CN1752269A - 离子束增强沉积制备p-型氧化锌薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种新的ZnO薄膜实用制备技术,其将高纯度ZnO粉体,或原子比为1-5%的Al、In等氧化物均匀掺入ZnO粉体,用等静压压制成型,再烧结成溅射靶,并用纯N2或Ar∶N2为1∶3~1∶10的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击,垂直注入到溅射沉积膜上,利用样品台的公转和样品片自转实现均匀注入,保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向ZnO多晶结构。本技术的ZnO薄膜制备沉积不受衬底材料的制约,可以在硅、氧化硅、玻璃和氮化硅多片衬底上同时沉积制备均匀、致密、与衬底粘附良好、电阻率低于1.0Ωcm,在可见光区域透射率大于80%p型氧化锌薄膜,满足工业化生产要求;且成膜温度较低,与半导体工艺兼容,没有废物排放。
Description
技术领域
本发明涉及一种新的ZnO薄膜制备技术,特指一种离子束增强沉积制备P-型氧化锌薄膜的新方法。
背景技术
ZnO薄膜作为一种多用途的半导体材料,一直受到国内外学术界的广泛关注。尤其是自1997年发现ZnO薄膜具有紫外受激发射的本领以来,ZnO成为继GaN之后新的短波长半导体材料的研究热点。目前主要集中于ZnO光电信息功能薄膜材料,研究它们的紫外自发辐射和受激辐射性能、光电转换和光电耦合特性等。目标是制备出ZnO结型紫外光电探测器、紫外发光和激光二极管等器件。发展这种光电器件,要解决的一个重要问题是如何制备低阻P型ZnO薄膜。它的制备方法主要有磁控溅射,如中国专利号为03129300.X的“一种制备p型氧化锌薄膜的方法”和专利号为03112210.8的“一种P型氧化锌薄膜的制备方法”、分子束外延如专利申请号为200410033796.7的“一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法”、化学气相沉积如专利号为02110563.4的“一种制备P型氧化锌薄膜的方法”和专利号为200310108471.6的“一种实时掺氮生长P型氧化锌晶体薄膜的方法”、脉冲激光、超声喷雾热分解如专利申请号为200410025029.1的″掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法″、溶胶-凝胶法、热氧化氮化锌方法如申请专利号为02141979.5的“热氧化氮化锌制备高质量P-型氧化锌薄膜材料的方法”。
目前上述P-型氧化锌薄膜的制备工艺还不稳定,离实际应用还有一定距离。
发明内容
本发明采用改进了的离子束增强沉积(IBED-Ion Beam Enhanced Deposition)方法,提供一种p型氧化钒薄膜的制备方法,在硅、氧化硅、玻璃和氮化硅衬底上制备均匀、致密、与衬底粘附良好、电阻率低于1.0Ωcm,在可见光区域透射率大于80%的P型氧化锌薄膜。
实现本发明的技术方案为:
(1)掺杂制成溅射靶
将Al2O3或In2O3等氧化物粉体均匀掺入高纯度的ZnO粉体,其中掺杂的Al或In相对于Zn的原子掺杂比为1-5%。用等静压压制成型,再烧结成溅射靶。
(2)采用混合离子束进行增强沉积
选用上述溅射靶,并用纯N2或Ar∶N2为1∶3~1∶10的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击,束流强度5~20mA。
高剂量离子注入的损伤效应使ZnO的部分Zn-O键断裂;注入N+与Zn结合,替位O+,同时薄膜中Al3+和In3+的存在也有利于N+的替位,形成低阻P型ZnO薄膜。
(3)膜的均匀性
轰击离子源产生的氮或氩/氮混合束束径大于150mm,非均匀性小于15%,垂直注入到溅射沉积膜上,利用样品台的公转和样品片自转实现均匀注入,保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向ZnO多晶结构。
(4)热处理
采用上述方法制备的离子束增强沉积共掺杂氧化锌薄膜不经过退火,已经是P型的。
经400-600℃的氮气退火,可以获得结晶更好、电阻率更小的多晶P型ZnO薄膜。选择合适的掺杂剂量:Al或In相对于Zn的掺杂原子比为1-5%、调节注入离子束的能量和束流:注入离子束的加速电压为20~60KV,束流为5~20mA,使P型ZnO薄膜的电阻率小于1.0Ωcm。
本发明的优点在于:
(1)薄膜的制备沉积不受衬底材料的制约,原则上可以在各种固态材料上沉积。在单晶Si衬底上,可不受自然氧化层的影响,方便地制备单一取向多晶ZnO薄膜。
(2)在多片衬底上同时沉积ZnO薄膜,满足工业化生产要求。
(3)P型ZnO薄膜的成膜温度低,与半导体工艺兼容。
(4)ZnO薄膜性能稳定,均匀性好。
(5)本技术是一种干法沉积技术,在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
附图说明
图1为离子束增强沉积示意图
图中1、溅射离子源;2、ZnO靶;3、Ar+离子溅射束;4、轰击离子源;5、注入离子束;6、可自转沉积样品架;7、可旋转样品台;8、系统真空抽气口。
图2为In-N共搀杂INZO薄膜的退火前后的X射线衍射谱
图3为Al-N共搀杂ANZO薄膜的退火前后的X射线衍射谱
图4为在玻璃衬底上的In-N共搀杂INZO薄膜的透射谱
图5为在玻璃衬底上的Al-N共搀杂ANZO薄膜的透射谱
具体实施方式
本发明实施例的制备过程如下:
(1)溅射射靶的制备
用纯度为99.9%的高纯ZnO粉体与纯度为99.9%的高纯In2O3、Al2O3等粉体以100atm%∶1-5atm%,均匀混合、球磨。为防止引入杂质,球磨采用玛瑙球和玛瑙罐,球磨转速控制在每分30-60转。以20MPa的压强初压成型,再作200MPa、20分钟的等静压,得到结实的溅射靶。最后,在箱式炉中作空气气氛热处理,升温速率在300℃~900℃时约5℃/分,在900℃保温二小时,自然降温冷却到室温后取出待用。
(2)离子束增强沉积
溅射束为Ar+,束流强度50~100mA、加速电压1.0~2.0KV。对考夫曼离子源通入高纯N2或Ar∶N2~1∶3-1∶10的混合高纯气体,离子束轰击的束流强度为5~20mA,加速电压为20~60KV。无电扫描轰击束的直径不小于150mm,非均匀性小于15%。样品和样品台作独立旋转(转速分别为3r/min和24r/min),使增强沉积过程中样品温度低于300℃。增强沉积的时间由需要沉积的薄膜厚度决定。离子束增强沉积的示意图见图1。
(3)结晶和退火处理
用离子束增强沉积方法制备的氧化锌薄膜,取出后在快速退火炉中,在氮气气氛下作结晶热处理,热处理温度在400~600℃,退火时间2~30分钟。
Claims (3)
1.离子束增强沉积制备P-型氧化锌薄膜的方法,其特征在于:
(1)掺杂制成溅射靶
将高纯度ZnO粉体,或原子比为1-5%的Al、In等氧化物均匀掺入ZnO粉体,用等静压压制成型,再烧结成溅射靶;
(2)采用混合离子束进行增强沉积
选用上述溅射靶,并用纯N2或Ar∶N2为1∶3~1∶10的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击,注入离子束的加速电压为20~60KV,束流强度5~20mA;
(3)膜的均匀性
轰击离子源产生的氮或氩/氮混合束束径大于150mm,非均匀性小于15%,垂直注入到溅射沉积膜上,利用样品台的公转和样品片自转实现均匀注入,得到均匀的、高取向ZnO多晶结构,即P型离子束增强沉积共掺杂氧化锌薄膜。
(4)ZnO薄膜的制备沉积不受衬底材料的制约,原则上可以在各种固态材料上沉积。在单晶Si衬底上,可不受自然氧化层的影响,方便地制备单一取向多晶ZnO薄膜。
2.根据权利要求1所述的离子束增强沉积制备P-型氧化锌薄膜的方法,其特征在于:将上述制备得到的离子束增强沉积共掺杂氧化锌薄膜进行热处理,经400-600℃的氮气退火,获得结晶更好、电阻率更小的多晶P型ZnO薄膜。
3.根据权利要求1所述的离子束增强沉积制备P-型氧化锌薄膜的方法,其特征在于:选择掺杂剂量为:Al或In相对于Zn的掺杂原子比为1-5%、调节注入离子束的能量和束流:注入离子束的加速电压为20~60KV,束流为5~20mA。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100552081C (zh) * | 2006-12-11 | 2009-10-21 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法 |
CN101496117B (zh) * | 2006-07-28 | 2012-04-18 | 株式会社爱发科 | 透明导电膜的成膜方法 |
CN106259447A (zh) * | 2016-08-03 | 2017-01-04 | 赵先芝 | 纳米水性民用杀菌剂 |
CN109599470A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-09 | 中国科学技术大学 | 一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的方法 |
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---|---|---|---|---|
CN1258005C (zh) * | 2003-01-13 | 2006-05-31 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法 |
JP4396119B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2010-01-13 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置の周波数調整方法 |
JP2005108461A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | National Institute For Materials Science | イオン注入による特性探索方法 |
-
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101496117B (zh) * | 2006-07-28 | 2012-04-18 | 株式会社爱发科 | 透明导电膜的成膜方法 |
TWI423932B (zh) * | 2006-07-28 | 2014-01-21 | Ulvac Inc | 透明導電膜之成膜方法 |
CN100552081C (zh) * | 2006-12-11 | 2009-10-21 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法 |
CN106259447A (zh) * | 2016-08-03 | 2017-01-04 | 赵先芝 | 纳米水性民用杀菌剂 |
CN109599470A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-09 | 中国科学技术大学 | 一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的方法 |
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