CN1731278B

CN1731278B - 极紫外线磁性对比光刻掩模及其制法

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Publication number: CN1731278B
Application number: CN200510091072.2A
Authority: CN
Inventors: S·施瓦兹; S·沃尔姆
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2004-08-05
Filing date: 2005-08-05
Publication date: 2010-10-06
Anticipated expiration: 2025-08-05
Also published as: DE102005063547B4; DE102005035769A1; DE102005063469B4; DE102005035769B4; CN1731278A; US7407729B2; CN101630121A; US20060029866A1

Abstract

本发明提供了一种EUV光刻掩模、其制造方法与其使用方法。本发明的一较佳实施例包含了一衬底、配置在所述衬底上的一布拉格反射器、配置在所述布拉格反射器上的一缓冲层、以及配置在所述缓冲层上的一吸收层；所述掩模中的材料具有选择磁性质；在一较佳实施例中，所述缓冲层是一硬磁材料，而所述吸收层是一软磁材料。另一较佳实施例则包含了一种掩模制造方法，其更包含一掩模步骤。在一较佳实施例中，则利用电子镜显微镜而显影出掩模在施加磁场中的磁性质相关型态以检测所述掩模。

Description

极紫外线磁性对比光刻掩模及其制法

技术领域

本发明与半导体制造有关，特别是与极紫外线光刻(EUVlithography)有关。

背景技术

光刻是利用一种直接辐照(radiation)至一掩模上以形成图案的显影系统，其将图案的影像投射至覆有光敏性阻质的半导体晶圆上，此图案是由蚀刻在掩模上的吸收性特征或线路所形成；在光刻中用来幅照的辐射线可为任何合适的波长，当波长越低时，显影系统的分辨率就越高，而当分辨率增加时，便能够将越小的特征印刷至半导体晶圆上。

光刻技术的持续进步减少了半导体集成电路(ICs)的大小，因而能够制造出具有更高密度与更佳效能的装置。在一种具有高度应用潜力的光刻系统中，使用了极紫外线(EUV)波长范围的辐射线；一般而言，EUV辐射线的波长范围约为1至40纳米(nm)，而光刻系统中所使用的EUV辐射线的波长范围则约为10至15纳米，在此辐射线波长范围内所施行的光刻技术便称为极紫外线光刻(EUVL)。

事实上所有的材料都会吸收EUV辐射线，即使是气体亦然；吸收因而便排除了折射性光学组件的使用，例如透镜(lenses)与传输掩模(transmission masks)；因此，EUVL显影系统完全为反射型。为了能够达成近于正常入射的合理反射性，必须在掩模表面涂布多层薄膜涂层，如习知的分布型布拉格反射器(distributed Braggreflectors)。反射型掩模通常被调整为可反射10至15纳米范围的EUV光(明视野区域，bright field area)；一般的反射型掩模更具有经图案化的吸收层，该吸收层是沉积在布拉格反射器的顶侧，以吸收适当波长的入射EUV光(暗视野区域，dark field area)，经图案化的吸收层的高度可比拟侧向特征尺寸，以显影至晶圆上。

由于EUV掩模上的缺陷与颗粒也会被显影至晶圆上，且进而大幅降低各晶圆的功能性芯片数量，因此所使用的EUV掩模必须不含任何缺陷与颗粒；由于EUVL制程所制造的半导体芯片的特征尺度是位于微米等级，因此在图案(pattern)的主动区域的掩模上所具有的任何颗粒与缺陷都会被转移为电路图案；掩模缺陷会产生不适当的电路并因而导致失效，因此必须检查EUVL掩模，以确认此制程并未在图案区域中产生任何缺陷。

图1说明了根据SEMI P37 1102与SEMI P38 1103 EUV掩模衬底所制造的典型EUV掩模板(mask blank)，以及加州圣荷西国际半导体设备暨材料协会(Semiconductor Equipment and MaterialInternational，SEMI)于2002年所出版的EUV掩模板规格；掩模105包含了一EUV掩模衬底110、一EUV布拉格反射器120、一光学保护层(即一般所称的盖层130)、一保护性缓冲层140以避免吸收层图案化与掩模修护过程中的损害、以及一EUV吸收层150；以下将根据习知技术来说明EUV掩模的多种实施例。

如图1所示，EUV掩模的起始材料是一种具有低缺陷度与平滑表面的衬底110，该衬底110一般为玻璃或是具有低热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)的玻璃-陶瓷材料；然而在某些情形中，亦可使用硅材料作为衬底110，虽然硅具有高CTE而会导致印刷影像的位移，但是硅亦具有高导热性，因而只要在曝光过程中可以将热从掩模中有效移除，则硅亦为一种可使用的衬底。

如图1所示，多层(ML)镜或布拉格反射器120覆盖该衬底110，该布拉格反射器120包含约20至80对调整层，该等调整层具有高原子序(atomic number)材料(高Z材料)与低Z材料，其中高Z材料可为约2.8纳米厚的钼(Mo)，而低Z材料则为约4.1纳米厚的硅(Si)。

在该布拉格反射器120上覆盖一光学盖层130(例如：约11.0纳米厚的硅)，以避免钼于环境中氧化；该布拉格反射器120在波长约为13.4纳米的光照中可达成约60至75％的反射率。

请再次参阅图1，在该布拉格反射器120的上表面上覆盖一缓冲层140，该缓冲层140的厚度约为20至105纳米，其包含二氧化硅(SiO₂)，例如低温氧化物(LTO)；亦可使用其它的材料来作为缓冲层140，例如：氮氧化硅(SiO_xN_y)或碳(C)。

如图1所示，在该缓冲层140上覆盖一吸收层150，该吸收层150包含厚度约为45至215纳米的材料，其可削减EUV光，在EUV光曝光期间维持稳定，并可与掩模制程兼容。

该吸收层150可包含各种金属、合金与陶瓷材料；其中陶瓷材料是由金属与非金属所形成的化合物；而金属的例子则包含了铝(Al)、铝-铜金属(AlCu)、铬(Cr)、镍(Ni)、钽(Ta)、钛(Ti)与钨(W)，在某些例子中，该吸收层150可部分或完全由某些金属的硼化物(borides)、碳化物(carbides)、氮化物(nitrides)、氧化物(oxides)、磷化物(phosphides)、硅化物(silicides)或硫化物(sulfides)所形成，例如：硅化镍(NiSi)、硼化钽(TaB)、锗化钽(TaGe)、氮化钽(TaN)、硅化钽(TaSi)、硅氮化钽(TaSiN)与氮化钛(TiN)等。

图2a至图2h说明了掩模制造中的主要制程步骤顺序，其起始步骤包含了图2a所示的在掩模上涂布阻质160、图2b所示的将阻质160进行曝光(exposing)以及图2c所示的图案(未示)显影(developing)步骤。在图2d所示的步骤中，图案则利用吸收层蚀刻而从阻质被转移到吸收层上，在如图2d所示的吸收层蚀刻步骤中，该吸收层与缓冲层最好具有高蚀刻选择性。在下一个步骤中，如图2e所示，在吸收层蚀刻与阻质移除后即对掩模进行缺陷检测。

为了定出缺陷(例如残留在明视野区域中的吸收层)的位置，电流技术在吸收层与缓冲层间需要高光学对比度；由于吸收层与缓冲层都是非常薄的薄层，因此选择光学检测对比所需的正确膜层后度与选择正确膜层材料便同等重要。

请再次参阅图2a至图2h，在图2e所示的检测步骤后即执行如图2f所示的掩模修复(mask repair)步骤；利用聚焦离子束(Focused IonBeam，FIB)的修复方式可以使多余的吸收层自明视野区域中逸失，亦可使用聚焦离子束而在一明点缺陷处利用载有吸收层的气体来产生局部沉积(即暗视野修复)。

在图2g所示的步骤中，缓冲层是藉由另一蚀刻步骤而加以图案化，此蚀刻制程会中止于盖层(光学性保护层)130或布拉格反射器120的最顶层。

在将缓冲层自明视野区域移除后，即完成了掩模图案化；曝露在明视野区域(盖层或布拉格反射器的最顶层)中的材料与侧壁(吸收层与缓冲材料)必须反复承受如图2h所示的掩模清洁步骤而不损害掩模。

在制程中，要同时满足在图2a至图2h中所述的各个步骤中所需的相关要求是非常困难的；该等膜层必须具有良好的蚀刻选择性以进行图案化，且该等掩模膜层必须够厚以于EUV修复时不致损害布拉格反射器；另一方面，薄层可降低移除明视野缺陷时所需的时间，而掩模却必须够结实才能够承受反复的清洁步骤(这又再次表示较厚膜层较为有利)。对于缓冲层而言，特别是对于检测而言，要在上述各种不兼容的制程需求中寻找一个平衡点是相当困难的，相对于吸收层材料而言，缓冲层必须具有高光学对比度以供检测。

就过去的技术而言，光学光刻必须同时考量掩模中的缺陷，为降低掩模制程相关的高花费，则期能不因小缺陷就丢弃掩模；然更重要的是，具缺陷的掩模常会因而产生缺陷装置。对于步骤中与重复操作中所使用的掩模而言，亦即标线(reticles)，单一掩模缺陷就会毁坏一整个晶圆。一般而言，由于在大部分的波长下，模糊区域与清晰区域间的对比都很高，因而检测光光刻中所使用的传输掩模较为简单；然对于下一世代的光刻技术(例如EUV光刻)而言，检测则变地更为困难了。

EUV掩模上的缺陷检测通常是在UV/DUV波长范围(150至500纳米)中进行，然其一般皆具有EUV掩模层间对比度不当的问题，而制造业者亦认为需解决此一问题以增进EUV掩模对比度(请参阅专利文献US6,720,118与US 6,583,068)，然而在该等方法中，检测仍受限于UV/DUV波长范围中。

因而在该技术领域中仍需要一种不受限于UV/DUV对比度需求的EUV掩模。

发明内容

藉由本发明的较佳实施例即可解决或改善上述问题，且可产生技术性功效；本发明的较佳实施例包含了一种光刻掩模，其具有多层间的高磁性对比度；本发明的另一较佳实施例包含了一种光刻掩模的制造方法，其并非选择具有高光学对比度的材料来进行检测，而是选择具有高磁性对比度的材料；本发明的其它实施例则包含了一种在图案化与蚀刻后利用可显影高磁场对比度的仪器来检测掩模的方法。

根据本发明的一较佳实施例，一种光刻掩模包含了一衬底、位于所述衬底上的一布拉格反射器、位于所述布拉格反射器上的一缓冲层、以及位于所述衬底上的一吸收层；所述掩模中的材料皆具有选择磁性质。在较佳实施例中，所述缓冲层是一硬磁材料，而所述吸收层是一软磁材料。

一般而言，硬磁材料在移除磁场后的一段适当时间内仍可维持其磁化量；一般而言，软磁材料在移除磁场后即快速丧失其磁化量；一般而言，材料具硬磁性或软磁性是一种相对的分类方式，且其是以特定分析所需的磁化量等级而决定。

根据本发明的另一较佳实施例，所述缓冲层是一软磁材料，而所述吸收层是一硬磁材料。

在本发明的另一较佳实施例中，所述掩模更包含一光学盖层，其位于所述布拉格反射器与所述缓冲层间，其中所述盖层具有选择磁性质。

本发明的另一较佳实施例包含了一种检测EUV掩模的方法，所述方法包含了提供一EUV衬底、形成一布拉格反射器于所述衬底上、形成一缓冲层于所述布拉格层上、以及形成一吸收层于所述布拉格层上；所述方法更包含了根据选择磁性质而选择所述布拉格反射器、所述缓冲层与所述吸收层，并根据所述磁性质显影所述掩模。

另一较佳实施例包含了一种检测EUV掩模的方法，其包含以一磁场调整所述EUV掩模中至少一层的磁化量，并根据所述磁性质显影所述掩模。

本发明之检测EUV掩模的方法的另一较佳实施例更包含了在所述布拉格反射器与所述缓冲器间插入一光学盖层，其中所述盖层具有选择磁性质。

本发明的较佳实施例所具有的优点在于可将掩模检测需求自掩模制造过程中的其它步骤独立出来；一般的掩模材料并不需要为了符合检测需求而具有高EUV或光学对比度，因此掩模检测并不需要承担其它制程步骤(例如：掩模蚀刻或修复)所需承担的与其它膜层不兼容的需求。

本发明的较佳实施例所具有的另一个优点在于其同时满足了各别膜层(特别是对于缓冲层而言)的孔径比(aspect ratio)、图案化、与修复步骤及高检测对比度兼容的种种需求。

在上文中已广泛列出本发明的技术特征与优势，以使读者能够更进一步了解下文中关于本发明的详细说明。本发明的其它特征与优势将于下文以及本发明之权利要求中加以说明；然需注意的是熟习该项技艺者将以本发明所揭露之概念与特殊实施例为基础而修饰或设计其它的结构与制程以施行与本发明相同的构想，其皆不脱如所附之权利要求书中所欲保护的精神与范畴。

附图说明

为了更完整的了解本发明及其优势，在下文中将参考并结合所伴随的以下附图来说明本发明实施例，其中：

图1是根据SEMI P37-1102与SEMI P38-1103的EUV规格所制造的典型EUV掩模；

图2a是一截面图，其说明了典型EUV制造过程中的阻质涂布步骤；

图2b是一截面图，其说明了典型EUV制造过程中的阻质曝光步骤；

图2c是一截面图，其说明了典型EUV制造过程中的阻质显影步骤；

图2d是一截面图，其说明了典型EUV制造过程中的吸收层蚀刻步骤；

图2e是一截面图，其说明了典型EUV制造过程中的掩模检测步骤；

图2f是一截面图，其说明了典型EUV制造过程中的掩模修复步骤；

图2g是一截面图，其说明了典型EUV制造过程中的缓冲层蚀刻步骤；

图2h是一截面图，其说明了典型EUV制造过程中的掩模清洁步骤；

图3是一方块图，其说明了一高对比掩模显影系统；

图4a是一截面图，其说明了电子束自一具有步阶(step)的表面反射；

图4b是一截面图，其说明了电子束自一具有沟渠(trench)的表面反射；

图4c是一截面图，其说明了电子束自一平坦磁性表面反射；

图5a是一截面图，其说明了一种包含一软磁盖层、一软磁缓冲层、一硬磁吸收层的EUV掩模；以及

图5b是一截面图，其说明了一种包含一硬磁盖层、一硬磁缓冲层、一软磁吸收层的EUV掩模。

除非特别说明，否则在不同附图中对应的组件符号与标号代表对应的部分；该等附图是为了清楚说明较佳实施例的相关构想而加以绘制，其并不代表实际的尺寸。

具体实施方式

在下文中将进一步详细说明本发明的较佳实施例，然需注意的是，本发明提供了多种可应用的发明概念，且能够广泛施行；下文所说明的特定实施例仅为说明本发明的可实施性，并非用以限制本发明之范畴。

本发明是以所谓的极紫外线(EUV)磁性对比掩模作为实施例说明的例子，然本发明亦可应用于其它的光刻方法中，例如：X-射线、或电子束等方式。

电子镜显微镜(E1ectron Mirror Microscope，EMM)是一种显影及检测EUV磁性掩模的较佳装置，且由于在吸收层蚀刻后，缺陷已被修复且颗粒亦已移除，因而在光刻制造中，在吸收层蚀刻后进行检测是较佳的检测时机。在一EMM中，试片(specimen)被保持在高负电位的状态，因而会使射入的高能电子束减速，且最后在到达试片前被反射；反射的电子接着会显像于一种类似穿透式电子显微镜(transmission electron microscope，TEM)的电子光学系统中。EMM对于试片附近的微视野以及欲检测物体的步阶(step)高度非常敏感，在EMM中可检测的最低步阶高度为1纳米之等级。

请参阅图3，其说明了一种显像与检测EUV掩模的装置；在较佳实施例中，该装置包含了一EMM；相对于电子源320，掩模310是被保持在负电位状态，所述电子源320包含一阴极(cathode)。所述掩模310则作为一阳极(anode)电极，而电子即在该处被反射(mirrored)；自电子源320发出的电子325通过一电子光学组件323并接着在一磁场330(磁场方向是指出图面)中转向所述掩模310，所述掩模310即作为一电子镜(electron mirror)。

接近物体的电子325会经由所述掩模310前的一均匀电场340而减速，所述电场340会直接使射入所述掩模310的电子325减速，并使其反向加速至转向磁场330；掩模310与掩模前方的均匀电场340的结合可作用为一电子镜，藉以反射电子。

转向磁场330将来源电子325与来自掩模310的反射电子350予以分离，而反射电子350会对准一投射光学组件355与一适当的检测器360(例如：CCD、萤光幕等)，以显示所述掩模的放大影像。

图3所示的装置更包含了一计算器380，亦将掩模的放大影像数字化并加以储存，所述计算器380包含比较数字化的掩模影像与一已设计掩模所需的软件与硬件；利用统计上的取样技术，配合制程控制计算与制程技术中已熟知的硬设备，图3所示的掩模检测可为制程系统(图中未示)中的组件之一，以自动检测并修复掩模缺陷。

如上述说明，EMM对于试片表面上的步阶非常敏感，当试片被保持在高电位时，试片的表面步阶会转化为具有不相等电位的表面、或非等电位表面，而自一不平坦、非等电位表面反射的均匀电子束会获得一个与该表面相切的速度分量，在此情形中，所述表面的表面形态(topography)便可标示为检测器的强度变化。

在一较佳实施例中，将一磁线圈370整合至靠近掩模310的EMM中，藉由调整掩模310与磁线圈370的相对方向，即可调整相对于一掩模特征方向的磁化量(暗视野区域或明视野区域)；举例而言，将掩模310固定在镜台(图中未示)上，即可旋转掩模图案及其磁化量；因此，即可调整膜层的磁性方向以将缺陷或其它掩模特征的显影最佳化。

举例而言，旋转掩模是将软磁图样化层显影至一下方硬磁层的一种较佳方式，若可以取得数种不同磁场方向下所产生的此类影像，即可以与暗视野或明视野区域不同的磁化量来隔离缺陷，而对于颗粒亦然；举例而言，当软磁层被去磁化时，仅有掩模的几何结构会被显影。磁线圈电流与线圈几何则为可调整以最佳化显影条件的其它参数。

另一项实施例则包含了在EUV掩模中使用适当的磁性材料，并结合自旋极化敏感性光电显影装置(例如：EMM)；此一结合可产生比光学方法更高的分辨率。

图4a、4b与4c说明了在一物体的非等电位表面420a、420b、420c所反射的正常、入射、单能(或单色)电子束410；如图所示者，表面电位线430的变化会使反射电子产生切线方向的减速与加速，并因此在图3所示的检测器上显影。表面形态是影响表面电位的因素之一，举例而言，一步阶420a或一沟渠420b会使入射电子束410转向；其它的因素则包含了试片的电性质与磁性质。

举例而言，根据其它实施例，物体的磁性方向会随施加磁场而改变，若试片的一部分420c包含一软磁材料，则磁场的增加会影响EMM影像，这是因为试片的磁性方向会使电子束产生散射。举另一个例子而言，若两种材料与接近的电子的电子自旋方向间所产生的交互作用不同，则将非别产生检测器平面的强度变化；除了表面形态的显影外，EMM亦可将试片的电性与磁性变化显影出来，这是因为这些变化亦同时改变了显影的电子束。

在一较佳实施例中，光阻则包含了磁性材料；举例而言，当该掩模吸收层或缓冲层具有磁性质时，该等磁性质会共同作为掩模的表面形态以散射显影电子束，藉以提升影像对比度。在较佳实施例中，掩模包含了硬磁或软磁材料；举例而言，若选择一种具有高磁性对比度的EUV吸收层/缓冲层组合，则可利用图3所示的EMM来进行图2所示的检测步骤250，且对于吸收层/缓冲层的光对比度需求即可降低为磁性对比需求；这使得缓冲层可以相对于其它需求(蚀刻、修复)而被最佳化，而不需同时满足那些常互相排斥的光学检测需求。

如上所述，一般而言，在移除磁场后，硬磁材料仍维持其磁化量，而软磁材料则将快速丧失其磁化量，此差异参数即为材料的矫顽性(coercivity)；矫顽性具有的单位为A/cm²，其表示将材料的磁化量反转为零时所需要的外加磁场强度；具有矫顽性高于10A/cm²的材料即被视为硬磁材料，而矫顽性低于此值的材料则是为软磁材料；举例而言，软磁材料包含了Fe、Ni、Co、Gd、Dy、Mn、MnBi、FeSi，软磁材料亦包含了FeNi、FeCo、FeAl等合金材料，且在FeNi合金的情形中，其所含Ni量不低于20％，最好是含有80％的Ni含量。硬磁材料则包含了例如CoFeNi、FeCoCr、FeCoV、FeCrCo、AlNiCo、CuNiFe、MnAlCo、PtCo、NdFeCo等材料。

图5a说明了一EUV掩模的较佳实施例，所述掩模包含了一衬底510与一EUV布拉格反射器520；在一较佳实施例中，所述布拉格反射器包含了调整层(图中未示)，其具有高原子序(Z)材料(例如：厚约2.8纳米的钼)以及具有低原子序的材料(例如：厚约4.1纳米的硅)。

图5a所示的较佳实施例更包含了一光学盖层530a、一缓冲层540a与一EUV吸收层550a，其中所述光学盖层530a包含一软磁材料、所述缓冲层540a包含一软磁材料，而所述吸收层550a包含了一硬磁材料；选择所述该层530a的磁性质以使其在移除缓冲层540a后仍能维持一个相对于所述吸收层550a的高磁性检测对比度。所述软磁材料(亦即：光学盖层530a与缓冲层540a)的磁性方向可以利用外加磁场而加以调整，以使所述缓冲层540a与所述吸收层550a间的磁性对比度最大。

图5b说明了一EUV掩模的较佳实施例，所述掩模包含了一衬底510、一EUV布拉格反射器520、一光学盖层530b、一缓冲层540b与一EUV吸收层550b，其中所述光学盖层530b包含一硬磁材料、所述缓冲层540b包含一硬磁材料，而所述吸收层550b包含了一软磁材料；在此实施例中，可以利用外加磁场调整所述软磁吸收层550b，以达到最佳的显影对比度；在其它的实施例中，亦可包含吸收层、缓冲层与光学盖层间不同的磁性与非磁性材料之组合。

虽然在上文中已详细说明了本发明及其优势，然需注意的是此处亦可进行不同的变化、替代与调整而不背离本发明权利要求书中所定义的发明精神与保护范畴；举例而言，上述之EMM系统的多种特征与功能亦可执行于软件、硬件或韧体、及其组合中。而在另一个例子中，熟习该项技艺人士亦可了解在本发明范畴中亦可使用其它的显微镜、EUV掩模材料与其它的组件。

此外，本发明范畴亦不限于说明书中所说明的制程、设备、制造、物质组合、方法与手段步骤的特定实施例；熟习该项技艺人士可藉由本发明所揭露者的教导，即可得知在本质上与本发明实施例所达成的结果与功用相同的现存、或在后续中将发展的制程、设备、制造、物质组合、方法与手段步骤；因此，所附权利要求书尝试包含此范畴中的该等制程、设备、制造、物质组合、方法与手段步骤。

组件符号说明

105 掩模 110 衬底

120 布拉格反射器 130 盖层

140 缓冲层 150 吸收层

160 阻质 310 掩模

320 电子源 323 光学组件

325 电子 330 磁场

340 电场 350 反射电子

355 光学组件 360 检测器

370 磁线圈 380 计算器

410 电子束 420a 非等电位表面(步阶)

420b 非等电位表面(沟渠) 420c 非等电位表面(平坦表面)

430 表面电位线 510 衬底

520 布拉格反射器 530a 盖层

540a 缓冲层 550a 吸收层

530b 盖层 540b 缓冲层

550b 吸收层

Claims

1.一种光刻掩模，其包含：

一衬底；

一布拉格反射器，其配置在所述衬底上；

一盖层，其配置在所述布拉格反射器上；

一缓冲层，其配置在所述盖层上；以及

一吸收层，其配置在所述缓冲层上，且其中所述布拉格反射器，所述缓冲层，所述吸收层与所述盖层分别具有第一选择磁性质，第二选择磁性质，第三选择磁性质以及第四选择磁性质，以增加检测对比度。

2.如权利要求1所述的光刻掩模，其中所述磁性材料是一种硬磁材料。

3.如权利要求2所述的光刻掩模，其中所述硬磁材料包含CoFeNi，FeCoCr，FeCoV，FeCrCo，AlNiCo，CuNiFe，MnAlCo，PtCo及NdFeCo的至少一者。

4.如权利要求1所述的光刻掩模，其中所述磁性材料是一种软磁材料。

5.如权利要求4所述的光刻掩模，其中所述软磁材料包含Fe，Ni，Co，Gd，Dy，Mn，MnBi及FeSi的至少一者。

6.如权利要求4所述的光刻掩模，其中所述软磁材料是一合金，所述合金包含FeNi，FeCo及FeAl的至少一者。

7.如权利要求6所述的光刻掩模，其中所述FeNi合金包含了不低于20％的镍。

8.一种光刻掩模，其包含：

一衬底；

一布拉格反射器，其具有配置在所述衬底上的第一选择磁性质；

一缓冲层，其具有配置在所述布拉格反射器上的第二选择磁性质；

一吸收层，其具有配置在所述缓冲层上的第三选择磁性质。

9.如权利要求8所述的光刻掩模，其中所述布拉格反射器与所述缓冲层间具有一盖层，所述盖层具有第四选择磁性质，且至少所述第一选择磁性质，所述第二选择磁性质，所述第三选择磁性质或所述第四选择磁性质增加了检测对比度。

10.如权利要求9所述的光刻掩模，其中至少所述第一选择磁性质，所述第二选择磁性质，所述第三选择磁性质或所述第四选择磁性质增加了电子显微镜的检测对比度。

11.如权利要求9所述的光刻掩模，其中所述布拉格反射器，所述缓冲层，所述吸收层与所述盖层中至少其一是一种软磁材料。

12.如权利要求11所述的光刻掩模，其中所述软磁材料包含Fe，Ni，Co，Gd，Dy，Mn，MnBi及FeSi的至少一者。

13.如权利要求11所述的光刻掩模，其中所述软磁材料是一合金，所述合金包含FeNi，FeCo及FeAl的至少一者。

14.如权利要求13所述的光刻掩模，其中所述FeNi合金包含了不低于20％的镍。

15.如权利要求9所述的光刻掩模，其中所述布拉格反射器，所述缓冲层，所述吸收层与所述盖层至少其一是一种硬磁材料。

16.如权利要求16所述的光刻掩模，其中所述硬磁材料包含CoFeNi，FeCoCr，FeCoV，FeCrCo，AlNiCo，CuNiFe，MnAlCo，PtCo及NdFeCo的至少一者。

17.如权利要求9所述的光刻掩模，其中所述盖层是一软磁材料，所述缓冲层是一软磁材料，而所述吸收层是一硬磁材料。

18.如权利要求9所述的光刻掩模，其中所述盖层是一硬磁材料，所述缓冲层是一硬磁材料，而所述吸收层是一软磁材料。

19.如权利要求9所述的光刻掩模，其中所述缓冲层是一软磁材料，而所述吸收层是一硬磁材料。

20.如权利要求9所述的光刻掩模，其中所述缓冲层是一硬磁材料，而所述吸收层是一软磁材料。

21.如权利要求9所述的光刻掩模，其中所述布拉格反射器是一硬磁材料。

22.如权利要求9所述的光刻掩模，其中所述布拉格反射器是一软磁材料。

23.一种制造一半导体装置的方法，其包含利用如权利要求8所述的光刻掩模来图案化一半导体晶圆。

24.一种制造一光刻掩模的方法，所述方法包含：

在一衬底上形成一具有第一选择磁性质的布拉格反射器，以形成一初始掩模；

在所述布拉格反射器上形成一具有第二选择磁性质的吸收层；

对所述初始掩模施加一磁场；

显影与所述第一选择磁性质、所述第二选择磁性质及所施加的磁场有关的所述初始掩模；以及

利用显影修复一掩模缺陷。

25.如权利要求24所述的方法，更包含以一电子显微镜显影所述初始掩模。