CN1767129A - 等离子体显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种改进的等离子体显示面板,其可降低放电点火电压同时提高放电效率。该等离子体显示面板可包括:第一基板,跨过预定的间隙与相对的第二基板基本平行,该间隙被划分为放电室;荧光体层,可形成在放电室内;寻址电极,可形成在第一基板上并沿着第一方向延伸;第一电极和第二电极,可形成在第一基板上,而且,第一电极或第二电极中的至少一个接近于第二基板的部分向放电室的中间突出的程度可不同于第一电极或第二电极中的至少一个接近于第一基板的部分向放电室的中间突出的程度。
Description
技术领域
本发明涉及一种等离子体显示面板,更具体地讲,涉及一种可通过对向电极放电而引起等离子体维持放电的等离子体显示面板。
背景技术
等离子体显示面板(PDP)利用从用真空紫外(UV)线轰击的荧光体材料发射的可见光而显示图像。当通过放电给与PDP内的气体能量时形成等离子体,从等离子体发射UV线。PDP能用于制造大尺寸高分辨率屏幕,从而成为下一代显示装置的焦点。
传统的等离子体显示面板包括以预定的图案排列的三电极。这种结构通常包括前基板和后基板,前基板具有在其上形成的两个显示电极,后基板与前基板隔开预定的距离并在其上形成有寻址电极。两个基板之间的空间被障肋划分为多个放电室,在放电室内形成的荧光体层面向后基板,放电气体被注入各放电室中。
如上所述,透明的显示电极形成在前基板的同一表面上,而寻址电极形成在后基板上。从而,在传统的等离子体显示面板中,利用相对的成对寻址电极和显示电极来发生寻址放电,而仅利用表面相邻的显示电极来发生维持放电。从而,用于选择发光的像素的寻址放电利用对向电极放电,而用于使选择的像素发光到期望的亮度的维持放电利用相同表面的电极放电。
在传统的PDP中,显示电极及其对应的寻址电极之间的距离通常大于两个相邻的显示电极之间的距离。然而,因为利用对向放电而非表面放电来引起寻址放电,所以寻址放电的放电点火电压低于显示放电的放电点火电压。
另一方面,放电区划分为鞘层区和正柱区。鞘层区是围绕介电层或电极的非发射区,在鞘层区内消耗大部分电压。正柱区是在非常低的电压下可有效地产生等离子体放电的区域。因此,可通过增大正柱区来提高等离子体显示面板的效率。由于鞘层区的长度与放电间隙无关,所以扩大放电长度的方法可用作增大正柱区的方法。然而,因为增加放电间隙也增大放电点火电压,所以增加放电间隙尚有疑问。
因此,传统的等离子体显示面板不能同时实现低放电点火电压和高放电效率。
发明内容
本发明可提供一种降低放电点火电压和/或提高操作效率的等离子体显示面板(PDP)。可通过使相对的显示电极放电以在小放电间隙内引起维持放电来降低放电点火电压。
在一个实施例中,PDP可包括彼此以预定的间隙相对的第一基板和第二基板。第一电极和第二电极之间的空间划分为至少一个放电室。荧光体层可形成在各放电室内。寻址电极可形成在第一基板上并沿着第一方向(y方向)延伸。通过插入介电层而均与寻址电极电绝缘的第一电极和第二电极可形成在第一基板上并沿着第二方向(x方向)延伸,第二方向与第一方向相交。
第一电极和第二电极可形成在各放电室的相对侧上并在其间具有空间。此外,各电极(接近于第二基板)的底部向各放电室的中部突出的程度可不同于各电极接近于第一基板的顶部向各放电室的中部突出的程度。
附图说明
通过结合附图对实施例的下面的描述,本发明的这些和/或其它方面和优点将变得清楚且更易于理解。
图1是根据本发明第一实施例制造的等离子体显示面板的局部分解透视图。
图2是沿图1的II-II线截取的局部剖面图。
图3是图1的等离子体显示面板的局部平面图。
图4是示出图1的等离子体显示面板的后部结构的局部剖面图。
图5是本发明第一实施例的第一修改的局部平面图。
图6是本发明第一实施例的第二修改的局部平面图。
图7是本发明第一实施例的第三修改的局部平面图。
图8是本发明第一实施例的第四修改的局部剖面图。
图9是本发明第一实施例的第五修改的局部平面图。
图10是根据本发明第二实施例制造的等离子体显示面板的局部剖面图。
图11是根据本发明第三实施例制造的等离子体显示面板的局部剖面图。
图12是根据本发明第四实施例制造的等离子体显示面板的局部剖面图。
图13是根据本发明第五实施例制造的等离子体显示面板的局部平面图。
具体实施方式
图1是根据本发明第一实施例制造的等离子体显示面板的局部分解透视图。图2是沿图1的II-II线截取的局部剖面图。图3是图1中的等离子体显示面板的局部平面图。
参照图1,根据本发明第一实施例制造的等离子体显示面板可包括后基板10和前基板20,后基板10和前基板20可以以预定的间隔彼此基本平行地设置。后基板10和前基板20之间的空间可被障肋26划分为多个放电室28。障肋26可形成在前基板20的内表面上。
在后基板10面对前基板20的一个表面上,寻址电极12沿着第一方向(y轴方向)延伸,在后基板10的整个表面上形成的第一介电层14可覆盖寻址电极12。在本实施例中,每个寻址电极12可具有均匀的线宽度,并可以以直线形状形成。
在第一介电层14上形成的第一电极15和第二电极16可通过第一介电层14与寻址电极12电绝缘。第一电极15和第二电极16可沿着与第一方向相交的第二方向(x轴方向)形成。在本实施例中,第一电极15和第二电极16的每个可形成在每个放电室28的内部且形成在其的相对侧。
在应用中,第一电极15和第二电极16可参与维持放电;而且,第一电极15和第二电极16中的任何一个可与寻址电极12一起参与寻址放电。然而,由于每个电极的作用可根据施加的信号电压而变化,所以本发明不限于此。
当从端部看时,第一电极15和第二电极16的每个可具有顶表面和基本竖直的后表面,顶表面从后表面基本垂直地向外突出。各电极还可包括从后表面向外且与后表面基本垂直地突出的底表面。底表面可基本平行于顶表面,而底表面的端部可延伸超过顶表面的端部。因此,前表面可从底表面的端部基本垂直地向上突出。比后表面短的前表面可通过成角度的表面连接至顶表面,该成角度的表面从顶表面的端部到前表面的端部向下倾斜。
电极15和16可背靠背地设置且在它们相邻的后表面之间存在间隙。各电极的纵轴可基本彼此平行并沿着x轴(第二方向)延伸。
当从侧面看时,可看到第一电极15和第二电极16的每个包括子部件。例如,多个间隔的间隙15c和16c可将每个电极15和16分隔成多个第一部分15a和16a。每个间隙15c和16c可包括在每个电极15和16底表面上的槽口。因此,每个间隙可从每个电极15和16的前表面延伸到后表面,而且还从底表面垂直地向上延伸。
在后表面开始并向前表面突出的距离比每个电极15和16的顶表面长,每个间隙15c和16c可垂直向上延伸每个电极的后表面的部分高度。如此,连接部分15b和16b可跨过间隙15c和16c而连接各电极15和16的顶表面。此外,第一部分15a和16a的剩余部分可通过间隙15c和16c分隔开。
如图1所示,第一电极15和第二电极16可沿着各放电室28的相对侧设置,使得间隙15c和16c与第一障肋构件26a(沿y方向)的中间基本对齐,并使得相邻电极15和16的相邻后表面之间的间隙可与第二障肋构件26b(沿x方向)的中间基本对齐。如此,各放电室28可包括沿其一侧设置的电极15的第一部分15a,和沿其相对侧设置的电极16的第一部分16a。此外,每个第一部分15a和每个第一部分16a可从各放电室28的侧面向各放电室28的中心轴突出。此外,每个第一部分15a的前表面可通过沿每个放电室的中心轴伸展的通道与每个第一部分16a的前表面分开。
由于第一电极15和第二电极16在各放电室28内彼此相对,所以可通过对向放电而引起第一电极15和第二电极16之间产生的维持放电。因此,该放电点火电压可低于传统的等离子体显示面板的放电点火电压,传统的等离子体显示面板通过表面放电引起维持放电。在下文参照图4对第一电极15和第二电极16进行进一步描述。
再参照图1,第二介电层18可单个地围绕相邻的每对背靠背的第一电极15和第二电极16而形成。如图3所示,第二介电层18可沿着第二方向(x方向)延伸超过相邻的电极15和16的长度,并可在第一方向上(y方向)延伸超过每对相邻的电极15和16的宽度。即,第二介电层18可在形成于各放电室28一侧上的第一电极15和形成于各放电室28的相对侧上第二电极16之间留有放电空间。
因为每对相邻的电极15和16通过填充有包括第二介电层18的材料的间隙彼此分开,所以减少或防止了误放电。因为第一电极15的第一部分15a也通过包括第二介电层18的材料与第二电极16的第一部分16a分开,所以进一步避免了误放电。
参照图1和图2,用来覆盖部分第一介电层14和整个第二介电层18的MgO保护层19可形成在后基板10的整个表面上。MgO保护层19防止寻址电极12、显示电极15和16、第一介电层14和第二介电层18在等离子体放电期间由于离子的碰撞而被损坏。此外,因为MgO的二次电子发射系数高,所以,当保护层19由MgO形成时,放电效率提高。如图1和图2所示,部分MgO保护层19可形成在放电室28的中间的空间内。
参照图1所示的前基板20,障肋26可形成在前基板20上以将前基板20和后基板10之间的空间划分为一个或多个放电室28。更具体地讲,障肋26可位于前基板20和第二介电层18之间,第二介电层18围绕每对相邻的第一电极15和第二电极16。障肋26可包括沿第一方向形成的第一障肋构件26a和沿第二方向形成的第二障肋构件26b,第二障肋构件26b与第一障肋构件26a相交。当然,这种特别的障肋构造仅是示例性的,本发明可包括其它构造。
例如,可使用仅包括沿第一方向形成的障肋构件的条状障肋结构。此外,障肋构件26a和26b均可具有不同于图中示出的和/或这里描述的例子的几何形状。
在本发明中,作为另一例子,在形成前基板20上的介电层(未示出)之后,障肋26可形成在介电层上。而且,可在障肋26和前基板20之间设置一个层或多个层。
在每个放电室28内,可形成用于吸收紫外线并发射可见光的红色、蓝色和绿色荧光体层29,而且可填充放电气体(例如,包括氙(Xe)和氖(Ne)的气体混合物)来产生等离子体放电。在一个实施例中,荧光体层29可形成在障肋26的表面上和前基板20的在相邻的障肋26之间的底表面上。
如上提到的,在本实施例中,参与放电的寻址电极12、第一电极15和第二电极16可形成在后基板10上。通过在同一后基板10上形成参与寻址放电的寻址电极12和第一电极15,可缩短寻址放电的路径,从而也可降低寻址放电的放电点火电压。另一方面,在前基板20上形成荧光体层29可防止因不同颜色的荧光体层的介电常数不同而产生的放电点火电压的不均匀性。
此外,由于参与放电的所有电极12、15和16都没有设置在前基板20上,所以可提高由等离子体放电产生的可见光的透射率。此外,因为第一电极15和第二电极16可只由具有良好导电性的金属材料组成,所以与制造既包括透明电极又包括金属电极的传统的等离子体显示面板有关的成本和时间相比,可以简化制造工艺并可进一步降低制造成本。
图4是示出图1中的等离子体显示面板的后部结构的局部剖面图。如图所示,后基板10可包括在其上形成的寻址电极12、第一电极15和第二电极16。
参照图4,局部装配的等离子体显示面板可包括后基板10,寻址电极12形成在后基板10上并在第一方向(y方向)上纵向延伸。用第一介电层14覆盖寻址电极12。第一电极15和第二电极16形成在第一介电层14上并在第二方向(x方向)上基本上彼此平行延伸。更具体地讲,第一电极15的前区可跨过空间面对第二电极16的前区,当在离第一介电层14的两个或多个不同高度处测量时,该空间在宽度上不同。第二介电层18可密封每个相邻的第一电极和第二电极对。MgO保护层19可形成在第二介电层18的上方,一部分MgO保护层19可与第一介电层14接触而使相邻的第二介电层18分开。
第一电极15和第二电极16均可呈五边形,而且每个电极可是另一电极的镜像。更具体地讲,每个电极15和16可包括宽度为t1的顶部和宽度为t2的底部,t2大于t1。从而,与形成在后基板10上的第一介电层14相接的电极15和16底部的宽度t2,可比最接近于前基板(未示出)的所述电极顶部的宽度t1宽。结果,电极15和16的顶表面的边缘可通过间隙G1分开,电极15和16的底表面可通过较小的间隙G2分开。换句话说,与各电极15和16的顶部相比,各电极的底部可向各放电室的中间突出得更远。
此外,第一电极15和第二电极16的相对的前部可构造形成倾斜的表面L。倾斜的表面L可在电极15和16的顶表面的边缘处开始,并向各放电室28的中间倾斜。
相对的电极15和16被构造成在其相对的底部之间具有窄间隙G2而在其相对的顶部之间具有较宽的间隙G1,这种构造可具有一些优点。例如,在短间隙G2内的起始维持放电可降低放电点火电压。此外,由长间隙G1提供的高放电效率可允许采用减小的电流和/或降低的功耗来在间隙G1内维持主放电。此外,各电极15和16的倾斜的表面L还可通过允许在短间隙G2内的启始放电容易地扩散到长间隙G1内,从而提高维持放电的稳定性来提高PDP的可操作特性。
在下文,将详细描述本发明第一实施例的修改。由于修改的基本结构可与第一实施例的基本结构相似,所以用相同的标号表示相同或相似的组件,而且可省略对它们的描述。
图5是本发明第一实施例的第一修改的局部平面图。参照图5,第二介电层32可包括第一介电层部分32a,第一介电层部分32a沿着第二方向形成并围绕第一电极15和第二电极16。第二介电层32还可包括第二介电层部分32b,第二介电层部分32b在第一方向上形成并与第一介电层部分32a相交。第二介电层部分32b可在最接近于第一障肋构件26a处形成。第二介电层32的使用允许各放电室28被划分为若干单独的子空间。这种构造允许更精确地控制各放电室28的放电。
图6是本发明第一实施例的第二修改的局部平面图。参照图6,双侧电极33的任一侧可与放电室28的一侧相接。第二电极34可形成在各放电室28内,并设置在与电极33的一侧相对的各放电室28的一侧。为了防止误放电,可通过介电材料的层使成对背靠背的第二电极34分开。
在应用中,可对第二电极34和寻址电极12施加电压来产生寻址放电。类似地,可对第一电极33和第二电极34施加电压来产生维持放电。
图7是本发明第一实施例的第三修改的局部平面图。如图7所示,寻址电极36可包括突起36a,突起36a设置成与第一电极15和第二电极16之间的空间对应。此外,突起36a可在寻址电极的纵轴的任一侧上沿着第二方向(x方向)延伸。从而,各突起36a可与电极15和16的每个第一部分15a或16a大约一般宽。
上述构造,即,寻址电极36在接近于电极15和16的第一部分15a和16a的底部具有窄宽度36b而在接近于各放电室28的中间具有宽突起36a,在对寻址放电贡献很少的部分处有效地减小了寻址电极36的面积,并在参与寻址放电的放电室28的区域有效地增大了寻址电极36的面积。因此,与传统的PDP相比,可更有效地发生寻址放电。
图8是本发明第一实施例的第四修改的局部剖面图。如图8所示,在本修改中,黑层38对应于在前基板20和障肋26之间形成有障肋26的部分。该黑层38防止外部光被反射以提高等离子体显示面板的公称对比度。
在本发明中,介电层(未示出)形成在前基板20上并且障肋26形成在介电层上,在这种情况下,黑层38可形成在障肋26和介电层之间,这也包括在本发明的范围内。
图9是本发明第一实施例的第五修改的局部平面图。
如图9所示,交替系列的双侧电极39和40可形成在后基板10上。电极39和40可沿着障肋26(图1)设置,使得各电极的相对侧突出到不同的放电室28内。因此,图9中的沿着y方向(第一方向)从顶到底的顺序可包括电极40的第一侧、电极40的第二相对侧、放电室28、第二电极39的第一侧、第二电极39的第二相对侧、另一放电室28、另一电极40的第一侧、另一电极40的第二相对侧等。每个电极39和40的每一侧可分别包括向各放电室28的中间突出的凸起39a和40a。此外,可由一个子像素驱动一对相邻的放电室28。作为选择,可由一个子像素驱动每个单独的放电室28。
在下文,将详细描述根据本发明第二实施例、第三实施例、第四实施例和第五实施例制造的等离子体显示面板。除了本发明的第二实施例、第三实施例、第四实施例和第五实施例的第一电极和第二电极的形状与第一实施例中的第一电极和第二电极的形状不同之外,第二实施例至第五实施例的基本结构可与第一实施例的结构基本相似。在各实施例中,使用相同或相似的标号表示与第一实施例相同或相似的组件。
图10是根据本发明第二实施例的等离子体显示面板的局部剖面图。在图10中,第一L形电极41和第二L形电极42位于各放电室28内并跨过各放电室28的中间空间彼此相对。如图10所示,突起P的底表面(L形电极41和42的底部)可面对后基板10。电极41和42的相对的顶表面可通过间隙分开。介电层18可覆盖每对背靠背的电极41和42,并可填充该间隙。MgO保护层19可涂覆后基板10的整个表面。L形电极41和42的使用提供在后基板10附近的短间隙和在前基板20附近的长间隙。因此,短间隙放电允许降低的放电点火电压,长间隙放电同时地(或基本同时地)提高放电效率。
图11是根据本发明的第三实施例制造的等离子体显示面板的局部剖面图。在该实施例中,第一电极43和第二电极44可位于各放电室28内并跨过各放电室28的中间彼此相对。如图11所示,可使第一电极43和第二电极44的相对的内表面弯曲。从而,与电极43和44面对前基板20的部分相比,电极43和44的面对后基板10的其它部分可向放电室28的中间突出地更远。
这种构造允许在与后基板相邻的部分产生短间隙放电。然后,短间隙放电扩散到与前基板20相邻的部分的主放电区。如此,降低放电点火电压的同时提高了放电效率。
图12是根据本发明第四实施例制造的等离子体显示面板的局部剖面图。参照图12,第一电极45和第二电极46可位于各放电室28内,并跨过各放电室28的中间彼此相对。各电极45和46可包括面对前基板20的第一相对表面A1和第二相对表面A2,第二相对表面A2比第一相对表面A1更靠近于后基板10。第一相对表面A1可包括与第一方向基本垂直的表面,第二相对表面A2可包括倾斜的表面。在这种构造中,与第一电极45和第二电极46的每个接近于前基板20的部分相比,第一电极45和第二电极46的每个接近于后基板10的部分可向各放电室28的中间突出地更远。
因此,当在与后基板10相邻的部分以短间隙放电开始放电时,可降低放电点火电压。因此,可通过将短间隙放电引入各电极45和46与前基板20相接的部分的长间隙来提高放电效率。
图13是根据本发明第五实施例制造的等离子体显示面板的局部平面图。如图13所示,第一电极47和第二电极48可以以在第二方向上延伸的条形形状形成。在本实施例中,第二介电层49可以以矩阵形成,从而第一电极47和第二电极48单独地参与各放电室28的放电。
从而,第二介电层49可包括第一介电层部分49a,第一介电层部分49a围绕第一电极47和第二电极48并沿着第二方向形成。第二介电层49还可包括第二介电层部分49b,第二介电层部分49b沿着第一方向形成并与第一介电层部分49a相交,第二介电层部分49b将各放电室28划分为单独的子空间。
由于本发明的第二实施例、第三实施例、第四实施例和第五实施例的基本结构可与本发明的第一实施例的结构相同或相似,所以第一实施例的修改可应用于第二实施例、第三实施例、第四实施例和第五实施例;而且这些修改包括在本发明的范围内。
本发明可使用具有对上述结构修改的第一电极和/或第二电极。因此,本发明的实施例构造的方式可以是,在面对前基板的部分的电极的突出程度不同于在面对后基板的部分的电极的突出程度。
此外,虽然在上面提到的实施例中第一电极和第二电极具有相同的结构,但是本发明中描述的电极的结构可应用于第一电极和第二电极中的任何一个。
尽管已经参照本发明的示例性实施例和修改具体示出和描述了本发明,但是对于本领域的技术人员将明白,在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,在这里可以对各种形式和细节进行各种改变。
Claims (20)
1、一种等离子体显示面板,包括:
第一基板,跨过预定的间隙与相对的第二基板基本平行,其中,所述间隙被划分为放电室;
荧光体层,形成在所述放电室内;
寻址电极,形成在所述第一基板上并沿着第一方向延伸;
第一电极和第二电极,形成在所述第一基板上,其中,所述第一电极和所述第二电极彼此相对设置,所述第一电极和所述第二电极都沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸,
其中,所述第一电极或所述第二电极中的至少一个接近于所述第二基板的部分向所述放电室的中间突出的程度不同于所述第一电极或所述第二电极中的至少另一个接近于所述第一基板的部分向所述放电室的中间突出的程度。
2、如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,与所述第一电极或所述第二电极接近于所述第二基板的部分相比,所述第一电极或所述第二电极接近于所述第一基板的其它部分向所述放电室突出得更远。
3、如权利要求2所述的等离子体显示面板,其中,在所述第一方向上,与所述第一电极或所述第二电极接近于所述第二基板的部分相比,所述第一电极或所述第二电极接近于所述第一基板的部分较长。
4、如权利要求2所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个面对各放电室的中间的表面具有向各放电室的中间突出的倾斜的表面。
5、如权利要求4所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个在所述第一方向上逐渐变长,其中,所述第一电极或所述第二电极中的至少一个的高度在所述第一方向上变化。
6.如权利要求4所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个接近于各放电室的中间的区域还包括垂直于所述第一方向的表面。
7、如权利要求2所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个接近于所述第一基板的部分具有向各放电室的中间突出的突起。
8、如权利要求2所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个面对各放电室的中间的表面是弯曲的。
9、如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括第一部分和第二部分,所述第一部分被划分成对应于各放电室,所述第二部分在所述第二方向上连接所述第一部分,
每个第一部分接近于所述第二基板的部分向每个放电室的中间突出较远的程度不同于每个第一部分接近于所述第一基板的其它部分向每个放电室的中间突出的程度。
10、如权利要求9所述的等离子体显示面板,其中,每个第一部分接近于所述第二基板的所述部分的长度和每个第一部分接近于所述第一基板的所述部分的长度在所述第二方向上是一致的。
11、如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所述第二电极各自以沿着所述第二方向延伸的带状形成。
12、如权利要求1所述的等离子体显示面板,还包括:
第一介电层,形成以覆盖所述第一基板上的所述寻址电极;
第二介电层,其围绕在所述第一介电层上形成的相邻的所述第一电极和所述第二电极对。
13、如权利要求12所述的等离子体显示面板,其中,所述第二介电层沿着所述第二方向延长,同时分别围绕所述第一电极和所述第二电极。
14、如权利要求12所述的等离子体显示面板,其中,所述第二介电层包括:
第一介电层部分,沿着所述第二方向形成并分别围绕所述第一电极和所述第二电极;
第二介电层部分,沿着所述第一方向形成。
15、如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个由在所述第一方向上彼此相邻的放电室共用。
16、如权利要求15所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所述第二电极中的每个由在所述第一方向上彼此相邻的放电室共用,而且所述第一电极和所述第二电极交替地排列在所述第一方向上。
17、如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,形成的障肋将在所述第一电极和所述第二电极及所述第二基板之间的空间划分成所述放电室。
18、如权利要求17所述的等离子体显示面板,其中,黑层形成在所述第二基板上以对应于形成有所述障肋的部分。
19、如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述荧光体层形成在所述第二基板上。
20、如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述寻址电极包括从所述寻址电极的两侧延伸的突起,其中,每个突起与所述第一电极和所述第二电极之间的空间对应。
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