CN1769546A - 一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 150000003738 xylenes Chemical class 0.000 abstract 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法。所用方法为化学气相沉积法，原料为二茂铁和二甲苯。制备时，首先将洁净的硅基底置于石英真空管式炉中，使炉管内气压达到40Pa以下，并使炉温升至碳纳米管沉积所需温度。随后将一定浓度范围内的二茂铁/二甲苯溶液注入炉管中，此过程中须控制溶液注入速度，同时调节真空蝶阀以使炉内气压稳定在某一范围内。反应完成后使系统开始降温，同时保持系统抽真空状态直至系统降至一定温度以下。此方法可在硅基底上得到定向准直生长的碳纳米管阵列，在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法。
背景技术
碳纳米管是由碳原子形成的石墨烯片层卷曲而成的无缝、中空的管体。定向生长的准直碳纳米管由于具有真空的管状结构、优异的力学性能、良好的化学稳定性和出众的电学、场发射性能，可以用于制备场发射器，扫描探针显微镜探头，纳米尺寸电子器件，储氢材料等等。
目前实现定向生长碳纳米管的方法主要为几种不同的化学气相沉积方法。二茂铁与二甲苯是经常使用的反应物，其中二甲苯作为碳源，二茂铁提供起催化作用的铁。过去实验中无法用这两种反应物在硅基底上实现一步直接沉积碳纳米管，所以这种尝试逐渐被放弃，转而通过首先用沉积、光刻等方法在硅基底表面形成一层二氧化硅或者催化剂薄膜，然后在此基础上沉积得到碳纳米管阵列。
本发明使用二茂铁和二甲苯溶液为反应物，创造性地实现了在洁净硅基底上直接化学气相沉积得到定向准直碳纳米管阵列。
发明内容
本发明的目的是提供一种在硅基底上直接生长的定向准直碳纳米管阵列及其制备方法。其特征在于：在石英真空管式炉中，以二茂铁(Fe(C5H5)2)和二甲苯(C8H10)为反应物，采用化学气相沉积法在晶向为(001)或者(111)的硅基底上直接生长的定向准直碳纳米管阵列；具体制备包括以下步骤：
(1)将(001)或(111)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗并晾干后，置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内；
(2)开启机械泵，使系统气压达到40Pa以下，开始升温，目标温度为700～800℃；
(3)当炉温达到步骤(2)中的目标温度后，用注射器抽取浓度为0.07～0.1g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中；
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭进气管的密封夹，以2～5ml/min的速度推动注射器，将溶液送入炉管内；
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在0.9～1.5个大气压之间；
(6)当溶液全部注入炉管中后，将进气管重新用密封夹密封，取下注射器。
(7)开启真空蝶阀，系统气压重新降至40Pa左右；按下降温按钮，系统开始降温。
(8)当炉管内温度降至400℃以下，可以关闭机械泵以停止抽真空。当炉管内温度降至80℃以下，可以取出石英舟，取下样品并加以保存。
本发明的有益效果是本发明提出的制备方法主要通过控制反应混合溶液的浓度、溶液注入速度和炉内气压，在硅基底上得到定向准直的碳纳米管阵列。制备方法简单，容易控制，成本低。
附图说明
图1在硅基底上沉积的定向准直碳纳米管阵列的SEM图像(1)
图2在硅基底上沉积的定向准直碳纳米管阵列的SEM图像(2)
具体实施方式
本发明提供一种在硅基底上直接生长的定向准直碳纳米管阵列的方法。该方法是在石英真空管式炉中，以二茂铁(Fe(C5H5)2)和二甲苯(C8H10)为反应物，采用化学气相沉积法在晶向为(001)或者(111)的硅基底上直接生长的定向准直碳纳米管阵列；具体制备包括以下步骤：
(1)将(001)或(111)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗并晾干后，置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内；
(2)开启机械泵，使系统气压达到40Pa以下，开始升温，升温至炉管的目标温度至700～800℃；
(3)当炉温达到步骤(2)中的目标温度后，用注射器抽取浓度为0.07～0.1g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中；
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭进气管的密封夹，以2～5ml/min的速度推动注射器，将溶液送入炉管内；
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在0.9～1.5个大气压之间；
(6)当溶液全部注入炉管中后，将进气管重新用密封夹密封，取下注射器。
(7)开启真空蝶阀，系统气压重新降至40Pa左右；按下降温按钮，系统开始降温。
(8)当炉管内温度降至400℃以下，可以关闭机械泵以停止抽真空。当炉管内温度降至80℃以下，可以取出石英舟，取下样品并加以保存。
下面例举实施例对本发明予以具体说明。
实施例1
(1)将(001)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗并晾干后，置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内。
(2)开启机械泵，使系统气压达到20Pa；设定炉管目标温度为700℃，开始升温。
(3)当炉温达到700℃后，用注射器抽取10ml浓度为0.07g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中。
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭住进气管的密封夹，以2ml/min的速度推动注射器将溶液送入炉管内。
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在1个大气压左右。
(6)5分钟后溶液全部注入炉管中，此时将进气管重新用密封夹密封，取下注射器。
(7)开启真空蝶阀，系统气压降至40Pa；按下降温按钮，系统开始降温。
(8)炉管内温度降至400℃，关闭机械泵以停止抽真空。当炉管内温度降至80℃以下，可以取出石英舟，取下样品并加以保存。
实施例2
(1)将(001)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗、晾干，然后置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内。
(2)开启机械泵，使系统气压达到20Pa；设定炉管目标温度为750℃，开始升温。
(3)当炉温达到750℃后，用注射器抽取10ml浓度为0.1g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中。
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭住进气管的密封夹，以2.5ml/min的速度推动注射器将溶液送入炉管内。
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在0.9个大气压左右。
(6)4分钟后溶液全部注入炉管中，此时将进气管重新用密封夹密封，取下注射器。
后面步骤与实施例1相同。
实施例3
(1)将(001)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗、晾干，然后置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内。
(2)开启机械泵，使系统气压达到20Pa；设定炉管目标温度为800℃，开始升温。
(3)当炉温达到800℃后，用注射器抽取15ml浓度为0.1g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中。
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭住进气管的密封夹，以3ml/min的速度推动注射器将溶液送入炉管内。
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在1个大气压左右。
(6)5分钟后溶液全部注入炉管中，此时将进气管重新用密封夹密封，取下注射器。
后面步骤与实施例1相同。
实施例4
(1)将(001)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗、晾干，然后置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内。
(2)开启机械泵，使系统气压达到20Pa；设定炉管目标温度为750℃，开始升温。
(3)当炉温达到750℃后，用注射器抽取10ml浓度为0.08g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中。
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭住进气管的密封夹，以2.5ml/min的速度推动注射器将溶液送入炉管内。
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在1.5个大气压左右。
(6)4分钟后溶液全部注入炉管中，此时将进气管重新用密封夹密封，取下注射器。
后面步骤与实施例1相同。
实施例5
(1)将(111)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗、晾干，然后置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内。
(2)开启机械泵，使系统气压达到20Pa；设定炉管目标温度为730℃，开始升温。
(3)当炉温达到730℃后，用注射器抽取10ml浓度为0.07g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中。
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭住进气管的密封夹，以4ml/min的速度推动注射器将溶液送入炉管内。
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在1.2个大气压左右。
(6)2.5分钟后溶液全部注入炉管中，此时将进气管重新用密封夹密封，取下注射器。
后面步骤与实施例1相同。
实施例6
(1)将(111)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗、晾干，然后置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内。
(2)开启机械泵，使系统气压达到20Pa；设定炉管目标温度为750℃，开始升温。
(3)当炉温达到750℃后，用注射器抽取10ml浓度为0.1g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中。
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭住进气管的密封夹，以2.5ml/min的速度推动注射器将溶液送入炉管内。
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在1个大气压左右。
(6)4分钟后溶液全部注入炉管中，此时将进气管重新用密封夹密封，取下注射器。
后面步骤与实施例1相同。
实施例7
(1)将(111)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗、晾干，然后置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内。
(2)开启机械泵，使系统气压达到20Pa；设定炉管目标温度为750℃，开始升温。
(3)当炉温达到750℃后，用注射器抽取15ml浓度为0.1g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中。
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭住进气管的密封夹，以3ml/min的速度推动注射器将溶液送入炉管内。
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在1.5个大气压左右。
(6)5分钟后溶液全部注入炉管中，此时将进气管重新用密封夹密封，取下注射器。
后面步骤与实施例1相同。
上面各实施例所得到的产品形貌如图1、图2所示。上面的实施例旨在举例说明本发明，而不是要以任何方式限制本发明。
Claims (1)
1.一种在硅基底上直接生长的定向准直碳纳米管阵列的方法，其特征在于：在石英真空管式炉中，以二茂铁(Fe(C5H5)2)和二甲苯(C8H10)为反应物，采用化学气相沉积法在晶向为(001)或者(111)的硅基底上直接生长的定向准直碳纳米管阵列；具体制备包括以下步骤：
(1)将(001)或(111)晶向的硅基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗并晾干后，置于石英舟中，推入石英真空管式炉中央等温区内；
(2)开启机械泵，使系统气压达到40Pa以下，按下升温按钮，目标温度为700～800℃；
(3)当炉温达到步骤(2)中的目标温度后，用注射器抽取浓度为0.07～0.1g/ml的Fe(C5H5)2/C8H10溶液，然后将注射器插入进气管中；
(4)将真空蝶阀闭合90％，打开封闭进气管的密封夹，以2～5ml/min的速度推动注射器，将溶液送入炉管内；
(5)控制真空蝶阀的闭合程度，确保在整个反应过程中，炉内气压在0.9～1.5个大气压之间；
(6)当溶液全部注入炉管中后，将进气管重新用密封夹密封，取下注射器；
(7)开启真空蝶阀，系统气压重新降至40Pa左右；按下降温按钮，系统开始降温；
(8)当炉管内温度降至400℃以下，可以关闭机械泵以停止抽真空，当炉管内温度降至80℃以下，可以取出石英舟，取下样品并加以保存。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100884244A CN1322177C (zh) | 2004-11-02 | 2004-11-02 | 一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100884244A CN1322177C (zh) | 2004-11-02 | 2004-11-02 | 一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1769546A true CN1769546A (zh) | 2006-05-10 |
| CN1322177C CN1322177C (zh) | 2007-06-20 |
Family
ID=36751076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100884244A Expired - Fee Related CN1322177C (zh) | 2004-11-02 | 2004-11-02 | 一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1322177C (zh) |
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| CN106517147A (zh) * | 2016-12-09 | 2017-03-22 | 北京科技大学 | 制备高纯度高导热碳纳米管阵列热界面材料的方法及装置 |
| CN111086982A (zh) * | 2018-10-23 | 2020-05-01 | 南京化学工业园环保产业协同创新有限公司 | 一种具有选择性吸附离子的碳纳米管的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1412109A (zh) * | 2001-10-09 | 2003-04-23 | 黑龙江省光电技术研究所 | 紫外光制备碳纳米管的方法 |
| CN1239387C (zh) * | 2002-11-21 | 2006-02-01 | 清华大学 | 碳纳米管阵列及其生长方法 |
-
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|---|---|
| CN1322177C (zh) | 2007-06-20 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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