CN100515151C - 有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，其中防止用于形成有机电致发光层的墨水溢出像素区边缘。该有机电致发光器件包括第一基板和第二基板，以及位于第一和第二基板中的子像素。阵列元件包括在各子像素中形成于第一基板上的薄膜晶体管。第一电极形成在第二基板的内表面。缓冲体形成在外部区域以划分形成于第一电极的子像素。第一电极分隔体形成于缓冲体而第二电极分隔体形成于包括缓冲体的台阶部分的区域。有机电致发光层形成于由第二电极分隔体划分的区域内。第二电极形成于具有有机电致发光层形成的第二基板上。

Description

有机电致发光器件及其制造方法

本申请要求享有2004年8月26日在韩国递交的申请号为2004-67383和2004年12月2日在韩国递交的申请号为2004-100628的申请的权益，在此引用其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制造方法，特别是涉及一种双板型有机电致发光器件及其制造方法。

背景技术

在平板显示器件(FPD)领域中，液晶显示器件(LCD)由于其重量轻和能耗低被广泛使用。然而，LCD不是发光显示器件而是光接收器件并且在亮度、对比度、视角和屏幕尺寸方面具有技术局限性。因此，能够克服这些缺点的新型平板显示器件已经被积极开发。

一种新型平板显示器件是有机电致发光器件。因为有机电致发光器件是自发光显示器件，与LCD相比其具有高对比度和宽视角。而且，因为有机电致发光器件不需要背光组件，所以其重量轻并且外形薄。此外，有机电致发光器件可以减少能耗。

另外，有机电致发光器件能够以低DC电压驱动并且响应速度快。因为有机电致发光器件的所有部件由固体材料形成，所以其可耐外部冲击。其也可以在宽的温度范围内使用并且能够以低成本制造。

具体地说，通过沉积工序和封装工序可以容易地制造有机电致发光器件。因此，机电致发光器件的制造方法和制造设备比LCD或PDP的制造方法和设备简单。

如果以有源矩阵型驱动有机电致发光器件，即使施加低电流时也可以获得均匀亮度。因此，有机电致发光器件具有低能耗、高清晰度和大尺寸屏幕的优点。

图1为现有技术的底部发光型有源矩阵有机电致发光器件(AMOLED)的示意截面图。

如图1所示，第一基板10和第二基板30彼此相对设置。通过密封图案40封装第一基板10和第二基板30的边缘部分。在子像素单元中第一基板10的透明基板1上形成薄膜晶体管T，第一电极12连接到薄膜晶体管T。在薄膜晶体管T和第一电极12上形成有机电致发光层14并对应于第一电极12排列。有机电致发光层14包括具有红、绿和蓝色的发光材料。在有机电致发光层14上形成第二电极16。

第一电极12和第二电极16用于对有机电致发光层14施加电场。

由于密封图案40，第二电极16和第二基板30以预定距离彼此间隔。在第二基板30的内表面进一步设置吸收剂(未示出)和半透明带(未示出)。该吸收剂吸收外界引入的湿气，并且半透明带将吸收剂粘结到第二基板30上。

在底部发光型结构中，当第一电极12和第二电极16分别用作阳极和阴极时，第一电极12由透明导电材料形成而第二电极16由低功数的金属形成。在该情况下，有机电致发光层14包括在与第一电极12接触的层上顺序形成的空穴注入层14a、空穴传输层14b、发光层14c和电子传输层14d。

发光层14c在子像素中具有红、绿和蓝滤色片。

在现有技术有机电致发光器件中，阵列元件和有机电致发光二极管堆迭于同一基板上。

通过将其上形成有阵列元件和有机电致发光二极管的基板粘结到用于封装的独立基板上制造底部发光型有机电致发光器件。此时，有机电致发光器件的产率由阵列元件和有机电致发光二极管的产率的乘积决定。因此，整个工序产率由最后的工序决定，即，形成有机电致发光二极管的工序。例如，尽管可以形成质量很好的阵列基板，但是如果在采用1000埃厚度的薄膜形成有机电致发光器件过程中由外部颗粒或其他因素产生缺陷，那么对应的有机电致发光器件是有缺陷的。

因此，损失了花费在制造无缺陷阵列元件的制造费用和材料成本，从而导致减少产率。

此外，底部发射型有机电致发光器件由于其封装具有高稳定性和高自由度，但是具有有限的孔径比。因此，很难将底部发射型有机电致发光器件应用在高清晰度的产品中。同时，对于顶部发光型有机电致发光器件，TFT的设计较容易而且孔径比较高。然而，由于阴极设置于有机电致发光层上，因此材料的选择受到限制。从而，透光率受到限制并且发光效率降低。

发明内容

仅作为介绍，本发明提供一种有机电致发光器件及其制造方法，其中均匀的形成由高分子材料构成的有机电致发光层。在有机电致发光器件中，在缓冲体形成倒锥形的第一电极分隔体，并且在包括缓冲体的台阶部分的区域进一步形成圆锥形的第二电极分隔体。

一方面，所提供的有机电致发光器件包括：以预定距离彼此隔开、设置的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板彼此相对，子像素限定在第一和第二基板中；在第一基板上形成的包括开关的阵列元件；形成于第二基板内表面的第一电极；形成于外部区域的分割第一电极上的子像素的缓冲体；形成于缓冲体的中央部分上的第一电极分隔体，和形成于缓冲体台阶部分上并形成与所述第一电极两侧的第二电极分隔体；形成在由第二电极分隔体划分的区域内的有机电致发光层；形成于具有有机电致发光层形成的第二基板上的第二电极；以及用于电连接形成于第一基板上的开关和形成于第二基板上的第二电极的导电衬垫料，所述开关和所述第二电极在各子像素中彼此对应。

本发明的另一方面，提供了有机电致发光器件的制造方法，该制造方法包括：在各子像素内第一基板的内表面上形成包括开关的阵列元件；在透明基板上形成第一电极；在各子像素的外部区域形成缓冲体以划分形成于第一基板上的子像素；在缓冲体的中央部分形成第一电极分隔体，并在缓冲体台阶部分上和所述第一电极两侧形成第二电极分隔体；在各子像素由第二电极分隔体划分的区域内形成有机电致发光层；在形成有有机电致发光层的第二基板上形成第二电极；粘接第一和第二基板；以及形成用于电连接形成于第一基板上的开关和形成于第二基板上的第二电极的导电衬垫料，所述开关和所述第二电极在各子像素中彼此对应。

本发明的再一方面，有机电致发光器件包括：以预定距离彼此隔开、设置的第一和第二基板；在所述第一基板上形成的包括开关的阵列元件；形成在所述第二基板内表面的第一电极；形成在第一电极并限定子像素的缓冲体；形成于缓冲体的第一电极分隔体；形成覆盖缓冲体每一侧台阶部分的绝缘第二电极分隔体，使得在横截面图中相邻的第二电极分隔体设置在第一电极分隔体的相对侧；形成于有第二电极分隔体划分的区域内的有机电致发光层；在有机电致发光层形成的基板上形成的第二电极；以及用于电连接形成于第一基板上的开关和形成于第二基板上的第二电极的导电衬垫料，所述开关和所述第二电极在各子像素中彼此对应。

应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释性的，意欲对本发明的权利要求提供进一步的解释。

附图说明

本申请所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并且包括在该申请中并且作为本申请的一部分，示出了本发明的实施方式并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1示出了现有技术有机电致发光器件的截面图；

图2示出了双面板型有机电致发光器件的截面图；

图3示出了图2的特定部分A的截面图；

图4示出了根据本发明实施方式的双面板型有机电致发光器件的截面图；

图5示出了图4的特定部分B的截面图；

图6A和图6B示出了图4所示双面板型有机电致发光器件第二基板的平面图；以及

图7A到图7F示出了根据本发明实施方式的有机电致发光器件制造方法的截面图。

具体实施方式

现在要详细说明本发明的最佳实施方式，所述实施方式的实施例示于附图中。在可能的情况下，所有附图都用相同的附图标记表示相同或相似的部件。

图2示出了双面板型有机电致发光器件的截面图，为了方便说明，仅说明附图中的一个像素区。

参照图2，第一基板110和第二基板130以预定距离彼此隔开设置。在第一基板110的透明基板100的内表面形成阵列元件120。在第二基板130的透明基板101的内表面形成有机电致发光二极管E。

同时，通过密封图案140封装第一基板110和第二基板130边缘。

有机电致发光二极管E包括用作公共电极的第一电极132、设置于第一电极132下方子像素边界的电极分隔体134、设置于电极分隔体134之间的有机电致发光层136、和用于各子像素构图的第二电极138。

缓冲体133形成于电极分隔体134上以划分形成于各子像素内的有机电致发光层136并防止第一电极132和第二电极138短路。

电极分隔体134分离各子像素并以倒锥形形成在缓冲体133上。

有机电致发光层136包括按顺序层迭的第一载流子传输层136a、发光层136b，以及第二载流子传输层136c。第一载流子传输层136a和第二载流子传输层136c向发光层注入电子或空穴，或传输它们。

由阳极和阴极的排列确定第一载流子传输层136a和第二载流子传输层136c。例如，当发光层136b由高分子材料化合物构成并且第一电极132和第二电极138分别配置为阳极和阴极，与第一电极132接触的第一载流子传输层136a具有空穴注入层和空穴传输层的层迭结构，第二电极138接触的第二载流子传输层136c具有电子注入层和电子传输层的层迭结构。

而且，有机电致发光层136由高分子化合物和低分子化合物构成，当有机电致发光层136由低分子化合物构成时，其采用汽相沉积工艺形成。当有机电致发光层136由高分子化合物构成时，其采用喷墨(inkjet)工艺形成。

阵列元件120包括薄膜晶体管T。为了向有机电致发光二极管E施加电流，柱状导电衬垫料114设置在子像素单元中、第二电极138和薄膜晶体管T连接的位置处。

不同于普通的LCD衬垫料，导电衬垫料114电连接到两个基板上并保持盒间隙。衬垫料114在两基板之间具有恒定得高度。

即，导电衬垫料114将设置在第一基板子像素单元中的薄膜晶体管T的漏极112电连接到设置在第二基板130上的第二电极138。通过在由有机绝缘层形成的柱状衬垫料上涂敷金属形成导电衬垫料114。因为导电衬垫料114，第一基板110和第二基板130的像素1：1的对应粘结，使得电流可以从其中流过。

现在将详细描述在导电衬垫料114和薄膜晶体管T之间的连接部分。该薄膜晶体管T对应于连接到有机电致发光二极管E的驱动TFT。在覆盖薄膜晶体管T的区域形成钝化层124。该钝化层124包括暴露部分漏极112的漏接触孔122。导电衬垫料114形成在钝化层124上并通过漏接触孔122连接到漏极112。用于导电衬垫料114的金属选自导电材料，优选的为具有展延性和低电阻率的金属。

根据本发明一个实施方式的有机电致发光器件为向第二基板130发射来自有机电致发光层136的光的顶部发光型器件。

优选的，第一电极132由透明导电材料构成，而第二电极138由不透明的金属构成。通过诸如惰性气体或绝缘液体填充第一基板110和第二基板130之间的分隔后的空间I。

尽管在附图中未示出，阵列元件120还包括扫描线、与扫描线交叉并彼此之间以预定距离隔开的信号线和电源线，设置在扫描线和信号线重叠部分的开关TFT，以及存储电容。

在双面板型有机电致发光器件中，在不同的基板上构造阵列元件和有机电致发光二极管。因此，不同于阵列元件和有机电致发光器件形成于同一基板上的情况，有机电致发光二极管不会受到阵列元件产率的影响。因此，双面板型有机电致发光器件在相应的元件生产管理方面具有很好的特性。

如果在如上所述的条件下以顶部发光方式应用该屏幕，可以在不考虑孔径比的情况下设计TFT，从而增加阵列处理的效率。而且，可以生产出具有高孔径比和高分辨率的产品。由于双面板型有机电致发光二极管的形成，与现有技术的顶部发光型器件比较可以更有效的阻挡外界气体，从而提高产品的稳定性。

此外，由于TFT和有机电致发光二极管形成在不同的基板上，可以获得关于TFT排列的充分自由度。由于有机电致发光二极管的第一电极形成在透明基板上，与现有技术的第一电极形成于阵列元件上的结构比较可以提高第一电极的自由度。

在双面板型有机电致发光器件中，喷墨工艺用于形成由高分子材料构成的有机电致发光层136。当有机电致发光层136由喷墨高分子材料构成时，通过将高分子材料限定在缓冲体的发光区内来防止墨水溢出缓冲体，并调整薄膜的外形和厚度。

然而，在如图2所示的双面板型有机电致发光器件中，由于形成在缓冲体133上的电极分隔体134以倒锥形形成，其侧面不是疏水的。即，用于有机电致发光层136的墨水被吸向电极分隔体的侧面因此其流入电极分隔体。从而，由于在子像素之间溢出导致发光不均匀，通过连接第二电极导致变黑，并且很难调整有机电致发光层的厚度。这些导致有机电致发光器件的图像质量降低。

图3示出了图2的特定部分A的截面图。

参照图3，在双面板型有机电致发光器件中，形成于第二基板130的第一电极132上的缓冲体133用来划分各子像素的发光区并且在缓冲体133之间形成有机电致发光层136。

在缓冲体133上形成倒锥形电极分隔体134。该电极分隔体134用来分隔邻近的子像素。由于形成于有机电致发光层136的第二电极138没有与各子像素连接，因此通过导电衬垫料(未示出)向该第二电极138单独施加来自对应于各子像素的第一基板110的TFT的像素电压。

图4示出了根据本发明实施方式的双面板型有机电致发光器件的截面图，并且图5示出了图4的特定部分B的截面图。

在图4和图5中，与图2同样的附图标记用来指出同样的元件。这里省略那些元件的详细描述。

在该实施方式中，通过在包括缓冲体台阶部分以及第二基板缓冲体上的倒锥形第一分隔体的区域提供圆锥形第二电极来均匀地形成高分子材料的有机电致发光层。即，形成井形的第二电极分隔体，其中有机电致发光层形成的区域为由第二电极分隔体围绕的区域。

参照图4和图5，在第二基板530的透明基板101上整体地形成有机电致发光二极管的第一电极132，在第一电极132预定的部分形成缓冲体533，即，在子像素外侧划分各子像素。在缓冲体533预定的部分上形成第一电极分隔体534，并且在包括缓冲体533台阶部分的区域上形成第二电极分隔体535。如图所示，通过第二电极分隔体535而不是通过缓冲体533来划分有机电致发光层的区域。

而且，第一电极分隔体534和第二电极分隔体535将第二电极138分为用于各子像素的多个电极。这里，以倒锥形形成第一电极分隔体534，而以圆锥形形成第二电极分隔体535。

如上所述，在双面板型有机电致发光器件中，喷墨工序用于形成高分子材料的有机电致发光层136。当有机电致发光层136由喷墨高分子材料构成时，通过将高分子材料限定在缓冲体的发光区内防止墨水溢出缓冲体，并调整薄膜的外形和厚度。因此，提供疏水处理来容纳特定区域的墨水。

然而，第一电极分隔体134侧面的倒锥形不抑制墨水的运动。实际上，墨水被吸向电极分隔体的侧面，从而流入电极分隔体。为了防止这种情况，在包括缓冲体533的台阶部分的区域形成圆锥形的第二电极分隔体535，从而提供疏水侧面。因此，防止墨水流入第一电极分隔体534的侧面或缓冲体533的台阶部分。即，第二电极分隔体535屏蔽了由倒锥形第一电极分隔体534和缓冲体533的台阶部分导致的墨水吸力的影响。

从而，通过在包括缓冲体台阶部分的区域形成第二电极分隔体535，在像素之间墨水的溢流，由与第二电极连接导致的黑化，和难于调节有机电致发光层厚度得到避免。因此，可以提高有机电致发光器件的图像质量。

而且，有机电致发光层136形成在各子像素中由第二电极分隔体535划分的区域，并且在包括有机电致发光层136的第二基板上形成第二电极138。

这里，有机电致发光层136由高分子材料构成，并且通过第一电极分隔体534和第二电极分隔体535在各子像素中划分第二电极。因此，第二电极分隔体535用作像素电极。

而且，由于导电衬垫料114由金属材料构成，其电连接到第二电极138。

此外，形成于第一基板110上的阵列元件120包括驱动薄膜晶体管T。为了向形成在第二基板530上的有机电致发光二极管E施加电流，阵列元件120通过导电衬垫料114连接到设置在各子像素的驱动薄膜晶体管的漏极112。

图6A和图6B示出了图4所示双面板型有机电致发光器件第二基板的平面图。在图6A和图6B中，为了简明仅说明了一个像素区域(即，三个子像素)。

图6A和图6B中的说明仅是本发明的示例性实施方式并且对本发明可以实施多种类型的结构。

参照图6A，通过缓冲体533和第一电极分隔体534和第二电极分隔体535划分各子像素区并使其彼此分离。具体地，在包括缓冲体533台阶部分的区域形成第二电极分隔体535。即，形成井形的第二电极分隔体535，其中由第二电极分隔体围绕形成有机电致发光层的区域。

因此，如图6A所示，通过第二电极分隔体535限定各子像素的发光区800并且有机电致发光层136形成在发光区内。

这里，当有机电致发光层136由高分子材料构成时，与设置在第一基板的各子像素内的导电衬垫料接触的区域810形成在第二基板的发光区外使得不用通过阻止高分子墨水的流动来获得均匀膜。

参照图6B，各子像素包括：与各子像素对应形成的多边形缓冲体533；形成在缓冲体的外部区域以划分子像素的第一电极分隔体534；形成在包括缓冲体533台阶部分区域的第二电极分隔体535；缓冲体内侧(即，设置于由第二电极分隔体535划分区域的拐角)为圆形的发光区800；导电衬垫料的接触部分810，设置在多边形缓冲体域一侧凸出的区域。

各子像素外观以多边形结构形成，在子像素中发光区800的拐角为圆形。在子像素拐角的一侧形成连接到第一基板阵列元件的导电衬垫料的接触部分。

在图6A和6B的实施方式中，为了不将接触部分810定位于发光区800内，第一和第二基板粘结使得他们以预定的距离不对准。

图7A到图7F示出了根据本发明实施方式的有机电致发光器件制造方法的截面图，其与图4的截面图相关联。

参照图7A，在第一基板上形成阵列元件。

例如，当用于阵列元件120的TFT为多晶硅TFT时，形成阵列元件120的方法包括：在透明基板100上形成半导体层和电容电极；在半导体层上形成栅极、源极和漏极；在电容电极上形成电源电极，该电源电极连接到源极。

而且，在覆盖薄膜晶体管T的区域上形成钝化层124。该钝化层124具有暴露部分漏极112的漏接触孔122。漏极112通过漏接触孔122暴露。

漏极与形成在第二基板上的导电衬垫料接触。从而，其电连接第一基板和第二基板。连接到漏极112的电连接图案可以形成为与导电衬垫料114的接触。优选的，在阵列元件形成于第一基板以后，在第一基板上形成导电衬垫料114。

参照图7B，在第二基板的透明基板101上形成有机电致发光二极管的第一电极132。优选的，第一电极132由诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料形成。

参照图7C，用于划分子像素的缓冲体533形成在第一电极预定的区域，即，子像素的外部区域。第一电极分隔体534形成在具有缓冲体533形成的预定区域，并且第二电极分隔体535形成在包括缓冲体的台阶部分的区域。即，形成井形的第二电极分隔体535，有机电致发光层形成的区域被环绕。因此，各子像素的发光区同第二电极分隔体535限定。

而且，第一电极分隔体534和第二电极分隔体535根据各子像素分离第二电极。这里，第一电极分隔体534以倒锥形形状形成而第二电极分隔体535以圆锥形形状形成。

通过在包括缓冲体533的台阶部分的区域形成圆锥形的第二电极分隔体535，可以形成疏水的第二电极分隔体535。因此，可以解决墨水流入第一电极分隔体534侧面或缓冲体535的台阶部分的问题。即，第二电极分隔体535屏蔽了由倒锥形第一电极分隔体534和缓冲体533的台阶部分导致的墨水吸力的影响。

参照图7D，在由第二电极分隔体535限定的区域内形成有机电致发光层136。

有机电致发光层136由高分子材料构成。当第一电极和第二电极分别为阳极和阴极，有机电致发光层136包括按顺序层迭的空穴传输层136a、发光层136b，以及电子传输层136c。空穴传输层136a和电子传输层136c向发光层136b注入电子和空穴，并传输电子或空穴。有机电致发光层136也可以由低分子材料构成。

与第一电极接触的空穴传输层136a具有空穴注入层和空穴传输层的层迭结构，与第二电极接触的电子传输层136c具有电子注入层和电子传输层的层迭结构。

参照图7E，在有机电致发光层136形成在由第二电极分隔体535限定的发光区内以后，有机电致发光二极管的第二电极138形成在有机电致发光层136上。

由于通过在各子像素中通过第一电极分隔体534和第二电极分隔体535划分第二电极138，其用作像素电极。由于导电衬垫料114由金属材料构成，其电连接到第二电极138。优选的，第二电极138由具有低功函数的金属构成(例如，铝)。

参照7F，如果第一基板110和第二基板530彼此粘结并封装，第一基板110和第二基板530彼此电连接。从而，形成在第二基板530上的有机电致发光二极管的第二电极138电连接到形成在第一基板110上的驱动TFT的漏极112。

根据本发明，可以提高生产率和生产管理效率。由于形成顶部发光型有机电致发光器件，TFT的设计变得容易并且可以提供高孔径比和高分辨率。而且，由于用于有机电致发光二极管的电极形成在基板上，可以应用各种材料。此外，由于顶部发光型有机电致发光器件形成为具有封装结构，因此可以提供可靠的产品。

而且，可以通过在包括缓冲体的台阶部分的区域进一步形成圆锥形的电极分隔体均匀的形成包括高分子材料的有机电致发光层。通过在喷墨工序中消除缓冲体的台阶部分来降低高分子墨水的吸力影响，从而扩展了喷射方向容限。

可以清楚地理解，对于本领域的普通技术人员来说，本发明具有各种变型和改进。因而，本发明意欲覆盖所有落入所附权利要求以及等效物所限定的范围内的变型和改进。

Claims (31)

1、一种有机电致发光器件，包括：

以预定距离彼此隔开、设置的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板彼此相对，其中子像素限定在第一和第二基板中；

在第一基板上形成的包括开关的阵列元件；

形成于第二基板内表面的第一电极；

形成于第一电极上并且位于外部区域的分割子像素的缓冲体；

形成于缓冲体的中央部分上的第一电极分隔体，和形成于缓冲体台阶部分上并形成于所述第一电极两侧的第二电极分隔体；

形成在由第二电极分隔体划分的区域内的有机电致发光层；

形成于具有有机电致发光层形成的第二基板上的第二电极；以及

用于电连接形成于第一基板上的开关和形成于第二基板上的第二电极的导电衬垫料，所述开关和所述第二电极在各子像素中彼此对应。

2、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电极分隔体以倒锥形形成。

3、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电极分隔体以圆锥形形成。

4、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电极分隔体以井形形成，其中形成所述有机电致发光层的区域由第二电极分隔体围绕。

5、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光层由低分子材料或高分子材料形成。

6、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，由第二电极分隔体限定各子像素的发光区并且所述导电衬垫料在发光区外部区域与第二电极接触。

7、根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述缓冲体具有多边形形状。

8、根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光区为卵形。

9、根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电衬垫料在多边形的拐角处与第二电极接触。

10、根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述缓冲体具有矩形形状。

11、根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光区基本上为矩形形状。

12、一种有机电致发光器件的制造方法，该制造方法包括：

在第一基板的内表面上形成包括开关的阵列元件；

在透明基板上形成第一电极；

在各子像素的外部区域形成缓冲体以划分子像素，所述缓冲体形成于第一电极上；

在缓冲体的中央部分形成第一电极分隔体，并在缓冲体台阶部分上和所述第一电极两侧形成第二电极分隔体；

在由第二电极分隔体划分的区域内形成有机电致发光层；

在形成有有机电致发光层的第二基板上形成第二电极；

粘结第一基板和第二基板；以及

形成用于电连接形成于第一基板上的开关和形成于第二基板上的第二电极的导电衬垫料，所述开关和所述第二电极在各子像素中彼此对应。

13、根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第一电极分隔体以倒锥形形成。

14、根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二电极分隔体以圆锥形形成。

15、根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二电极分隔体以井型形成，其中形成所述有机电致发光层的区域由第二电极分隔体围绕。

16、根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述有机电致发光层由高分子材料形成。

17、根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，采用喷墨方法形成所述的高分子材料。

18、一种有机电致发光器件，包括：

以预定距离彼此隔开、设置的第一和第二基板；

在所述第一基板上形成的包括开关的阵列元件；

形成在所述第二基板内表面的第一电极；

形成在第一电极上并限定子像素的缓冲体；

形成于缓冲体上的第一电极分隔体；

形成覆盖缓冲体每一侧台阶部分的绝缘的第二电极分隔体，使得在横截面图中相邻的第二电极分隔体设置在第一电极分隔体的相对侧；

形成于由第二电极分隔体划分的区域内的有机电致发光层；

在有机电致发光层形成的基板上形成的第二电极；以及

用于电连接形成于第一基板上的开关和形成于第二基板上的第二电极的导电衬垫料，所述开关和所述第二电极在各子像素中彼此对应。

19、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光层仅形成在通过第二电极分隔体划分的区域内。

20、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电极分隔体仅形成在有机电致发光层形成的区域。

21、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电极分隔体具有倒锥形形状。

22、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电极分隔体具有圆锥形形状。

23、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电极分隔体具有特定的形状并完全从基板延伸出来使得形成有机电致发光层的高分子材料不会溢出到第二电极分隔体侧面之间的区域。

24、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电极分隔体从基板至少延伸到第一电极分隔体。

25、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电极分隔体和第二电极分隔体具有不同的形状。

26、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述缓冲体具有其上设置有第一电极分隔体的平面区域，并且第二电极分隔体覆盖缓冲体平面区域的末端部分。

27、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述缓冲体具有多边形形状。

28、根据权利要求27所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述由第二基板限定的子像素的发光区为卵形。

29、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述缓冲体具有矩形形状。

30、根据权利要求29所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述由第二基板限定的子像素的发光区具有矩形形状。

31、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述由第二基板限定的子像素的发光区和缓冲体具有同样的形状。

Images