CN1722917A - 有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，其包括对应于各子像素形成为多边形结构的缓冲器，沿缓冲器的外围形成以分隔子像素的电极隔离体，形成在由缓冲器限定的内部区域中的发光区域，和形成在从缓冲器的一侧突出的区域内的电连接区域。

Description

有机电致发光器件及其制造方法

本申请要求享有2004年6月25日在韩国递交的申请号为10-2004-0047947的专利申请的权益，在此结合其全部作为参考。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制造方法，并且尤其涉及一种顶部发射型有机电致发光器件及其制造方法。

背景技术

在平板显示(FPD)器件领域中，液晶显示(LCD)器件由于其重量轻并且能耗低而被广泛应用。然而，LCD为不发光的显示器件并且在亮度、对比度、视角以及大尺寸方面存在技术缺陷。由于上述原因，能克服上述缺陷的新的平板显示器件已经得到了积极地开发。

其中一种新的平板显示器件是有机电致发光器件。因为有机电致发光器件是自发光显示器件，其与LCD器件相比具有高对比度和宽视角。同样，因为有机电致发光器件不需要背光组件，所以其重量轻而且薄。此外，有机电致发光器件在能耗方而效率更高。

有机电致发光器件在低DC电压下驱动并且具有较快的响应时间。因为有机电致发光器件所有的部件都是由固体材料形成，所以能耐久地抵御外部碰撞。同样，有机电致发光器件可以在很宽的温度范围内制造，因此节省了生产成本。特别的是，有机电致发光器件能通过沉积工艺和封装工艺容易地生产。因此，有机电致发光器件的制造方法和设备与LCD器件或等离子显示面板(PDP)器件相比简单的多。如果有机电致发光器件以有源矩阵型驱动，即使提供低电流也能得到均匀的亮度。因此，有机电致发光器件具有能耗低、清晰度高和屏幕大的优点。

图1是根据现有技术的底部发射型有源矩阵有机电致发光器件(AMOLED)的示意性截面图。如图1所示，第一和第二基板10和30彼此面对设置，并且第一和第二基板10和30的边缘部分由密封图案40封装。薄膜晶体管(TFT)T形成在子像素单元内第一基板10的透明基板1上，并且第一电极12与TFTT连接。有机电致发光层14形成在TFT T和第一电极12上并且也与第一电极12相对应。有机电致发光层14包含提供红、绿和蓝色光的发光材料。第二电极16形成在有机电致发光层14上。第一和第二电极12和16向有机电致发光层14提供电场。

密封图案40将第二电极16从第二基板30分开预定距离。可以将吸收剂(未示出)和透明胶带(未示出)进一步形成在第二基板30的内表面上，从而透明胶带将吸收剂粘接在第二基板30并且吸收剂吸收从外部引入的潮气。

在底部发射型结构中，当第一电极12和第二电极16分别用作阳极和阴极时，第一电极12由透明导电材料形成并且第二电极16由具有低逸出功的金属形成。在上面的结构中，有机电致发光层14包括空穴注入层14a、空穴传输层14b、发光层14c以及电子传输层14d，它们顺序沉积在第一电极12上。发光层14c在子像素内具有红、绿和蓝滤色片R、G和B。因而，阵列元件和有机电致发光二极管堆叠在同一第一基板10上。

底部发射型有机电致发光器件通过将形成有阵列元件和有机电致发光二极管的基板粘接到另一单独的用于封装的基板上而制造形成。在这种情况下，有机电致发光器件的产量由阵列元件和有机电致发光二极管的各自产量决定。因此，整个工艺产量大大地受到后续工艺的限制，即，形成有机电致发光二极管的工艺。例如，虽然形成了较好的阵列元件，只要在利用大约1000厚的薄膜形成有机电致发光层时外界颗粒或其它因素产生缺陷，相应的有机电致发光器件也将被确定为是有缺陷的。结果是，生产没有缺陷的阵列元件的所有花费和材料成本将是白费，因此降低了产量。

虽然底部发射型有机电致发光器件由于封装而具有很高的稳定性和自由度，但是其孔径比具有局限性。因而，很难将底部发射型有机电致发光器件用于高分辨率产品中。在顶部发射型有机电致发光器件的情况下，TFT的设计简单并且孔径比高。考虑到产品的整个使用寿命，使用顶部发射型有机电致发光器件是有优势的。然而，因为其阴极设置于有机电致发光层上，所以材料的选择受到了限制。这样，透射率受到了限制并且发光效率降低。

发明内容

因此，本发明涉及一种有机电致发光器件及其制造方法，其基本上避免了由于现有技术中的限制和缺点导致的一个或多个问题。

本发明的一个目的是提供一种有机电致发光器件及其制造方法，其具有均匀形成的有机电致发光层并且孔径比得到了提高。

本发明的另一目的是提供一种有机电致发光器件及其制造方法，其能够使产量提高。

本发明的其他特点和优点将出现在下面的说明书中，并且一部分从说明书中是显而易见的，或可以从本发明的实践中得到。本发明的目的和其他优点可以通过书面的说明书和权利要求书以及附图中指出的特定结构实现和得到。

为了实现上述和其他优点并且根据本发明的目的，如具体并且宽泛地描述，一种有机电致发光器件包括具有多个子像素的像素、与各子像素相对应的形成为多边形结构的缓冲器、沿缓冲器的外围形成以分隔各子像素的电极隔离体、由缓冲器包围的发光区域、和形成在从具有多边形结构的缓冲器的一侧突出的区域内的电连接区域。

按照本发明的另一方面，一种有机电致发光器件的制造方法包括如下步骤：准备包括在各子像素内具有包括至少一个TFT的阵列元件的第一基板；形成与阵列元件的TFT电连接的导电衬垫料；在第二基板上形成第一电极；在第一电极上形成多边形结构的与各子像素相对应的缓冲器；沿着缓冲器的外围形成电极隔离体；并且在由缓冲器限定的内部区域内形成发光区域；在发光区域内顺序形成有机电致发光层和第二电极；以及在从多边形缓冲器的一侧突出的区域内形成电连接区域；使得第一和第二基板偏移预定位置；以及粘接第一和第二基板，其中导电衬垫料与位于第二电极上的电连接区域接触。

按照本发明的再一方面，提供了一种有机电致发光器件的制造方法，包括如下步骤：在由基板上的栅线和数据线限定的分块区域中形成TFT；在基板上形成TFT的区域内顺序形成钝化层和第一电极；在钝化层和第一电极的预定部分上形成接触孔以暴露TFT的漏极；形成多边形缓冲器和电极隔离体以限定子像素结构内包括发光区域和接触孔的区域，限定的区域与分块区域的栅线和数据线偏移预定位置；在由缓冲器限定的发光区域内形成有机电致发光层；在有机电致发光层上形成第二电极；通过接触孔连接第二电极和TFT的漏极。

可以理解上面普通的描述和下面详细的描述都是示意性和解释性的，并且将提供本发明要求保护的进一步解释。

附图说明

其包括为用于提供对本发明的进一步解释并成为本说明书的一部分的附图，描述了本发明的实施例并与说明书一起解释本发明的原理。在附图中，

图1是根据现有技术的有机电致发光器件的示意性截面图；

图2是本发明的优选实施例中双面板型有机电致发光器件的示意性截面图；

图3是根据本发明的优选实施例图2中的双面板型有机电致发光器件的第二基板的示意性平面图；

图4是根据本发明另一优选实施例的有机电致发光器件的示意性平面图；

图5是根据本发明的另一优选实施例的有机电致发光器件的示意性截面图；

图6是沿图5中的线I-I’提取的示意性截面图。

具体实施方式

现在将参考附图内描述的例子详细描述本发明的优选实施例。

图2是根据本发明的优选的双面板型有机电致发光器件的示意性截面图。参考图2，第一和第二基板110和130彼此分开预定间隔。阵列元件120形成在第一基板110的透明基板100的内表面上。有机电致发光二极管E形成在第二基板130的透明基板101的内表面上。第一和第二基板110和130的边缘由密封图案140密封。

有机电致发光二极管E包括作为公共电极的第一电极132、形成在第一电极132下方的子像素边界处的电极隔离体134、设置在电极隔离体134之间的有机电致发光层136以及为各子像素构图的第二电极138。

缓冲器133形成在第一电极132和电极隔离体134之间并且隔开单独的发光区域，其中有机电致发光层136形成在各子像素内。换句话说，缓冲器133形成为隔开各子像素的单独发光区域，并且电极隔离体134形成在缓冲器133的预定区域内。因此，电极隔离体134隔开各子像素。

有机电致发光层136包括第一载流子传输层136a、发光层136b和第二载流子传输层136c，它们顺序堆叠。第一和第二载流子传输层136a和136c向发光层136b内注入电子或空穴，或传输电子或空穴。而且，第一和第二载流子传输层136a和136c由阳极和阴极的排列结构决定。例如，当发光层136b由高分子化合物形成，并且第一和第二电极132和138分别用作阳极和阴极时，与第一电极132接触的第一载流子传输层136a具有空穴注入层和空穴传输层的堆叠结构，并且与第二电极138接触的第二载流子传输层136c具有电子注入层和电子传输层的堆叠结构。此外，有机电致发光层136可以由高分子或低分子化合物形成。当有机电致发光层136由低分子化合物形成时，其可以利用气相沉积工序形成。当有机电致发光层136由高分子化合物形成时，其可以利用喷墨工序形成。

阵列元件120包括TFT T并用作电驱动单元以驱动有机电致发光器件。为了向有机电致发光二极管E提供电流，设置圆柱形导电衬垫料114以连接第二电极138和子像素单元中的TFT T。与传统LCD的衬垫料不同，导电衬垫料114主要是用于电连接两基板而不是保持两基板之间的盒间隙。导电衬垫料114可以具有固定的高度以电连接位于子像素单元内的第一基板110上的TFT T的漏极112和位于第二基板130上的第二电极138。导电衬垫料114使第一和第二基板110和130内的像素以1∶1对应关系粘结，从而使电流穿过。导电衬垫料114可以通过将金属涂覆在有机绝缘圆柱体上形成。导电衬垫料114的金属可以从导电材料中选择，优选的是具有延展性和低电阻率的金属。

在图2中，钝化层124形成在覆盖TFT T的区域内，并且包括漏极接触孔122以暴露漏极112的一部分。导电衬垫料114形成在钝化层124上并且通过漏极接触孔122与漏极112连接。此处，TFT T与连接到有机电致发光二极管E的驱动TFT相对应。

根据本发明的优选实施例，有机电致发光器件是顶部发射型，其从有机电致发光层136向第二基板130发光。优选地，第一电极132选自具有透射特性的导电材料，而第二电极138选自不透明金属材料。而且，第一基板110和第二基板130之间的空间内可以允满惰性气体或绝缘液体。

虽然附图中没有示出，阵列元件120进一步包括扫描线、与扫描线垂直并且彼此间有预定间隔的信号线和电源线、位于扫描线和信号线的交叉点处的开关TFT和存储电容。在双面板型有机电致发光器件中，阵列元件120和有机电致发光二极管E可以形成在不同的基板上。因而，与现有技术中阵列元件和有机电致发光二极管形成在同一基板上不同，本发明的有机电致发光二极管E将不受阵列元件120的产量影响。因此，根据本发明的双面板型有机电致发光器件可以考虑各种元件的产量安排来提高有机电致发光器件的产量。

如果屏幕在上述结构的顶部发射型有机电致发光器件内实现，可以不考虑孔径比设计TFT T，因此改进了阵列工艺。同样，也可以制造具有高孔径比和高分辨率的产品。因为有机电致发光二极管E形成在双面板型有机电致发光器件中，与现有技术的顶部发射型有机电致发光器件相比，能更有效地阻挡外面的空气，因此提高了产品的稳定性。此外，因为TFT T和有机电致发光二极管E分别形成在不同的基板110和130上，可以有效地得到关于TFTT的排列自由度。因为有机电致发光二极管E的第一电极132形成在透明基板101上，也可以提高关于第一电极132的自由度。

在双面板型有机电致发光器件中，当有机电致发光层136由高分子材料形成时，如果接触第二基板130的导电衬垫料114位于形成有有机电致发光层136的发光区域内，则高分子油墨(ink)的流动受到阻挡。图3是根据本发明的优选实施例的图2中示出的双面板型有机电致发光器件的第二基板130的示意性平面图。为了解释方便，仅示出了一个像素区域(图3中的三个子像素300)。参考图3，三个子像素300通过缓冲器133和电极隔离体134彼此分离。有机电致发光层136作为发光区域形成在各子像素300中的缓冲器133内。换句话说，形成缓冲器133以分隔各子像素的发光区域，并且电极隔离体134形成在缓冲器133的预定区域内。电极隔离物134将子像素300彼此分隔。

如上所述，与设置在第一基板110(图1)内各子像素300中的导电衬垫料114(图2)相接触的部分设置在第二基板130(图2)发光区域的中心处。如图3所示，接触区域310形成在各子像素300的中心部分处。此处，当有机电致发光层136由高分子材料形成时，因为接触区域310阻碍了高分子油墨的流动，所以不能得到均匀的膜。换句话说，当高分子有机电致发光材料的油墨喷射到各子像素300中时，油墨向子像素300的均匀扩散受到了由于接触区域310产生的高阶差和表面能量差的阻挡。结果，图2和图3所示的双面板型有机电致发光器件在形成高分子材料的有机电致发光层1 36时有很大的困难。

根据本发明的优选实施例的有机电致发光器件的结构可以应用于双面板型有机电致发光器件，其中包括有机电致发光层的发光区域和驱动元件形成在各自的基板上，也可以应用于单面板型有机电致发光器件，其中发光层和驱动元件形成在同一基板上。

通常来说，在双面板型有机电致发光器件的情况下，第一和第二基板相对应的像素区域没有精确地对准。相反地，它们偏移形成在各基板上导电衬垫料的位置并且然后粘结在一起。因而，导电衬垫料接触区域的位置没有限制，从而减小了设置在第一基板上的阵列元件的设计余量。各子像素中形成有有机电致发光层的发光区域被最大化，从而提高了孔径比。在单面板型有机电致发光器件的情况下，由栅极和数据线限定的分块区域和与分块区域相对应的发光区域偏移预定位置。因此，通过最大化各子像素中的发光区域可以改进用于连接驱动TFT和有机电致发光二极管的第二电极的接触孔的自由度和设计余量并且可以提高孔径比。

图4是根据本发明一优选实施例的有机电致发光器件的示意性平面图。为了解释方便，仅描述了一个像素区域(三个子像素400)。参考图4，在有机电致发光器件的各子像素400中，形成对应于各子像素400的多边形缓冲器410，并且沿着缓冲器420的外围形成电极隔离体420，从而使子像素400彼此分隔。发光区域430设置在缓冲器410的内部并且其边缘被包围。而且，电连接区域440设置在从多边形缓冲器410的一边突出的区域内。在该优选实施例中，有机电致发光器件可以是双面板型也可以是单面板型。

在双面板型有机电致发光器件的情况下，子像素区域形成在第二基板上。这与图3中的子像素平面结构相对应。形成在第二基板上的各子像素400具有多边形外围并且发光区域430的边缘被包围。电连接区域440，即，用于连接第一基板的阵列元件和导电衬垫料的接触区域，形成在多边形子像素400的一边缘。因为图4中的双而板型有机电致发光器件的结构与图2的结构相同，除了图4中的子像素结构以外，将对其进行详细描述。

形成在阵列元件中的驱动TFT，即图1中的电驱动单元，与图2中示出的具有相同的结构。因此，设置在第一基板110中的导电衬垫料114也形成在与图2中相同的位置上。即，如果第一基板和与其对应的第二基板精确对准并且粘接，设置形成在第一基板110上的导电衬垫料114以与第二基板上形成有有机电致发光层的发光区域相对应。然而，在优选实施例中，电连接区域440和导电衬垫料114不互相接触。

确切地讲，本发明移动第一和第二基板110和130预定位置从而使第一基板110的导电衬垫料114与第二基板的导电衬垫料接触区域，即电连接区域440相匹配。在上述结构中，第一和第二基板110和130偏移并互相粘接，因此减小了第一基板110上用作电驱动单元的阵列元件120(包括多个TFT)的设计余量。

当将本发明的子像素结构应用于双面板型有机电致发光器件时，导电衬垫料接触区域(即，电连接区域440)形成在从子像素400的一侧突出的区域中。因此，子像素400的发光区域430被最大化并且因此提高了孔径比。同样，通过包围发光区域430的边缘，当喷射高分子有机发光材料的油墨时油墨能均匀地扩散到子像素400中。当双面板型有机电致发光器件的第一和第二基板110和130偏移并且互相粘接时这是可能的。

图4所示的子像素结构也可以应用于单面板型有机电致发光器件。在单面板型有机电致发光器件的情况下，由栅线和数据线限定的区域和相应的发光区域偏移预定位置。图5是单面板型有机电致发光器件的截面图并且图6是沿图5中的线I-I’提取的示意性截面图。图6的子像素区域600与图4具有相同的结构。

参考图5和图6，驱动TFT T_D形成在由基板800上的栅线812和812’以及数据线814和814’限定的分块区域A内。驱动TFT T_D包括栅极810、栅绝缘层820和源极/漏极840和850。有源层830形成在源极840和漏极850之间。

本发明的子像素结构包括与子像素600相对应的多边形缓冲器880、沿缓冲器880的外围形成以将子像素600与另一子像素(图6中未示出)隔离的电极隔离体882、位于子像素600的缓冲器880内部并且具有被包围的边缘的发光区域910和位于从多边形缓冲器880的一侧突出的区域中的电连接区域884。

形成电连接区域884以电连接驱动TFT T_D和发光区域910的有机电致发光层890。在本优选实施例中，通过接触孔884(图5中)来实现该功能。虽然发光区域形成在分块区域A中，本发明并不限于该结构。例如，如图5所示，发光区域910可以形成为与临近于分块区域A的分块区域中除了具有用于为有机电致发光二极管的第二电极900提供预定信号的驱动TFT T_D的子像素区域的部分之外的部分相重叠。这意味着子像素结构在分块区域中偏移预定位置。

发光区域910包括有机电致发光二极管的第二电极900，其与漏极850、以多层或单层结构形成在第二电极900之间的有机电致发光层890和用于将空穴注入到有机电致发光层890的第一电极870连接。

在本优选实施例中，当形成有机电致发光二极管时可以使用传统的FL结构。即，有机电致发光二极管通过顺序沉积第一电极(用作阳极)870、有机电致发光层890和第二电极(用作阴极)900形成。或者，连接到驱动TFTT_D的漏极850上的电极可以用作第二电极900。此处，分块区域A由栅线812和812’以及数据线814和814’限定并且以矩阵结构设置。然而，如图6所示，在本优选实施例中，分块区域A没有由电极隔离体882分隔。

参考图5，第一电极(有机电致发光二极管的阳极)870完全形成为具有驱动TFT T_D的基板800上的公共电极。接触孔884形成在漏极850和钝化层860的第一电极870上从而暴露驱动TFT T_D的漏极850。缓冲器880和电极隔离体882形成在第一电极870的预定区域上。有机电致发光层890包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)和电子传输层(ETL)，并且形成在由两电极隔离体882之间的子像素区域中的缓冲器880限定的发光区域910上。然后，形成用作像素电极的第二电极900，使得第二电极900与漏极850通过接触孔884连接在一起。

如图5和图6所示，电极隔离体882没有形成在与栅线812和812’重叠的区域内，但与栅线812和812’偏移预定位置。在上述结构中，发光区域910和包括驱动TFT T_D的接触孔884的分块区域A互相偏移。因而，接触孔884不需要设置在分块区域的一侧。如图6所示，接触孔884形成在从多边形缓冲器880突出的区域内，因此使发光区域910的面积最大化。另外，如图6所示，发光区域910的边缘被包围，因此解决了在形成高分子有机电致发光材料时扩散失败的问题。

此外，缓冲器880限定形成有有机电致发光层890的发光区域910。在本优选实施例中，缓冲器880形成为多边形结构。发光区域910不限于形成有驱动TFT的分块区域A。此处，第二电极900通过电极隔离体882分隔。第一电极870形成在基板上除形成有接触孔884的区域以外的整个表面上，从而使第一电极870以像素一像素的结构连接。

如上所述，当将本发明的子像素结构应用于单面板型有机电致发光器件时，接触孔(即，电连接区域884)设置在从子像素的一侧突出的区域上。因此，子像素的发光区域910被最大化，因而提高了孔径比。而且，通过包围发光区域910的边缘，当喷射高分子有机发光材料的油墨时油墨可以均匀地扩散到子像素上。通过设置如下结构这是可能的，即由栅线812和812’以及数据线814和814’限定的分块区域A与相对应的子像素区域600偏移。

根据上述的本发明的优选实施例，可以提高产量和生产效率。因为有机电致发光器件是顶部发射型，TFT的设计变得容易并且可以得到高孔径比和高分辨率。而且，因为有机电致发光二极管的电极形成在基板上，所以可以使用各种各样的材料。此外，因为有机电致发光器件是顶部发射型并且具有封装结构，所以可以确保产品可靠。

另外，在本优选实施例中，子像素的外围形成为多边形结构并且发光区域的边缘被包围。电连接到TFT的导电衬垫料接触区域形成在发光区域中被包围的边缘的一侧。在上述结构中，有机电致发光层可以均匀地形成并且孔径比被提高。

对于本领域的普通技术人员来说不脱离本发明的实质和范围的各种修改和变化仍属于本发明的有机电致发光器件及其制造方法是显而易见的。因而，可以理解，本发明覆盖了在所附权利要求及其等同物内提供的修改和变化。

Claims (20)

1、一种有机电致发光器件，包括：

包括多个子像素的像素；

与各所述多个子像素相对应并形成为多边形结构的缓冲器；

沿缓冲器的外围形成以分隔多个子像素的电极隔离体；

由缓冲器包围的发光区域；以及

形成在从具有多边形结构的缓冲器的一侧突出的区域内的电连接区域。

2、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光区域包括被包围的边缘。

3、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，进一步包括：

形成在发光区域中的有机电致发光层；和

第一和第二电极，在其中夹设有包括与有机电致发光层接触的两个表面的发光区域。

4、根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光层由高分子有机发光材料形成。

5、根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电连接区域连接到第一和第二电极中的至少一个上从而为形成在发光区域中的有机电致发光层提供预定电压。

6、根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电连接区域为导电衬垫料接触区域和接触孔的其中之一。

7、根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电连接区域为导电衬垫料接触区域，并且所述有机电致发光器件是双面板型有机电致发光器件，其包括阵列元件、有机电致发光二极管和设置在形成在不同基板上的阵列元件和有机电致发光二极管之间的导电衬垫料。

8、根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述不同基板包括以预定距离彼此分隔的第一和第二基板，该第一和第二基板具有在其上形成有图像的子像素；

其中，所述阵列元件包括至少一个形成在子像素单元的第一基板内表面的驱动薄膜晶体管以及电连接到阵列元件的驱动薄膜晶体管的导电衬垫料；

其中，所述第一电极形成在第二基板的内表面，并且有机电致发光层和第二电极顺序形成在子像素单元内的第一电极上；并且

其中，所述第一和第二基板偏移预定位置并且互相粘接，使得导电衬垫料与形成在第二电极上的导电衬垫料接触区域接触。

9、根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电连接区域为接触孔，并且所述有机电致发光器件是单面板型有机电致发光器件，其包括形成在同一基板上的阵列元件和有机电致发光二极管。

10、根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述阵列元件包括形成在由单个基板上的栅线和数据线限定的分块区域中的薄膜晶体管，并且该单个基板包括顺序形成在其上的钝化层和第一电极；

其中，所述接触孔形成在钝化层和第一电极的预定部分上以暴露薄膜晶体管的漏极，并且缓冲器和电极隔离体形成在包括发光区域和子像素结构中的接触孔的区域内并且与分块区域的栅线和数据线偏移预定位置；并且

其中，所述第二电极形成在有机电致发光层上并且通过接触孔与薄膜晶体管的漏极连接。

11、根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光区域包括连接到薄膜晶体管漏极的第二电极、位于第二电极下方的有机电致发光层和与有机电致发光层接触的第一电极。

12、根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述分块区域和相对应的子像素区域偏移预定位置。

13、一种有机电致发光器件的制造方法，包括如下步骤：

准备包括具有至少一个薄膜晶体管的阵列元件和分成多个子像素的像素的第一基板，其中薄膜晶体管形成在各子像素内；

形成与阵列元件的薄膜晶体管电连接的导电衬垫料；

在第二基板上形成第一电极；

在第一电极上以多边形结构形成并与各子像素相对应的缓冲器；

沿缓冲器的外围形成电极隔离体；

在由缓冲器限定的区域内形成发光区域；

在发光区域内顺序形成有机电致发光层和第二电极；

在从多边形缓冲器的一侧突出的区域内形成电连接区域；

使第一和第二基板偏移预定位置；以及

粘接第一和第二基板，其中导电衬垫料与位于第二电极上的电连接区域接触。

14、根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述形成发光区域包括包围发光区域的边缘。

15、根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述有机电致发光层由高分子材料形成。

16、根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述电连接区域形成在与导电衬垫料接触的第二电极上。

17、一种有机电致发光器件的制造方法，包括如下步骤：

在由基板上的栅线和数据线限定的分块区域内形成薄膜晶体管；

在基板上顺序形成钝化层和第一电极；

在钝化层和第一电极的预定部分上形成接触孔，以暴露薄膜晶体管的漏极；

形成多边形缓冲器和电极隔离体以限定子像素结构中包括发光区域和接触孔的区域，所限定的区域与分块区域的栅线和数据线偏移预定位置；

在由缓冲器限定的发光区域内形成有机电致发光层；

在有机电致发光层上形成第二电极；以及

通过接触孔电连接第二电极和薄膜晶体管的漏极。

18、根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述形成发光区域包括包围发光区域的边缘。

19、根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述有机发光层由高分子材料形成。

20、根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述分块区域与相对应的子像素区域偏移预定位置。

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