KR100869646B1 - 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형유기전기발광디스플레이소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 유기박막트랜지스터(OTFT)와 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 일체화시킨 새로운 구조에 대한 것이다. 그 특징으로는 유기박막트랜지스터(OTFT)의 드레인(Drain) 전극이 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 양극(또는 음극)으로 동시에 사용되도록 구성하여 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)의 게이트(Gate) 전극이 켜질 때 소오스(Source)에서 드레인(Drain)으로 전류가 흘러 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 발광시키도록 한다. 특히, 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 상부전극을 증착할 때 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)의 게이트(Gate) 전극이 동시에 증착되도록 하여 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)와 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)가 원-스텝(One-Step) 공정으로 제조되도록 한 매우 경제적인 구조이다. 또한, 유기박막트랜지스터(OTFT)의 소오스(Source)와 드레인(Drain) 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 적절히 조절함으로써 소오스(Source)에서 드레인(Drain)으로 흐르는 전류량을 공정상에서 사전 조절이 가능하다. 따라서 기존의 분리형 구조에 비해서 매우 경제적이며 개구율을 극대화할 수 있는 장점이 있다.
유기박막트랜지스터(OTFT), 유기전기발광디스플레이소자(OLED), 디스플레이, 광소자, 의료용 소자, 소오스, 드레인, 게이트, 개구율
Description
본 발명은 유기박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(Active Matrix Organic Light-Emitting Display: AMOLED) 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 유기박막트랜지스터(OTFT)와 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 일체화시킨 새로운 구조의 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치(Liquid Display Device: LCD)나 전계발광표시장치(Electroluminescence Display Device: ELD) 등의 평판표시장치에는 각 화소의 동작을 제어하는 스위칭 소자 및 각 화소의 구동 소자로 박막 트랜지스터를 사용하고 있다. 이러한 평판표시장치는 최근 요구되고 있는 대형화 및 박형화와 더불어 플렉서블(Flexible) 특성을 만족시키기 위해 기존의 글라스재가 아닌 플라스틱제 등으로 구비되는 기판을 사용하려는 시도가 계속되고 있다. 그러나 플라스틱 기판을 사용할 경우에는 전술한 바와 같이 고온 공정이 아닌 저온 공정을 사용해야 한다. 따라서, 종래의 실리콘 박막 트랜지스터를 사용하기가 어렵다는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 최근 저온 공정이 가능한 유기막을 반도체층으로 사용하는 유기박막트랜지스터(OTFT)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
도 1은 미국 특허출원 US6,150,668(이하, '선행특허 1'이라 함)에 개시된 유기발광다이오드와 함께 모놀리식으로 집적된 박막트랜지스터를 나타낸 단면도이다. 그 구성은 청구범위 제1항과 도 1에 의하면, "발광 다이오드는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극의 사이에 끼인 발광 물질을 포함하는 적어도 하나의 능동층을 포함하고, 상기 트랜지스터는 소스에서 드레인으로 흐르는 전류가 상기 소스에서 상기 드레인으로 반도체 물질을 통과하여 흐르도록, 상기 소스와 상기 드레인 접점 사이에 위치한 상기 반도체 물질을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 발광 다이오드는 단일의 단위 기판 위에 형성되며, 상기 박막트랜지스터의 반도체 물질 및 상기 발광 다이오드의 적어도 하나의 능동층은 유기물질인 박막 트랜지스터와 함께 모놀리식으로 집적된 발광 다이오드를 포함하는 장치."라고 기재되어 있다.
이러한 구성을 갖는 상기 선행특허 1은 기존의 하부 게이트 전극 방식으로 박막트랜지스터(Thin-Film Transistor: TFT)를 만들어야하기 때문에 박막트랜지스 터(TFT)의 모든 전극을 미리 만든 후 그 위에 반도체 층을 형성하여 1차적으로 박막트랜지스터(TFT)를 완성하고, 그 다음 순차적으로 전자전달층(ETL) 및 음극을 코팅하여 2차적으로 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 완성하는 방식이다.
도 2는 미국 특허출원 US7,173,378(이하, '선행특허 2'라 함)에 개시된 유기박막트랜지스터를 구비한 능동 구동형 유기전계발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다. 상기 선행특허 2에 따른 유기박막트랜지스터를 구비한 능동 구동형 유기전계발광 디스플레이 장치는 청구범위 제1항 및 도 2에 의하면, "제 1 전극(461); 상기 제 1 전극 상에 구비된 적어도 발광층을 포함하는 중간층(487); 상기 중간층 상에 구비된 제 2 전극(462); 상기 제 2 전극의 상부에 구비되고 상기 제 2 전극과 절연되는 제 1 소스 전극(412); 상기 제 2 전극의 상부에 구비되고 상기 제 2 전극과 연결되는 제 1 드레인 전극(413); 상기 제 1 소스 전극 및 상기 제 1 드레인 전극과 접촉하는 p형 유기 반도체층(480); 및 상기 p형 유기 반도체층의 상부에 구비되고 상기 제 1 소스 전극, 상기 제 1 드레인 전극 및 상기 p형 유기 반도체층과 절연된 제 1 게이트 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 구비한 능동 구동형 유기 전계발광 디스플레이 장치."라고 기재되어 있다.
상기 선행특허 2는 상기 구성에서와 같이 유기박막트랜지스터(OTFT)와 유기전기발광디스플레이소자(OLED)가 적층된 구조를 가지고 있다. 이러한 구조를 갖는 선행특허 2에서 적층형으로 유기박막트랜지스터(OTFT)와 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 만들기 위해서는 상부에 위치하게 되는 유기박막트랜지스터(OTFT)의 형성시 높은 온도 등의 공정상 문제점으로 하부에 위치해 있는 유기전기발광디스플레 이소자(OLED)가 손상을 입게 되는 단점이 있다.
본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 제 1 목적은 유기박막트랜지스터(OTFT)와 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 일체화시킨 새로운 구조의 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 제 2 목적은 유기박막트랜지스터(OTFT)와 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 동시에 형성할 수 있는 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 제 3 목적은 유기박막트랜지스터(OTFT)의 드레인(Drain) 전극이 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 양극(또는 음극)으로 동시에 사용되도록 구성하여 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)의 게이트(Gate) 전극이 켜질 때 소오스(Source)에서 드레인(Drain)으로 전류가 흘러 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 발광시키도록 한 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 제 4 목적은 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 상부전극을 증착할 때 유기박막트랜지스터(OTFT)의 게이트(Gate) 전극이 동시에 증착되도록 하여 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)와 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)가 원-스텝(One-Step) 공정으로 제조되도록 한 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 제 5 목적은 유기박막트랜지스터(OTFT)의 드레인(Drain) 전극과 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 한쪽 전극이 공통으로 구성되고, 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)의 게이트(Gate)와 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 나머지 한쪽 전극이 동시에 구성된 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 제 6 목적은 유기박막트랜지스터(OTFT)의 소오스(Source)와 드레인(Drain) 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 적절히 조절함으로써 소오스(Source)에서 드레인(Drain)으로 흐르는 전류량을 공정상에서 사전 조절이 가능한 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 제조 방법은, (a) 기판의 전면에 소정의 패턴으로 OLED의 제 1 전극과 함께 사용되는 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극을 형성하는 단계와; (b) 상기 OTFT의 소스 및 드레인 전극이 덮히도록 상기 기판상에 유기박막층을 형성하는 단계와; (c) 상기 유기박막층 상에 유전체층과 전도층을 순차적으로 형성하는 단계와; (d) 상기 전도층과 유전체층을 소정의 패턴으로 패터닝하는 단계; 및 (e) 상기 전도층과 유전체층을 상기 유기박막층이 노출되도록 식각하여 콘택홀을 형성함으로써 상기 콘택홀의 일 측에 형성된 유전체층 및 전도층은 OTFT의 게이트 유전체층 및 게이트 전극으로 형성하고 상기 콘택홀의 타 측에 형성된 유전체층 및 전도층은 OLED의 전자주입층 및 제 2 전극으로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법은 상기 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 조절함으로써 소스 전극에서 드레인 전극으로 흐르는 전류량을 일정크기로 조절하는 것을 특징으로 한다.
상기 (a)단계에서 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극은 상기 기판의 전면에 전도성 물질을 증착한 후 리소그래피 공정으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 (a)단계에서 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극은 진공 증착 또는 스핀 코팅 공정으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 OTFT의 게이트 전극은 상기 OLED의 제 2 전극을 증착할 때 동시에 증착하여 OTFT와 OLED가 하나의 공정으로 제작되는 것을 특징으로 한다.
상기 OLED의 제 1 전극은 양극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 음극인 것을 특징으로 한다.
상기 OLED의 제 1 전극은 음극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 양극인 것을 특징으로 한다.
상기 유기박막층은 단일층 또는 다중층인 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 투명 기판인 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘(Si)을 포함한 물질 중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)는, 기판의 전면에 소정의 패턴으로 형성된 OTFT의 소스 전극과; 상기 기판의 전면에 상기 소스 전극과 일정 간격을 두고 형성되며 OLED의 제 1 전극으로 같이 사용되는 OTFT의 드레인 전극과; 상기 OTFT의 소스 및 드레인 전극이 덮히도록 상기 기판상에 형성된 유기박막층과; 상기 유기박막층 상에 소정의 패턴으로 각각 형성된 OTFT의 게이트 전극 및 OLED의 제 2 전극과; 상기 OTFT의 게이트 전극과 상기 유기박막층 사이에 형성된 OTFT의 게이트 유전체층; 및 상기 OLED의 제 2 전극과 상기 유기박막층 사이에 형성된 OLED의 전자주입층;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 능동형 유기전기발광디스플레이소자는 상기 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 조절함으로써 소스 전극에서 드레인 전극으로 흐르는 전류량을 일정 크기로 조절하는 것을 특징으로 한다.
상기 OTFT의 게이트 전극은 상기 OLED의 제 2 전극을 증착할 때 동시에 증착하여 OTFT와 OLED가 하나의 공정으로 제작되는 것을 특징으로 한다.
상기 OLED의 제 1 전극은 양극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 음극인 것을 특징으로 한다.
상기 OLED의 제 1 전극은 음극이고, 상기 OLED의 제 2 전극은 양극인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(AMOLED) 및 이의 제조 방법에 의하면, 유기박막트랜지스터(OTFT)의 드레인(Drain) 전극이 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 양극(또는 음극)으로 동시에 사용되도록 구성하여 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)의 게이트(Gate) 전극이 켜질 때 소오스(Source)에서 드레인(Drain)으로 전류가 흘러 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)를 발광시키도록 한다. 특히, 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 상부전극을 증착할 때 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)의 게이트(Gate) 전극이 동시에 증착되도록 하여 상기 유기전기발광디스플레이소자(OLED)와 상기 유기박막트랜지스터(OTFT)가 원-스텝(One-Step) 공정으로 제조되도록 한 매우 경제적인 구조이다. 또한, 유기박막트랜지스터(OTFT)의 소오스(Source)와 드레인(Drain) 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 적절히 조절함으로써 소오스(Source)에서 드레인(Drain)으로 흐르는 전류량을 공정상에서 사전 조절이 가능하다. 따라서 기존의 분리형 구조에 비해서 매우 경제적이며 개구율을 극대화할 수 있는 장점이 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다.
실시 예
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 의한 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자를 나타낸 단면도이다. 여기서, 도면부호 100은 기판, 110은 OTFT의 소스 전극, 112는 OTFT의 드레인 전극 및 OLED의 양극(또는 음극), 120은 유기박막층, 130은 OTFT의 게이트 유전체층, 132는 OLED의 전자주입층, 140은 OTFT의 게이트 금속 전극, 142는 OLED의 음극(또는 양극) 등을 나타낸다.
본 발명에 의한 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)는 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 전면에 소정의 패턴으로 형성된 OTFT의 소스 전극(110)과, 상기 기판(100)의 전면에 상기 소스 전극(110)과 일정 간격을 두고 형성되며 OLED의 제 1 전극으로 같이 사용되는 OTFT의 드레인 전극(112)과, 상기 OTFT의 소스(110) 및 드레인 전극(112)이 충분히 덮히도록 상기 기판(100)상에 형성된 유기박막층(120)과, 상기 유기박막층(120) 상에 소정의 패턴으로 각각 형성된 OTFT의 게이트 전극(140) 및 OLED의 제 2 전극(142)과, 상기 OTFT의 게이트 전극(140)과 상기 유기박막층(120) 사이에 형성된 OTFT의 게이트 유전체층(130)과, 상기 OLED의 제 2 전극(142)과 상기 유기박막층(120) 사이에 형성된 OLED의 전자주입층(132)을 포함하여 구성한다.
그러면, 상기 구성을 갖는 본 발명에 의한 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기판(100)의 전면에 소정의 패턴으로 OLED의 제 1 전극과 함께 사용되는 OTFT의 드레인 전극(112)과 OTFT의 소스 전극(110)을 형성한다.
이때, 상기 기판(100)은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘(Si) 등과 같은 투명물질로 구성된 투명기판을 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 OTFT의 드레인 전극(112)과 OTFT의 소스 전극(110)은 상기 기판(100)의 전면에 전도성 물질을 증착한 후 리소그래피 공정으로 형성하거나 진공 증착 또는 스핀 코팅 공정으로 형성할 수 있다.
그 다음, 상기 OTFT의 소스 전극(110) 및 드레인 전극(112)이 충분히 덮히도록 상기 기판(100)상에 유기박막층(120)을 형성한다. 이때, 상기 유기박막층(120)은 단일층 또는 다중층을 사용하는 것이 바람직하다.
그 다음, 상기 유기박막층(120) 상에 유전체층(130 및 132)을 형성한 후 그 위에 전도층(140 및 142)을 형성한다.
그 다음, 상기 전도층과 유전체층을 소정의 패턴으로 패터닝한다.
그 다음, 상기 전도층과 유전체층을 상기 유기박막층(120)이 노출되도록 식각하여 콘택홀을 형성한다. 이때, 상기 콘택홀의 일 측에 형성된 유전체층 및 전도층은 OTFT의 게이트 유전체층(130) 및 게이트 전극(140)으로 형성되고, 상기 콘택홀의 타 측에 형성된 유전체층 및 전도층은 OLED의 전자주입층(132) 및 제 2 전 극(142)으로 형성된다.
여기서, 상기 OLED의 제 1 전극은 양극, 상기 OLED의 제 2 전극은 음극으로 구성할 수 있으며, 반대로 상기 OLED의 제 1 전극은 음극, 상기 OLED의 제 2 전극은 양극으로 구성할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 OTFT의 드레인 전극(112)이 OLED의 제 1 전극과 동시에 사용되기 때문에 OTFT의 상부 게이트 전극(140)이 켜질 때 상기 OTFT의 소스 전극(110)에서 드레인 전극(112)으로 전류가 흘러 OLED를 발광시키게 된다.
특히, 상기 OTFT의 게이트 전극(140)은 상기 OLED의 제 2 전극(142)을 증착할 때 동시에 증착되기 때문에 OTFT와 OLED를 하나의 공정(One-Step)으로 제작할 수 있어서 매우 경제적인 이점이 있다.
또한, 상기 OTFT의 드레인 전극(112)과 OTFT의 소스 전극(110) 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 적절히 조절함으로써 소스 전극에서 드레인 전극으로 흐르는 전류량을 공정상에서 원하는 전류량만큼 사전에 조절할 수 있다.
따라서, 기존의 분리형 구조에 비해서 매우 경제적이며 개구율을 극대화할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 미국 특허출원 US6,150,668에 개시된 유기발광다이오드와 함께 모놀리식으로 집적된 박막트랜지스터를 나타낸 단면도
도 2는 미국 특허출원 US7,173,378에 개시된 유기박막트랜지스터를 구비한 능동 구동형 유기전계발광 디스플레이 장치를 나타낸 단면도
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 의한 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자를 나타낸 단면도
[ 도면의 주요 부호에 대한 설명 ]
100 : 기판
110 : OTFT의 소스 전극
112 : OTFT의 드레인 전극 및 OLED의 양극(또는 음극)
120 : 유기박막층(단일층 또는 다중층)
130 : OTFT의 게이트 유전체층
132 : OLED의 전자주입층
140 : OTFT의 게이트 금속 전극
142 : OLED의 음극(또는 양극)
Claims (15)
- 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)의 제조 방법에 있어서,(a) 기판의 전면에 소정의 패턴으로 OLED의 제 1 전극과 함께 사용되는 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극을 형성하는 단계와;(b) 상기 OTFT의 소스 및 드레인 전극이 덮히도록 상기 기판상에 유기박막층을 형성하는 단계와;(c) 상기 유기박막층 상에 유전체층과 전도층을 순차적으로 형성하는 단계와;(d) 상기 전도층과 유전체층을 소정의 패턴으로 패터닝하는 단계; 및(e) 상기 전도층과 유전체층을 상기 유기박막층이 노출되도록 식각하여 콘택홀을 형성함으로써 상기 콘택홀의 일 측에 형성된 유전체층 및 전도층은 OTFT의 게이트 유전체층 및 게이트 전극으로 형성하고 상기 콘택홀의 타 측에 형성된 유전체층 및 전도층은 OLED의 전자주입층 및 제 2 전극으로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법은:상기 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 조절함으로써 소스 전극에서 드레인 전극으로 흐르는 전류량을 일정크기로 조절하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 (a)단계에서 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극은:상기 기판의 전면에 전도성 물질을 증착한 후 리소그래피 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 (a)단계에서 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극은:진공 증착 또는 스핀 코팅 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 OTFT의 게이트 전극은 상기 OLED의 제 2 전극을 증착할 때 동시에 증착하여 OTFT와 OLED가 하나의 공정으로 제작되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 양극이고,상기 OLED의 제 2 전극은 음극인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 음극이고,상기 OLED의 제 2 전극은 양극인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기박막층은 단일층 또는 다중층인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘(Si)을 포함한 물질 중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자의 제조 방법.
- 유기박막트랜지스터(OTFT)가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자(OLED)에 있어서,기판의 전면에 소정의 패턴으로 형성된 OTFT의 소스 전극과;상기 기판의 전면에 상기 소스 전극과 일정 간격을 두고 형성되며 OLED의 제 1 전극으로 같이 사용되는 OTFT의 드레인 전극과;상기 OTFT의 소스 및 드레인 전극이 덮히도록 상기 기판상에 형성된 유기박막층과;상기 유기박막층 상에 소정의 패턴으로 각각 형성된 OTFT의 게이트 전극 및 OLED의 제 2 전극과;상기 OTFT의 게이트 전극과 상기 유기박막층 사이에 형성된 OTFT의 게이트 유전체층; 및상기 OLED의 제 2 전극과 상기 유기박막층 사이에 형성된 OLED의 전자주입층;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자.
- 제 11 항에 있어서, 상기 능동형 유기전기발광디스플레이소자는:상기 OTFT의 드레인 전극과 OTFT의 소스 전극 사이의 거리를 리소그래피 공정에서 조절함으로써 소스 전극에서 드레인 전극으로 흐르는 전류량을 일정크기로 조절하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 OTFT의 게이트 전극은 상기 OLED의 제 2 전극을 증착할 때 동시에 증착하여 OTFT와 OLED가 하나의 공정으로 제작되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 양극이고,상기 OLED의 제 2 전극은 음극인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 OLED의 제 1 전극은 음극이고,상기 OLED의 제 2 전극은 양극인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터가 내장된 능동형 유기전기발광디스플레이소자.
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