电子输送层7例如可使用由下述式(5)表示的2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)(以下简称为BCP)。该情况下,由于BCP具有高的电子移动度,可将电子高效率地注入蓝色发光层6和橙色发光层5中。这样,驱动电压低,有机EL元件100的消费电力减小。
[化学结构式学5]
Figure A20051009387400103
另外,作为电子输送层7可使用由下述式(6)表示的三(8-羟基喹啉)铝)(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)(以下简称为Alq3)等其他有机材料也可以。
[化学结构式6]
Figure A20051009387400111
在上述有机EL元件100中,通过将电压施加在空穴注入电极2与电子注入电极8之间,从空穴注入电极2注入空穴,从电子注入电极8注入电子。空穴通过空穴输送层4,输送至橙色发光层5和蓝色发光层6,电子通过电子输送层7,输送至蓝色发光层6和橙色发光层5,在橙色发光层5和蓝色发光层6中,空穴与电子再结合,使橙色发光层5和蓝色发光层6发光。结果,得到白色光。
如上所述,通过在基板1上形成层叠膜11、TFT20、第一层间绝缘膜16、第二层间绝缘膜17、红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG和蓝色滤色片层CFB、第一平坦化层18、第二平坦化层19和有机EL元件100,完成反向放射结构的有机EL装置。
由有机EL元件100发生的光,通过红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG、蓝色滤色片层CFB与透明基板1,在外部取出。
以下说明上述有机EL元件100的白色光透过蓝色滤色片层CFB的情况。
图3为表示上述有机EL元件100的发光光谱的一例的图。在图3中,横轴表示波长,纵轴表示规格化的发光强度。在图3中,利用发光强度最大值为1的各波长,使发光强度规格化。
如图3所示,有机EL元件100的发光光谱在蓝色波长区域(400~530nm)内的400~480nm波长区域内,具有第一峰值,在480~530nm的波长区域内具有第二峰值。
在具有图3那样的发光光谱的有机EL元件100上设置蓝色滤色片层CFB时,通常,具有蓝色波长区域以外的波长的光几乎不透过蓝色滤色片层CFB。特别是,在提高蓝色光的纯度时,例如使用在第一峰值的波长及周边的波长区域内的透过率高(例如80%以上)、在其以外的波长区域的透过率低(例如70%以下)的蓝色滤色片层CFB。在使用这种蓝色滤色片CFB时,在透过低的波长区域内发光所使用的能量浪费。本发明者发现,通过抑制在浪费的波长区域内的发光,可以减少有机EL元件100的消费电力。
在本实施例中,在蓝色波长区域内,抑制比第一峰值波长长25nm以上的波长区域内的发光强度。具体地是,设定第二峰值的强度与第一峰值强度之比在0.73以下。
这里,有机EL元件100的发光光谱根据各层的材料和/或膜厚而变化。在这种情况下,通过调整从空穴注入电极2到电子输送层7的光学膜厚(厚度与折射率的积),操作光学干涉的影响,可将蓝色波长区域的第二峰值的强度与第一峰值的强度之比,设定在0.73以下。这样,可以抑制上述浪费部分的波长区域的发光,可以减少有机EL元件100的消费电力。
另外,在有机EL元件100的各层中使用的材料不限于上述材料,在使用其他材料时,也通过调整从有机EL元件100的空穴注入电极2到电子输送层7的光学膜厚,可将蓝色波长区域的第二峰值强度与第一峰值强度之比设定为0.73以下。这样,可以减少有机EL元件100的消费电力。
在上述实施例中,空穴注入电极2相当于第一电极,空穴注入层3、空穴输送层4、橙色发光层5、蓝色发光层6和电子输送层7相当于有机层,电子注入电极8相当于第二电极。
另外,红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG、蓝色滤色片层CFB相当于1个或多个色变换部件。
本实施例的有机EL装置具有以下结构也可以。
图4为表示另一实施例的有机EL装置的详细截面图。图4的有机EL装置在以下的点上与图2的有机EL装置的结构不同。
在图4的有机EL装置中,与图2的有机EL装置同样,在基板1上形成层叠膜11、TFT20、第一层间绝缘膜16、第二层间绝缘膜17、蓝色滤色片层CFB、第一平坦化层18、第二平坦化层19和有机EL元件100。在图4中,也示例蓝色滤色片层CFB。
然后,通过透明的粘接剂层23,依次层叠保护涂层22、蓝色滤色片层CFB和透明的密封基板21的层叠体被粘接在有机EL元件100上。这样,完成顶发射结构的有机EL装置。
由有机EL元件100发生的光,通过红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG、蓝色滤色片层CFB与透明的密封基板21,在外部取出。
在图4的有机EL装置中,基板1利用不透明的材料制成也可以。另外,有机EL元件100的空穴注入电极2,例如通过层叠膜厚约为50nm的铟-锡氧化物(ITO)、膜厚约为100nm的铝、铬或银形成。该情况下,空穴注入电极2,将由有机EL元件100产生的光反射至密封基板21测。
电子注入电极8由透明材料制成。电子注入电极8由层叠膜厚约为100nm的铟-锡氧化物(ITO)和膜厚约为20nm的银形成。
保护涂层22例如由厚度约为1μm的丙烯酸树脂等形成。红色滤色片层CFR、绿色滤色片层CFG和蓝色滤色片层CFB的厚度各约为1μm。
作为密封基板21例如可使用由玻璃、氧化硅(SiO2)构成的层或由氮化硅(SiNX)构成的层。
在图4的有机EL装置中,通过作为顶发射的结构,也可以作为象素区域在TFT20上的区域内使用。即,在图4的有机EL装置中,可以使用比图2的蓝色滤色片层CFB大的蓝色滤色片层CFB。这样,由于可使用更广泛的区域作为象素区域,有机EL装置的发光效率提高。
另外,在图4的有机EL装置中,通过调整从有机EL元件100的空穴注入层3至电子注入电极8的光学膜厚,将蓝色波长区域内的第二峰值强度与第一峰值强度之比设定为0.73以下。这样,可以减少有机EL元件100的消费电力。
在上述实施例中,电子注入电极8相当于光透过性的第一电极,空穴注入电极2相当于第二电极。
(实施例)
以下,举出实施例,说明采用本发明,通过调整有机EL元件的光学膜厚,可以减少消费电力。
(实施例1)
在实施例1中,按照以下条件,制造具有图2结构的有机EL元件。
空穴注入电极2由膜厚为30nm的铟-锡氧化物(ITO)制成,折射率为1.97。空穴注入层3由CFX(氟化碳)制成。
空穴输送层4由膜厚为110nm的NPB制成,折射率为1.85。橙色发光层5由在膜厚为60nm,折射率为1.85的NPB构成的主材料中,添加3体积%的折射率为1.9的发光掺杂剂形成。蓝色发光层6由在膜厚为50nm,折射率为1.9的主材料中,添加16体积%的由折射率为1.85的NPB构成的第一掺杂剂,和添加1体积%的由折射率为1.85的TBP构成的第二掺杂剂形成。电子输送层7由膜厚为10nm,折射率为1.8的材料制成。
电子注入电极8由1nm的氟化锂(LiF)膜和400nm的铝膜的层叠结构构成。
在以上条件下,制造实施例1的有机EL元件。实施例1的从有机EL元件的空穴注入电极2至电子输送层7的光学膜厚为484nm。
(实施例2)
在实施例2中,除了空穴输送层4的膜厚为130nm这点以外,制造与实施例1相同的有机EL元件。实施例2的有机EL元件的从空穴注入电极2至电子输送层7的光学膜厚为521nm。
(实施例3)
在实施例3中,除了空穴输送层4的膜厚为90nm这点以外,制造与实施例1相同的有机EL元件。实施例3的有机EL元件的从空穴注入电极2至电子输送层7的光学膜厚为447nm。
(实施例4)
在实施例4中,除了空穴输送层4的膜厚为210nm这点以外,制造与实施例1相同的有机EL元件。实施例4的有机EL元件的从空穴注入电极2至电子输送层7的光学膜厚为669nm。
(对照例1)
在对照例1中,除了空穴输送层4的膜厚为150nm这点以外,制造与实施例1相同的有机EL元件。对照例1的有机EL元件的从空穴注入电极2至电子输送层7的光学膜厚为558nm。
(对照例2)
在对照例2中,除了空穴输送层4的膜厚为190nm这点以外,制造与实施例2相同的有机EL元件。对照例2的有机EL元件的从空穴注入电极2至电子输送层7的光学膜厚为632nm。
(对照例3)
在对照例3中,除了空穴输送层4的膜厚为170nm这点以外,制造与实施例1相同的有机EL元件。对照例3的有机EL元件的从空穴注入电极2至电子输送层7的光学膜厚为595nm。
(评价)
测定以上这样制造的实施例1~4和对照例1~3的有机EL元件,在30mA/cm2下的发光光谱和消费电力。测定在常温下进行。
图5为表示实施例1~4和对照例1~3的有机EL元件的发光光谱的图形。在图5中,横轴表示波长,纵轴表示规格化的发光强度。另外,在图5中,在实施例1~4和对照例1~3的各有机EL元件的蓝色波长区域的发光光谱中,取具有最高的发光强度的峰值发光强度为1,对其他的发光强度进行规格化。
如图5所示,实施例1~4和对照例1~3的有机EL元件的发生光谱,在蓝色波长区域内,在400~480nm的波长区域内,具有第一峰值,在480~530nm的波长区域内具有第二峰值。
在表1中表示各层的条件、光学膜厚和峰值比。峰值比为第二峰值的强度与第一峰值的强度之比。
表1
  空穴注入电极(IPO)[nm]   空穴输送层(MPB)[nm]   橙色发光层   蓝色发光层   电子输送层[nm]   光学膜厚nd[nm]   峰值比
  膜厚[nm]   发光掺杂剂添加量[%] 膜厚[nm]   NPB添加量[%]   IBP添加量[%]
  实施例1   30   110   60   3   50   16   1   10   484   0.60
  实施例2   30   130   60   3   50   16   1   10   521   0.63
  实施例3   30   90   60   3   50   16   1   10   447   0.65
  对照例4   30   210   60   3   50   16   1   10   669   0.73
  对照例1   30   150   60   3   50   16   1   10   558   0.75
  对照例2   30   190   60   3   50   16   1   10   632   0.80
  对照例3   30   170   60   3   50   16   1   10   595   0.86
另外,图6为表示实施例1~4和对照例1~3的有机EL元件的峰值比和消费电力的关系的图。在图6中,横轴表示峰值比,纵轴表示规格化消费电力。另外,在图6中,取对照例3的有机EL元件的消费电力为1,对实施例1~4和对照例1,2的消费电力进行规格化。
如图6所示,实施例1~4的有机EL元件的消费电力,比对照例1~3的有机EL元件低。
实施例1~4的有机EL元件的峰值比,比对照例1~3的有机EL元件小。当峰值比为0.73以下时,消费电力急剧减少。这样,通过将峰值比设定在0.73以下,可以将第二峰值发光使用的能量降低。这样,在峰值比为0.73以下的实施例1~4的有机EL元件中,与峰值比超过0.73的对照例1~3的有机EL元件比较,可减少消费电力。
产业上的可利用性
本发明的有机电致发光元件和具有该元件的有机电致发光装置,可以有效地在各种光源或各种显示装置等中利用。

Claims (6)

1.一种有机电致发光元件,其特征在于,具有:
光透过性的第一电极;
至少包含发生400nm~530nm波长区域的光的发光层的有机层;
第二电极,
由所述发光层发生的光的光谱,在400nm~530nm的波长区域内的第一波长上,具有最大的发光强度,
在将所述第一波长的发光强度作为第一发光强度,并将比所述第一波长长25nm的波长至530nm的波长区域内的最大发光强度作为第二发光强度时,
设定所述有机层的光学膜厚和所述第一电极的光学膜厚,使所述第二发光强度与所述第一发光强度之比在0.73以下。
2.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,所述有机层还包含在530nm以上的波长区域内具有最大发光强度的另一发光层。
3.一种有机电致发光装置,其特征在于,具有:
如权利要求1或2所述的1个或多个有机电致发光元件;和
使由所述1个或多个有机电致发光元件发生的光透过的1个或多个色变换部件,
所述色变换部件中至少一个使400nm~530nm的波长区域的光透过。
4.一种有机电致发光装置,其特征在于,具有:
透光性基板;
设在所述透光性基板上的如权利要求1或2所述的1个或多个有机电致发光元件;和
设在所述透光基板与所述1个或多个有机电致发光元件之间的1个或多个色变换部件,
所述色变换部件中至少一个使400nm~530nm的波长区域的光透过。
5.一种有机电致发光装置,其特征在于,具有:
基板;
设在所述基板上的如权利要求1或2所述的1个或多个有机电致发光元件;和
设在所述1个或多个有机电致发光元件上的1个或多个色变换部件,
所述色变换部件中至少一个使400nm~530nm的波长区域的光透过。
6.如权利要求3~5中任一项所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述至少一个色变换部件在具有所述第二发光强度的波长上,具有比所述第一波长的透过率低的透过率。
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