JPH09147586A - 紫外線消去装置 - Google Patents

紫外線消去装置

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Publication number
JPH09147586A
JPH09147586A JP30535595A JP30535595A JPH09147586A JP H09147586 A JPH09147586 A JP H09147586A JP 30535595 A JP30535595 A JP 30535595A JP 30535595 A JP30535595 A JP 30535595A JP H09147586 A JPH09147586 A JP H09147586A
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JP
Japan
Prior art keywords
ultraviolet
lamp
temperature
erasing device
cooling means
Prior art date
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Pending
Application number
JP30535595A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Takemoto
正 竹本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP30535595A priority Critical patent/JPH09147586A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】紫外線ランプからの紫外線の発生効率が悪い
為、装置のスループットが向上しない。 【解決手段】紫外線ランプ3に接するラジエータ11を
設け、温度センサ12によりランプの表面温度を測定
し、表面温度を35〜50℃とするように温度制御ユニ
ット10で制御された冷却水9を流す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は記憶素子の情報を消
去する為の紫外線消去装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の紫外線消去装置は、図8に示すよ
うに、処理室1内に複数のシリコンウェーハ4を搭載す
る為の横方向に移動する複数のコンベアからなるステー
ジ2が設けられ、このステージ2上には一定の間隔で複
数の紫外線ランプ3が固定され、更にこのステージ2の
内部には冷却水9が導入されており、この冷却水9は温
度センサ12と温度制御ユニット10で制御されるヒー
タ5により40〜70℃に保たれるように構成されてい
た。尚図8において7は処理室1内の熱8を逃す為の排
気用ファンである。以下動作について説明する。
【0003】セットされたシリコンウェーハ4を加熱し
たのち紫外線ランプ3を点灯すると、放射された紫外線
6は熱的ロス等により全エネルギーの50%程度の紫外
線となり、シリコンウェーハ4に形成されたUVPRO
M等の素子に照射され、データの消去が行なわれる。こ
の時用いられる紫外線は主に254nmの波長のもので
ある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の紫外線消去装置では、紫外線ランプの発熱によ
りランプ管内の圧力が上昇する為紫外線の発生効率が低
下する。その結果紫外線強度が不足しスループットを向
上させることができないという問題点があった。
【0005】本発明の目的は、紫外線の発生効率を増加
させ、スループットの向上した紫外線消去装置を提供す
ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の紫外線消去装置
は、処理室内のステージ上に半導体ウェーハを並べ、こ
のウェーハ上に設置された複数の紫外線ランプより紫外
線を照射し、このウェーハに形成された記憶素子の情報
を消去する紫外線消去装置において、前記紫外線ランプ
の表面温度を規定温度にする為のランプ冷却手段を設け
たことを特徴とするものである。
【0007】本発明においては、紫外線ランプを直接冷
却し、その表面温度を35〜50℃にしている為紫外線
の発生効率は約60%となり、装置のスループットを向
上させることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の第1の実施の形態を説明す
る為の紫外線消去装置の構成図である。図1において紫
外線消去装置は、処理室1内に設けられシリコンウェー
ハ4を載置する複数のコンベアからなるステージ2と、
このステージ2上に一定間隔で固定された紫外線ランプ
3と、この紫外線ランプ3のランプ管壁に密着する銅等
からなるラジエータ11と、このラジエータ11内を循
環する冷媒体としての冷却水(又は空気)9と、ランプ
3の表面温度(ランプの管壁上10mm以内の温度)を
測定する熱電対等からなる温度センサ12と、この温度
センサ12からの信号により冷却水9の温度を制御する
温度制御ユニット10とから構成されている。尚図1に
おいて7は処理室1内の熱8を逃す為の排気用ファンで
ある。
【0009】このように構成された紫外線消去装置にお
いては、紫外線ランプ3は密着しているラジエータ11
により冷却される為、紫外線の発生効率は高くなり、約
60%となる。以下、動作について更に説明する。
【0010】紫外線ランプ3を点灯させると紫外線6に
加え、熱エネルギーが発生する。点灯時間が経過するに
つれて、処理室内温度は上昇する。雰囲気温度は紫外線
ランプ3の表面温度を更に上昇させる働きをし、図2に
示すように60℃以上となり、管内圧力を増加させる結
果となる、管内圧力が増加すると紫外線の発生効率が低
下し、最終的には紫外線強度が低下することとなる。
【0011】図3は、図2の温度推移に対する紫外線強
度の推移を示すグラフであり、ランプ点灯後1〜4分を
ピークに減少傾向を示している。図4は図2及び図3に
おける経過時間10分迄のランプの表面温度と紫外線強
度の拡大図である。図4から分るように、紫外線強度は
ランプ点灯後1〜2分でピークに達する。すなわち、紫
外線強度を20mW/cm2 以上に保つ為には、ランプ
の表面温度を35〜50℃とする必要がある。
【0012】図1に示した消去装置では、紫外線ランプ
3の表面温度の上昇をラジエータ11にて防止し、かつ
ランプの表面温度を約40℃に保つ構造としている。こ
れにより、紫外線6は効率良く安定的に照射され、処理
室内温度の上昇に伴なう効率の低下という悪循環を発生
させることもなくなる。その際の紫外線エネルギーは、
図5に示すように、ランプ全体のエネルギーの60%と
いう理論値に近い値となる。
【0013】図6は本発明の第2の実施の形態を説明す
る為の紫外線消去装置の構成図であり、図1で説明した
ものと異なる所は、冷却手段としてフィルタを介して処
理室に導入する冷却空気を用いたことである。すなわ
ち、温度制御ユニット10により制御され送風機等から
なる外部ユニット(図示せず)により送られる冷却空気
を処理室1に導入する為の配管14を設け、この配管1
4からの冷却空気15をフィルタ13を通して処理室1
内に送り紫外線ランプ3を冷却するようにしたものであ
る。この場合も冷却空気15により紫外線ランプ3の表
面温度を35〜50℃(例えば約40℃一定)に保持で
きる為、紫外線6の発生効率は高くなり、装置のスルー
プットは向上したものとなる。
【0014】図7は本発明の第3の実施の形態を説明す
る為の紫外線消去装置の構成図であり、図1で説明した
ものと異なる所は、冷却手段として冷却空気を噴出する
ノズルを有する冷却管を用いたことである。すなわち、
冷却空気15を噴出するノズル17を複数個有する細い
冷却管16をステージ2の間隙に配置し、この冷却管1
6に温度制御ユニット10により冷却空気15の流量が
制御される配管14を接続し、冷却空気15により紫外
線ランプ3を直接冷却するようにしたものである。冷却
空気15が少くともランプ3の先端及び末端に当るよう
に冷却管を設けることによりランプの表面温度をより精
度良く均一に保つことができる為、消去装置のスループ
ットを向上させることができる。本第3の実施の形態で
はランプ3の冷却手段は冷却管16が主である為、第
1,第2の実施の形態に比べ取付けが容易で低コストで
実現できるという利点がある。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、紫外線ラ
ンプの表面温度を35〜50℃に保つ為の冷却手段を設
けることにより紫外線の発生効率を高めることができる
為、紫外線消去装置のスループットを向上させることが
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を説明する為の紫外
線消去装置の構成図。
【図2】ランプ表面温度の経時変化を示す図。
【図3】ランプから発生する紫外線強度の経時変化を示
す図。
【図4】ランプの表面温度及び紫外線強度の経時変化の
拡大図。
【図5】紫外線ランプのエネルギー配分を示す図。
【図6】本発明の第2の実施の形態を説明する為の紫外
線消去装置の構成図。
【図7】本発明の第3の実施の形態を説明する為の紫外
線消去装置の構成図。
【図8】従来の紫外線消去装置線の構成図。
【符号の説明】
1 処理室 2 ステージ 3 紫外線ランプ 4 シリコンウェーハ 5 ヒータ 6 紫外線 7 排気用ファン 8 熱 9 冷却水 10 温度制御ユニット 11 ラジエータ 12 温度センサ 13 フィルタ 14 配管 15 冷却空気 16 冷却管 17 ノズル

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理室内のステージ上に半導体ウェーハ
    を並べ、このウェーハ上に設置された複数の紫外線ラン
    プより紫外線を照射し、このウェーハに形成された記憶
    素子の情報を消去する紫外線消去装置において、前記紫
    外線ランプの表面温度を規定温度にする為のランプ冷却
    手段を設けたことを特徴とする紫外線消去装置。
  2. 【請求項2】 規定温度は35〜50℃である請求項1
    記載の紫外線消去装置。
  3. 【請求項3】 ランプ冷却手段は、ランプに接触し冷媒
    体により冷却されるラジエータを含む請求項1記載の紫
    外線消去装置。
  4. 【請求項4】 紫外線ランプの表面温度を検出する温度
    検出器を設け、この温度検出器の出力によりランプ冷却
    手段の冷媒体の流量を制御する冷媒体制御手段を設けた
    請求項1記載の紫外線消去装置。
  5. 【請求項5】 冷媒体は空気又は水である請求項3又は
    請求項4記載の紫外線消去装置。
  6. 【請求項6】 ランプ冷却手段は、冷却空気を噴出させ
    る為のノズルを有する冷却管を含む請求項1記載の紫外
    線消去装置。
JP30535595A 1995-11-24 1995-11-24 紫外線消去装置 Pending JPH09147586A (ja)

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JP30535595A JPH09147586A (ja) 1995-11-24 1995-11-24 紫外線消去装置

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005005258A (ja) * 2003-05-19 2005-01-06 Ushio Inc エキシマランプ発光装置
JP2006510027A (ja) * 2002-12-16 2006-03-23 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 紫外線(uv)光の強度を測定するための装置及び方法
JP2008235678A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Ushio Inc 紫外線照射器、紫外線照射装置及び膜質改質方法
CN112185802A (zh) * 2020-10-23 2021-01-05 德州立威生物科技有限公司 一种新型uv紫外镀金灯管
CN113171474A (zh) * 2021-03-31 2021-07-27 天津市顶硕科技发展有限公司 一种冷链运输货物的紫外线消毒舱

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980908