CN1499909A - 双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1499909A
CN1499909A CNA2003101022033A CN200310102203A CN1499909A CN 1499909 A CN1499909 A CN 1499909A CN A2003101022033 A CNA2003101022033 A CN A2003101022033A CN 200310102203 A CN200310102203 A CN 200310102203A CN 1499909 A CN1499909 A CN 1499909A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
electrically connected
array element
element layer
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2003101022033A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100435377C (zh
Inventor
朴宰用
李南良
布迪曼·萨斯特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of CN1499909A publication Critical patent/CN1499909A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100435377C publication Critical patent/CN100435377C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements

Abstract

一种有机电致发光显示(ELD)装置包括在上面限定了多个子象素的第一和第二衬底，第一和第二衬底彼此分开并且面对；第一衬底上的阵列元件层，阵列元件层具有对应着各个子象素的多个薄膜晶体管；第二衬底内侧上的第一电极；第一电极下面的有机发光层；在有机发光层下面对应着各个子象素的第二电极；在阵列元件层与第二电极之间对应着各个子象素的多个电连接图形，电连接图形是用具有塑性变形特性的材料形成的；以及在第一和第二衬底之一上形成的密封图形，其中电连接图形的高度要小于在第一和第二衬底粘结之前测得的电连接图形的原始高度。

Description

双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法
本申请要求享有2002年10月29日在韩国递交的2002-66188号韩国专利申请的权益，该申请可供参考。
技术领域
本发明涉及平板显示装置，更具体地说，涉及一种有机电致发光显示(ELD)装置及其制造方法。
背景技术
液晶显示(LCD)装置由于其重量轻和低功耗在平板显示装置的领域得到了广泛的应用。然而，液晶显示(LCD)装置不是发光器件而是需要有额外光源来显示图像的光接收器件。因此，在改进亮度、对比度和视角以及扩大液晶显示面板尺寸等方面存在技术上的限制。出于这些原因，在能够克服LCD装置的上述问题的新型平板显示元件的研发领域中的研究非常活跃。
有机电致发光显示(ELD)装置在设计上是一种用来替代LCD装置的新型平板显示元件。由于有机电致发光显示(ELD)装置本身能发光，视角和对比度比液晶显示(LCD)装置要优越。另外，由于ELD装置不需要背光作为光源，它具有重量轻、尺寸小和低功耗的优点。另外，有机电致发光显示(ELD)装置可以用低DC(直流)来驱动，并具有快速响应时间。由于有机电致发光显示(ELD)装置采用固体材料代替液晶等流体材料，它在受到外部冲击时更加稳定。还有，有机电致发光显示(ELD)装置能够在比液晶显示(LCD)装置更加宽范的温度范围内工作。
有机电致发光显示(ELD)装置在产品成本的意义上还具有优势。具体地说，制造有机电致发光显示(ELD)装置的所有装置只需要使用淀积装置和封装装置，而液晶显示(LCD)装置或等离子体显示面板(PDP)需要许多类型的装置。因此，与液晶显示(LCD)装置或等离子体显示面板(PDP)的制造工艺相比，有机电致发光显示(ELD)装置的制造工艺非常简单。
可以将有机电致发光显示(ELD)装置按无源矩阵型和有源矩阵型来分类。对于无源矩阵型有机电致发光显示(ELD)装置而言，象素是在彼此交叉的扫描线和信号线之间按矩阵形成的。必须要按顺序驱动扫描线来驱动各个象素。因此，平均亮度取决于扫描线的数量。然而，对于有源矩阵型有机电致发光显示(ELD)装置的情况，要在各个子象素中形成用来切换该象素开、关的薄膜晶体管即开关元件。具体地说就是导通和关断连接到薄膜晶体管的一个象素电极。还要用第二电极作为公共电极。另外，对于有源矩阵型有机电致发光显示(ELD)装置的情况，要在一个存储电容CST中存储施加在象素上的电压，并且一直维持到施加下一帧的信号为止。因此，无论扫描线多少，象素能将信号一直保持到下一帧。由于有源矩阵型有机电致发光显示(ELD)装置能够用低直流(DC)获得同等的亮度，有源矩阵型有机电致发光显示(ELD)装置具有低功耗、高分辨率和大尺寸的优点。以下要参照图1描述有源矩阵型有机电致发光显示(ELD)装置的基本结构和工作特性。
图1是按照现有技术的有源矩阵型有机电致发光显示(ELD)装置中一个象素的电路图。在图1中，在第一方向上形成扫描线2，并在与第一方向垂直的第二方向上形成信号线和电源线4和6。信号线4和电源线6彼此分开，并通过与扫描线2的交叉限定一个子象素。在靠近扫描线2与信号线4交叉点的位置形成开关薄膜晶体管8即一个寻址元件。一个存储电容(CST)12被电连接到开关薄膜晶体管8和电源线6。一个驱动薄膜晶体管10即一个电流源元件被电连接到存储电容(CST)12和电源线6，而一个有机电致发光二极管14被电连接到驱动薄膜晶体管10。如果在正方向上对有机电致发光显示(ELD)装置的有机发光材料提供电流，电子和空穴会围绕用来提供空穴的阳极和用来提供端子的阴极之间的P-N结重新组合。组合的电子和空穴所需的能量比电子和空穴在没有组合时所需的能量要少。因此，有机电致发光显示(ELD)装置采用的原理是电子和空穴组合前、后之间的能量差会造成发光。
图2是现有技术的有源矩阵有机电致发光显示装置的一个截面图。在图2中，有机电致发光显示(ELD)装置具有彼此分开的第一和第二衬底10和50。在第一衬底10上形成包括在各个子象素中形成的多个薄膜晶体管的一个阵列元件层30。在阵列元件层30上对应着各个象素形成用电连接到薄膜晶体管的第一电极32。在第一电极32上形成用来在各个子象素中显示红(R)、绿(G)、蓝(B)色的有机发光层34，并在有机发光层34上形成第二电极38。有机发光层34与第一和第二电极32和38共同构成一个有机电致发光二极管元件“E”。用做封装的第二衬底50具有凹面部位52并在凹面部位52中填充吸收性干燥剂54。吸湿干燥剂54消除可能会渗入有机电致发光显示(ELD)装置内部的湿气和氧。在第一和第二衬底10和50之间设置密封剂70来粘结第一和第二衬底10和50就制成了有机电致发光显示(ELD)装置。
现有技术的底部发光型有机电致发光显示(ELD)装置一般是这样形成的，即在同一衬底上形成薄膜晶体管阵列部分和有机发光部分，然后将衬底粘结到一个封装结构上。如果薄膜晶体管阵列部分和有机发光部分是形成在同一衬底上，具有薄膜晶体管阵列部分和有机发光部分的面板的产量就取决于薄膜晶体管阵列部分和有机发光部分各自产量的乘积。然而，面板的产量会在很大程度上受有机发光层产量的影响。因此，如果因杂质和污染物而形成通常具有1000厚度薄膜的有缺陷的劣质有机发光层，这种面板就属于劣质面板。这样会导致生产成本和材料的浪费，从而降低面板的产量。
底部发光型有机电致发光显示(ELD)装置的优越性在于其图像稳定性高和灵活的制造工艺。然而，底部发光型有机电致发光显示(ELD)装置由于增大孔径比受到限制而不适合在需要高分辨率的装置中使用。反之，顶部发光型有机电致发光显示(ELD)装置是朝衬底上方发光。因此，发光不会影响到位于发光层以下的薄膜晶体管阵列部分。这样就能简化薄膜晶体管的设计。另外还能增大孔径比，从而提高有机电致发光显示(ELD)装置的使用寿命。然而，由于在顶部发光型有机电致发光显示(ELD)装置中通常要在有机发光层上面形成一个阴极，材料选择和光透射比受到限制，使得光透射效率降低。如果为了防止光透射比降低而形成一个薄膜型钝化层，薄膜钝化层有可能无法防止外部空气渗入到器件内部。
发明内容
本发明所涉及的一种有机电致发光显示(ELD)装置及其制造方法能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的这些问题。
本发明的一个目的是提供一种有机电致发光显示(ELD)装置，它具有多个电连接图形可用来提高产量和生产率。
本发明的另一目的是提供一种有机电致发光显示(ELD)装置的制造方法，它具有多个电连接图形可用来提高产量和生产率。
以下要说明本发明的附加特征和优点，有一些能够从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和广泛地说明，一种有机电致发光显示(ELD)装置包括在上面限定了多个子象素的第一和第二衬底，第一和第二衬底彼此分开并且面对；第一衬底上的阵列元件层，阵列元件层具有对应着各个子象素的多个薄膜晶体管；第二衬底内侧上的第一电极；第一电极下面的有机发光层；在有机发光层下面对应着各个子象素的第二电极；在阵列元件层与第二电极之间对应着各个子象素的多个电连接图形，电连接图形是用具有塑性变形特性的材料形成的；以及在第一和第二衬底之一上形成的密封图形，其中电连接图形的高度要小于在连接第一和第二衬底之前测量的电连接图形的原始高度。
电连接图形的高度最好是处于在第一和第二衬底粘结之前测得的电连接图形的原始高度的80～95％之间。可以用导电有机材料形成电连接图形。有机电致发光显示(ELD)装置还可以包括第二电极和电连接图形之间的一个保护电极，其中该保护电极所具有的图形结构对应着第二电极。可以通过保护电极将电连接图形电连接到第二电极。有机电致发光显示(ELD)装置还可以在阵列元件层上包括一个连接电极，其中将连接电极连接到薄膜晶体管。可以通过连接电极将电连接图形电连接到薄膜晶体管。薄膜晶体管具有栅极，源极和漏极，而连接电极连接到漏极。可以在阵列元件层上形成电连接图形。有机电致发光显示(ELD)装置是顶部发光型的。
按照另一方面，制造有机电致发光显示(ELD)装置的一种方法包括以下步骤，在限定了多个子象素的第一衬底上形成一个阵列元件层，阵列元件层具有对应着各个子象素的多个薄膜晶体管；在阵列元件层上对应着各个子象素形成具有第一高度的一个电连接图形，电连接图形是用具有塑性变形特性的材料形成的；在第二衬底上形成一个有机电致发光二极管，有机电致发光二极管具有第一和第二电极以及第一和第二电极之间的一个有机发光层；在第一和第二衬底之一上形成一个密封图形；并且将第一和第二衬底粘结到一起，其中电连接图形的第一高度由于在第一和第二衬底的粘结步骤中对电连接图形施加的塑性变形力被降低到第二高度。
该制造方法还可以包括以下步骤，在形成阵列元件层的步骤之后在阵列元件层上对应着各个子象素形成一个连接电极。形成阵列元件层的步骤可以包括形成具有一个栅极、一个源极和一个漏极的薄膜晶体管，其中将连接电极连接到漏极。该制造方法还可以包括一个步骤，即在形成有机电致发光二极管的步骤之后形成对应着各个子象素并具有对应着第二电极的图形结构的一个保护电极。该制造方法还可以包括在形成阵列元件层的步骤之后在阵列元件层上对应着各个子象素形成一个连接电极的步骤，以及在形成有机电致发光二极管的步骤之后形成对应着各个子象素并具有对应着第二电极的图形结构的一个保护电极的步骤。薄膜晶体管是一个驱动薄膜晶体管。有机电致发光显示(ELD)装置可以是顶部发光型的。
以下要说明本发明的附加特征和优点，有一些能够从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
附图说明
所包括的用来便于理解本发明并且作为本申请一个组成部分的附图表示了本发明的实施例，并连同说明书一起可用来解释本发明的原理。
图1是按照现有技术的有源矩阵型有机电致发光显示(ELD)装置中一个象素的电路图；
图2是现有技术的有源矩阵有机电致发光显示装置的一个截面图；
图3是按照本发明第一实施例的一种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一个截面图；
图4是按照本发明第二实施例的一种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一个截面图；
图5A和5B是电连接图形的截面图，用来解释本发明第二实施例中所需的塑性变形特性；
图6是按照本发明第三实施例的一种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一个截面图；
图7是按照本发明第四实施例的一种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一个截面图；以及
图8的流程图表示本发明的双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一种制造程序。
具体实施方式
以下要具体描述本发明的最佳实施例，在附图中表示了这些例子。
图3是按照本发明第一实施例的一种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一个截面图。在图3中，有机电致发光显示(ELD)装置100具有彼此分开并且彼此面对的第一和第二衬底110和150。在第一和第二衬底110和150上限定了多个子象素“SP”。
在第一衬底110上形成一个阵列元件层140，它具有在各个子象素中形成的多个薄膜晶体管“T”。在阵列元件层140上形成连接到薄膜晶体管“T”的连接电极142，并在连接电极142上形成接触到连接电极142的电连接图形144。所形成的电连接图形144可以具有包括绝缘材料的多层结构。电连接图形144可以省略连接电极142而直接连接到薄膜晶体管“T”。薄膜晶体管“T”具有半导体层112、栅极114、以及源极和漏极116和118，所述连接电极142电连接到漏极118。
在第二衬底150的内表面上形成第一电极152，并在第一电极152上形成一个有机发光层160，它包括分别用于红(R)、绿(G)、蓝(B)色的主发光层156a，156b和156c。在有机发光层160上对应着各个子象素“SP”形成多个第二电极162。具体地说，有机发光层160包括接触到第一电极152的第一载流子传输层154和接触到第二电极162的第二载流子传输层158，以及用于红(R)、绿(G)、蓝(B)色的主发光层156a、156b和156c。如果第一电极152是阳极且第二电极162是阴极，第一载流子传输层154就作为空穴输入层和空穴传输层，而第二载流子传输层158就作为电子传输层和电子输入层。第一和第二电极152和162及介于第一和第二电极152和162之间的有机发光层160构成一个有机电致发光二极管“E”。
按照本发明，来自薄膜晶体管“T”的电流通过连接电极142和电连接图形144传送到第二电极162。用第一和第二衬底110和150之间的密封图形170将第一和第二衬底110和150粘结到一起。尽管图3中没有表示，为每个子象素“SP”形成至少一个开关薄膜晶体管和至少一个驱动薄膜晶体管，并且图3中所示的薄膜晶体管“T”是驱动薄膜晶体管。
对于本发明第一实施例的双面板型有机电致发光显示(ELD)装置而言，如果各个子象素“SP”的电连接图形144不能将驱动薄膜晶体管“T”正确连接到第二电极162，就会出现点缺陷和不规则亮度分布等问题。为了克服所述问题，按照以下要参照图4所述的本发明第二实施例，电连接图形144可以采用具有塑性变形特性的材料。以下要描述的双面板型有机电致发光显示(ELD)装置和本发明第一实施例中一样是顶部发光型有机电致发光显示(ELD)装置。
图4是按照本发明第二实施例的一种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一个截面图。为了简单起见省略了对双面板型有机电致发光显示(ELD)装置200与本发明第一实施例中具有相同结构的那些元件的解释。在图4中，在上面形成有阵列元件层240的第一衬底210与具有包括第一和第二电极252和262以及一个有机发光层260的一个有机电致发光二极管“E”的第二衬底250彼此分开并且彼此面对。在第一和第二衬底210和250之间形成一个电连接图形244，用来将第一衬底210上的阵列元件层240与有机电致发光二极管“E”相连。为各个子象素“SP”形成具有塑性变形特性的材料的电连接图形244。尽管在图4中没有表示，理想的电连接图形244应该形成在子象素“SP”中心部位。如上所述，按照本发明第二实施例的一种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置是一种顶部发光型有机电致发光显示(ELD)装置，其中的有机发光层260朝着第一电极252即上电极252发光。由于与现有技术不同的是，光是透过一个代替薄钝化层的具有优良耐久性的衬底发射的，产品的可靠性有所提高。另外，由于有机电致发光二极管“E”是与阵列元件层形成在不同的衬底上，能够增大孔径比，与薄膜晶体管“T”的结构无关。
当电连接图形244被连接到阵列元件层240和第二电极262上时，电连接图形244受压缩，并且由于电连接图形244是用具有塑性变形特性的材料制成的，电连接图形244的高度“I”因压缩而减小。采用具有塑性变形特性的电连接图形244能够改善阵列元件层240与有机电致发光二极管“E”之间的接触特性。具有塑性变形特性的电连接图形244最好是用导电有机材料制成。
图5A和5B是电连接图形的截面图，用来解释本发明第二实施例所需的塑性变形特性。图5A和5B分别是具有三角形截面和矩形截面的电连接图形。在图5A中，电连接图形246在被连接到阵列元件层240和有机电致发光二极管“E”上之前的原始高度被定义为第一高度“IIa”，电连接图形246在连接之后的高度被定义为第二高度“IIb”，而第一高度“IIa”与第二高度“IIb”之间的差被定义为第三高度“IIc”。第一和第三高度“IIa”和“IIc”最好能满足以下公式EQ1。
(IIc/IIa)×100＝5～20％    (EQ1)
对图5B中所示具有矩形截面的电连接图形248可以采用同样的原理。如果电连接图形248在被连接到阵列元件层240和有机电致发光二极管“E”上之前的原始高度被定义为第四高度“IIIa”，电连接图形248在连接之后的高度被定义为第五高度“IIIb”，而第四高度“IIIa”与第五高度“IIIb”之间的差被定义为第六高度“IIIc”。第四和第六高度“IIIa”和“IIIc”最好能满足以下公式EQ2。
(IIIc/IIIa)×100＝5～20％        (EQ2)
如上所述，按照本发明的实施例，电连接图形的塑性变形范围最好在5％到20％之间。通常被用作有机电致发光显示(ELD)装置的基板的玻璃衬底的平坦度一般在5％以上。因此，如果电连接图形所具有的塑性变形范围在5％以下，电连接图形就不会接触到图4中的阵列元件层240和图4中的有机电致发光二极管“E”，而不足以从图4中的薄膜晶体管“T”向图4中的第二电极262传送电信号。另一方面，如果图4中电连接图形244所具有的塑性变形范围在20％以上，图4中电连接图形244过度的塑性变形力可能会造成图4中有机电致发光显示(ELD)装置200的阵列元件发生断裂，从而造成有机电致发光显示(ELD)装置200的故障。本发明第二实施例的电连接图形244所需的上述塑性变形范围同样适用于以下所述的实施例。
图6是按照本发明第三实施例的一种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一个截面图。在图6中，按照本发明第三实施例的有机电致发光显示(ELD)装置300具有第一衬底310，在上面形成有一个阵列元件层340，第二衬底350，在上面形成有一个有机电致发光二极管“E”，以及在第一和第二衬底310和350之间形成的一个电连接图形344。电连接图形344是用具有塑性变形特性的材料形成的，并且将阵列元件层340与有机电致发光二极管“E”电连接。
按照本发明的第三实施例，还要在第二电极362上形成对应着各个子象素的额外保护电极364。相应地将电连接图形344电连接到漏极318和第二电极362。保护电极364被设置在第二电极362和电连接图形344之间，并具有与第二电极362相对应的图形结构。保护电极364被用作一类缓冲电极，保护第二电极362免受电连接图形344的塑性变形力的损伤。电连接图形344所具有的高度“IV”是因电连接图形344的塑性变形力比原始高度降低了5～20％程度的一个高度。这样，电连接图形344的塑性变形力就能改善电连接图形344与阵列元件层340和电连接图形344与有机电致发光二极管“E”之间的接触特性。本发明第三实施例的电连接图形344可以象本发明第二实施例中一样用导电有机材料制成。
图7是按照本发明第四实施例的一种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一个截面图。在图7中，按照本发明第四实施例的有机电致发光显示(ELD)装置400具有第一衬底410，它具有一个阵列元件层440，与第一衬底410相对的第二衬底450，它具有一个有机电致发光二极管“E”，以及第一和第二衬底410和450之间的电连接图形444。电连接图形444是用具有塑性变形特性的材料形成的，并且电连接到阵列元件层440和有机电致发光二极管“E”。在各个子象素“SP”的第二电极462上形成保护电极464，并在阵列元件层440上形成一个连接电极442。也就是说，保护电极464被设置在第二电极462与电连接图形444之间，并具有对应着第二电极462的图形结构。由于连接电极442被电连接到一个漏极418，且电连接图形444电连接到保护电极464和连接电极442，来自薄膜晶体管“T”的电信号能够通过电连接图形444传送到第二电极462。电连接图形444所具有的高度“V”是因电连接图形444的塑性变形力比原始高度降低了5～20％程度的一个高度。这样，电连接图形444的塑性变形力就能改善电连接图形444与阵列元件层440和电连接图形444与有机电致发光二极管“E”之间的接触特性。
本发明第四实施例的电连接图形444可以象本发明前述实施例中一样用导电有机材料制成。如上所述，连接电极442被电连接到薄膜晶体管“T”的漏极418，并且用来保护漏极418免受第一和第二衬底410和450之间的连接力和电连接图形444的塑性变形力。如果电连接图形444没有额外连接电极442就通过贯通一个钝化层422形成的漏极接触孔420电连接到漏极418，接触特性会由于电连接图形444与漏极418之间的接触面积小而变差。然而，由于电连接图形444是通过中间连接电极442电连接到漏极418的，通过扩大电连接图形444与漏极418之间的接触面积能够明显改善接触特性。
图8表示本发明的双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的一例制造程序的流程图。按照本发明的一方面是以双面板型有机电致发光显示(ELD)装置的制造程序为例，它具有具备塑性变形特性的电连接图形、一个连接电极、和一个保护电极。在第一步(图8中的ST1)，在第一衬底上形成一个阵列元件层，并在第二衬底上形成一个有机电致发光二极管。在第一衬底上形成阵列元件层的过程包括以下步骤，形成一个具有一个栅极、一个源极、和一个漏极的薄膜晶体管，形成具有能暴露出一部分漏极的漏极接触孔的一个钝化层，形成通过漏极接触孔连接到漏极的一个连接电极，并在连接电极上形成一个电连接图形。连接电极和电连接图形是用导电材料形成的。具体地说，电连接图形是用具有塑性变形特性的材料形成的，并最好采用塑性变形范围在5～20％的材料来形成。这样的电连接图形可以用导电有机材料形成。
在上面限定有多个子象素“SP”的第二衬底上形成有机电致发光二极管的过程包括以下步骤，在第二衬底上形成第一电极，形成一个有机发光层，它具有用于红(R)、绿(G)、蓝(B)色的发光层，在发光层上对应着各个子象素形成一个第二电极，并在第二电极上形成一个保护电极。保护电极具有对应着第二电极的图形结构。由第一和第二电极以及有机发光层构成有机电致发光二极管。可以按阴影掩模方法或分割利用方法为各个子象素单独形成有机发光层和第二电极。也就是说，有机发光层和第二电极可以按照阴影掩模方法通过对有机发光层和第二电极依次构图在各个子象素内形成，或者不用执行额外的构图步骤，而是通过在各个子象素的边界形成多个分割来自动地在各个子象素内单独形成。
可以用导电材料形成保护电极，并可以形成理想的厚度作为一个缓冲器。用来形成第一和第二衬底的第一步ST1包括一个密封图形形成步骤。也就是说，在第一和第二衬底之一上形成密封图形用来粘结第一和第二衬底。在第二步(图8中的ST2)，用密封图形将第一和第二衬底粘结到一起，并且这一步骤包括对电连接图形施加塑性变形力的步骤，以便电连接第一衬底上的阵列元件层和第二衬底上的有机电致发光二极管。当电连接图形受到塑性变形力时，电连接图形被压缩到一定高度。本发明的电连接图形的理想塑性变形范围是5～20％。由于电连接图形存在塑性变形特性，阵列元件层与有机电致发光二极管之间的接触特性能够得到改善。
如上所述，具有塑性变形特性的电连接图形的这种双面板型有机电致发光显示(ELD)装置具有以下的优点。第一，由于阵列元件层和有机电致发光二极管是分别形成在不同衬底上的，能够提高产量并能延长产品的寿命周期。第二，由于按照本发明的双面板型有机电致发光显示(ELD)装置是顶部发光型的，便于薄膜晶体管的设计，并且能获得高孔径比和高分辨率。第三，由于第一衬底上的阵列元件层和有机电致发光二极管是通过具有塑性变形特性的电连接图形实现电连接的，电连接图形的塑性变形力能够改善阵列元件层与有机电致发光二极管之间的接触特性。
显然，本领域的技术人员无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的制造和应用作出各种各样的修改和变更。因此，本发明的意图是要覆盖权利要求书及其等效物范围内的修改和变更。

Claims (23)

1.一种有机电致发光显示(ELD)装置，包括：
在上面限定了多个子象素的第一和第二衬底，第一和第二衬底彼此分开并且面对；
第一衬底上的阵列元件层，阵列元件层具有对应着各个子象素的多个薄膜晶体管；
第二衬底内侧上的第一电极；
第一电极下面的有机发光层；
在有机发光层下面对应着各个子象素的第二电极；
在阵列元件层与第二电极之间对应着各个子象素的多个电连接图形，电连接图形是用具有塑性变形特性的材料形成的；以及
在第一和第二衬底之一上形成的密封图形，
其中电连接图形的高度要小于在第一和第二衬底粘结之前测得的电连接图形的原始高度。
2.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，电连接图形的高度处于在第一和第二衬底粘结之前测得的电连接图形的原始高度的80～95％之间。
3.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，用导电有机材料形成电连接图形。
4.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括第二电极和电连接图形之间的一个保护电极，其中该保护电极所具有的图形结构对应着第二电极。
5.按照权利要求4所述的装置，其特征在于，通过保护电极将电连接图形电连接到第二电极。
6.按照权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括在阵列元件层上的一个连接电极，其中连接电极被连接到薄膜晶体管。
7.按照权利要求6所述的装置，其特征在于，通过连接电极将电连接图形电连接到薄膜晶体管。
8.按照权利要求7所述的装置，其特征在于，薄膜晶体管具有栅极、源极和漏极，而连接电极连接到漏极。
9.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括阵列元件层上的连接电极，其中连接电极被连接到薄膜晶体管。
10.按照权利要求9所述的装置，其特征在于，通过连接电极将电连接图形电连接到薄膜晶体管。
11.按照权利要求10所述的装置，其特征在于，薄膜晶体管具有栅极、源极和漏极，而连接电极连接到漏极。
12.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，在阵列元件层上形成电连接图形。
13.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，有机电致发光显示(ELD)装置是顶部发光型的。
14.一种制造有机电致发光显示(ELD)装置的方法，包括以下步骤：
在限定了多个子象素的第一衬底上形成一个阵列元件层，阵列元件层具有对应着各个子象素的多个薄膜晶体管；
在阵列元件层上对应着各个子象素形成具有第一高度的一个电连接图形，电连接图形是用具有塑性变形特性的材料形成的；
在第二衬底上形成一个有机电致发光二极管，有机电致发光二极管具有第一和第二电极以及第一和第二电极之间的一个有机发光层；
在第一和第二衬底之一上形成一个密封图形；并且
将第一和第二衬底粘结到一起，其中电连接图形的第一高度由于在第一和第二衬底的粘结步骤中对电连接图形施加的塑性变形力被降低到第二高度。
15.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，第二高度处在第一高度的80～95％之间。
16.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，电连接图形是用导电有机材料形成的。
17.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤，在形成阵列元件层的步骤之后在阵列元件层上对应着各个子象素形成一个连接电极。
18.按照权利要求17所述的方法，其特征在于，形成阵列元件层的步骤包括形成具有一个栅极、一个源极和一个漏极的薄膜晶体管，其中将连接电极连接到漏极。
19.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括一个步骤，在形成有机电致发光二极管的步骤之后形成对应着各个子象素并具有对应着第二电极的图形结构的一个保护电极。
20.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括在形成阵列元件层的步骤之后在阵列元件层上对应着各个子象素形成一个连接电极的步骤，以及在形成有机电致发光二极管的步骤之后形成对应着各个子象素并具有对应着第二电极的图形结构的一个保护电极的步骤。
21.按照权利要求20所述的方法，其特征在于，形成阵列元件层的步骤包括形成具有一个栅极、一个源极和一个漏极的薄膜晶体管，其中将连接电极连接到漏极。
22.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，薄膜晶体管是一个驱动薄膜晶体管。
23.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，有机电致发光显示(ELD)装置是顶部发光型的。
CNB2003101022033A 2002-10-29 2003-10-24 双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法 Expired - Lifetime CN100435377C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0066188 2002-10-29
KR10-2002-0066188A KR100460210B1 (ko) 2002-10-29 2002-10-29 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1499909A true CN1499909A (zh) 2004-05-26
CN100435377C CN100435377C (zh) 2008-11-19

Family

ID=32105663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101022033A Expired - Lifetime CN100435377C (zh) 2002-10-29 2003-10-24 双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7187118B2 (zh)
KR (1) KR100460210B1 (zh)
CN (1) CN100435377C (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1893743B (zh) * 2005-06-30 2010-05-12 乐金显示有限公司 有机发光器件
US7821198B2 (en) 2006-06-30 2010-10-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same
US7956534B2 (en) 2005-12-12 2011-06-07 Lg Display Co., Ltd. Light emitting device
US8217571B2 (en) 2006-12-13 2012-07-10 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
CN104716269A (zh) * 2013-12-11 2015-06-17 东京毅力科创株式会社 有机el组件及其制造方法
WO2016106472A1 (zh) * 2014-12-30 2016-07-07 孙润光 一种主动驱动无机发光二极管显示器件结构
CN107863372A (zh) * 2017-10-27 2018-03-30 朱秋华 一种双面oled显示面板、显示装置及其制备方法
CN108962938A (zh) * 2017-12-26 2018-12-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 双面显示的面板结构及显示装置

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
CN1768556A (zh) * 2003-04-08 2006-05-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 双面发光设备
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
KR100579549B1 (ko) * 2003-12-31 2006-05-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR100652352B1 (ko) 2004-05-10 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP2006004907A (ja) * 2004-05-18 2006-01-05 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
US20060049751A1 (en) * 2004-09-07 2006-03-09 Jiun-Haw Lee Display device with dual display areas
KR100665941B1 (ko) * 2004-09-17 2007-01-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
US8344410B2 (en) * 2004-10-14 2013-01-01 Daktronics, Inc. Flexible pixel element and signal distribution means
US7868903B2 (en) 2004-10-14 2011-01-11 Daktronics, Inc. Flexible pixel element fabrication and sealing method
US7893948B1 (en) 2004-10-14 2011-02-22 Daktronics, Inc. Flexible pixel hardware and method
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
KR101319468B1 (ko) * 2005-12-02 2013-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
KR101252083B1 (ko) * 2005-12-22 2013-04-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101251375B1 (ko) * 2005-12-30 2013-04-05 엘지디스플레이 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자
EP2008264B1 (en) 2006-04-19 2016-11-16 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
KR101318753B1 (ko) * 2008-06-05 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
US8022621B2 (en) * 2008-07-31 2011-09-20 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR20100054002A (ko) * 2008-11-13 2010-05-24 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8497828B2 (en) 2009-11-12 2013-07-30 Ignis Innovation Inc. Sharing switch TFTS in pixel circuits
CN102326448B (zh) * 2010-03-01 2015-03-25 松下电器产业株式会社 有机el装置及其制造方法
CN102566842B (zh) * 2010-12-06 2014-10-29 乐金显示有限公司 静电电容型触摸屏面板
CN105869575B (zh) 2011-05-17 2018-09-21 伊格尼斯创新公司 操作显示器的方法
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
CN105247462A (zh) 2013-03-15 2016-01-13 伊格尼斯创新公司 Amoled显示器的触摸分辨率的动态调整
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
CN105718105B (zh) * 2015-12-25 2018-12-11 业成科技（成都）有限公司 有机发光二极管触控显示面板
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0431299U (zh) * 1990-07-06 1992-03-13
US5276380A (en) 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
US5294869A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5701055A (en) 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5952037A (en) 1995-03-13 1999-09-14 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing the same
JP3530362B2 (ja) 1996-12-19 2004-05-24 三洋電機株式会社 自発光型画像表示装置
JPH10186395A (ja) * 1996-12-26 1998-07-14 Optrex Corp 液晶表示素子
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JPH10333601A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法
TW459275B (en) * 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
US6426245B1 (en) * 1999-07-09 2002-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP2001117509A (ja) * 1999-10-14 2001-04-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ表示装置
US6639265B2 (en) * 2000-01-26 2003-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
JP3593975B2 (ja) * 2000-12-04 2004-11-24 ソニー株式会社 ディスプレイ装置、電子機器およびディスプレイ装置の製造方法
KR100365519B1 (ko) * 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
KR100464864B1 (ko) * 2002-04-25 2005-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1893743B (zh) * 2005-06-30 2010-05-12 乐金显示有限公司 有机发光器件
US8247966B2 (en) 2005-06-30 2012-08-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US7956534B2 (en) 2005-12-12 2011-06-07 Lg Display Co., Ltd. Light emitting device
US7821198B2 (en) 2006-06-30 2010-10-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same
US8217571B2 (en) 2006-12-13 2012-07-10 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
CN104716269A (zh) * 2013-12-11 2015-06-17 东京毅力科创株式会社 有机el组件及其制造方法
WO2016106472A1 (zh) * 2014-12-30 2016-07-07 孙润光 一种主动驱动无机发光二极管显示器件结构
CN107112382A (zh) * 2014-12-30 2017-08-29 孙润光 一种主动驱动无机发光二极管显示器件结构
CN107112382B (zh) * 2014-12-30 2019-04-26 孙润光 一种主动驱动无机发光二极管显示器件结构
CN107863372A (zh) * 2017-10-27 2018-03-30 朱秋华 一种双面oled显示面板、显示装置及其制备方法
CN108962938A (zh) * 2017-12-26 2018-12-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 双面显示的面板结构及显示装置
CN108962938B (zh) * 2017-12-26 2021-03-09 广东聚华印刷显示技术有限公司 双面显示的面板结构及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040037623A (ko) 2004-05-07
US20040080262A1 (en) 2004-04-29
US7187118B2 (en) 2007-03-06
KR100460210B1 (ko) 2004-12-04
CN100435377C (zh) 2008-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100435377C (zh) 双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法
CN100515153C (zh) 有机电致发光器件及其制造方法
CN100530752C (zh) 有机电致发光器件及其制造方法
CN100355083C (zh) 双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法
CN100355084C (zh) 双板型有机电致发光显示装置及其制造方法
CN100353559C (zh) 双面板型有机电致发光装置及其制造方法
KR100885843B1 (ko) 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
CN1638556A (zh) 双板型有机电致发光器件及其制造方法
CN100344010C (zh) 有机电致发光面板
CN1440223A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法
CN1512829A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法
CN1455630A (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1477912A (zh) 双面板型有机电致发光显示装置
CN1454034A (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1638542A (zh) 有机电致发光器件
CN1713786A (zh) 有机电致发光显示设备及其制造方法
CN1477913A (zh) 双板型有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1638577B (zh) 有机电致发光显示器及其制造方法
CN1455628A (zh) 有机电致发光显示器件及其制造方法
CN1921142A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN1856198A (zh) 平板显示装置
CN1638563A (zh) 带支撑板的有机电致发光器件及其制作方法
CN1638579A (zh) 有机电致发光器件
CN1638540A (zh) 有机电致发光显示器件
CN1638560A (zh) 有机电致发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20081119