CN1708976A - 光电传感器 - Google Patents
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Abstract
所公开的是一种光电传感器，其包括至少一个光电二极管(1)，该光电二极管(1)经由第一晶体管(T1)或者第一二极管(D1)被连接到第一电位(Vreset，Vreset1)。所述光电二极管(1)也可经由第二晶体管(T2)被连接到读出放大器(T3)的输入。第三晶体管(T5)设置在第二晶体管(T2)和读出放大器(T3)的输入之间，通过该第三晶体管读出放大器(T3)的输入可连接到第二电位(Vreset，Vreset2)。本发明的光电传感器进一步包括装置(C2)，其用于暂时储存积分的信号值直到读出时间，由此具有大动态范围的光电传感器被制造，即对于小信号其灵敏度被增加同时对于大信号其灵敏度被降低，所述光电传感器另外允许信号值被储存在像素中直到随后的积分的读出时间(全局快门曝光控制)。
Description
技术领域
本发明涉及一种光电传感器，其包括至少一个光电二极管，该光电二极管经由第一晶体管被连接到第一电位。
背景技术
以CMOS技术来实施图像传感器程度越来越大。与CCD技术相比较，此技术使产生响应输入信号的输出信号的非线性特性曲线成为可能。
对于等灰度分辨率，与线性特性曲线相比，非线性特性曲线使处理图像内更高的对比度而没有图像饱和出现成为可能。
在过去，非线性特性曲线已用各种方式产生。例如，US 4,473,836描述了通过对数压缩的非线性特性曲线的产生。WO 01/46655描述了通过结合的线性-对数压缩的非线性特性曲线的产生。其它来源使用所谓的箝位(clamping)用于此目(T.F.Knight，PhD.Thesis，MIT，June 1983)。原则上，这总含有在高光能量时光电传感器的灵敏度的降低。另一方面，略取(skimming)方法(参看例如IEEE Transactions on circuits andsystems for video technology，Vol.7，No 4，August 1997)使在低光学强度时增加灵敏度成为可能。
为了记录快速移动的图像，或者通过脉冲光源(闪光灯)被照亮的场面，具有所谓“全局快门(global shutter)”曝光控制的传感器被使用。这意味着传感器通过像素中的“采样和保持”组件使储存积分信号值直到读出时间成为可能。
发明内容
因此本发明的目的是提供一种光电传感器，其具有增加的动态范围以及“全局快门”曝光控制。这基本上含有在高光能量时限制传感器灵敏度并且，同时使在低光学强度下增加灵敏度成为可能。本发明涉及包括至少一个光电二极管的光电传感器，该光电二极管可经由第一晶体管或第一二极管被连接到第一电位。
此目的被实现为：光电二极管可经由第二晶体管被进一步连接到读出放大器的输入，第三晶体管被进一步设置在第二晶体管和读出放大器的输入之间，经由第三晶体管读出放大器的输入可被连接到的第二电位。此外还有装置(C2)，其允许积分的信号值的暂时储存直到读出时间。
因此本发明的关键是结合了在低光学强度时增加灵敏度的可能性和在高光能量时降低灵敏度的的可能性，并且同时保留“全局快门”曝光控制。
本发明提出一种电路，其适合于集成成光电传感器元件(图像传感器)的一维或二维阵列，并且通过增加对于低强度的光学信号的灵敏度和通过降低对于高强度的光学信号的灵敏度使产生非线性特性曲线成为可能。所提出的电路可同样用于二维阵列并通过用于双采样的信号时序来读出。
根据本发明的第一优选实施例，在第一晶体管的情形中，第一和第二电位处于基本上相同的电压电平。在第一二极管的情形中，此电路不是可能的，因为在该情形中第一电位必须被独立于第二电位调节以控制有效的二极管阈电压。“采样和保持”组件优选地由第二晶体管和被连接到读出缓冲器的输入的寄生电容来产生。在用于小信号的放大模式中，这些寄生电容同样形成转换电容器。为了更好地控制此转换电容器，到地电位的额外电容器可被连接到此节点。此电容通常在几毫微微法(femtofarad)的范围。为了允许小信号的放大，被连接到读出缓冲器的输入的总电容必须小于光电二极管的寄生电容。
根据本发明的另一个优选实施例，读出放大器或者读出缓冲器的输出经由行选择晶体管被连接到列总线。典型地，在该电路中所使用的所有晶体管都被设计为MOS晶体管。下列描述是基于N型MOS晶体管(NMOS)的实施，但是本发明也覆盖P型MOS晶体管或者两种晶体管类型的结合的可能实施。当PMOS晶体管被实施时，所有的电压都相对于此处所描述的NMOS晶体管被反转，这对于熟悉本技术的读者是已知并明显的。
本发明的另一个优选实施例区别在于：第二晶体管的栅电压被控制，从而使由光电二极管所产生的电流只在积分时间的第一阶段对读出放大器的输入处的电容器放电，并且第一晶体管的栅电压，或者相应地，第一二极管的情形中的第一电位被控制，从而使由光电二极管所产生的电流的一些或者全部通过第一晶体管的沟道或者相应地通过第一二极管在积分时间的最后阶段被补偿。此操作确保对于高强度灵敏度被降低并且对于低强度灵敏度被增加。依据强度，这样的传感器将在全部积分时间内停留在第一阶段(低信号)或者继续到最后阶段(大信号)。典型地，电压在此情形中被调节，从而使第一晶体管的栅电压低于第二晶体管的栅电压，并且从而使第一晶体管的栅电压比读出缓冲器的饱和信号高至少一个阈电压。在使用二极管代替第一晶体管的情形中，二极管的阳极电压(第一电位)被调节，从而使阳极电压减去二极管阈电压低于栅电压减去第二晶体管的阈电压并且从而使阳极电压减去二极管阈电压大于读出缓冲器的饱和信号。于是证明调节到所述栅电压(或者相应地，所述栅电压和二极管情形中的阳极电压)是有利的，从而使该两个电压之间的差大于阈电压的容限加上所述电压值的容限，此差具体来说最好被选择为＞100mV。这对应于nW/cm2到mW/cm2范围内的典型的光强度。
在积分时间之后，第二晶体管被断开从而使转换节点(储存节点)与光电二极管隔离。在此阶段，直到读出阶段的结束，第一晶体管的栅被保持在比地电压高出至少一个阈电压的电位。在第一二极管的情形中，后者将被类似地调节到第一电位加上有效的二极管阈电压。这确保了由光电二极管所积累的电荷载流子没有完全对光电二极管进行放电并且溢出到存储节点，但是通过第一晶体管的沟道或者相应地第一二极管被补偿，如果光电二极管的电位达到接近地电压的值(大的光学强度)。
在本发明的另一个优选实施例中，第一和第二晶体管的栅电压在积分时间内可被改变。传感器或者传感器阵列的特性响应曲线(作为强度函数的灵敏度)可因此被更可变地调节，如果需要的话，或者相应地依据入射光在传感器元件阵列上的强度分布。在“保持”阶段内，则应该注意：第一晶体管的栅电压停留在至少防止光电二极管的完全放电的值，但是低于积分阶段内第二晶体管的栅电压所用的最小值。类似地，第一二极管必须由此经由第一电位控制。
根据本发明的光电传感器的其它优选实施例在从属的权利要求中被描述。
此外，本发明还涉及用于操作如上所述的光电传感器的方法。具体来说，该方法的区别在于：第一晶体管的栅电压，或者相应地第一二极管的情形中的第一电位，被相应调节或者控制从而使在积分时间的第一阶段中由光电二极管积累的电荷载流子只对的转换节点电容器放电，在光电二极管的输出处和读出放大器的输入处相等的电位已经被达到之后的第二阶段中，由光电二极管积累的电荷载流子对光电二极管电容器和所述转换节点电容器二者放电，并且在光电二极管的输出已经落到第一晶体管的阈值或者相应地第一二极管的二极管阈值以下之后，在第三阶段中由光电二极管积累的电荷载流子至少部分经由第一晶体管或者相应地经由第一二极管成为可利用的，并且在积分时间过去之后第二晶体管被断开并且第一晶体管的栅电压，或者相应地第一二极管情形中的第一电位被调节从而防止光电二极管的完全放电。此操作模式实现了前述的对于高强度的灵敏度的降低以及相应地对于低强度的灵敏度的增加，以及在积分时间已经过去之后储存像素中的信号值直到读出时间的可能性(“全局快门”曝光控制)。优选地，然后可采用在复位阶段内或者在积分阶段内调节第二晶体管的栅电压的步骤，从而使栅电压减去阈电压低于在读出放大器的输入处建立的复位电压，并且从而使栅电压比读出缓冲器的饱和电压高出至少一阈电压。第一晶体管的栅电压在复位阶段内被调节到将在积分阶段内使用的最高值，但是至少比地电压高出阈电压并且低于第二晶体管的栅电压。在保持阶段内，第一晶体管的栅电压值被调节到与复位阶段内相同的值，但是至少比地电压高出阈电压。
如以上更一般地叙述，根据所述方法的优选实施例第二晶体管的栅电压在积分阶段内可被改变，尽管它一直停留在比第一晶体管的栅电压大，并且第一晶体管的栅电压在积分阶段内优选地被接连地降低。
此外，在积分时间内进一步可能保持第一晶体管的栅电压恒定或者连续地降低它。另外，可以采用第二晶体管的栅电压被切换至少一次的步骤，从而使它等于此晶体管的体电位并且被再一次切换回它的最初值。
本发明进一步涉及如上所述的光电二极管传感器的一维或者二维阵列。它还涉及用于操作这种阵列的方法。
附图说明
下面将关于附图对本发明进行更详细地解释，其中：
图1示出在高强度时灵敏度降低的光电传感器的电路图；
图2示出在高强度时灵敏度降低的具有快门晶体管和转换节点电容器的光电传感器的电路图；
图3示出具有大动态范围的光电传感器的电路图(根据本发明的电路的优选实施例)；
图4示出在低强度时具有增加的灵敏度的光电传感器的电路图；以及
图5示出具有大动态范围的光电传感器的电路图，其中第一晶体管被二极管替换。
具体实施方式
A)在高光学强度时降低灵敏度的非线性特性曲线
在集成的光检测器中，光产生的电荷由反向偏置光电二极管1积累并在光电二极管的寄生电容和连接到该光电二极管的电容器上被积分。
如果在积分电容C1，C2已经达到某一信号电平之后信号相关的电流被排除，在高强度时灵敏度的降低可被实现(例如，这在前述的WO01/46655中被提出)。在积分时间内如果在根据图1到图3之一的像素图中MOS晶体管T1的栅被偏置从而使超出想要的信号值，MOS晶体管T1通过阈下电导(在阈值之下的电导)从积分电容器C1放电信号相关的电流。在积分时间内，此晶体管T1的栅的偏置可被适配从而使不同的有效积分时间被产生用于不同的光学强度。这在如下以依靠P型基底的N型光电二极管以及以N沟道MOS晶体管的实施例来实施：
在积分时间的开始之前，图1到图3中的复位晶体管T1的栅被偏置到至少高于复位电位Vreset的阈值。图1中的积分电容器C1，或者相应地图2和图3中的C1和C2，由此被充电到复位电位Vreset。在积分时间的开始，复位晶体管T1的栅被偏置(VG1)到低于复位电位加上阈电压的值，但是比读出缓冲器的饱和电压高出至少一阈电压。由光电二极管1积累的电流，其线性响应于入射光强度，对积分电容器C1放电，或者相应地C1和C2。对于相对高的光学强度，在积分时间之内积分电容器将放电到值VG1-VTH(T1的阈电压)。从该时间向前，晶体管T1从积分电容器放电由光电二极管1所产生的一些电流。在积分电容器处的电压现在更慢地减少直到它最后稳定在一个值，对于该值由光电二极管1所产生的全部电流经由晶体管T1被补偿。在积分时间的第二半中，例如在积分时间的90％之后，复位晶体管T1的栅被偏置到更低的值VG2。这停止了由光电二极管1所产生的电流的补偿。积分电容器再一次被放电全部的光电流。由于直到积分时间结束的更短的时间跨度保持，这导致对于已经在第一时间间隔中放电积分电容器到VG1-VTH的光学强度的灵敏度。
通过附加的进一步的步骤该特性曲线可被适合于要求。
B)通过增加对于小信号的灵敏度的非线性特性曲线
在CMOS技术中增加集成的光电传感器的灵敏度可通过降低将光生电荷转换到电压信号的转换电容来实现。通常，该电容通过光电二极管的寄生电容和连接到该光电二极管的读出电子设备的寄生电容来形成。通过在已知的技术中生产的最小结构这些电容只可被降低到有限程度。通过在光电二极管和读出缓冲器之间添加MOS晶体管及该晶体管栅电压的合适偏置，将光电二极管的寄生电容从转换电容器分离出来是可能的。
使这点成为可能的光电传感器的实例电电路在图4中被给出。
在第一阶段，通过闭合复位晶体管T5，转换电容C2被充电到复位电压Vreset。在复位阶段内晶体管T2的栅被保持在恒定电压VGT2。此电压被选择为使得MOS晶体管T2的栅电压减去阈电压小于通过打开复位晶体管T5在转换节点N3处实现的复位电压。然而，该栅电压被选择为比晶体管T2的体电位高出一阈电压。因此在复位期间光电二极管1不处于复位电位，但是被稳定在电位VGT2-VTH。
由光电二极管收集的电荷载流子在晶体管T2中产生电流，其对转换电容器C2放电。因此维持了光电二极管1的反向偏置电压。结果，光电二极管1的寄生电容C1不放电，并且对于积累在C2上的特定量的电荷而产生的电压信号大于当转换电容器被直接连接到光电二极管1时。只要在转换节点N3的电压大于在光电二极管(N1)处的电压，此增加的灵敏度就被实现。一旦这两个电压相等，光电二极管和转换节点N3的寄生电容就均匀地放电。因此对于较大的信号灵敏度被降低。
积分时间的结束可通过将T2处的栅电压降低到低于体电位加上阈电压(断开C2)的电位以及采样C2上的电压信号或者通过读出并且导致该复位来确定。光电二极管可在保持阶段内进一步放电。这样的效果可以是：光电二极管完全放电，并且光产生的电荷经过基底溢流到存储节点并且然后伪造该信号值被读出。本发明提供此问题的解决方案。
在积分时间内，晶体管T2的栅电压可被修改以借助信号相关的电荷注入增加灵敏度。(例如，重复关断并闭合VGT2。)
根据本发明，然后下列步骤被采用：
根据本发明的光电传感器的示例性实施例的电路图在图3中被描述。根据本发明的光电传感器具有光电二极管1，其借助于MOS晶体管T1可被连接到复位电压Vreset。该传感器还具有MOS晶体管T2，其将该光电二极管连接到读出缓冲器T3。读出缓冲器T3的输入端子通过MOS晶体管T5进一步被连接到复位电位。
在该传感器的本发明的控制中，晶体管T2的栅端子在复位和积分阶段期间被偏置从而使栅电压减去阈电压低于复位电位，其被建立在读出缓冲器N3的输入处，但是比读出缓冲器T3的饱和信号高至少一阈电压。
晶体管T1的栅被偏置从而使它的电位低于T2的栅电位，但是比读出缓冲器T3的饱和信号高至少一个阈电压。该两个栅电压之间的差应该大于阈电压的容限加上电压值的容限(典型地＞100mV)。
在积分阶段内，晶体管T2的电位可以被改变但是应该一直保持在大于晶体管T1的栅电位。
晶体管T1的栅电位可在积分阶段内被降低。
在积分时间的第一阶段中，由光电二极管1积累的电荷载流子只放电转换电容器C2，并且每个电荷载流子产生最大电压信号。对于相对小的光学强度，根据本发明的传感器在全部积分时间都停留在此阶段。
在积分时间的第二阶段中，节点N1和N3处的电位相等。在此阶段中，由光电二极管1收集的电荷载流子均匀地放电光电二极管1的寄生电容C1，及转换电容器C2，并且每个电荷载流子产生中等的电压信号。对于中等的光学强度，根据本发明的传感器停留在此阶段直到积分时间的结束。
在积分时间的第三阶段中，光电二极管1和读出节点的寄生电容被放电直到由光电二极管产生的电流的一些或者全部借助于晶体管T1被补偿。依据在特性曲线的该部分是否需要对数响应或者局部线性响应，T1的栅电位可以由已知的技术被逐步地或者连续地降低，或者被保持在合适的固定值。
在积分时间的结束，通过将T2的栅电位降低到低于体电位加上阈电压(断开T2)的值，在节点N3处建立的电压信号被采样。直到电压信号被读出，T1的栅电位保留比地电位高出至少一阈电压。这防止寄生光电二极管电容完全放电，并防止剩余的电荷溢流到存储节点。在N3处的电压信号已经借助于读出缓冲器读出之后，节点N3借助于复位晶体管T5被带到复位电位Vreset并且晶体管T1的栅被设置为积分时间的开始处的值。
图5示出可选择的电路，其中第一晶体管T1被二极管D1代替。为了使此二极管完成类似的任务，在此情形中二极管D1和晶体管T5的复位电位必须被使得不同。复位电位Vreset1被施加到二极管D1(在可选择的实施例中，在积分时间内此电位可被控制)而电位Vreset2被分别施加到晶体管T5或者T3。
根据图5的这种电路中，如果在积分电容C1，C2已经达到某一信号电平之后特定的信号相关的电流被排除，对于高强度的灵敏度的降低可被实现(例如，这在前述的WO 01/46655中被提出)。在根据图5的像素图中，这被实现是通过在积分阶段调节二极管D 1的复位电压Vreset1，使得超出想要的信号值，通过阈值以上的电导，二极管D1从积分电容器C1放电信号相关的电流。在积分时间内，在二极管D1处的电压Vreset1被适配使得对于不同的光学强度产生不同有效的积分时间。这是用于具有依靠P+/N-阱结二极管D1的N型光电二极管的实施例(典型地具有从0.3到0.7V范围的阈电位VonDiode)。
在第一阶段，通过闭合复位晶体管T5，转换电容器C2被充电到复位电压Vreset。在复位阶段内晶体管T2的栅被保持在恒定电压VGT2。此电压被选择为使得MOS晶体管T2的栅电压减去阈电压低于复位电压，该复位电压通过断开复位晶体管T5而在转换节点N3处实现。然而，栅电压被选择为比晶体管T2的体电位高出至少一阈电压。因此在复位期间光电二极管1不被带到复位电位，但被稳定在电位VGT2-VTH。
在此阶段，图5中的复位电压Vreset1被设置为在积分期间所用的最高值。此电压减去二极管(D1)的阈电压至少高于读出缓冲器的饱和值，但低于栅电压减去第二晶体管(图5中T2)的阈电压(典型地＞100mV)。由光电二极管1收集的电流，其线性响应于入射光强度，在第一阶段被MOS晶体管T2的沟道补偿并且只放电电容器C2。一旦在N3处的电位已放电到低于T2的栅电压减去阈电压的值，电容器C1和C2就被均匀放电。对于相对高的光学强度，积分电容器(C1+C2)在积分时间之内被放电到值(Vreset1-VonDiode)。从该时间向前，二极管D1从所述积分电容器放电由光电二极管1产生的一些电流。在积分电容器处的电压现在更慢地减少直到它最后稳定在一个值，对于该值，通过二极管D1所有由光电二极管1产生的电流被补偿。在积分时间的另一个阶段，例如在积分时间的90％之后，复位电压Vreset1被设置为更低的值。这停止了由光电二极管1产生的电流的补偿。积分电容器再一次被放电全部光电流。由于直到积分时间的结束的更短的时间跨度保留，这导致对于光学强度的降低的灵敏度，其在第一时间间隔已经将积分电容器放电到Vreset1-VonDiode。
通过附加的进一步阶段，特性曲线在此可再次被适应于需要。
参考列表
1 光电二极管
2 地电位
C1 光电二极管电容器
C2 转换节点电容器
T1 复位晶体管
T2 快门晶体管
T3 读出晶体管
T4 行选择晶体管
T5 传感节点N2的复位晶体管
N1 二极管节点
N3 转换节点/存储节点
Vreset 复位电压
Vreset1 二极管D1上的复位电压
Vreset2 晶体管T5上的复位电压
VonDiode 二极管阈电压
D1 复位二极管。
Claims (16)
1.一种光电传感器，其包括至少一个光电二极管(1)，该光电二极管(1)经由第一晶体管(T1)或者第一二极管(D1)被连接到第一电位(Vreset，Vreset1)，
其特征在于
为了提供大的动态范围，光电二极管(1)可经由第二晶体管(T2)进一步被连接到读出放大器(T3)的输入，第三晶体管(T5)还设置在第二晶体管(T2)和读出放大器(T3)的输入之间，经由该第三晶体管(T5)读出放大器(T3)的输入可被连接第二电位(Vreset，Vreset2)，并且
其中有装置(C2)，其允许所积分的信号值的暂时存储直到读出时间。
2.如权利要求1的光电传感器，其特征在于具有第一晶体管(T1)，并且第一和第二电位(Vreset)处于基本相同的电压电平。
3.如前述权利要求之一的光电传感器，其特征在于附加的到地电位(2)的转换节点电容器(C2)被设置在第二晶体管(T2)和读出放大器(T3)的输入之间。
4.如前述权利要求之一的光电传感器，其特征在于读出放大器(T3)的输出经由行选择晶体管(T4)被连接到列总线。
5.如前述权利要求之一的光电传感器，其特征在于所用的晶体管(T1，T2，T3，T4，T5)的至少一个，并且优选地全部被设计为MOS晶体管。
6.如前述权利要求之一的光电传感器，其特征在于第二晶体管(T2)的栅电压被控制以使得在积分时间的第一阶段由光电二极管(1)产生的电流只对在读出放大器(T3)的输入处的电容器(C2)放电，并且第一晶体管(T1)的栅电压，或者相应地当有第一二极管(D1)时的第一电位(Vreset1)，在此情形中被控制以使得由光电二极管(1)产生的电流的一些或者全部通过第一晶体管(T1)的通道或者相应地通过第一二极管(D1)在积分时间的最后阶段被补偿。
7.如权利要求6的光电传感器，其特征在于在第一晶体管(T1)的情形中，第一晶体管(T1)的栅电压低于第二晶体管(T2)的栅电压并且第一晶体管(T1)的栅电压比读出缓冲器的饱和信号高至少阈电压，或者相应地在第一二极管(D1)的情形中第一二极管(D1)的二极管阳极电压被第一电位(Vreset1)调节使得此阳极电压减去二极管阈电压(Vreset1-VonDiode)低于栅电压减去第二晶体管(T2)的阈电压并且第一二极管(D1)的二极管阳极电压(Vreset1)比读出缓冲器的饱和信号高至少二极管阈电压(VonDiode)。
8.如权利要求6的光电传感器，其特征在于所述两个栅电压之间的差大于阈电压的容限加上电压值容限，此差具体优选地被选择为＞100mV。
9.如前述权利要求之一的光电传感器，其特征在于第一晶体管(T1)和第二晶体管(T2)的栅电压在积分时间内可被改变。
10.一种用于操作根据权利要求1到9的至少一项的光电传感器的方法，其特征在于第一晶体管(T1)的栅电压，或者相应地在第一二极管(D1)的情形中的第一电位(Vreset1)，以及第二晶体管(T2)的栅电压，被分别调节或控制使得由光电二极管(1)积累的电荷载流子在积分时间的第一阶段只对转换节点电容器(C2)放电，在光电二极管(1)的输出和读出放大器(T3)的输入相等的电位已经被达到之后第二阶段由光电二极管(1)积累的电荷载流子对光电二极管(C1)和所述转换节点电容器(C2)放电，并且在光电二极管(1)的输出已经落到第一晶体管(T1)的阈电压或者相应地第一二极管(D1)的二极管阈电压以下之后，由光电二极管(1)积累的电荷载流子在第三阶段经由第一晶体管(T1)或者相应地经由第一二极管(D1)至少部分成为可用的，并且所述第二晶体管(T2)在积分时间已经过去之后被断开使得信号被保持在转换电容器(C2)直到读出时间并且第一晶体管(T1)或者相应地第一二极管(D1)在此保持时间内被调节使得光电二极管电容器(C1)不被完全放电。
11.如权利要求10的方法，其特征在于第二晶体管(T2)的栅电压在复位阶段内以及积分阶段内被调节使得栅电压减去阈电压低于在读出放大器(T3)的输入处设置的复位电压，并且栅电压高出读出缓冲器的饱和电压至少阈电压。
12.如权利要求10和权利要求11之一的方法，其特征在于第二晶体管(T2)的栅电压在积分阶段内被改变，尽管它一直停留在大于第一晶体管(T1)的栅电压，并且第一晶体管(T1)的栅电压在积分阶段内优选地被连续降低。
13.如权利要求10到权利要求12之一的方法，其特征在于第一晶体管(T1)的栅电压在积分时间内被保持恒定或者被连续降低。
14.如权利要求10，11和13之一的方法，其特征在于第二晶体管(T2)的栅电压被切换至少一次使得它等于此晶体管(T2)的体电位并且被再一次切换回它的初始值。
15.一种根据权利要求1到9之一的光电二极管传感器的一维或者二维阵列。
16.一种根据权利要求10到14之一的方法，其用于操作如权利要求15所述的阵列。
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