CN1717133A - 有机发光显示器的制造方法和通过该方法制造的显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种改进的有机发光显示器(OLED)的制造方法以及通过该方法制造的OLED。所述方法可以包括以任何适当的次序执行的以下步骤。第一步，提供具有至少一个单元区的基板。第二步，在所述单元区上形成具有至少一个发光器件的发光器件部分。第三步，在所述发光器件部分上形成钝化层。第四步，在所述钝化层上形成薄膜晶体管(TFT)部分。所述TFT部分具有与每个所述发光器件电连接的有机TFT(OTFT)。

Description

有机发光显示器的制造方法和通过该方法制造的显示器
技术领域
本发明总体上涉及有机发光显示器(OLED)的制造方法和通过该方法制造的OLED，更具体而言，涉及具有有机薄膜晶体管(OTFT)的OLED的制造方法以及通过本发明的方法所制造的OLED。
背景技术
有机薄膜晶体管(OTFT)占据了有机半导体器件领域并且可能迅速取代常规的无机TFT。OTFT具有半导体的电学和光学特性以及一种或多种独特的物理特性，并且可以使用经济的工艺技术来制造，这些工艺技术包括但不限于印刷方法。因此，可以廉价地生产大表面积的器件，并且这类器件可以形成在柔性基板上，比如塑料基板。因此，可以产生例如柔性电子器件的半导体器件的新的产品族。
OTFT可以用于有机发光显示器(OLED)以制造有源矩阵(AM)TFTOLED。
OLED非常适合于显示移动图像的任何尺寸的媒介，因为常规的OLED具有1毫秒或更小的快的响应速度、宽视角、低功耗并且是发射型显示器。而且，可以使用从常规半导体制造技术发展而来的简单工艺在低温下制造OLED。由于这些原因，OLED已经被拥戴为下一代的平板显示器(FPD)。
OTFT中的半导体层具有低迁移率。为了增大导通电流水平，OTFT被制造得大于类似的无机TFT。然而，随着显示器中TFT尺寸的增加，在单位象素中被象素电极占据的区域的面积减小。结果，降低了显示器的开口率。
在以“Organic Light Emitting Device in which Organic Field EffectTransistor and Organic Light Emitting Diode are Combined and Method ofFabricating the Same”所公开的韩国专利No.2003-0017748中提供了克服这一缺陷的一种方法。在该公开中，OTFT竖直地形成在有机发光器件上。然而，这种竖直结构包括绝缘层，其部分地设置在OTFT和有机发光器件之间。因此，在制造出有机发光器件之后，在旋涂工艺或清洁工艺期间，会损坏设置在OTFT之下的有机发光器件的侧部，由此降低显示器的稳定性。
发明内容
因此，通过提供有机发光显示器(OLED)的制造方法以及通过该方法制造的OLED，本发明解决了与常规显示器和制造方法相关的上述问题，在本发明中，通过形成钝化层而在有机薄膜晶体管(OTFT)形成期间保护有机发光器件。
而且，本发明提供了具有OTFT的OLED的制造方法以及通过该方法制造的OLED，其中在基板的前表面和侧表面上形成有机钝化层以改善后续工艺的稳定性。
在本发明的一示例性实施例中，改进的OLED的制造方法可以包括以任何适当的次序执行的以下步骤。第一步，提供具有至少一个单元区的基板。第二步，提供在所述单元区上具有至少一个发光器件的发光器件部分。第三步，提供在所述发光器件部分上的钝化层。第四步，在所述钝化层上形成TFT部分。所述TFT部分可以包括与所述发光器件中的每一个电连接的OTFT。第五步，可以在所述发光器件部分的侧部上、在所述基板的侧表面上或者在所述基板的底表面上形成钝化层。所述钝化层可以是有机钝化层、无机钝化层和其双层中的一种。
所述有机钝化层可以是聚对二甲苯(parylene)层，使用化学气相淀积(CVD)方法将其形成为约1000至约1μm的厚度。
与形成所述发光器件相关的步骤可以包括以下步骤。第一步，形成在所述单元区上的下电极。第二步，在所述下电极上形成具有发射层(EML)的有机层。第三步，在所述有机层上形成上电极。所述上电极可以形成为阳极或者阴极。所述上电极可以是反射材料的单层或者是以反射材料作背面的透明材料所构成的双层。
此外，形成所述OTFT可以包括以任何适当的次序执行的以下步骤。第一步，在所述钝化层上形成源电极和漏电极使其彼此隔开。第二步，在所述源电极和漏电极之间形成有机半导体层使得该有机半导体层连接到所述源电极和漏电极。第三步，在所述有机半导体层上形成栅极绝缘层。第四步，在所述栅极绝缘层上形成栅电极。此外，在形成有机薄膜晶体管之前，可以在所述钝化层中形成接触孔从而暴露所述发光器件，并且可以通过所述接触孔将所述漏电极电连接到发光器件。
所述有机半导体层可以由并五苯、并四苯、红荧烯(rubrene)、α-六噻吩(α-hexathienylene)、聚(3-己基噻吩-2，5-二基)(poly(3-hexylthiophene-2，5-diyl))、聚(噻吩乙烯)(poly(thienylenevinylene))、C60、NTCDA、PTCDA和F16CuPc所构成的组中选取的材料形成。
所述OTFT可以是PMOS晶体管和NMOS晶体管之一。
所述基板可以由任何合适的材料制成，例如由玻璃、石英和塑料所构成的组中选取的材料形成。
在本发明的另一示例性实施中，OLED可以包括基板。发光器件部分可以设置在所述基板上并包括至少一个发光器件。可以在所述发光器件部分上设置钝化层。可以在所述钝化层上设置TFT部分并且其包括与所述发光器件中的每一个电连接的OTFT。
所述钝化层可以设置在所述发光器件部分的侧部上、所述基板的侧表面上或者所述基板的底表面上。
所述钝化层可以是从有机钝化层、无机钝化层和其双层所构成的组中选取的一种。
所述钝化层可以是聚对二甲苯层，其具有约1000至约1μm的厚度。
所述发光器件可以包括设置在所述基板上的下电极。可以在所述下电极上设置上电极。有机层可以插入在所述上电极和下电极之间并包括发射层(EML)。
所述OTFT可以包括设置在所述钝化层上并彼此隔开的源电极和漏电极。有机半导体层可以设置在所述源电极和漏电极之间并且电连接到所述源电极和漏电极。可以在所述有机半导体层上设置栅极绝缘层。栅电极可以设置在所述栅极绝缘层上并与所述有机半导体层重叠。所述漏电极可以通过穿透所述钝化层而与所述发光器件电连接。
附图说明
现将参考附图并参考其某些示例性实施例来描述本发明的上述和其他特征。
图1是包括多个有机发光显示器(OLED)的基板的平面图；
图2A和3A是沿图1的线I-I’的剖面图，其图示了根据本发明一示例性实施例的OLED的制造方法；
图2B和3B分别是表示图2A和3A的P部分的放大剖面图；
图4A和4B是根据本发明一示例性实施例的OLED的剖面图。
具体实施方式
以下将参考附图更充分地描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施而不应解释为仅限于在此阐述的实施例。而且，提供这些实施例是为了使本公开彻底而全面，并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。为清楚起见，夸大了附图中所示的层或区域的厚度。在说明书通篇，相同的附图标记用于表示相同的元件。
图1是包括多个有机发光显示器(OLED)的基板的平面图。参照图1，在基板1上设置至少一个单元区A1、A2...An。单元区A1、A2...An中的每一个都是设置单个OLED的区域。包括至少一个发光器件的发光器件部分形成在每一个单元区A1、A2...An上，并且钝化层形成在发光器件部分上。可以在发光器件部分的侧部上进一步形成钝化层。而且，在钝化层上设置薄膜晶体管(TFT)部分，其包括与每个发光器件电连接的有机TFT(OTFT)。基板1被切割为各个单元区A1、A2...An，并且执行用于对每个单元区A1、A2...An的截面进行表面处理的工艺，由此完成单个的OLED。每个OLED具有互连，其包括多条栅极线和多条数据线。在每个单位象素中，设置OTFT、电容以及有机发光器件，它们都连接到互连。而且，栅极线和数据线连接到外部驱动集成电路(IC)从而使它们响应于信号而驱动单位象素的有机发光器件。
图2A和3A是沿图1的线I-I’的截面图。其每一个图示了根据本发明一示例性实施例的制造OLED的分别的方法。图2B是表示图2A的部分P的放大剖面图。类似地，图3B是表示图3A的部分P的放大剖面图。
参照图2A，在具有至少一个单元区An的基板100上形成包括至少一个有机发光器件的发光器件部分150。在发光器件部分150上形成钝化层160。可以在发光器件部分150的侧部上进一步形成钝化层160。基板100可以包括任何适合的材料。如从玻璃、石英和塑料所构成的组中选取的一种材料。
图2B表示单元区An的部分P的具体结构。
参照图2A和2B，在基板100上形成发光器件部分150中的单位象素的下电极110。而且，在下电极110上形成包括发射层(EML)的有机层120。
有机层120可以由选自发射层(EML)、电子注入层(EIL)、空穴阻挡层、空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)所构成的组中的至少一层所形成。
在有机层120上形成上电极140。上电极140可以包括单一反射材料或者以反射材料作背面的透明材料所构成的双层。由此，上电极140反射从有机层120发出的光使得光朝向基板100发射。而且，当上电极140为阳极时，下电极110可以是阴极。相反，当上电极140是阴极时，下电极110可以是阳极。
因此，在基板100上形成下电极110、有机层120和上电极140，由此完成有机发光器件150a。以这样的方式或类似方式，可以制造每单位象素具有至少一个有机发光器件150a的发光器件部分(图2A中的150)。
如图2A所示，在形成有机发光器件150a的基板100上、即在发光器件部分150上，形成钝化层160。然而，由于图2B是图2A的部分P的放大剖面图，因此图2B仅示出了形成在有机发光器件150a上的钝化层160。
可以使用从低压CVD(LPCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)和大气压CVD(APCVD)所构成的组中选取的任何适合的化学气相淀积(CVD)技术来制造钝化层160。钝化层160可以形成为约1000至约1μm的厚度使得钝化层160的应力不影响有机发光器件150a。
可以在基板100的侧表面或底表面上形成钝化层160。钝化层160可以是有机钝化层、无机钝化层或者其双层，并且有机钝化层可以由聚对二甲苯形成。
由于聚对二甲苯衍生物具有高的疏水特性、耐溶剂性和耐化学性，因此可以使用它来保护有机发光器件150a，使其不受在用于光刻工艺或剥离工艺的显影工艺期间溶剂和蚀刻剂的影响，光刻工艺或剥离工艺可以在制造有机发光器件150a之后随后执行。而且，钝化层160可以形成在发光器件部分150的顶表面和侧表面，从而保护有机发光器件150a的顶部和侧部不受溶剂和蚀刻剂的影响。
使用气相淀积技术在常温下，可以很容易地将聚对二甲苯层在基板上制成薄膜，聚对二甲苯层对于波长为300nm或更小的光保持稳定并且可以通过反应离子束蚀刻(RIE)工艺而被蚀刻。此外，即使在细小的针孔和裂缝上也能均匀地涂敷聚对二甲苯层而与将被涂敷的物体的形状无关，并且聚对二甲苯层具有极佳的绝缘特性。因此，聚对二甲苯层可以在后续的制造工艺期间可靠地保护有机发光器件150a。
参照图3A，在钝化层160上形成TFT部分220以对应于每个单元区An。TFT部分220的形成包括OTFT的形成，该OTFT与每个发光器件部分150电连接。
图3B示出了形成TFT部分220的单元区An的部分P的具体结构。参照图3B，在钝化层160中形成接触孔175以暴露一部分有机发光器件150a。具体而言，通过接触孔175暴露有机发光器件150a的上电极140的一部分。可以使用激光烧蚀(LAT)来获得接触孔175。
在形成接触孔175的钝化层160上形成漏电极180b，使其与有机发光器件150a的上电极140相接触。由此，使漏电极180b电连接到有机发光器件150a。在漏电极180b的形成期间，可以同时构图源电极180a。而且，可以通过使用荫罩或喷墨印刷方法的淀积方法同时执行淀积和构图，来获得源电极180a和漏电极180b。
因此，由于有机钝化层160，可以保护有机发光器件150a在构图OTFT的电极180a和180b的工艺期间不受溶剂和蚀刻剂的影响。因此，可以稳定地制造OTFT而不损坏有机发光器件150a。
可以在源电极180a和漏电极180b之间形成有机半导体层190使其与源电极180a和漏电极180b接触。
有机半导体层190可以是p型半导体层，其由从α-六噻吩、DH-α-6T和并五苯所构成的组中选取的材料形成。
可选择地，有机半导体层190可以是n型半导体层，其由从并五苯、并四苯、红荧烯、聚(3-己基噻吩-2，5-二基)、聚(噻吩乙烯)、C60、NTCDA、PTCDA和F16CuPc所构成的组中选取的材料形成。
在有机半导体层190上形成栅极绝缘层200。栅极绝缘层200可以由通常的绝缘材料形成，例如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)，或者由铁电绝缘材料形成以降低阈值电压。然而，因为上述材料在高温下淀积，所以在淀积工艺期间会损坏有机半导体层190和有机发光器件150a。因此，栅极绝缘层200优选由有机绝缘层形成。
在栅极绝缘层200上形成栅电极210。栅电极210可以由任何适合的材料形成，如从Al、AlNd、Cr、Al/Cu、Au/Ti、Au/Cr和MoW所构成的组中选取的一种，但本发明不限于此。例如，栅电极210可以由导电聚合物形成。也可以通过淀积并构图金属层来形成栅电极210。然而，为了保护下面的有机层，可以使用荫罩或喷墨打印方法来淀积栅电极210。在这样的工艺中，形成源电极180a、漏电极180b、有机半导体层190、栅极绝缘层200和栅电极210，由此完成OTFT 220a。根据有机半导体层190的类型，OTFT220a可以是NMOS晶体管或PMOS晶体管。所述工艺的结果是制造出TFT部分(图3A的220)，其具有电连接到每个有机发光器件150a的OTFT 220a。
以下，将参照图4A和4B描述根据本发明一示例性实施例的OLED的结构。
参照图4A和4B，在TFT部分220上叠置钝化层230，并且所得结构被封装并切割成单元区An，由此完成各个OLED。
在基板100上设置发光器件部分150和电连接到发光器件部分150上的TFT部分220，每对发光器件部分150和TFT部分220构成了单位象素P。
在发光器件部分150上形成钝化层160。钝化层160形成在基板100的侧表面或底表面上。钝化层160可以是有机钝化层、无机钝化层或者其双层，有机钝化层可以是聚对二甲苯层。而且，钝化层160可以形成至约1000或更大的厚度。
TFT部分220设置在钝化层160上并包括OTFT。在TFT部分220中设置包括多条栅极线和多条数据线的互连。连接到互连的OTFT和电容设置在下层的发光器件部分150中并与其连接。
钝化层160保护有机发光器件在诸如但不限于用于光刻工艺或剥离工艺的显影工艺期间不受溶剂和蚀刻剂的影响，其中可以在TFT部分220的器件制造期间执行光刻工艺或剥离工艺中的任何一种工艺。由此，可以稳定地形成TFT部分220的器件，而不损坏有机发光器件。
基板100可以包括从玻璃、石英和塑料所构成的组中选取的材料。
图4B示出了图4A的OLED的单位象素P的OTFT 220a和有机发光器件150a。
具体而言，有机发光器件150a设置在基板100上，而钝化层160设置在其上。有机发光器件150a包括设置在基板100上的下电极110，设置在下电极110上的上电极140，以及插入在上电极140和下电极110之间并具有EML的有机层120。有机层120可以进一步包括从EIL、空穴阻挡层、HTL和HIL所构成的组中选取的至少一层。
上电极140可以是阳极或阴极。在结构上，上电极140可以是单一反射电极或者是由以反射材料作背面的透明材料所形成的双层电极。由此，上电极140反射从有机层120发出的光使得光朝向基板100发射。
可以在基板100的底表面上形成钝化层160。而且，钝化层160可以是单层或者是有机或无机材料的双层。例如，钝化层160可以是由聚对二甲苯形成的单层，或者是由聚对二甲苯层和无机钝化层所形成的双层。钝化层160可以形成为约1000至约1μm的厚度使得钝化层160的应力不影响有机发光器件150a。
在钝化层160上设置OTFT 220a。OTFT 220a包括设置在钝化层160上并彼此隔开的源电极180a和漏电极180b，以及插入在源电极180a和漏电极180b之间并连接到源电极180a和漏电极180b的有机半导体层190。漏电极180b可以通过穿透钝化层160而与有机发光器件150a电连接。
有机半导体层190可以是p型半导体层，其由从α-六噻吩、DH-α-6T和并五苯所构成的组中选取的材料形成。可选择地，有机半导体层190可以是n型半导体层，其由从并五苯、并四苯、红荧烯、聚(3-己基噻吩-2，5-二基)、聚(噻吩乙烯)、C60、NTCDA、PTCDA和F16CuPc所构成的组中选取的材料形成。
在有机半导体层190上设置栅极绝缘层200，并且在栅极绝缘层200上设置栅电极210从而与有机半导体层190重叠。
栅极绝缘层200可以由通常的绝缘材料形成，例如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)，或者由铁电绝缘材料形成以降低阈值电压。然而，因为上述材料在高温下淀积，所以在淀积工艺期间可能会损坏有机半导体层190和有机发光器件150a。因此，栅极绝缘层200优选地是有机绝缘层。
栅电极210可以由任何适合的材料形成，包括但不限于从Al、AlNd、Cr、Al/Cu、Au/Ti、Au/Cr和MoW所构成的组中选取的材料。例如，栅电极210也可以由导电聚合物形成。
为了完成制造工艺，形成源电极180a、漏电极180b、有机半导体层190、栅极绝缘层200和栅电极210，由此完成支撑的单位象素P的OTFT 220a。根据所使用的有机半导体层190的类型，OTFT 220a可以是NMOS晶体管或PMOS晶体管。
在上述本发明的示例性实施例中，形成钝化层从而在整个制造工艺期间保护有机发光器件。因此，在OTFT的制造以及后续的工艺期间，能够可靠地保护有机发光器件。
此外，即使在细小的针孔和裂缝上也能均匀地涂敷有机钝化层，并且该有机钝化层具有高的疏水特性、耐溶剂特性和耐化学特性。通过使用这样的有机钝化层，能够以更稳定的方式制造OLED，由此提高生产率。
尽管已参照其某些示例性实施例描述了本发明，但本领域技术人员应理解的是，在不脱离由权利要求及其等同方案所限定的本发明的精神和范围的前提下，可以对本发明进行各种修改和变化。
本申请要求于2004年6月29日提交的韩国专利申请No.2004-49819的优先权，其全部内容在此引入作为参考。

Claims (31)

1.一种有机发光显示器的制造方法，该方法包括以下步骤：
提供具有至少一个单元区的基板；
在所述单元区上形成发光器件部分，所述发光器件部分具有至少一个发光器件；
在所述发光器件部分上形成钝化层；以及
在所述钝化层上形成薄膜晶体管部分，所述薄膜晶体管部分具有电连接到每个所述发光器件的有机薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化层包括在所述发光器件部分的侧部形成所述钝化层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化层包括在所述基板的侧表面上形成所述钝化层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化层包括在所述基板的底表面上形成所述钝化层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层选自由有机钝化层、无机钝化层和其双层所构成的组。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述有机钝化层是聚对二甲苯层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中通过化学气相淀积方法形成所述聚对二甲苯层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层形成为约1000至约1μm的厚度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述发光器件包括：
在所述单元区上形成下电极；
在所述下电极上形成具有发射层的有机层；以及
在所述有机层上形成上电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述上电极形成为阳极和阴极之一。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述上电极是反射电极以及透明电极和反射层构成的双层之一。
12.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述有机薄膜晶体管包括：
在所述钝化层上形成源电极和漏电极使其彼此隔开；
在所述源电极和所述漏电极之间形成有机半导体层使其连接到所述源电极和所述漏电极；
在所述有机半导体层上形成栅极绝缘层；以及
在所述栅极绝缘层上形成栅电极。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：在形成所述有机薄膜晶体管之前，在所述钝化层中形成接触孔以暴露所述发光器件，
其中所述漏电极通过所述接触孔电连接到所述发光器件。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述有机半导体层由并五苯、并四苯、红荧烯、α-六噻吩、聚(3-己基噻吩-2，5-二基)、聚(噻吩乙烯)、C60、NTCDA、PTCDA和F16CuPc所构成的组中选取的材料形成。
15.根据权利要求1或12所述的方法，其中所述有机薄膜晶体管是PMOS晶体管和NMOS晶体管中的一种。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板是选自玻璃基板、石英基板和塑料基板所构成的组中的一种。
17.一种有机发光显示器，包括：
基板；
发光器件部分，其设置在所述基板上并具有至少一个发光器件；
钝化层，其设置在所述发光器件部分上；以及
薄膜晶体管部分，其设置在所述钝化层上并具有电连接到每个所述发光器件的有机薄膜晶体管。
18.根据权利要求17所述的显示器，其中所述钝化层设置在所述发光器件部分的侧部。
19.根据权利要求17所述的显示器，其中所述钝化层设置在所述基板的侧表面上。
20.根据权利要求17所述的显示器，其中所述钝化层设置在所述基板的底表面上。
21.根据权利要求17所述的显示器，其中所述钝化层是选自有机钝化层、无机钝化层和其双层所构成的组中的一种。
22.根据权利要求21所述的显示器，其中所述有机钝化层是聚对二甲苯层。
23.根据权利要求17所述的显示器，其中所述钝化层具有约1000至约1μm的厚度。
24.根据权利要求17所述的显示器，其中所述发光器件包括：
设置在所述基板上的下电极；
设置在所述下电极上的上电极；以及
插入在所述上电极和所述下电极之间并具有发射层的有机层。
25.根据权利要求24所述的显示器，其中所述上电极是阳极和阴极之一。
26.根据权利要求24所述的显示器，其中所述上电极是反射电极以及透明电极和反射层构成的双层之一。
27.根据权利要求17所述的显示器，其中所述有机薄膜晶体管包括：
设置在所述钝化层上并彼此隔开的源电极和漏电极；
插入在所述源电极和所述漏电极之间并且电连接到所述源电极和所述漏电极的有机半导体层；
设置在所述有机半导体层上的栅极绝缘层；以及
设置在所述栅极绝缘层上并且与所述有机半导体层重叠的栅电极。
28.根据权利要求27所述的显示器，其中所述漏电极通过穿透所述钝化层而电连接到所述发光器件。
29.根据权利要求27所述的显示器，其中所述有机半导体层由并五苯、并四苯、红荧烯、α-六噻吩、聚(3-己基噻吩-2，5-二基)、聚(噻吩乙烯)、C60、NTCDA、PTCDA和F16CuPc所构成的组中选取的材料形成。
30.根据权利要求17所述的显示器，其中所述有机薄膜晶体管是PMOS晶体管和NMOS晶体管中的一种。
31.根据权利要求17所述的显示器，其中所述基板是选自玻璃基板、石英基板和塑料基板所构成的组中的一种。
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