KR20050122582A - 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기전계발광 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의한 유기전계발광 소자는, 유기전계발광 소자의 각 서브픽셀에 있어서, 각 서브픽셀에 대응하여 다각형 구조로 형성되는 버퍼와; 각각의 서브픽셀이 분리되도록 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 형성되는 격벽과; 상기 각 서브픽셀의 버퍼 내측에 위치하는 발광영역과; 상기 다각형 구조 버퍼의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 위치하는 전기적 연결부가 포함되어 구성됨을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 각 서브픽셀의 외곽을 다각형 구조로 형성하고, 상기 픽셀 내 발광영역의 모서리를 라운드 처리하며, 또한, 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 전도성 스페이서 접촉 영역 또는 콘택홀이 상기 라운드 처리된 모서리의 일측에 형성됨으로써, 고분자 물질로 이루어지는 유기전계발광층을 균일하게 형성하고, 개구율을 향상시키는 장점이 있다.

Description

유기전계발광 소자 및 그 제조방법{Organic Electro luminescence Device and fabrication method thereof}
본 발명은 유기전계발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 상부발광 방식의 유기전계발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
평판디스플레이(FPD ; Flat Panel Display) 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(LCD ; Liquid Crystal Display Device)가 가장 주목받는 디스플레이 소자였지만, 상기 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며 밝기, 콘트라스트(contrast), 시야각, 그리고 대면적화 등에 기술적 한계가 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판디스플레이 소자에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.
새로운 평판디스플레이 중 하나인 상기 유기전계발광 소자는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다.
그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용 온도범위도 넓으며, 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다.
특히, 상기 유기전계발광 소자의 제조공정에는, 액정표시장치나 PDP(Plasma Display Panel)와 달리 증착 및 봉지(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에, 공정이 매우 단순하다.또한, 각 화소마다 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 가지는 액티브 매트릭스방식으로 유기전계발광 소자를 구동하게 되면, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비 전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가진다.
도 1은 종래의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도로서, 이는 하부 발광방식으로 동작하는 AMOLED의 단면 구조를 나타내고 있다.
도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(10, 30)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 30)의 가장자리부는 씰패턴(40 ; seal pattern)에 의해 봉지되어 있는 구조에 있어서, 제 1 기판(10)의 투명 기판(1) 상부에는 서브 픽셀별로 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T)와 연결되어 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T) 및 제 1 전극(12) 상부에는 박막트랜지스터(T)와 연결되어 제 1 전극(12)과 대응되게 배치되는 적(Red), 녹(Green), 청(Blue) 컬러를 띠는 발광물질을 포함하는 유기전계발광층(14)이 형성되어 있고, 유기전계발광층(14) 상부에는 제 2 전극(16)이 형성되어 있다.
상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 유기전계발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 한다.
그리고, 전술한 씰패턴(40)에 의해서 제 2 전극(16)과 제 2 기판(30) 사이는 일정간격 이격되어 있으며, 도면으로 제시하지는 않았지만, 제 2 기판(30)의 내부면에는 외부로부터 인입되는 수분을 흡수하는 흡습제(미도시) 및 흡습제와 제 2 기판(30)간의 접착을 위한 반투성 테이프(미도시)가 포함된다.
한 예로, 하부발광방식 구조에서 상기 제 1 전극(12)을 양극(anode)으로, 제 2 전극(16)을 음극(cathode)으로 구성할 경우 제 1 전극(12)은 투명도전성 물질에서 선택되고, 제 2 전극(16)은 일함수가 낮은 금속물질에서 선택되며, 이런 조건 하에서 상기 유기전계발광층(14)은 제 1 전극(12)과 접하는 층에서부터 정공주입층(14a ; hole injection layer), 정공수송층(14b ; hole transporting layer), 발광층(14c ; emission layer), 전자수송층(14d ; electron transporting layer) 순서대로 적층된 구조를 이룬다.
이때, 상기 발광층(14c)은 서브픽셀별로 적, 녹, 청 컬러를 구현하는 발광물질이 차례대로 배치된 구조를 가진다.
이와 같이, 기존의 유기전계발광 소자는 어레이 소자(A)와 유기전계발광 다이오드(E)가 동일 기판 상에 적층된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하였다.
그러나, 앞서 설명한 종래의 하부 발광방식의 유기전계발광 소자는, 상기 어레이 소자 및 유기전계발광 다이오드가 형성된 기판과 별도의 인캡슐레이션용 기판의 합착을 통해 소자를 제작하는데, 이 경우 어레이 소자의 수율과 유기전계발광 다이오드의 수율의 곱이 유기전계발광 소자의 수율을 결정하기 때문에, 후반 공정에 해당되는 유기전계발광 다이오드 공정에 의해 전체 공정 수율이 크게 제한되는 문제점이 있다.
예를 들어, 어레이 소자가 양호하게 형성되었다 하더라도, 1000Å 정도의 박막을 사용하는 유기전계발광층의 형성 시 이물이나 기타 다른 요소에 의해 불량이 발생하게 되면, 유기전계발광 소자는 불량 등급으로 판정된다.
이로 인하여, 양품의 어레이 소자를 제조하는데 소요되었던 제반 경비 및 재료비 손실이 초래되고, 생산수율이 저하되는 문제점이 있다.
그리고, 하부발광방식은 인캡슐레이션에 의한 안정성 및 공정이 자유도가 높은 반면 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려운 문제점이 있고, 상부발광방식은 박막트랜지스터 설계가 용이하고 개구율 향상이 가능하기 때문에 제품수명 측면에서 유리하지만, 기존의 상부발광방식 구조에서는 유기전계발광층 상부에 통상적으로 음극이 위치함에 따라 재료선택폭이 좁기 때문에 투과도가 제한되어 광효율이 저하되는 등의 문제점이 있다.
본 발명은 상부발광 방식의 유기전계발광 소자에 있어서, 각 서브픽셀의 외곽을 다각형 구조로 형성하고, 상기 서브픽셀 내 발광영역의 모서리를 라운드처리하며, 또한, 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 전도성 스페이서의 접촉부 또는 콘택홀이 상기 다각형 구조의 서브픽셀 모서리 일측에 형성됨으로써, 고분자 물질로 이루어지는 유기전계발광층을 균일하게 형성하고, 개구율을 향상시키는 유기전계발광 소자 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 유기전계발광 소자는, 유기전계발광 소자의 각 서브픽셀에 있어서,
각 서브픽셀에 대응하여 다각형 구조로 형성되는 버퍼와; 각각의 서브픽셀이 분리되도록 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 형성되는 격벽과; 상기 각 서브픽셀의 버퍼 내측에 위치하는 발광영역과; 상기 다각형 구조 버퍼의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 위치하는 전기적 연결부가 포함되어 구성됨을 특징으로 한다.
여기서, 상기 발광영역은 모서리부가 라운드 처리되어 있고, 상기 발광영역 내에는 유기전계발광층이 형성되며, 상기 유기전계발광층과 면접되는 양 면에는 각각 제 1전극 및 제 2전극이 형성되고, 상기 유기전계발광층은 고분자 유기발광 물질로 이루어지며, 상기 전기적 연결부는 상기 발광영역에 형성된 유기전계발광층에 소정의 전압을 제공토록 하기 위해 제 1전극 또는 제 2전극과 연결되고, 상기 전기적 연결부는 전도성 스페이서 접촉 영역 또는 콘택홀일 수 있다.
이 때, 상기 전도성 스페이서 접촉 영역으로서의 전기적 연결부가 구비되는 유기전계발광소자는, 어레이 소자 및 유기전계발광층이 별도의 기판에 형성되는 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자이다.
이 경우 상기 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자는,
화상이 구현되는 영역인 서브픽셀이 정의되어 있으며, 서로 일정간격 이격되어 배치된 제 1, 2 기판과; 상기 제 1기판 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자와; 상기 어레이 소자의 구동 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 전도성 스페이서와; 상기 제 2기판 내부면에 위치하는 유기전계발광 다이오드 소자용 제 1전극과; 상기 제 1전극 상에 서브픽셀 단위로 순차적으로 형성된 유기전계발광층 및 제 2전극이 포함되며, 상기 제 2전극 상에 구비된 상기 전기적 연결부에 상기 전도성 스페이서가 접촉되도록 상기 제 1기판 및 제 2기판이 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되어 합착됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 콘택홀로서의 전기적 연결부가 구비되는 유기전계발광 소자는, 어레이 소자 및 유기전계발광층이 단일 기판에 형성되는 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자이며,
이 경우 상기 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자는,
기판 상에 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의되는 구획영역 내에 형성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터가 형성된 기판 상에 순차적으로 형성되는 보호막 및 제 1전극과; 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극이 노출되도록 상기 드레인 전극 상부에 형성된 상기 보호막 및 제 1전극의 일부 영역에 형성된 상기 전기적 연결부로서의 콘택홀과; 상기 구획영역을 이루는 게이트 라인 및 데이터 라인과 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되도록 형성되는 서브픽셀 구조 내의 발광영역 및 콘택홀을 포함하는 영역을 정의하는 버퍼 및 격벽과; 상기 버퍼 내부에 의해 정의된 발광 영역 내에 형성되는 유기전계발광층과; 상기 유기전계발광층 상부에 형성되며, 상기 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 제 2전극으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 발광영역은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 제 2전극과, 상기 제 2전극의 하부에 구성되는 유기 발광층과, 상기 유기 발광층과 접하는 제 1전극이 구성되고, 상기 구획영역과, 그에 대응하는 서브픽셀 영역이 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되도록 형성됨을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 유기전계발광소자의 제조방법은, 서브픽셀 단위로 적어도 하나의 박막트랜지스터를 갖는 어레이 소자가 구비된 제 1기판이 구비되는 단계와; 상기 어레이 소자의 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 전도성 스페이서가 형성되는 단계와; 제 2기판 상에 제 1전극이 형성되는 단계와; 상기 제 1전극 상에 상기 제 1기판에 구비된 어레이 소자에 대응되도록 서브픽셀 단위로 다각형 구조의 버퍼 및 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 격벽이 형성되고, 상기 버퍼 내측에 발광영역이 구비되는 단계와; 상기 발광영역 내에 유기전계발광층 및 제 2전극이 순차적으로 형성되고, 상기 다각형 구조 버퍼의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 형성된 제 2전극 상부에 전기적 연결부가 구비되는 단계와; 상기 제 2전극 상에 구비된 상기 전기적 연결부에 상기 전도성 스페이서가 접촉되도록 상기 제 1기판 및 제 2기판이 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되어 합착되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기전계발광 소자의 제조방법은, 기판 상에 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의되는 구획영역 내에 박막트랜지스터가 형성되는 단계와; 상기 박막트랜지스터가 형성된 기판 상에 순차적으로 보호막 및 제 1전극이 형성되는 단계와; 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극이 노출되도록 상기 드레인 전극 상부에 형성된 상기 보호막 및 제 1전극의 일부 영역에 전기적 연결부로서의 콘택홀이 형성되는 단계와; 상기 구획영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되며, 상기 구획영역에 대응되는 서브픽셀 단위로 다각형 구조의 버퍼 및 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 격벽이 형성되고, 상기 버퍼 내측에 발광영역이 구비되는 단계와; 상기 버퍼에 의해 정의된 발광영역 내에 유기 발광층이 형성되는 단계와; 상기 유기 발광층 상부에 제 2전극이 형성되며, 상기 제 2전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 한다.
앞서 설명한 종래의 하부발광 방식 및 상부발광 방식의 유기전계발광 소자의 문제점을 극복하게 위한 구조로 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자를 들 수 있으며, 이하 본 발명의 설명에 앞서 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 대해 설명하도록 한다.
도 2는 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도로서, 설명의 편의상 하나의 픽셀 영역을 중심으로 도시하였다.
도시한 바와 같이, 서로 일정간격 이격 되게 제 1, 2 기판(110, 130)이 배치되어 있고, 제 1 기판(110)의 투명 기판(100) 내부면에는 어레이 소자(120)가 형성되어 있고, 제 2 기판(130)의 투명 기판(101) 내부면에는 유기전계발광 다이오드 소자(E)가 형성되어 있으며, 상기 제 1 및 2기판(110, 130)의 가장자리부는 씰패턴(140 ; seal pattern)에 의해 봉지 된다.
상기 유기전계발광 다이오드(E)에는, 공통전극으로 이용되는 제 1 전극(132)과, 제 1 전극(132) 하부에서 서브픽셀별 경계부에 위치하는 격벽(134 ; second electrode separator)과, 격벽(134)내 영역에서 유기전계발광층(136), 제 2 전극(138)이 차례대로 서브픽셀 단위로 분리된 패턴으로 형성되어 있다.
또한, 각 서브픽셀 내에 형성되는 유기전계발광층(136) 형성부 즉, 발광영역을 구획하는 역할을 수행하는 버퍼(133)가 상기 격벽(134) 하부에 구비된다.
즉, 상기 버퍼(133)는 각 서브픽셀의 발광영역을 구획하도록 형성되고, 상기 버퍼(133)의 소정 영역에 상기 격벽(134)이 형성되는 것이며, 상기 격벽(134)은 각각의 서브픽셀을 분리하는 역할을 수행하는 것이다.
상기 유기전계발광층(136)은 제 1 캐리어 전달층(136a), 발광층(136b), 제 2 캐리어 전달층(136c)가 차례대로 적층된 구조로 이루어지며, 상기 제 1, 2 캐리어 전달층(136a, 136c)은 발광층(136b)에 전자(electron) 또는 정공(hole)을 주입(injection) 및 수송(transporting)하는 역할을 한다.
상기 제 1, 2 캐리어 전달층(136a, 136c)은 양극 및 음극의 배치구조에 따라 정해지는 것으로, 한 예로 상기 발광층(136b)이 고분자 물질에서 선택되고, 제 1 전극(132)을 양극, 제 2 전극(138)을 음극으로 구성하는 경우에는 제 1 전극(132)과 연접하는 제 1 캐리어 전달층(136a)은 정공주입층, 정공수송층이 차례대로 적층된 구조를 이루고, 제 2 전극(138)과 연접하는 제 2 캐리어 전달층(136c)은 전자주입층, 전자수송층이 차례대로 적층된 구조로 이루어진다.
또한, 상기 유기전계발광층(136)은 고분자 물질 또는 저분자 물질로 형성할 수 있는데, 저분자 물질로 형성하는 경우는 진공 증착법을 통해 형성하고, 고분자 물질로 형성하는 경우는 잉크젯 방법을 통해 형성하게 된다.
그리고, 상기 어레이 소자(120)는 박막트랜지스터(T)를 포함하는 소자로써 유기전계발광 소자를 구동시키는 전기적 구동부의 역할을 수행하며, 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 전류를 공급하기 위하여, 서브픽셀 단위로 제 2 전극(138)과 박막트랜지스터(T)를 연결하는 위치에 기둥형상의 전도성 스페이서(114)가 위치한다.
상기 전도성 스페이서(114)는 일반적인 액정표시장치용 스페이서와 달리, 셀갭 유지 기능보다 두 기판을 전기적으로 연결시키는 것을 주목적으로 하는 것으로, 두 기판 간의 사이 구간에서 기둥형상으로 일정 높이를 가지는 특성을 갖는다.
즉, 상기 전도성 스페이서(114)는 제 1기판(110)에 서브픽셀 단위로 구비된 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(112)과 제 2기판(130)에 구비된 제 2전극(138)을 전기적으로 연결하는 역할을 수행하는 것으로, 유기절연막 등으로 형성된 기둥형상의 스페이서에 금속이 입혀진 것이며, 이는 제 1, 2기판(110, 130)의 픽셀을 일대일로 합착하여 전류를 통하게 하는 역할을 한다.
상기 전도성 스페이서(114)와 박막트랜지스터(T)의 연결부위를 좀 더 상세히 설명하면, 박막트랜지스터(T)를 덮는 영역에 드레인 전극(112)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(122)을 가지는 보호층(124)이 형성되어 있고, 보호층(124) 상부에는 드레인 콘택홀(122)을 통해 드레인 전극(112)과 연결되어 전도성 스페이서(114)가 위치한다.
여기서, 상기 박막트랜지스터(T)는, 상기 유기전계발광 다이오드(E)와 연결되는 구동용 박막트랜지스터에 해당된다.
상기 전도성 스페이서(114)의 외부를 이루는 금속은 전도성 물질에서 선택되며, 바람직하기로는 연성을 띠고, 비저항값이 낮은 금속물질에서 선택되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 유기전계발광층(136)에서 발광된 빛을 제 2 기판(130) 쪽으로 발광시키는 상부발광방식인 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 상기 제 1 전극(132)은 투광성을 가지는 도전성 물질에서 선택되는 것을 특징으로 하고, 상기 제 2 전극(138)은 불투명 금속물질에서 선택되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1, 2 기판(110, 130)간의 이격공간(I)은 비활성 기체 또는 절연성 액체로 채워질 수 있다.
도면으로 제시하지 않았지만, 상기 어레이 소자(120)는 주사선과, 주사선과 교차하며, 서로 일정간격 이격되는 신호선 및 전력 공급선과, 주사선과 신호선이 교차하는 지점에 위치하는 스위칭 박막트랜지스터 그리고, 스토리지 캐패시터를 더욱 포함한다.
이와 같은 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자는, 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드 소자를 서로 다른 기판 상에 구성하기 때문에, 기존의 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드 소자를 동일 기판 상에 형성하는 경우와 비교할 때, 어레이 소자의 수율에 유기전계발광 다이오드 소자가 영향을 받지 않아 각 소자의 생산관리 측면에서도 양호한 특성을 나타낼 수 있다.
또한, 전술한 조건 하에서 상부발광방식으로 화면을 구현하게 되면, 개구율을 염두하지 않고 박막트랜지스터를 설계할 수 있어 어레이 공정효율을 높일 수 있고, 고개구율/고해상도 제품을 제공할 수 있으며, 듀얼 패널(dual panel) 타입으로 유기전계발광 다이오드 소자를 형성하기 때문에, 기존의 상부발광방식보다 외기를 효과적으로 차단할 수 있어 제품의 안정성을 높일 수 있다.
또한, 종래의 하부발광방식 제품에서 발생되었던 박막트랜지스터 설계에 대해서도 유기전계발광 다이오드 소자와 별도의 기판에 구성함에 따라, 박막트랜지스터 배치에 대한 자유도를 충분히 얻을 수 있고, 유기전계발광 다이오드 소자의 제 1 전극을 투명 기판 상에 형성하기 때문에, 기존의 어레이 소자 상부에 제 1 전극을 형성하는 구조와 비교해볼 때, 제 1 전극에 대한 자유도를 높일 수 있는 장점을 가지게 된다.
그러나, 상기 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에서, 상기 유기전계발광층(136)을 고분자 물질로 형성하는 경우는, 상기 전도성 스페이서(114)의 제 2기판(130)에 접하는 위치가 유기전계발광층(136)이 형성된 위치 즉, 발광 영역 내이면 고분자 잉크의 흐름을 방해하게 되는 문제점이 발생한다.
도 3은 도 2에 도시된 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자의 제 2기판에 대한 개략적인 평면도로서, 설명의 편의상 하나의 픽셀 영역(즉, 3개의 서브픽셀)을 중심으로 도시하였다.
도 3에 도시된 바와 같이, 각각의 서브픽셀(300)은 버퍼(133) 및 격벽(134)에 의해 서로 구획, 분리되어 있으며, 상기 각 서브픽셀의 버퍼(133) 내 영역에 발광영역으로서의 유기전계발광층(136)이 형성되어 있다.
즉, 상기 버퍼(133)는 각 서브픽셀의 발광영역을 구획하도록 형성되고, 상기 버퍼(133)의 소정 영역에 상기 격벽(134)이 형성되는 것이며, 상기 격벽(134)은 각각의 서브픽셀을 분리하는 역할을 수행하는 것이다.
여기서, 제 1기판(도 2의 110)의 각 서브픽셀에 구비된 전도성 스페이서(도 2의 114)와 접촉되는 부분은, 앞서 설명한 바와 같이 제 2기판(도 2의 130) 상의 발광영역(유기전계발광층이 형성된 영역)의 가운데 위치가 된다.
즉, 전도성 스페이서 접촉 영역(310)은 도 3에 도시된 바와 같이 제 2기판의 각 서브픽셀(300)의 가운데 영역에 형성되는데, 이 때, 상기 유기전계발광층(136)이 고분자 물질로 형성되는 경우 상기 전도성 스페이서 접촉 영역(310)은 앞서 설명한 바와 같이 고분자 잉크의 흐름을 방해하여 균일한 필름을 얻지 못하게 된다.
다시 말하면, 상기 각 서브픽셀(300)에 고분자 유기발광 물질 잉크(ink)를 제팅(jetting)할 때, 상기 전도성 스페이서 접촉 영역(310)에 의한 높이 단차 및 표면 에너지의 차이로 인해 잉크가 서브픽셀에 균일하게 스프레딩(spreading)되는 것이 방해된다.
결과적으로 도 2 및 도 3에 도시된 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 구조에 의할 경우 유기전계발광층(136)을 고분자 물질로 형성하는데, 상당한 어려움이 있다는 단점이 있는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 극복하기 위해 창출된 것으로 이하 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
본 발명은 유기전계발광 소자의 서브픽셀의 구조에 관한 것으로, 이는 유기전계발광층이 형성된 발광영역 및 구동소자가 각각 별도의 기판에 형성되는 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자에 적용될 수 있으며, 또한, 상기 유기전계발광층이 형성된 발광영역 및 구동소자가 동일한 기판 상에 형성되는 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자에 적용될 수도 있다.
본 발명에 의한 구조가 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 적용될 경우는, 제 1기판 및 제 2기판에 구비된 각각 대응되는 픽셀 영역을 정확히 얼라인(align)하지 않고, 각 기판에 설계된 전도성 스페이서 영역의 위치 만큼 미스얼라인(misalign)하여 합착함으로써, 전도성 스페이서 접촉 영역의 위치를 자유롭게 하여 제 1기판의 어레이 소자의 설계 마진을 줄일 수 있도록 하고, 각 서브픽셀 내에 구비된 유기전계발광층 형성 영역 즉, 발광영역을 최대화하여 개구율을 향상시키는 것을 그 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 구조가 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자에 적용될 경우는, 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 결정되는 구획영역과, 그에 대응하는 서브픽셀 내의 발광영역을 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되도록 형성함으로써, 구동 박막트랜지스터와 유기전계발광 다이오드의 제 2전극과의 연결을 위한 콘택홀의 설계 마진 및 자유도를 향상시키고, 각 서브픽셀 내에 구비된 발광영역을 최대화하여 개구율을 향상시키는 것을 그 특징으로 한다.
도 4는 본 발명에 의한 유기전계발광 소자의 개략적인 평면도로서, 설명의 편의상 하나의 픽셀 영역(즉, 3개의 서브픽셀)을 중심으로 도시하였다.
도 4를 참조하면, 본 발명은 유기전계발광소자의 각 서브픽셀(400)에 있어서, 각 서브픽셀에 대응하여 다각형 구조로 형성되는 버퍼(410)와, 각각의 서브픽셀이 분리되도록 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 형성되는 격벽(420)과, 상기 각 서브픽셀의 버퍼 내측에 위치하며, 모서리부가 라운드 처리된 발광영역(430)과, 상기 다각형 구조 버퍼의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 위치하는 전기적 연결부(440)가 포함되어 구성됨을 특징으로 한다.
이 때, 상기 유기전계발광소자는 앞서 설명한 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자 또는 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자가 될 수 있는 것이다.
먼저 본 발명에 의한 구조가 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 적용되는 경우, 상기 서브픽셀 영역은 제 2기판 상에 형성되는 것으로, 이는 도 3에 도시된 기존의 서브픽셀 평면 구조에 대응된다.
이에 본 발명에 의하여 제 2기판에 형성된 각 서브픽셀(400)의 구조는 기존과는 달리 각 서브픽셀의 외곽이 다각형 구조로 형성되고, 상기 서브픽셀 내 발광영역(430)의 모서리가 라운드 처리되며, 제 1기판의 어레이 소자와 연결토록 하는 전도성 스페이서의 접촉부 즉, 전기적 연결부(440)가 상기 다각형 구조의 서브픽셀 모서리 일측에 형성됨을 특징으로 한다.
여기서, 상기 도 4에 도시된 본 발명에 의한 서브픽셀 구조가 적용되는 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자는 상기 서브픽셀의 구조 외에는 도 2를 통해 설명한 바와 동일하므로 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.
따라서, 제 1기판에 구성된 전기적 구동부 즉, 어레이 소자에 구비된 구동 박막트랜지스터는 도 2에서 설명한 바와 동일하게 구성되어 있으며, 그에 따라 제 1기판(110)에 구비된 전도성 스페이서(114) 또한 기존과 동일한 위치에 형성되어 있다.
즉, 상기 제 1기판과 그에 대응하는 제 2기판을 정확하게 얼라인하여 합착하게 되면, 제 1기판 상에 형성된 각각의 전도성 스페이서는 상기 제 2기판에 형성된 각 서브픽셀 내의 유기전계발광층 형성영역 즉, 발광영역에 대응되어 위치하게 되며, 이 경우 상기 전기적 연결부와 상기 전도성 스페이서가 접촉되지 않게 된다.
이러한 문제를 극복하기 위해 본 발명은 상기 제 1기판(110) 상의 전도성 스페이서(114)와, 제 2기판(130) 상의 전도성 스페이서 접촉영역 즉, 전기적 연결부(440)가 서로 일치되도록 상기 제 1기판(110) 및 제 2기판(130)을 소정 위치 만큼 이동시켜 비대칭적(misalign)으로 합착하는 것을 특징으로 하며, 이를 통해 제 1기판(110) 상의 전기적 구동부로서의 어레이 소자(120) 즉, 다수의 박막트랜지스터 설계 마진을 줄일 수 있게 되는 것이다.
이와 같은 본 발명에 의한 서브픽셀 구조를 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 적용하게 되면, 전도성 스페이서 접촉 영역 즉, 전기적 연결부(440)가 상기 각 서브픽셀(400)의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 위치하여 각 서브픽셀 영역 내의 발광 영역(430)을 극대화 함으로써 개구율을 확대할 수 있으며, 또한, 상기 발광영역(430)의 모서리부를 라운드 처리함으로써, 고분자 유기 발광 물질 잉크(ink)를 제팅(jetting)할 때, 잉크가 서브픽셀에 균일하게 스프레딩(spreading)될 수 있다.
단, 이는 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자를 이루는 제 1 및 제 2기판(110, 130)이 미스얼라인되어 합착함으로써 가능한 것이다.
또한, 도 4에 도시된 본 발명에 의한 서브픽셀 구조는, 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 한정되는 것은 아니고 어레이 소자 및 유기전계발광층이 동일한 기판 상에 형성되는 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자에도 적용될 수 있다.
이 경우 본 발명에 의한 구조가 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자에 적용되면, 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 결정되는 영역과, 그에 대응하는 서브픽셀 내의 유기전계발광층 형성영역 즉, 발광영역을 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되도록 구성된다.
도 5는 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자의 단면도이며, 도 6은 도 5의 특정부분(I-I')에 대한 단면도이다.
이 때, 도 6은 도 4에 도시된 본 발명에 의한 서브픽셀 구조와 동일하게 구성된다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 구동 박막트랜지스터(TD)는 기판(800) 상에 게이트 라인(812, 812') 및 데이터 라인(814, 814')에 의해 결정되는 구획영역(A) 내에 형성되는 것으로, 이는 게이트 전극(810)과 게이트 절연막(820), 소스/ 드레인 전극(840, 850)으로 구성되며, 상기 소스 전극(840) 및 드레인 전극(850) 사이에 상기 액티브층(830)이 구성된다.
또한, 본 발명에 의한 서브픽셀 구조는, 각 서브픽셀(600)에 대응하여 다각형 구조로 형성되는 버퍼(880)와, 각각의 서브픽셀이 분리되도록 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 형성되는 격벽(882)과, 상기 각 서브픽셀의 버퍼 내측에 위치하며, 모서리부가 라운드 처리된 발광영역(910)과, 상기 다각형 구조 버퍼의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 위치하는 전기적 연결부(884)가 포함되어 구성됨을 특징으로 한다.
상기 전기적 연결부(884)는 전기적 구동부 즉, 구동 박막트랜지스터 및 발광영역 내의 유기전계발광층이 전기적으로 연결되도록 하기 위해 형성된 것으로 이 경우는 콘택홀(884)이 그 역할을 수행한다.
여기서, 본 발명에 의한 서브픽셀 구조에 의한 발광영역(910)은 상기 구획영역(A) 내에 형성되는 것으로 한정되지 않음을 특징으로 한다.
즉, 상기 각 서브픽셀의 발광영역(910)이 상기 유기전계발광 다이오드의 제 2전극(900)에 소정의 신호를 제공하는 구동 박막트랜지스터(TD)가 구비된 상기 서브픽셀 영역 내에만 형성되는 것이 아니라, 상기 구획영역(A)에 인접한 구획영역과 중첩되어 형성되는 것이며, 이는 상기 서브픽셀 구조가 상기 구획영역에 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되도록 형성되어 있음을 의미한다.
상기 발광영역(910)은 상기 구동 박막트랜지스터(TD)의 드레인 전극(850)과 접속되는 유기전계발광 다이오드의 제 2전극(900)과, 상기 제 2전극(900)의 하부에 구성되는 다층 또는 단층의 유기 발광층(890)과, 상기 유기 발광층(890)으로 정공를 주입하는 제 1전극(870)이 구성된다.
본 발명은 상기 유기전계발광 다이오드를 형성함에 있어서, conventional EL 구조를 적용하여 유기전계발광 다이오드의 제 1전극(870), 유기 발광층(890), 음극(900)을 순차적으로 형성하나, 구동 박막트랜지스터(TD)의 드레인 전극(850)에 연결되는 전극을 최상단에 형성된 제 2전극(900)으로 한다.
여기서, 상기 구획영역은 게이트 라인(812, 812') 및 데이터 라인(814,814')로 정의되어 각각 매트릭스 형태로 배열되어 있으나, 본 발명의 실시예의 경우 상기 각 구획영역(A)이 격벽(882)에 의해 구분되어 지지 않는다.
도 5를 참조하면, 구동 박막트랜지스터(TD)가 구비된 기판(800) 상에 공통전극으로서의 제 1전극(유기전계발광 다이오드의 양극(anode))(870)이 전체적으로 형성되고, 상기 구동 박막트랜지스터(TD)의 드레인 전극(850)이 노출되도록 상기 드레인 전극(850) 상부의 제 1전극(870) 및 보호막(860)에 전기적 연결부로서의 콘택홀(884)이 형성되며, 상기 제 1전극(870)의 상부 소정 영역에 상기 버퍼층(880) 및 격벽(882)이 형성되고, 상기 각 격벽(882) 내의 영역 중 버퍼층(880)에 의해 정의된 발광영역(810)에 정공 주입층(HIL), 정공전달층(HTL), 발광층(EML), 전자전달층(ETL)의 유기 발광층(890)이 형성되며, 그 위에 화소전극으로서의 제 2전극(900)이 형성되어 상기 콘택홀(584)을 통해 상기 제 2전극(900)과 드레인 전극(850)이 연결되는 구조로 이루어 진다.
여기서, 상기 격벽(882)은 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 상기 게이트 라인(812, 812') 및 데이터 라인(814, 814')과 중첩되는 영역에 형성되지 않고, 상기 구획영역을 정의하는 게이트 라인(812, 812') 및 데이터 라인(814, 814')과 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되도록 형성되어 있어, 발광영역(910) 및 구동 박막트랜지스터(TD)의 콘택홀(884)을 포함하는 서브픽셀 영역을 구획한다.
이에 상기 콘택홀(884)은 상기 구획영역 내의 일측에 구비될 필요가 없으며, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 다각형 구조 버퍼의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 위치함으로써, 상기 버퍼 내의 발광영역 크기가 최대화될 수 있도록 한다.
또한, 상기 발광영역(910)은 도 6에 도시된 바와 같이 각 모서리가 라운드 처리되어 있어, 고분자 유기전계발광 물질 형성시 스프레딩 불량 문제를 극복할 수 있게 된다.
또한, 버퍼층(880)는 각 서브픽셀의 유기 발광층(890)이 형성되는 영역 즉, 발광영역을 정의하는 역할을 하는데, 본 발명의 경우 이는 다각형 구조로 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 유기 발광층(890)이 형성되는 영역 즉, 발광영역(910)이 상기 구동 박막트랜지스터가 구비된 구획영역(A) 내로 한정되지 않는다.
이 때, 상기 제 2전극(900)은 도시된 바와 같이 상기 격벽(882)에 의해 각각 분리되어 있으며, 상기 제 1전극(870)은 상기 콘택홀(884) 형성 영역을 제외한 전 기판 상에 형성되어 있어 화소 대 화소(pixel to pixel)로 연결되어 있음을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의한 서브픽셀 구조를 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자에 적용하게 되면, 콘택홀 즉, 전기적 연결부(884)가 상기 각 서브픽셀의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 위치하여, 각 서브픽셀 영역 내의 발광 영역(910)을 극대화 함으로써 개구율을 확대할 수 있으며, 또한, 상기 발광영역(910)의 모서리부를 라운드 처리함으로써, 고분자 유기 발광 물질 잉크(ink)를 제팅(jetting)할 때, 잉크가 서브픽셀에 균일하게 스프레딩(spreading)될 수 있다.
단, 이는 게이트 라인(812, 812') 및 데이터 라인(814, 814')에 의해 정의되는 구획영역(A)과 이에 대응하는 서브픽셀 영역(600)이 미스얼라인되어 구성됨으로써 가능한 것이다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 첫째, 생산수율 및 생산관리 효율을 향상시킬 수 있고, 둘째, 상부발광 방식이기 때문에 박막트랜지스터 설계가 용이해지고 고개구율/고해상도 구현이 가능하며, 셋째, 기판 상에 유기전계발광 다이오드용 전극을 구성하기 때문에, 재료선택 폭을 넓힐 수 있으며, 넷째, 상부발광 방식이면서 인캡슐레이션 구조이기 때문에, 외기로부터 안정적인 제품을 제공할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 각 서브픽셀의 외곽을 다각형 구조로 형성하고, 상기 픽셀 내 발광영역의 모서리를 라운드 처리하며, 또한, 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 전도성 스페이서 접촉 영역 또는 콘택홀이 상기 라운드 처리된 모서리의 일측에 형성됨으로써, 고분자 물질로 이루어지는 유기전계발광층을 균일하게 형성하고, 개구율을 향상시키는 장점이 있다.
도 1은 종래의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도.
도 2는 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자의 제 2기판에 대한 개략적인 평면도.
도 4는 본 발명에 의한 유기전계발광 소자의 개략적인 평면도.
도 5는 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자의 단면도.
도 6은 도 5의 특정부분(I-I')에 대한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
400, 600 : 서브픽셀 410, 880 : 버퍼
420, 882 : 격벽 430, 910 : 발광영역
440, 884 : 전기적 연결부

Claims (20)

  1. 유기전계발광 소자의 각 서브픽셀에 있어서,
    각 서브픽셀에 대응하여 다각형 구조로 형성되는 버퍼와;
    각각의 서브픽셀이 분리되도록 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 형성되는 격벽과;
    상기 각 서브픽셀의 버퍼 내측에 위치하는 발광영역과;
    상기 다각형 구조 버퍼의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 위치하는 전기적 연결부가 포함되어 구성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 발광영역의 모서리부가 라운드 처리되어 있음을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 발광영역에는 유기전계발광층이 형성되며, 상기 유기전계발광층과 면접되는 양 면에는 각각 제 1전극 및 제 2전극이 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 유기전계발광층은 고분자 유기발광 물질로 이루어짐을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  5. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 전기적 연결부는 상기 발광영역에 형성된 유기전계발광층에 소정의 전압을 제공토록 하기 위해 제 1전극 또는 제 2전극과 연결됨을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 전기적 연결부는 전도성 스페이서 접촉 영역 또는 콘택홀임을 특징을 하는 유기전계발광소자.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 전도성 스페이서 접촉 영역으로서의 전기적 연결부가 구비되는 유기전계발광소자는, 어레이 소자 및 유기전계발광층이 별도의 기판에 형성되는 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자임을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자는,
    화상이 구현되는 영역인 서브픽셀이 정의되어 있으며, 서로 일정간격 이격되어 배치된 제 1, 2 기판과;
    상기 제 1기판 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자와;
    상기 어레이 소자의 구동 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 전도성 스페이서와;
    상기 제 2기판 내부면에 위치하는 유기전계발광 다이오드 소자용 제 1전극과;
    상기 제 1전극 상에 서브픽셀 단위로 순차적으로 형성된 유기전계발광층 및 제 2전극이 포함되며,
    상기 제 2전극 상에 구비된 상기 전기적 연결부에 상기 전도성 스페이서가 접촉되도록 상기 제 1기판 및 제 2기판이 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되어 합착됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 콘택홀로서의 전기적 연결부가 구비되는 유기전계발광 소자는, 어레이 소자 및 유기전계발광층이 단일 기판에 형성되는 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자임을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 싱글 패널 타입의 유기전계발광 소자는,
    기판 상에 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의되는 구획영역 내에 형성되는 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터가 형성된 기판 상에 순차적으로 형성되는 보호막 및 제 1전극과;
    상기 박막트랜지스터의 드레인 전극이 노출되도록 상기 드레인 전극 상부에 형성된 상기 보호막 및 제 1전극의 일부 영역에 형성된 상기 전기적 연결부로서의 콘택홀과;
    상기 구획영역을 이루는 게이트 라인 및 데이터 라인과 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되도록 형성되는 서브픽셀 구조 내의 발광영역 및 콘택홀을 포함하는 영역을 정의하는 버퍼 및 격벽과,
    상기 버퍼 내부에 의해 정의된 발광 영역 내에 형성되는 유기전계발광층과;
    상기 유기전계발광층 상부에 형성되며, 상기 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 제 2전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 발광영역은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 제 2전극과, 상기 제 2전극의 하부에 구성되는 유기 발광층과, 상기 유기 발광층과 접하는 제 1전극이 구성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 구획영역과, 그에 대응하는 서브픽셀 영역이 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되도록 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  13. 서브픽셀 단위로 적어도 하나의 박막트랜지스터를 갖는 어레이 소자가 구비된 제 1기판이 구비되는 단계와;
    상기 어레이 소자의 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 전도성 스페이서가 형성되는 단계와;
    제 2기판 상에 제 1전극이 형성되는 단계와;
    상기 제 1전극 상에 상기 제 1기판에 구비된 어레이 소자에 대응되도록 서브픽셀 단위로 다각형 구조의 버퍼 및 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 격벽이 형성되고, 상기 버퍼 내측에 발광영역이 구비되는 단계와;
    상기 발광영역 내에 유기전계발광층 및 제 2전극이 순차적으로 형성되고, 상기 다각형 구조 버퍼의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 형성된 제 2전극 상부에 전기적 연결부가 구비되는 단계와;
    상기 제 2전극 상에 구비된 상기 전기적 연결부에 상기 전도성 스페이서가 접촉되도록 상기 제 1기판 및 제 2기판이 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되어 합착되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 발광영역의 모서리부가 라운드 처리되어 있음을 특징으로 하는 유기전계발광 소자 제조방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 유기전계발광층은 고분자 물질로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자 제조방법.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 제 2전극 상에 구비된 전기적 연결부는 상기 전도성 스페이서가 접촉되는 영역으로 상기 버퍼의 일측 구석 영역에 형성되어 있음을 특징으로 하는 유기전계발광 소자 제조방법.
  17. 기판 상에 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의되는 구획영역 내에 박막트랜지스터가 형성되는 단계와;
    상기 박막트랜지스터가 형성된 기판 상에 순차적으로 보호막 및 제 1전극이 형성되는 단계와;
    상기 박막트랜지스터의 드레인 전극이 노출되도록 상기 드레인 전극 상부에 형성된 상기 보호막 및 제 1전극의 일부 영역에 전기적 연결부로서의 콘택홀이 형성되는 단계와;
    상기 구획영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되며, 상기 구획영역에 대응되는 서브픽셀 단위로 다각형 구조의 버퍼 및 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 격벽이 형성되고, 상기 버퍼 내측에 발광영역이 구비되는 단계와;
    상기 버퍼에 의해 정의된 발광영역 내에 유기 발광층이 형성되는 단계와;
    상기 유기 발광층 상부에 제 2전극이 형성되며, 상기 제 2전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자 제조방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 발광영역의 모서리부가 라운드 처리되어 있음을 특징으로 하는 유기전계발광 소자 제조방법.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 유기전계발광층은 고분자 물질로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자 제조방법.
  20. 제 17항에 있어서,
    상기 구획영역과, 그에 대응하는 서브픽셀 영역이 소정 위치만큼 미스얼라인(misalign) 되도록 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자 제조방법.
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