CN1735794A - 用于测量紫外线(uv)的光强度的装置和方法 - Google Patents
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Abstract
一种用于测量光线强度的设备及方法，包括探测器的使用。该探测器配置用于监测约180纳米(nm)至约270(nm)的波长范围。该探测器包含：反射及扩散层(120)，适用于收集光；波导(130)，具有与反射及扩散层进行光通信的一端，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率；传感探测器(150)，与波导的另一端进行光通信；及滤波器(140)，位于波导与传感器的中间，其中该滤波器适于去除大于约270nm的波长，且对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率。
Description
技术领域
本发明总体上涉及用于测量光强的装置及方法，尤其涉及一种用于收集某区域中的光的探测器，其特征在于该区域被小于约270纳米的辐射照射并且在其中放置或安装测量设备是受到限制的。
背景技术
在集成电路的制造过程中，众所周知的是，不希望的电荷聚集可以出现在EPROM装置的浮栅(可能的话)、和/或集成电路的其他区域上。如果没有去除或使电荷聚集中性化，这种电荷聚集将导致高电压，且引起对电路的电气损坏或是改变装置的操作。电荷聚集易于出现在制造集成电路常用的诸多处理步骤中的一个或多个过程中。举例而言，电荷聚集可以出现在退火处理过程中、金属灰化或蚀刻处理过程中、在通孔与垫形成步骤之后等等。集成电路典型为采用3至5个导电金属层，在制造过程中其包括大约5至7个有助于电荷聚集的处理步骤。在装置的制造进行中，擦除电荷聚集是重要的。
在制造过程中，通过周期性地将集成电路暴露于窄频带的紫外辐射源，就可以去除电荷聚集。现有的去除电荷的方法典型利用汞电极灯，其产生约254nm的波长的窄频带光谱。汞灯发射高能量光子，其传播通过集成电路堆叠，以将能量赋予储存的电子和捕获的电子以及其它可能存在的电荷。这些赋能的电子克服了先前限定电子与其他电荷的能障，使得在集成电路内的电子与电子空穴或正电荷之间能够出现重组，或者能够漏出该装置，从而擦除或消散制造过程中出现的电荷聚集。窄频带的紫外光曝光也提高了集成电路的其他区域上电荷的迁移率。然而，使用窄频带辐射源是相当缓慢，甚者可能并未穿透到需要去除电荷聚集的那些区域，这是因为集成电路通常由许多不同类型的层所构成，某些层完全吸收或防止窄频带辐射曝光下面的层。
另一种方法及设备包括将集成电路暴露于低波长的宽频带辐射源，波长范围为紫外波长到真空紫外波长。利用采用相对于上述窄频带波长曝光工具的宽频带辐射的装置与方法，获得几个数量级的效率，从而提供了较快的产出以及更有效地去除了电荷聚集。而且，由于采用了宽频带辐射图案，也就克服了集成电路的各层的吸收。对于宽频带辐射曝光的感兴趣的波长通常限定在约270nm至约180nm。
希望得到的是准确监测用于电荷擦除的波长。举例而言，空气中以及用于集成电路制造的材料中对光的吸收会衰减光。目前的辐射计对于小于约270nm的波长时的使用是不实际或效率低的。许多市场上可买到的辐射计装置包括吸收感兴趣的波长的材料。而且，目前的辐射计与探测器典型测量与感兴趣的波长重叠的宽范围波长，从而减小该辐射计与探测器对感兴趣的范围的灵敏度。另外，希望得到的是具有在实际的处理条件下测量由灯泡所发出的光谱的能力(相对于测量灯泡本身的光谱)，这是因为可能存在影响光从灯泡传输到处理腔内的晶片位置的许多变量。
发明内容
本文公开了用于监测约180纳米(nm)至约270nm的波长范围的现场探测器(in situ probe)及手持式探测器。在一个实施例中，一种手持式探测器包括：反射及扩散层，适于收集光；波导，具有与反射及扩散层进行光通信的一端，其中该波导对约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率；传感器，与波导的另一端进行光通信；及滤波器，位于波导与传感器的中间，其中该滤波器适于去除大于约270nm的波长，且对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率。
一种现场探测器包括：波导，具有与光源进行光通信的一端，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率；传感器，与波导的另一端进行光通信；及滤波器，位于该波导与传感器的中间，其中该滤波器适于去除大于约270nm的波长，且对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率。
一种用于监测电荷擦除工具中的电荷擦除效率的集成设备，包括：辐射腔，其包含光源，适于发射约180nm至约270nm波长的宽频带辐射；处理腔，包括现场探测器，用于监测约180nm至约270nm的宽频带辐射的强度，该现场探测器包含波导，其具有与光源进行光通信的一端以及与传感器进行光通信的另一端，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率，该探测器还包含位于该波导与传感器的中间的滤波器，其中该滤波器适于吸收大于约270nm的波长；及平板，位于该辐射腔与处理腔的中间，其中该平板对于约180nm至约270nm的波长是透射的。
一种用于监测配置用于去除或消散集成电路制造过程中的电荷聚集的电荷擦除工具发出的辐射的方法，包括：在电荷擦除工具的处理腔中的一个位置放置探测器，该探测器包含适于反射及扩散辐射的反射及扩散层、具有与反射及扩散层进行光通信的一端的波导、与波导的另一端进行光通信的传感探测器、及位于波导与传感器的中间的滤波器，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率，且该滤波器适于去除大于约270nm的波长；以足以去除该处理腔的环境空气的流动速率使惰性气体流入处理腔；从该电荷擦除工具的辐射腔中的光源发射辐射；在反射及扩散层上将由该电荷擦除工具的光源所发出的辐射反射及扩散至波导；以及利用滤波器去除大于约270nm的波长的辐射且将该辐射传送到传感器，其中该探测器的响应度类似于电荷擦除效率曲线。
根据另一个实施例，用于监测由配置用于去除或消散在集成电路的制造过程中的电荷聚集的电荷擦除工具所发出的辐射的方法包括：在电荷擦除工具的处理腔中的一个位置，约为基板的位置处固定探测器，该探测器包含具有与光源进行光通信的一端的波导、与波导的另一端进行光通信的传感器、及位于该波导与传感器的中间的滤波器，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率，且该滤波器适于去除大于约270nm的波长；以足以去除该处理腔的环境空气的流动速度率使惰性气体流入处理腔；从该电荷擦除工具的辐射腔中的光源发射辐射；在反射及扩散层上将由该电荷擦除工具的光源所发出的辐射反射及扩散至波导；以及利用滤波器去除大于约270nm的波长的辐射且将该辐射传送到传感器，其中该探测器的响应度类似于电荷擦除效率曲线。
根据以下附图以及详细说明例证上述及其他的特点。
附图说明
现在参照附图，其为范例性的实施例，且其中相似的元件用相同的附图标记表示：
图1示出了用于在集成电路制造过程中擦除电荷聚集的示例性曝光工具的横截面图；
图2图形示出了作为波长函数的电荷擦除效率；
图3图形示出了光谱，其说明作为无电极式微波驱动灯泡的波长函数的强度；
图4示出了探测器的剖面横截面图；
图5是扩散垫与光圈块件的等角图；
图6是放大的横截面图，其示出了光圈块件的光圈对与扩散反射层上固定标靶区域之间的关系；
图7图示了探测器的响应灵敏度曲线，相比较于作为相对于波长的透射百分比函数的电荷擦除效率轮廓；及
图8图示了用于探测器的一种合适的传感器的灵敏度曲线。
具体实施方式
本发明描述了一种在现场使用或手持使用的探测器、以及一种使用该探测器的方法，以准确测量小于约为270nm的波长的光强度。该探测器特别适用于测量在电荷擦除工具中释放的宽频带光的强度，诸如转让给Axcelis技术公司的美国专利申请第10/000,772号所述的探测器，该申请在本文中全部引入作为参考。现在参考图1，用于擦除或消散集成电路制造过程中的电荷聚集的示例性电荷擦除工具10通常包括：处理腔20和辐射腔30。处理腔20包括支撑物22(例如夹盘)，基板24可放置在该支撑物22上，其中基板24包括部分或完整制造的集成电路。支撑物22可进一步包括独立的加热装置。辐射腔30通常包括光源32和反射器34。光源32适于发出波长为小于约270nm的辐射，已经发现该辐射有效地擦除或消散在集成电路的制造过程中出现的电荷聚集。对于这些波长(低于约270nm)为光学透明的平板40位于处理腔20与辐射腔30的中间。处理腔20与辐射腔30也可分别包括气体入口与出口(共同表示为26与36)，用于以足以去除环境氧气(其已知吸收小于约270nm的波长)的流动速率而使惰性气体流动。
图2图示了光谱，其示出了作为波长的函数的电荷擦除效率，其为集成电路的制造过程中测得的。对于大于约为270nm的波长，电荷擦除不会在任何可测量的程度发生。并不期望大于约为270nm的波长的强度的增加会产生任何可测量程度的电荷消散。对于小于约为270nm的波长，电荷擦除效率通常随着波长从约270nm减小至约200nm而增大。虽然因为用于产生该擦除效率曲线的从光源发出的这些波长的宽频带光线能量较少从而导致精确的函数相关性难以确定，但是在低于200nm时也会出现电荷擦除效率的稳定状态。
为了发出小于约270nm的波长，一种无电极式的微波驱动灯泡优选用作电荷擦除工具10的光源32，以用于发出约270nm至约180nm的宽频带的辐射图案。在使用过程中，优选冷却该灯泡，例如通过连续地使非吸收气体(例如氮气)流入辐射腔。适用于实现电荷擦除或电荷消散的一种无电极式的微波灯泡的一个范例光谱如图3所示。这种特定的灯泡是市场上可以买到的Axcelis技术公司出品的商标名称为HL。在使用过程中，探测器的光收集部分位于处理腔20内所希望的位置上。理想而言，光收集部分位于类似于处理腔的集成电路位置的位置，即位于类似于含有部分或完整制造的集成电路的基板24的平面上，该集成电路随后将暴露于电荷擦除辐射。按照此种方式，可有利地准确监测波长，以确保以电荷擦除波长充分曝光基板，从而提供改进的生产率与产量。此外，监测波长是代表了实际曝光的条件。
现在参考图4，示出了一般示为100的示例性手持式探测器，其适用于监测波长，该波长有效地去除或消散了集成电路的制造过程中出现的电荷聚集。手持式探测器100通常包括：光通信的扩散垫120、波导130、滤波器140和传感器150。优选的是，进而提供了显示器以转换由传感器150产生的电信号，以提供表示低于约270nm的波长强度光谱的视觉显示。反之，一种现场探测器不具有扩散垫，这是因为波导130可放置在电荷擦除工具的一个位置以接收光源发送的辐射。例如，可以定位并定向波导以接收在类似于基板的平面的位置的光线，继而其可用于准确确定电荷擦除过程中即将冲击基板的辐射。
扩散垫120是光收集元件，且接收来自电荷擦除工具10的处理腔20内所有方向的光线。例如，扩散垫120直接接收来自光源32的光、以及间接接收来自反射器34的光、以及间接接收来自该擦除工具的壁与其他组件的光，其中光源32用于发出足以用于电荷擦除的宽频带辐射，反射器34设置在光源32的后方。扩散垫120扩散反射所接收的光，使得传感器150检测的光代表入射到扩散垫120上的所有光线。如图5所更为清楚地示出，扩散垫120通常包括支撑物122与形成于其上的反射层124。基板122优选能够与扩散反射层124形成坚固接合，且已经发现黄铜是极佳的用作基板122的材料。
扩散反射层124可以是针对其扩散、反射性质而在光学工业中众所周知的多种材料中的任意一种。优选的是，扩散垫120不吸收所希望的波长，即低于约270nm的波长。此外，针对支撑物122与反射层124所选取的材料是适用于其使用环境的。
由于其扩散反射与高温的性质而用于高强度的紫外环境的适当反射材料是包括(且无意受限于)：碳酸镁、氧化镁、硫化钡以及各种氟碳塑胶，例如聚四氟乙烯。在优选实施例中，扩散垫120是由高纯度的硫化钡制造的，其具有大于约90％的总反射率。适合的高纯度的硫化钡是市场上可以买到的，美国纽约Munsell Color Services公司的商标名称为Munsell White Reflectance Coating的零件编号1181759，将其作为一种乳剂。将该乳剂涂覆于适合的支撑物122上，其干燥为具有近乎完美的扩散性与反射性的非自我辐射粉末状的涂层。对于某些选取的波长的绝对反射率示于表1中。
表1
| 波长(nm) | 绝对反射率(8°/总计) |
| 225 | 0.9346 |
| 250 | 0.9397 |
| 275 | 0.9481 |
| 300 | 0.9501 |
支撑物122的厚度仅为足以为反射层的结构提供支撑的厚度，优选的是该反射层将具有0.001英寸或更小的厚度。支撑物122可具有低至如约1至约3mm的厚度，这产生了在约1mm至约3mm的受照射表面内具有反射表面的设备。
光圈块件126与扩散垫120相邻安装。波导130的一端位于光圈块件126内以接收扩散垫120反射的光。如图6更清楚地示出，光圈128、129置于光圈块件126中，定位光圈128、129以在扩散反射层124上限定固定尺寸的椭圆形标靶区域T。标靶区域T的尺寸与形状(其都必须位于扩散反射层124的涂层区域内)是由光圈128、129的尺寸、光圈129与标靶区域之间的距离以及光圈128、129的视线与扩散反射层124所成的角度而决定的。
光圈128、129的尺寸不严格。例如，对于隔开0.375英寸的光圈128、129及从光圈129到标靶区域中心具有0.375英寸的视线、且具有15度的视角而言，约0.030英寸的光圈直径将产生可容纳于具有约1/4英寸乘以3/4英寸的范围的区域内的标靶区域。优选的是，由光圈128、129所建立的视线是以锐角(优选为约10度至约30度)照射扩散反射层124的。
在优选实施例中，波导130是呈容纳于壳体132内的光纤的形式。对于手持式装置而言，波导130的长度比现场探测器所采用的长度更长。手持式探测器通常用于确定处理腔的多个位置的一致性，且因此必须具有足够的长度以到达用于决定一致性所需的所有位置。作为对比，现场探测器需要固定长度，这是因为其通常位于电荷擦除工具的处理腔内的固定位置。对于较长的光路径长度，优选的是用作波导130的材料对于感兴趣的波长具有最小的吸收率，这是因为总吸收率是波导长度的函数。如果存在显著地吸收，则所造成的净响应对于两个探测器是不同的。这通常是不可接受的情况，因为一般希望的是由手持式或现场的探测器所提供的光谱是彼此相关联的。
优选的是，波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率，更为优选的是，对于约180nm至约270nm的波长具有大于约60％的透射率，进一步优选的是，对于约180nm至约270nm的波长具有大于约70％的透射率，最为优选的是，对于约180nm至约270nm的波长具有大于约80％的透射率。当然，根据电荷擦除的应用，对于这些希望的透射率可以采用更小的波长范围，只要对于小于约270nm的波长出现充分的宽频带辐射曝光而且有效去除或消散了电荷聚集就可以。对于更短的波导长度，可容许更多的吸收，而不会不利地影响灵敏度。合适的波导材料包括：熔凝的硅土、二氧化硅、掺杂的二氧化硅、聚合物、交互聚合物等等。在优选实施例中，波导130是由熔凝硅土制造的。一种合适的市场上可买到的波导材料是德国的Heraeus公司出品的商标为SUPRASIL的材料。
壳体132可以是能够耐受该探测器所暴露的环境的任何材料。在优选实施例中，壳体132是由诸如黄铜的金属所制造的。可以改变壳体132的尺寸及形状，使其不会阻断即将到达标靶区域的光。在某些情形下，这种要求可以控制视线的角度，且将其限制为较小的角度，诸如为约5度至约15度。
波导130的另一端装配有滤波器140，其可容纳在滤波器壳体142内。优选的是，滤波器140具有类似于视为有效电荷擦除的波长传输曲线。在优选实施例中，滤波器140去除大于约270nm的波长到传感器150的传输。对于大于约270nm的波长，将探测器100的灵敏度设计为显著减小，这是因为这些波长对于电荷擦除的影响很小。如同图2先前所述及表示的，最大电荷擦除的期望波长出现在小于约270nm的波长。而且，由于擦除工具10中采用的目前的光源32典型地对于小于约270nm的波长具有低强度，因此通过去除大于约270nm的波长到传感器150的传输而使探测器100的灵敏度最大化。而且，通过去除大于约270nm的波长，探测器的光谱响应灵敏度曲线精密匹配图2所示的电荷擦除效率曲线。
更为优选的是，通过滤波器140的约为270nm或更大的波长的透射率小于约10％，而对于大于约270nm的波长具有减小的透射率，更为优选的是具有小于5％的透射率，进一步优选的是具有小于3％的透射率，且最为优选的是具有小于2％的透射率。对于约180nm至约270nm的波长，滤波器优选对于其峰值波长具有大于约10％的透射率，更为优选的是对于其峰值波长具有大于约20％的透射率，进一步优选的是对于其峰值波长具有大于约30％的透射率，且最为优选的是对于其峰值波长具有大于约40％的透射率。在理想条件下，滤波器140对于约180nm至约270nm的波长提供了100％的透射率，且对于大于约270nm的波长为完全不透明的，即正方形函数。用于探测器100的合适的滤波器是市场上可买到的Acton研究公司的零件编号186-B。这种特定的滤波器对于约180nm的波长具有约32.8％的峰值波长透射率，和约40nm的半最大值全宽度(FWHM)。术语“半最大值全宽度(FWHM)”在下文中定义为当波长轮廓落至其峰值(或最大值)的一半时所跨过的宽度。如前文所述，理想而言，FWHM是跨过感兴趣的波长光谱，即180nm至约270nm，或是对于235nm的约90nm的FWHM。
传感器150(例如响应至少为约180nm至约270nm的辐射的光电二极管)接收由波导130的另一端收集的光。图8图示了响应度，为合适的传感器波长的函数。尽管传感器150具有延伸至约550nm的非零灵敏度，但先前所述的滤波器140将排除此区域。此外，尽管该灵敏度是非平坦的，其在感兴趣的波长区域呈现出优选的斜率(即类似于图2所示的电荷擦除效率曲线的斜率)，其有助于校正探测器100的整体响应，使得整个探测系统的灵敏度是类似于希望的擦除效率曲线。
优选的传感器150是一种磷化镓光电二极管，其为市场上可以买到的奥地利的Roithner Lasertechnik公司出品的型号EPD-150-0。这种特定光电二极管的响应度对于440nm为0.12A/W。传感器150将辐射转换为电信号，其可利用其间的电连接器152而将该电信号显示在显示装置中。
在手持式探测器的操作中，探测器的扩散垫是定位于处理腔中的期望位置，相对于光源约为90度。按照这种方式，扩散及反射照射标靶区域的紫外辐射，且此反射辐射的一小部分进入光圈组128、129，且传送至波导130。扩散反射层124与光圈128、129的组合提供了入射射线的充分扩散，使得探测器的角度响应本质为接近余弦，因此可准确测量以发散角照射的紫外辐射。在现场探测器的操作过程中，波导相对于光源轴向固定在处理腔中，且由光源发出的辐射直接进入波导，优选的是，波导固定在类似于所要处理的基板位置的一个位置。由现场探测器或手持式探测器传输至波导130的辐射接着通过滤波器140并且传输至传感器150。传感器150将辐射转换为与特定波长与强度相关的电信号。传感器150可进一步包括与显示装置的电连接，以供显示转换后的电信号。
在连续使用手持式探测器的过程中，扩散反射层124可能会被加热，而诸如氧化镁、碳酸镁和硫化钡的材料随着其温度的升高而表现出反射率的增大。可以进行适当的补偿以适应作为温度函数的反射率变化，或是可以控制探测器的使用方式以使得温度的影响最小化，例如通过间歇测量光。例如，探测器100可用于以测量模式操作约10秒，接着为关断15秒，以允许在进行另一个10秒的测量之前冷却表面。
有利的是，本文所述的探测器及方法提供了对于有效地擦除电荷的那些波长的准确测量。该探测器仅对于实现电荷擦除的那些波长是灵敏的；大于约270nm的波长被该探测器的光电二极管滤掉，从而提供最大的灵敏度。而且，该探测器的灵敏度响应精密跟踪电荷擦除效率响应。此外，该探测器是提供了现场测量能力以及手持式能力。由于在电荷擦除工具中有很多组件可以改变入射到标靶基板上的光的光谱，因此在工具内和类似于放置基板(即在晶片的平面中)的位置来测量紫外光，具有显著的商用优点。
同样有利的是，该探测器对从基板上的整个半球入射的光提供准确测量，即约为2π球面度，其可随着位置不同而改变。该探测器也提供测量每个电荷擦除效率的加权后的测量值的能力。可容易地校准该探测器，以测量电荷擦除工具中采用的特定光源的强度。例如，所要测量的感兴趣的波长频带通常很宽。在该频带内，电荷擦除效率是可随着波长不同而有所差异的。一般而言，较小的波长是更为有效及有效去除或消散电荷聚集的。因此，在某些应用中，希望加权该探测器对于入射到基板上的发射光谱的较小波长端的灵敏度，使得其对于波长范围的较小端的擦除效率的小而可能显著的变化灵敏。
而且，该探测器提供了一种用于确定光源一致性的装置。光源能够随着运用时间而变化，如此，该探测器提供了一种用于测量不同位置的装置，使得可以考虑光源的不一致性。按照这种方式，适当的曝光量可施加到集成电路以去除或消散电荷聚集。
尽管已经参照范例性实施例而描述了本发明的内容，但本领域技术人员可以理解，在未偏离本发明内容范畴的情况下，可以进行多种变化并且可代入其元件的等价物。此外，本发明内容是可进行诸多修改以使特定的情况或材料适于本发明的教导而未偏离其本质的范畴。因此，本发明内容是不限于作为预期实施本发明的最佳模式公开的特定实施例，而是本发明内容包括属于随附权利要求范围内的所有实施例。
Claims (22)
1.一种手持式探测器，用于监测约180nm至约270nm的波长范围，该手持式探测器包含：
反射及扩散层，适于收集光；
波导，具有与该反射及扩散层进行光通信的一端，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率；
传感器，与该波导的另一端进行光通信；及
滤波器，位于该波导与传感器的中间，其中该滤波器适于去除大于约270nm的波长，且对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率。
2.如权利要求1所述的手持式探测器，其中该反射及扩散层包含：硫酸钡、碳酸镁、氧化镁或氟碳塑胶。
3.如权利要求1所述的手持式探测器，其中该滤波器对于约270nm或更大的波长的透射率小于该滤波器对于小于约270nm的波长的最大透射率的约10％。
4.如权利要求1所述的手持式探测器，其中该滤波器对于约270nm或更大的波长的透射率小于该滤波器对于小于约270nm的波长的最大透射率的约5％。
5.如权利要求1所述的手持式探测器，其中将该波导选定为对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率。
6.如权利要求1所述的手持式探测器，其中将该波导选定为对于约180nm至约270nm的波长具有大于约60％的透射率。
7.如权利要求1所述的手持式探测器，其中将该波导选定为对于约180nm至约270nm的波长具有大于约80％的透射率。
8.如权利要求1所述的手持式探测器，进一步包含壳体，其放置在该波导周围。
9.如权利要求1所述的手持式探测器，其中该探测器对约180nm至约270nm的辐射展现出的灵敏度比不具有滤波器的探测器更强。
10.如权利要求1所述的手持式探测器，其中该波导以相对于由反射及扩散层所限定的平面的锐角与该反射及扩散层进行光通信。
11.如权利要求1所述的手持式探测器，进一步包含光圈块件，其适用于提供该波导与反射及扩散层的光通信，其中该波导以相对于反射及扩散层约10度至约30度的角度放置在该光圈块件中。
12.一种现场探测器，用于监测约180nm至约270nm的波长范围，该现场探测器包含：
波导，具有与光源进行光通信的一端，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率；
传感器，与该波导的另一端进行光通信；及
滤波器，位于该波导与传感器的中间，其中该滤波器适于去除大于约270nm的波长，且对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率。
13.如权利要求12所述的现场探测器，其中该滤波器对于约270nm或更大的波长的透射率小于该滤波器对于小于约270nm的波长的最大透射率的约10％。
14.如权利要求12所述的现场探测器，其中将该波导选定为对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率。
15.如权利要求12所述的现场探测器，其中该探测器对约180nm至约270nm的辐射展现出的灵敏度比不具有滤波器的探测器更强。
16.一种整合式设备，用于监测电荷擦除工具中的电荷擦除效率，该设备包含：
辐射腔，包含光源，其适于发出宽频带辐射或者波长在约180nm至约270nm范围内的辐射；
处理腔，包含现场探测器，用于监测约180nm至约270nm的宽频带辐射的强度，该现场探测器包含波导，其具有与该光源进行光通信的一端以及与传感器进行光通信的另一端，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率，以及位于该波导与该传感器的中间的滤波器，其中该滤波器适于吸收大于约270nm的波长；及
平板，位于该辐射腔与处理腔的中间，其中该平板可透射约180nm至约270nm的波长。
17.如权利要求16所述的整合式设备，其中该波导的一端固定在基板位置附近的处理腔中。
18.如权利要求16所述的整合式设备，其中该探测器对约180nm至约270nm的宽频带辐射展现出的灵敏度比不具有滤波器的探测器更强。
19.如权利要求16所述的整合式设备，其中该滤波器对于约270nm或更大的波长的透射率小于该滤波器对于小于约270nm的波长的最大透射率的约10％。
20.如权利要求16所述的整合式设备，其中该滤波器对于约270nm或更大的波长的透射率小于该滤波器对于小于约270nm的波长的最大透射率的约5％。
21.一种用于监测电荷擦除工具中发出的辐射的方法，该工具被配置成用于在集成电路的制造过程中去除或消散电荷聚集，该方法包含：
将探测器放置在电荷擦除工具的处理腔中的一个位置，该探测器包含：反射及扩散层，适用于反射及扩散辐射；波导，具有与反射及扩散层进行光通信的一端，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率；传感器，与波导的另一端进行光通信；及滤波器，位于波导与传感器的中间，其中该滤波器适于去除大于约270nm的波长；
以足以去除该处理腔的环境空气的流动速度使惰性气体流入处理腔中；
从该电荷擦除工具的辐射腔中的光源发射辐射；
在该反射及扩散层上将由该电荷擦除工具的光源所发出的辐射反射及扩散到波导；及
利用该滤波器去除波长大于约270nm的辐射且将该辐射传输到传感器，其中该探测器的响应度类似于电荷擦除效率曲线。
22.一种用于监测电荷擦除工具中发出的辐射的方法，该工具被配置成用于在集成电路的制造过程中去除或消散电荷聚集，该方法包含：
将探测器固定在基板位置附近的电荷擦除工具的处理腔中的一个位置，该探测器包含：波导，具有与光源进行光通信的一端，其中该波导对于约180nm至约270nm的波长具有大于约50％的透射率；传感器，与波导的另一端进行光通信；及滤波器，位于该波导与传感器的中间，其中该滤波器适于去除大于约270nm的波长；
以足以去除该处理腔的环境空气的流动速度使惰性气体流入处理腔中；
从该电荷擦除工具的辐射腔中的光源发射辐射；
在该反射及扩散层上将由该电荷擦除工具的光源所发出的辐射反射及扩散到波导；及
利用该滤波器去除波长大于约270nm的辐射且将该辐射传输到传感器，其中该探测器的响应度类似于电荷擦除效率曲线。
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