CN1726594A - 固态摄像装置和固态摄像装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种固态摄像装置，即使在过流势垒为了提高单位面积的灵敏度的目的而形成于深的位置的情况下，该固态摄像装置也可以避免信号混入相邻的像素，在半导体衬底的前侧提供有成像区，成像区包括光接收像素部分(1)和用于在一个方向上传输光接收像素部分(1)中积累的信号电荷的传输寄存器(2)。作为杂质区的势垒区(15)形成在整个成像区域上，每个区域(15)在垂直于传输方向的方向上连续，且位于传输寄存器(2)的传输方向上相邻的两个光接收像素部分之间。如此形成足以防止信号混合的势垒。
Description
技术领域
本发明涉及一种固态摄像装置和一种固态摄像装置的制造方法，优选用于CCD(电荷耦合装置)等。
背景技术
近年来，已经急迫地需要固态摄像装置的单位单元尺寸的减小和提高单位面积的灵敏度的技术的开发。作为满足该需求的手段，例如，在使用n型半导体衬底的CCD型固态摄像装置中，可能设想一种方法，其中将通常形成于距衬底表面约3μm深度的所谓的过流势垒(overflow barrier)形成于更深的位置(例如，在5至10μm的范围)以延展耗尽层，由此提高灵敏度。但是这里应注意，如果过流势垒形成于深的位置，过流势垒区中积累的空穴不会被释放，使得将产生一种饱和电荷量(saturated charge quantity)或所谓的阴影(shading)的现象。有鉴于此，传统地，已经提出一种技术，其中，例如图8A中所示，在CCD型固态摄像装置中，p型杂质区23形成于在平行于垂直传输寄存器21的方向上彼此相邻的像素22a和22b之间，使得由此减弱势垒且允许过流势垒区中积累的空穴被容易地释放至衬底表面(见，例如，Japanese Patent Laid-open No.Hei 11-289076)。
同时，上述的传统技术中，由于p型杂质区23形成于像素区22a和22b之间，不仅过流势垒区之间的空穴可以被释放至衬底表面，而且像素22a和22b之间的势垒可以通过p型杂质区23被放大，使得难于产生垂直方向上彼此相邻的像素22a和22b之间的信号的混和。但是，过去p型杂质区23只形成于部分的像素22a和22b之间的部分，例如图8B所示，使得不能形成足够的势垒，且未必能够防止信号的混和
为了形成p型杂质区23，需要将例如硼(B)离子的离子注入n型半导体衬底。但是过去的p型杂质区23主要提供用于释放空穴，使得p型杂质区23足以减弱势垒，从这一角度来看，通过例如几十千电子伏特(Kev)的能量的离子注入，在与垂直传输寄存器21可比较的深度形成p型杂质区23。因此，为了不影响垂直传输寄存器21的势能，即，为了不妨碍垂直传输寄存器21的传输操作，需要保证p型杂质区23和垂直传输寄存器21之间有一定距离(来提供间隙)。因此，传统的技术中，在像素22a和22b之间不能形成足够的势垒，使得可能不能防止信号的混和。
因此，本发明的目的是提供一种固态摄像装置和一种制造固态摄像装置的方法，即使在为了提高单位面积的灵敏度的目的而将过流势垒形成于深处的情况下，通过这种装置和方法也可以防止相邻像素之间信号的混和。
发明内容
本发明涉及为了获得以上目的所设计的固态摄像装置。具体地，依据本发明，提供有一种固态摄像装置，其具有摄像区，该摄像区包括多个光传感器和用于传输在所述光传感器中积累的信号电荷的传输寄存器，所述摄像区形成于衬底的正面层一侧(face layer side)上，其中所述固态摄像装置还包括杂质区部分，其在垂直于所述传输寄存器的传输方向的方向上在摄像区的基本整个表面连续地形成，所述杂质区部分提供在对应于半导体衬底中的所述传输寄存器的传输方向上彼此相邻的所述光传感器之间的位置的位置处。
在如上构造的固态摄像装置中，每个光传感器通过光电转化在其中积累依据入射光的量的信号电荷。另外，传输寄存器接收和传输光传感器中积累的信号电荷。这里，该传输寄存器是组成摄像区的传输寄存器，且例如在其中以二维矩阵图案设置多个光传感器的CCD型固态摄像装置中，垂直传输寄存器相应于组成摄像区的传输寄存器。
在如上构造的固态摄像装置中，杂质区部分形成于相应于沿传输寄存器的传输方向彼此相邻的光传感器之间位置的位置。该杂质区包括杂质区部分；例如，在半导体衬底是p型和n型任意之一的情况下，该杂质区通过利用p型和n型任意之一的不同于半导体衬底类型的杂质形成。此外，相应于光传感器之间的位置不仅包括位于与每个光传感器基本相同深度且位于光传感器之间的位置，而且包括深于每个光传感器、不位于光传感器之间但是从半导体衬底的正面层部分侧观之在平面图上又位于光传感器之间的位置。
另外，在垂直于传输寄存器的传输方向上，在摄像区的基本整个区域上，即，从摄像区的一端(包括其附近)至另一端(包括其附近)的范围上连续地形成杂质区部分。换言之，例如在传输寄存器是垂直传输寄存器的情况中，在水平方向上连续地形成杂质区部分。因此，依据如上构造的固态摄像装置，杂质区部分连续地形成，使得可以在光传感器之间形成足够的势垒且可以避免信号的混和。
附图说明
图1是显示利用了本发明的固态摄像装置的一般结构的示意图；
图2A是显示依据本发明的固态摄像装置的第一实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是平面图；
图2B是显示依据本发明的固态摄像装置的第一实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是A-A截面图；
图3A是显示依据本发明的固态摄像装置的第二实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是平面图；
图3B是显示依据本发明的固态摄像装置的第二实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是B-B截面图；
图4是显示依据本发明的固态摄像装置的第三实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是沿图2A的线C-C的截面图；
图5是显示依据本发明的固态摄像装置的第四实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是沿图2A的线D-D的截面图；
图6A是显示依据本发明的固态摄像装置的第五实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且平面图；
图6B是显示依据本发明的固态摄像装置的第五实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是E-E截面图；
图7A是显示依据本发明的固态摄像装置的第六实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是平面图；
图7B是显示依据本发明的固态摄像装置的第六实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是F-F截面图；
图7C是显示依据本发明的固态摄像装置的第六实施例的主要部分的示范性结构的示意图，且是G-G截面图；
图8A是显示依据相关技术的主要部分的示范性结构的示意图，且是平面图；以及
图8B是显示依据相关技术的主要部分的示范性结构的示意图，且是H-H截面图。
具体实施方式
下文将基于附图描述依据本发明的固态摄像装置。将通过例举将本发明应用到利用n型半导体衬底的CCD型固态摄像装置的情况进行描述。
第一实施例
这里，将描述依据第一实施例的固态摄像装置。首先，将描述该固态摄像装置的一般结构。图1是显示应用了本发明的固态摄像装置的示范性一般结构的示意图。如图中所示，所描述的固态摄像装置包括：以二维矩阵图案设置的多个光传感器1；在二维设置中基于每列设置的垂直传输寄存器2；和沿垂直传输寄存器2设置的沟道阻挡(channel stop)3，且它们组成摄像区4。固态摄像装置中，光传感器1用于通过光电转换来积累信号电荷，且用作本发明中的光传感器。垂直传输寄存器2在二维设置中在垂直方向上用于传输在每个光传感器1中积累的信号电荷。沟道阻挡3用于每个光传感器1和垂直传输寄存器2之间的分隔。
除了以上的摄像区4之外，固态摄像装置包括：设置于摄像区4一端的水平传输寄存器5，和连接于水平传输寄存器5的最后级的输出部分6。水平输出寄存器5接收来自每个垂直传输寄存器2的信号电荷，且在二维设置中在水平方向上传输信号电荷。输出部分6由浮置扩散放大器和其它处理电路等组成，用于对从水平传输寄存器5输出的信号电荷施加预定的信号处理。
之后，将描述具有以上平面结构的固态摄像装置的截面结构。图2A和2B是显示依据本发明的固态摄像装置的第一实施例中的主要部分的示范性结构的示意图。如图所示，固态摄像装置具有一种像素结构，其中在n型硅(下文称为“Si”)衬底10上依次层叠n-外延层11、由p型阱层组成的过流势垒区12、p型杂质浓度低于过流势垒区12的高阻半导体区13、光传感器1、垂直传输晶体管2等。具体地，上述的光传感器1和垂直传输寄存器2等形成于构成固态摄像装置的半导体衬底的正面层部分侧上。在垂直传输寄存器2的上表面上，形成用于导致垂直传输寄存器2传输信号电荷的传输电极14。
在以上的截面结构中，过流势垒区12可能不需由p型阱层组成。换言之，在Si衬底10的杂质半导体的类型是第一导电型且过流阻挡层12的杂质半导体的类型是第二导电型的情况下，满足第二导电型为一种不同于第一导电型的类型。因此，在Si衬底10是p型的情况下，过流势垒区12由n型阱层组成。另外，形成于过流势垒区12上的半导体区13可能不需由p型杂质组成，且满足半导体区13为第一导电型、第二导电型和本征型的任何一种。
同时，所述的固态摄像装置的显著特征为具有形成于半导体区13中的杂质区部分15。与过流势垒区12相似，杂质区部分15包括第二导电型的杂质，即，例如，p型杂质区，且优选地，杂质区部分15中的杂质浓度高于过流势垒区12中的杂质浓度。如图2A所示，杂质区部分15位于相应于在二维设置中的垂直方向上彼此相邻的光传感器1之间位置的位置，且如图2B所示，杂质区部分15在二维设置的水平方向上连续形成于摄像区4的基本整个区域上。这里，相应于光传感器1之间位置的位置包括如下意义：光传感器之间位置，即，与光传感器1的基本相同的深度且位于光传感器1之间的位置，和深于光传感器1且因此不位于光传感器之间、但是从半导体衬底的正面层部分侧的平面视图观之又出现于光传感器1之间的位置。除此之外，表达方式“摄像区4的基本整个区域”意味着摄像区4的一端(包括其邻近)至另一端(包括其邻近)的范围。
另外，当从半导体衬底的正面层部分侧观察时，杂质区部分15形成于深于垂直传输寄存器2的位置。这保证了杂质区部分15避开垂直传输寄存器2的形成位置，且在该形成位置的下侧上在水平方向上连续。此外，当从半导体衬底的正面层部分侧的平面图观察时，因为杂质区部分15形成于相应于光传感器之间位置的位置，所以杂质区部分15以在水平方向上延伸的条的形状形成。
可以通过将例如p型杂质的硼(B)的离子注入n型Si衬底10形成杂质区部分15。应注意为了在深于垂直传输寄存器2的位置形成杂质区部分15，注入能量不少于几百个千电子伏特。另外，为了杂质区部分15在水平方向上连续，通过利用相应于在水平方向上延伸的条的形状的图案进行离子注入。顺便提及，生产其它部分的方法可能与相关技术相同，且因此这里省略其描述。
在如上构造的固态摄像装置中，杂质区15均形成于相应于在垂直方向上彼此相邻的光传感器1之间的位置的位置，且均形成于摄像区4的基本整个区域上的水平方向。即，作为势垒区的杂质区部分15不是如相关技术中那样形成于像素之间部分的一部分中，而是形成于该部分的整个区域之上。因此，可以在垂直方向上彼此相邻的光传感器1之间形成足够的势垒，且可以避免垂直方向上信号电荷的混和。因此，即使在为提高单位面积的灵敏度的目的而将过流势垒区12形成于深处的情况下，依据本实施例中的固态摄像装置也可以防止相邻像素之间的信号的混合。
另外，依据本实施例的固态摄像装置，杂质区部分15形成于比垂直传输寄存器2更深的位置，从而可以排除它们的位势对垂直传输寄存器2的干扰。即，在光传感器1之间可以形成足够的势垒而不妨碍垂直传输寄存器2的传输操作，且由此实现防止在垂直方向上信号电荷的混合。另外，通过简单地将p型杂质离子注入深的位置可以形成杂质区域部分15，且另外，可以照原样应用与相关技术中构造相同的传输电极14等，从而可以容易地实现有利的势垒而没有使结构复杂。
另外，本实施例中的固态摄像装置中，杂质区部分15形成于半导体区13中，从而可以在过流势垒区12至半导体衬底的表面的范围中通过半导体区13减小对空穴造成的势垒，在过流势垒区12中积累的空穴可以被释放至半导体衬底的表面。因此，可以避免诸如饱和电荷量和产生阴影现象的问题。
从前述可知，可以说本实施例中的固态摄像装置适合固态摄像装置的尺寸的减小且不造成摄像质量的降低，因为可以避免相邻像素之间的信号的混合，同时提高单位面积的灵敏度，而且可以避免发生诸如阴影的问题。
虽然在本实施例中通过例举杂质区部分15形成于比垂直传输寄存器更深的位置的情况进行了描述，但是杂质区部分15可以例如形成于比垂直传输寄存器更浅的位置，只要杂质区部分15在水平方向上连续形成，由此可以防止垂直方向上的信号电荷的混合。杂质区部分15的位置优选地比垂直传输寄存器2更深，但是该布局不是限制性的。
第二实施例
现将描述第二实施例中的固态摄像装置。这里应注意将只描述本实施例和上述的第一实施例之间的差异。
图3A和3B是显示依据本发明的固态摄像装置的第二实施例中的主要部分的示范性结构的示意图。如图所示，这里所述的固态摄像装置具有一种结构，其中杂质区部分15在半导体衬底的深度方向上形成多级(stage)。
通过将p型杂质离子注入Si衬底10同时适当地改变注入能量可以形成这样的杂质区部分15，依据级的数目分别进行多次注入。
如上构造的固态摄像装置中，在水平方向上连续的杂质区部分15形成多个级，使得可以在垂直方向上彼此相邻的光传感器1之间形成比第一实施例更满意的势垒。因此，可以比第一实施例的情况更有效地防止相邻像素之间的信号电荷的混合。
第三实施例
现将描述依据第三实施例的固态摄像装置。应注意将只描述本实施例与第一或第二实施例的差异。
图4是显示依据本发明的固态摄像装置的第三实施例中的主要部分的示范性结构的示意图。如图所示，这里所述的固态摄像装置具有一种结构，其中，沟道阻挡区部分16与杂质区部分15分离，且形成于垂直方向上彼此相邻的光传感器1之间以及半导体衬底的表面附近。与过流势垒区12或杂质区部分15相似，沟道阻挡区部分16包括第二导电型的杂质，即，例如p型杂质区。顺便提交，沟道阻挡区部分16中的杂质浓度优选地高于杂质区部分15中的浓度，但是这不是限制性的。
如上构造的固态摄像装置中，沟道阻挡区部分16形成于半导体衬底的表面附近，结果延伸出具有接近0V位势的区域。因此，可以比第一实施例的情况更有效地实现过流势垒区12中积累的空穴释放至半导体衬底的表面，这有利于防止相邻的像素之间的信号电荷的混合。
第四实施例
现将描述依据第四实施例的固态摄像装置。应注意将只描述本实施例与上述的第一至第三实施例的差异。
图5是显示依据本发明的固态摄像装置的第四实施例中的主要部分的示范性结构的示意图。如图所示，这里所述的固态摄像装置具有一种结构，其中，形成于半导体衬底的深层部分侧上，即光传感器1和垂直传输晶体管2的深层部分侧上的过流势垒区12的深度方向上的界面，具体而言，过流势垒区12和半导体区13之间的界面，形成为凸出和凹入的形状，且该凸出凹入形状中的凸出的部分位于相应于光传感器之间位置的位置。换言之，过流势垒区12在每个光传感器1的下层区中形成得较深而在周围区域中形成得较浅。顺便提及，这里的深度方向意味着从固态摄像装置的表面离开的方向。凸出和凹入形状意味着非平坦状态，且不仅包括具有带角的凸出和凹入部分的状态而且还包括凸出和凹入部分的角部部分(最初为成角部分)被适当地倒圆的情况。
举例来说，可以通过以下方法形成具有这样的凸出和凹入形状的过流势垒区12，提供围绕每个光传感器1的有角的光致抗蚀剂图案，来调整在形成过流势垒区12时注入的Si离子的射程。通过调整光致抗蚀剂的膜厚进行Si离子射程的调整。
如上构造的固态摄像装置中，提供具有凸出和凹入形状的过流势垒区12，且凸出和凹入形状中的每个凸出部分位于相应于光传感器1之间位置的位置，使得凸出部分作为用于防止信号电荷移动的侧向势垒。因此，凸出部分与在水平方向上连续的杂质区部分15一起构成光传感器1之间的充足的势垒，由此可以比第一实施例的情况更有效地防止相邻像素之间的信号电荷的混合。另外，由于防止半导体衬底的深层部分侧上的信号电荷的移动，可以有效地防止通过深层部分发生的拖尾效应(smearing)，且可以实现提高的图像质量。
第五实施例
现将描述依据第五实施例的固态摄像装置。应注意将只描述本实施例与上述的第一至第四实施例的差异。
图6A和6B是显示依据本发明的固态摄像装置的第五实施例中的主要部分的示范性结构的示意图。如图所示，这里所述的固态摄像装置具有一种结构，其中除了杂质区部分15之外，第一势垒区部分17每个形成于在垂直方向上彼此相邻的光传感器1之间的位置，且当从半导体衬底的正面层部分侧观察时，该第一势垒区部分17比杂质区部分浅。与杂质区部分15相似，第一势垒区部分17每个包括第二导电型杂质，即，例如p型杂质区。第一势垒区部分17中的杂质浓度可以与杂质区部分15中的浓度相当。这里应注意第一势垒区部分17在水平方向上不是如杂质区部分15那样连续，而是只在部分的光传感器1之间的部分形成为岛形式。换言之，第一势垒区部分17以几十千电子伏特的较低能量形成。
如上构造的固态摄像装置中，通过在水平方向上连续形成的杂质区部分15可以防止相邻像素之间的信号电荷的混合，且另外，因为第一势垒区部分17以岛形式出现，相邻像素之间的势垒可以进一步扩大，且与第一实施例的情况相比，可以使信号电荷的混合更困难。因此，本实施例对于为了提高灵敏度而将过流势垒区12形成于深处的情况特别有效。另外，该实施例对于相邻像素之间表面的附近的p型杂质浓度如此之低以至于可能产生不便的情况也非常有效。另外，第一势垒区的出现保证即使在过流势垒区12形成于深的位置，与第一实施例相比也可以更有效地和更容易地实现过流势垒区12中积累的空穴至半导体衬底表面的释放。
第六实施例
现将描述依据第六实施例的固态摄像装置。应注意将只描述本实施例与上述的第一至第五实施例的差异。
图7A至7C是显示依据本发明的固态摄像装置的第六实施例中的主要部分的示范性结构的示意图。如图所示，这里所述的固态摄像装置具有一种结构，其中除了杂质区部分15之外，在垂直方向上连续的第二势垒区部分18沿垂直传输寄存器2形成于垂直传输寄存器2的下侧。与杂质区部分15相似，第二势垒区部分18每个包括第二导电型杂质，即，例如p型杂质区。
另外，第二势垒区部分18可以形成在与杂质区部分15相同的深度，或可以形成在与杂质区部分15不同的深度。这里应注意在第二势垒区部分18形成在与杂质区部分15相同的深度的情况中，可以通过一次离子注入形成这两种不同类型的部分，例如，通过在注入p型杂质离子时改变图案，从条图案改成格(lattice)图案。
如上构造的固态摄像装置中，除了杂质区部分15之外形成第二势垒区部分18，使得每个光传感器1的部分被这些部分围绕。因此，不仅可以避免垂直方向上相邻像素之间的信号电荷的混合，而且也可以避免水平方向和倾斜方向上的信号电荷的混合。
另外，在除了杂质区部分15之外还形成第二势垒区部分18的情况下，可以设想以凸出和凹入的形状形成过流势垒区12，且将每个凸出和凹入形状的凸出部分设置于相应于光传感器1之间位置的位置，如在第四实施例中所述的那样(见图5)。在该情况中，因为在该实施例中在固态摄像装置中通过杂质区部分15和第二势垒区部分18以格图案设置杂质区，所以可以设想，也可以将过流势垒区12相应于杂质区部分15和第二势垒区部分18设置为格状。依据这样的结构，可以避免在半导体衬底的深层部分侧在垂直和水平方向上的信号电荷的移动，从而可以有效地避免可能通过深层部分产生的拖尾现象，且因此，可以实现提高的图像质量。这里应注意过流势垒区12中的凸出部分可以自然地以条图案取代格图案设置。
顺便提及，上述的第一至第六实施例只是实现本发明的具体实例，本发明自然不限于它们。例如，虽然光传感器1设置为二维矩阵图案且杂质区部分15均在水平方向上在多个像素的范围上连续的情况已经在每个以上实施例中被例举，但是对于将本发明应用于线型CCD传感器的情况，摄像区包括一列光传感器和与之并列的传输寄存器，使得在摄像区的几乎整个区域上在垂直于传输寄存器的传输方向的方向上势垒区部分每个均连续。
另外，虽然将本发明应用于利用n型半导体衬底的CCD型摄像装置的情况已经在上述的第一之第六实施例的每个中被例举，但是可以设想，相似地将本发明应用于其它固态摄像装置，诸如，例如CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。
工业实用性
如上述，如本发明的权利要求1中所阐述的固态摄像装置包括杂质区部分，其每个均形成于相应于光传感器之间位置的位置且在摄像区的几乎整个表面上连续，从而可以在光传感器之间形成足够的势垒。因此，即使在为了提高单位面积的灵敏度而将过流势垒形成于深处的情况中，也可以避免相邻的像素之间的信号混合，可以将过流势垒中积累的空穴释放至装置表面侧，且因此可以实现提高的摄像质量。这进一步有望减小固态摄像装置的尺寸。
Claims (20)
1.一种具有摄像区的固态摄像装置，所述摄像区包括多个光传感器和用于传输在所述光传感器中积累的信号电荷的传输寄存器，所述摄像区形成于衬底的正面层一侧上，其中所述固态摄像装置还包括：
杂质区部分，在垂直于所述传输寄存器的传输方向的方向上连续地形成，所述杂质区部分提供于所述衬底中相应于沿所述传输寄存器的传输方向彼此相邻的所述光传感器之间位置的位置。
2.如权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
从所述衬底的正面层部分侧观察时，所述杂质区部分形成于比所述传输寄存器更深的位置。
3.如权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
多个所述杂质区部分在所述衬底的深度方向上形成。
4.如权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
与所述杂质区部分分隔的沟道阻挡区部分包括杂质区，其形成于沿所述传输寄存器的传输方向彼此相邻的所述光传感器之间且在所述衬底的表面附近。
5.如权利要求1所述的固态摄像装置，还包括：
过流势垒，形成于所述衬底中，在相对于所述光传感器和所述传输寄存器的深层部分侧，其中
所述过流势垒在所述衬底的深度方向上在其界面处是凸出和凹入形状，且所述凸出和凹入形状的凸出部分设置于相应于所述光传感器之间位置的位置。
6.如权利要求1所述的固态摄像装置，其中，
除了所述杂质区部分，提供包括杂质区的第一势垒区部分，其在所述传输寄存器的传输方向上彼此相邻的所述光传感器之间的位置处，且从所述衬底的正面层部分侧观察时，其在相对于所述杂质区部分较浅的位置。
7.如权利要求1所述的固态摄像装置，还包括：
第二势垒区部分，包括沿所述传输寄存器形成的杂质区部分。
8.如权利要求7所述的固态摄像装置，还包括：
过流势垒，形成于所述衬底中，在相对于所述光传感器和所述传输寄存器的深层部分侧，其中，
所述过流势垒在所述衬底的深度方向上在所述光传感器和所述传输寄存器的界面处是凸出和凹入形状，且所述凸出和凹入形状的凸出部分设置于相应于所述光传感器之间位置的位置。
9.如权利要求5所述的固态摄像装置，其中
所述杂质区部分在杂质浓度上高于所述过流势垒。
10.如权利要求8所述的固态摄像装置，其中
所述杂质区部分在杂质浓度上高于所述过流势垒。
11.如权利要求7所述的固态摄像装置，其中
从所述衬底的正面层部分侧观察时，所述杂质区部分和所述第二势垒区部分位于相同的深度。
12.一种具有摄像区的固态摄像装置，所述摄像区包括多个光传感器和用于传输在所述光传感器中积累的信号电荷的传输寄存器，所述摄像区形成于衬底的正面层部分侧，其中所述固态摄像装置还包括：
杂质区部分，在所述衬底中连续地形成，位置在所述传输寄存器的传输方向上彼此相邻的光传感器之间。
13.如权利要求12所述的固态摄像装置，其中
从所述衬底的正面层部分侧观察时，所述杂质区部分形成于比所述传输寄存器更深的位置。
14.如权利要求12所述的固态摄像装置，还包括：
第二势垒区部分，包括沿所述传输寄存器形成的杂质区部分。
15.一种制造固态摄像装置的方法，包括的步骤为：
在衬底的正面层部分侧上形成多个光传感器和用于传输在所述光传感器中积累的信号电荷的传输寄存器；和
在所述衬底中、沿所述传输寄存器的传输方向彼此相邻的所述光传感器之间的位置连续形成杂质区部分。
16.如权利要求15所述的制造固态摄像装置的方法，其中
从所述衬底的正面层部分侧观察时，所述杂质区部分形成于比所述传输寄存器更深的位置。
17.如权利要求15所述的制造固态摄像装置的方法，其中
多个所述杂质区部分在所述衬底的深度方向上形成。
18.如权利要求15所述的制造固态摄像装置的方法，还包括的步骤为：
在相对于所述光传感器和所述传输寄存器的深层部分侧上在所述衬底中形成过流势垒，其中
所述过流势垒在所述衬底的深度方向上在其界面处是凸出和凹入形状，且所述凸出和凹入形状的凸出部分设置于相应于所述光传感器之间的位置的位置。
19.如权利要求15所述的制造固态摄像装置的方法，还包括的步骤为：
在所述传输寄存器的传输方向上彼此相邻的所述光传感器之间且从所述衬底的正面层部分侧观察相对于所述杂质区部分较浅的位置，形成包括杂质区的第一势垒区部分。
20.如权利要求15所述的制造固态摄像装置的方法，还包括的步骤为：
沿所述传输寄存器形成包括杂质区部分的第二势垒层。
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