CN1702786A - 芯片型电子零件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种芯片型电子零件，其中陶瓷主体的至少一个面为凸状的弯曲面。具体地，可以是所述陶瓷主体厚度方向的至少一个面弯曲成凸状，同时陶瓷主体的侧面弯曲成凹状，或者也可以只有一个面为凸状的弯曲面。由此，即使是小型也变为视觉辨识性高、且机械强度高。另外，在具备绝缘层与导体层交替层叠而成的陶瓷主体、和一对外部电极的芯片型电子零件中，形成为：陶瓷主体的所述外部电极间的中央部的层叠方向厚度大于端面侧的厚度。由此，可以防止外部电极的破坏，且可以使陶瓷主体增大。

Description

芯片型电子零件

技术领域

本发明涉及芯片型电子零件，特别涉及层叠陶瓷电容器、电感器、电阻器、半导体元件等、形状近似长方体的小型的芯片型电子零件。

背景技术

近几年，电子设备谋求小型化、安装的高密度化，例如，如特开2003-318312号公报所记载的，电容器、电感器、电阻器、半导体元件等具有各种特性的芯片型电子零件混在一起安装在构成上述电子设备的基板上。作为专利文献1所记载的芯片型电子零件(相当于特开2003-318312号公报的电路元件)，例如有：特开2000-114097号公报所记载的小型的层叠陶瓷电容器(大小：长度2mm、宽度1.25mm、厚度1.25mm)等。

然而，如上所述，由于在基板上，各种各样的芯片混合在一起，所以安装时和修理时的操作繁杂。因此，考虑：在所使用的芯片型电子零件的表面上记载其特性或制造厂家名等信息的方法。可是，由于基板的高密度化和芯片型电子零件的小型化，辨识零件表面的信息变得困难。

并且，已经小型化的芯片型电子零件，其自身的机械强度小。因此，存在：用自动机械来输送或向基板上安装时，由于被抓住的强度或安装在基板上时的速度或强度，芯片型电子零件被破坏的问题。另外，由于烧成后的陶瓷主体的棱线部等有棱角，故在安装时存在容易产生尖端(tipping)等问题。

另一方面，图14是记载在日本规格协会编JIS手册2001 23电子零件C5101-10中的、表示现有的典型层叠陶瓷电容器的概略剖面图。如图14所示，该层叠陶瓷电容器构成为在陶瓷主体71的对向端面上形成一对外部电极73。在这种层叠型的芯片型电子零件中，包括外部电极73的最外周尺寸成为规格尺寸。即，陶瓷主体71的层叠方向的厚度t3小于外部电极73的相同方向的厚度t4，但是，层叠型电子零件的规格尺寸是用上述外部电极73的厚度t4来规定的。

因此，在层叠陶瓷电容器的情况下，为了达到小型高电容化，把作为电容产生部的陶瓷主体71的大小尽可能地变大，另一方面，使外部电极73尽量薄，以使全体尺寸尽可能变小的形态来设计制造。

然而，如果薄薄地形成外部电极73，则作为电容产生部的陶瓷主体71虽然可以变大，但存在：安装时，在外部电极73上容易产生被焊锡压倒；或在安装、输送等工序中，容易产生外部电极73的剥落等问题。

另一方面，为了防止外部电极73剥落的产生，如果形成厚的外部电极73，则必须使陶瓷主体71变小，因此，静电容被抑制而变小，并存在：由于容易变为外部电极73从陶瓷主体71外形表面凸出的结构，所以在落下等冲撞时，外部电极73容易变为冲击面，因此，外部电极73容易被破坏的问题。

发明内容

本发明的主要课题为：提供一种在安装时，即使是小型、记载在零件表面的信息的视觉辨识性也高的芯片型电子零件。

本发明的其他课题在于，提供一种即使是小型，机械强度也高的芯片型电子零件。

本发明的另一课题在于，提供一种即使是小型、也可以防止尖端等缺陷的芯片型电子零件。

本发明的又一课题在于，提供一种即使是小型，也可以使外部电极变厚、可以防止外部电极破坏且可以使陶瓷主体变大的芯片型电子零件。

用于解决上述课题的本发明的芯片型电子零件，由内部具有导体部的陶瓷主体构成，该陶瓷主体的至少一个面为凸状的弯曲面。由此，构成芯片型电子零件的陶瓷主体的一个面的面积变大，可以用大的文字记载芯片信息，且视野广角化，所以，利用放大镜等的安装操作时的芯片确认变得容易。另外，通过增加记载在芯片上的信息量，从而即使在修理时的芯片零件更换时，也可以从芯片获得更多的信息，所以可以迅速且准确进行修理。

并且，由于陶瓷主体的一个面具有凸状的弯曲面，所以例如在强度试验的加压时，即使在用规定的工具对凸状的弯曲面进行加压的情况下，压力被分散，也可以避免破坏等机械损伤。

根据本发明，优选所述陶瓷主体为近似长方体，且所述陶瓷主体的厚度方向的至少一方的面弯曲为凸状，并且陶瓷主体的侧面弯曲为凹状。即，通过使凸状的一个面邻接凹状的弯曲面，从而陶瓷主体侧面由拱状的部位构成，故芯片型电子零件的机械强度进一步提高，提高了对强度试验的耐性。

因此，例如，本发明的芯片型电子零件适用于：可以在混合集成电路等中安装很多个，且由自动机械高速输送和安装，并且需要经得住安装等工序的机械强度的层叠陶瓷电容器等小型的层叠电子零件。

优选所述凸状的弯曲面沿着陶瓷主体宽度方向改变厚度而形成。由此，即使是烧成后也可以使陶瓷主体的棱线部或角落部圆滑。因此，在安装或输送工序等的处理中，可以防止这些棱线部或角落部产生尖端等缺损。另外，由于棱线部或角落部存在圆角，故可以省去通称为滚筒抛光(barrel)的研磨工序。上述凸状的弯曲面最好放置为面向芯片型电子零件的上表面侧。

在本发明中，可以只是一个面为凸状的弯曲面。由此，例如，可以使上表面以外的面为平面，即使是小型的零件，也可以放置稳定性优越。

并且，本发明的芯片型电子零件具备：相互交替层叠陶瓷制的多个绝缘层和导体层而成的陶瓷主体；和形成在该陶瓷主体两端面、每隔一层交替连接所述导体层的一对外部电极。所述陶瓷主体的外部电极之间的中央部的层叠方向厚度大于端面侧的厚度。

由此，即使不是外部电极从陶瓷主体外形表面凸出的结构，也可以使外部电极形成得足够厚。并且，外部电极的表面和陶瓷主体侧面可以几乎形成在同一个面。因此，在落下等冲撞时，只用外部电极就可以减少所受的冲击，可以防止：落下时的冲击所引起的缺损或破坏。并且，外部电极的厚度没有必要变薄，所以可以防止：安装时的外部电极的被焊锡压倒或安装或输送等工序中所产生的外部电极的剥落。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的芯片型电子零件的概略立体图。

图2是用于说明本发明的第1实施方式的凸状弯曲面的曲率半径r1的概略剖面图。

图3是用于说明本发明的第1实施方式的凹状弯曲面的曲率半径r11的概略剖面图。

图4是表示：对本发明的第1实施方式涉及的芯片型电子零件的层叠方向(厚度方向)和宽度方向的膨胀率进行评价的方法的概略剖面图。

图5(a)、(b)是表示本发明的第1实施方式的芯片型电子零件的制造方法的概略图。

图6是表示本发明第2实施方式涉及的芯片型电子零件的概略立体图。

图7是表示本发明第2实施方式涉及的芯片型电子零件的概略剖面图。

图8是用于说明本发明的第2实施方式涉及的弯曲面的曲率半径r2的概略剖面图。

图9是表示针对本发明的第2实施方式涉及的芯片型电子零件，对层叠方向的膨胀率进行评价的方法的概略剖面图。

图10(a)、(b)、(c)是表示本发明的第2实施方式涉及的芯片型电子零件的制造方法的概略图。

图11是表示本发明的第3实施方式涉及的芯片型电子零件的概略立体图。

图12是用于说明本发明的第3实施方式涉及的弯曲面的曲率半径r3的概略剖面图。

图13是表示本发明的第3实施方式涉及的芯片型电子零件的制造方法的概略图。

图14是表示现有的层叠陶瓷电容器的概略剖面图。

具体实施方式

<第一实施方式>

下面，参照附图，对本发明的芯片型电子零件，特别是以层叠陶瓷电容器为例，进行详细说明。图1是该实施方式涉及的芯片型电子零件的概略立体图。图2是用于说明凸状弯曲面的曲率半径r1的概略剖面图。图3是用于说明凹状弯曲面的曲率半径r11的概略剖面图。

本发明的芯片型电子零件是在陶瓷主体1的端部具有一对外部电极3的芯片型电子零件，在内部具备导体部5，其外观形状是所谓的俯视时可以视为长方体状的零件。在本发明中，所述陶瓷主体1的厚度方向(层叠方向)的面(一面或两面)弯曲成凸状，且相对于所述凸状面，两个侧面弯曲为凹状。特别是所述陶瓷主体1的上、下表面和两个侧面分别弯曲成为凸状(弯曲面9a)和凹状(弯曲面9b)为好。而且，所述面(及侧面)成为构成陶瓷主体1的主面。

更详细地，如图2和3所示，优选陶瓷主体1使陶瓷制的多个绝缘层7和导体部5交替层叠。希望：陶瓷主体1的体积为8mm³以下、最好为5.5mm³以下，且弯曲面9a、9b表面的曲率半径r1、r11是50mm。另外，弯曲面9a、9b的曲率半径r1、r11可以是相同的值也可以是不同的值。

在构成芯片型电子零件的陶瓷主体1没有弯曲面9a、9b的情况下，由于陶瓷主体1的主面的面积小，故不能用大的文字来记载芯片信息，视野也变窄，即使在利用放大镜等的安装操作中，也很难确认芯片零件。另外，在修理时的芯片零件的更换之际，因为从电子零件获得的信息少，所以不能迅速准确地进行修理。并且，在强度试验的加压时，用规定工具加压主面时，压力不易分散而容易产生破坏等机械损伤，在安装或输送组装时，电子零件容易破坏。

图4是表示：芯片型电子零件的层叠方向(厚度方向)和宽度方向的膨胀率的评价方法的概略剖面图。

如图4所示，在用a表示陶瓷主体1的导体部5的层叠方向的最长长度、用b表示导体部5没有露出的陶瓷主体1侧面中的层叠方向的长度时，层叠方向的膨胀率x1可以用公式来表示：x1＝{(a1-b1)/b1}×100。因为提高芯片型电子零件的破坏强度的理由，所以膨胀率x大于0％，大于1％为好，更好为大于5％。另外，最好是a1＞b1。

另外，在将宽度方向的最短长度设为d、将同方向的陶瓷主体1的端部间的长度设为c时，宽度方向的膨胀率y可以用公式来表示：y＝{(d-c)/c}×100。由于提高芯片型电子零件的破坏强度的理由，故该膨胀率(y)的绝对值要大于0％，绝对值大于1％为好，更好为绝对值大于5％。在芯片型电子零件为小型的情况下，如果上述膨胀率y过大，则会降低放置稳定性，所以在满足放置稳定性、破坏强度、视觉辨识性等特性方面，最好满足y＜10的关系。另外，优选d＜c。

另外，优选陶瓷主体1的弯曲过的弯曲面9a、9b表面的曲率半径r1及r11分别为50mm以下。这样，根据本发明，通过使规定为x1和y的膨胀率及曲率半径满足上述关系，从而可以提高芯片型电子零件的破坏强度。

此外，最好是弯曲面色调不同于其他面的色调，即弯曲面9a、9b为不同的色调或在对比点其颜色不同。为了使弯曲面9a、9b互相和其他面色调不同，可以通过将从内部的导体部5的端部到陶瓷主体1表面为止的距离w1、w2调整为不同尺寸来形成。例如，通过使从图4的导体部5的最上层到弯曲的陶瓷主体1表面为止的距离w1小于导体部5的端部与导体部5的侧面之间的距离w2，从而可以以透过陶瓷主体1看见导体部5的程度来形成色调差。由此，进一步提高信息的视觉辨识性，弯曲面9a、9b的区别变得容易。

图5是表示该实施方式涉及的芯片型电子零件的制造方法的概略图。首先，如图5(a)所示，在包含陶瓷粉末的生片(green sheet)11上形成矩形的导体图案13。在图5(a)中，模型A是在生片11上只形成导体图案13的模型，模型B、C、D是在形成于生片11上的导体图案13的周围，以和生片相同的材质，形成尺寸不同的陶瓷图案15a、15b、15c，消除导体图案13的阶差的模型。

然后，例如，利用图5(b)的组合，将模型A～D的生片11层叠成陶瓷主体成型体的主面弯曲为规定形状，切断成规定形状而形成内部具有导体图案13的陶瓷主体成型体。接着，利用橡胶模压力机等进行加压加热。接着，烧成陶瓷主体成型体，制作内部具有导体部的陶瓷主体。

即，生片11最好是从层叠体中央部分向上部和下部，按照模型B、C、D和A的顺序进行层叠。由此，形成凸状的弯曲面9a和凹状的弯曲面9b。生片11的层叠枚数，通常为15～400枚左右，在这个范围内，只要决定生片11的每一个模型的枚数和组合就可以。另外，膨胀率和曲率半径也可以根据层叠枚数、成型体加压时的压力来进行调整。

最后，在上述陶瓷主体的两端部，例如形成外部电极，以完成层叠陶瓷电容器。

<第二实施方式>

下面，参照附图，对本发明的第二实施方式的芯片型电子零件，特别以层叠陶瓷电容器为例，进行详细说明。图6是表示该实施方式涉及的芯片型电子零件的立体图，图7是其概略剖面图。这个芯片型电子零件在陶瓷主体21内部隔着绝缘层24而具备导体部25，在其端部具有一对外部电极23、23。其外观形状在所谓的俯视时可以视为长方体，特别重要的是，包含陶瓷主体21的长棱边27的至少一个面具有凸状的弯曲面29。在该实施方式中，只是在陶瓷主体21上表面形成凸状的弯曲面29。而且，上述的一个面成为构成陶瓷主体21的主面。

另外，陶瓷主体21是体积为1mm3以下的小型。优选该陶瓷主体21由多个绝缘层24构成，在该绝缘层24之间层叠有导体部25。

与此相反，如果陶瓷主体21没有弯曲面29，则由于陶瓷主体的主面面积小，所以不能用大的文字记载芯片信息，视野也变窄，即使在利用放大镜等的安装操作中，芯片零件的确认也变得困难。另外，由于所记载的信息量少，所以即使在修理时的芯片零件更换之际，从芯片零件获得的信息少，因此不能迅速且准确地进行修理。并且，由于棱线部有棱角，故容易产生尖端。

图8是用于说明弯曲面的曲率半径r2的概略剖面图。图9是表示针对芯片型电子零件、对层叠方向的膨胀率进行评价的方法的概略剖面图。

如图9所示，在将垂直于对向的外部电极23方向的面的中央部附近层叠方向的最长长度设为a2、陶瓷主体21端部侧面的层叠方向长度设为b2时，层叠方向的膨胀率x2可以用公式x2＝{(a2-b2)/b2}×100来表示。由于提高芯片型电子零件的破坏强度的理由，该膨胀率要大于0％，优选大于1％，更好为大于5％。

另外，从视觉辨识性和防止尖端方面，更优选图8所示的陶瓷主体21表面的曲率半径r2为5mm以下。并且，例如，在容易辨识层叠方向弯曲面和平坦侧面方面，优选弯曲面29为和其他面不同的色调、或在对比点上其颜色不同。

为了使弯曲面29和其他面色调不同，可以通过将从内部层叠的导体部25的端部到陶瓷主体21表面为止的距离w3、w4调整为不同尺寸来形成。即，例如通过使图9中的从导体部25的最上层到弯曲的陶瓷主体21表面为止的距离w3小于导体部25的端部与陶瓷主体21的侧面之间的距离w4，从而可以以透过陶瓷主体21看见导体部25的程度来形成色调差。

图10是表示该实施方式涉及的芯片型电子零件的制造方法的概略图。首先，如图10(a)所示，在包含陶瓷粉末的生片31上形成矩形的导体图案33。这种情况下，模型E是在生片31上只形成导体图案13的模型；模型F是在生片31上形成的导体图案33的周围，以和生片31相同的材质形成陶瓷图案35，以消除导体图案33的阶差的模型。

然后，例如利用图10(b)、(c)所示的组合，以使陶瓷主体成型体的主面弯曲为规定形状的方式多层层叠，切断成规定形状，从而形成内部具有导体图案33的陶瓷主体成型体。接着，利用橡胶模压力机等进行加压加热。接着，烧成陶瓷主体成型体，以制作图7、图8所示的内部具有导体部25的陶瓷主体21。

最后，例如在上述陶瓷主体21端部形成一对外部电极23，完成本发明涉及的层叠陶瓷电容器。

在图10(b)的组合中，层叠多枚模型F的生片31之后，在所获得的模型F的层叠体上下表面上层叠模型E的生片31，并且，在上表面上配置没有导体图案33的生片31。由此，在上、下表面可以形成弯曲面29。

另一方面，在图10(c)的组合中，多枚层叠模型F的生片31之后，只在所获得的模型F的层叠体上表面上布置模型E的生片31和没有导体图案33的生片31。由此，只在上表面可以形成弯曲面29。其他和上述的

实施方式同样。

<第三实施方式>

下面，参照附图，对本发明的其他实施方式，特别是以层叠陶瓷电容器为例，进行详细说明。图11是表示该实施方式涉及的芯片型电子零件的立体图。

如图11所示，该芯片型电子零件具有：交替层叠陶瓷制的多个绝缘层41(陶瓷层)和导体层43而成的陶瓷主体45；并在该陶瓷主体45的两端面47上分别具备：所述导体层43每隔一层交替连接的一对外部电极49、49。

在该实施方式中，所述陶瓷主体45的所述外部电极49之间的中央部51的层叠方向厚度t大于端面47侧的厚度t1。即，在将陶瓷主体45的层叠方向的最大厚度设为t、将和陶瓷主体45层叠方向相同方向的外部电极49的最大宽度设为t0时，满足t≥t0的关系为好。在此，如图11所明示的，所谓外部电极49的宽度t0是指：和陶瓷主体45层叠方向相同方向的最大宽度。

外观形状在所谓的俯视时可以视为长方体状，特别是包含陶瓷主体45的长度方向的棱边的至少一个面呈现凸状的弯曲面。如上所述，该形状是：陶瓷主体45的外部电极49之间的中央部51在层叠方向的剖面视图上具有凸状的弯曲面50。即，如图11所示，最好是陶瓷主体45的外部电极49之间的层叠方向厚度从端面47向中央部51逐渐扩大宽度的形状。而且，上述的一个面成为构成陶瓷主体45的主面。

陶瓷主体45也可以不是如上所述的弯曲面，而是只有外部电极形成部的端部区域厚度t1小的形状。

与此相反，如果陶瓷主体45的中央部51的最大厚度t不大于端面47侧的厚度t1而如以往的长方体形状，则容易变为外部电极49从陶瓷主体45外形表面凸出的结构。因此，在落下等的冲撞时，外部电极49容易变为冲击面，外部电极49容易被破坏。另外，为了抑制外部电极49的破坏，如果使外部电极49变厚，则为了符合规格尺寸，必须使陶瓷主体45变小，由此静电容变小。

图12是表示垂直于陶瓷主体45层叠方向的弯曲面的曲率半径的剖面图。作为本发明的更有效的实施方式，陶瓷主体45的体积为8mm³以下，特别是5.5mm³以下的小型形状为好，并且希望弯曲面50的曲率半径r3为50mm以下。作为这样的零件，不限于上述的层叠陶瓷电容器，还有：层叠型电感器、层叠型激励器、电阻器等。

另外，如图11所示，在将垂直于导体层43的延长方向的面的中央部附近的层叠方向最大长度设为t、将陶瓷主体45端部的层叠方向长度设为t1时，陶瓷主体45层叠方向的膨胀率可以用公式x3＝{(t-t1)/t1}×100来表示。膨胀率x3要大于0％，大于1％为好，大于5％为更好。

图13是表示该实施方式涉及的芯片型电子零件的制造方法的概略图。即，图13(a)是表示从端面观察生片61及其层叠成型体的制造方法，图13(b)是表示从侧面观察的制造方法。

首先，在包含陶瓷粉末的生片61上形成矩形的导体图案63。这种情况下，模型G是在生片61上只形成导体图案63的模型；模型H是在生片61上形成的导体图案63周围，形成和生片61材质相同的陶瓷图案65，以消除导体图案63的阶差的模型。

接着，把模型G、模型H的每一个生片61，用图13(a)、(b)所示的组合进行层叠后，切断成规定形状而形成内部具有导体图案63的陶瓷主体成型体。即，在图13(a)、(b)中，把模型H的生片61布置在中央部而将模型G的生片61布置在其两端。由此，陶瓷主体成型体的主面弯曲成规定形状。此时，如图13(b)所示，以每隔一层导体层43从端面交替露出的方式，使每一个生片61上的导体图案63的位置交替成为相反方向。

成型后，利用橡胶模压力机等进行加压加热，接着，烧成陶瓷主体成型体，以制作内部具有导体部的陶瓷主体。最后，例如在上述陶瓷主体的端部形成外部电极而完成本发明的层叠陶瓷电容器。其他和上述的实施方式同样。

在以上的实施方式中，作为本发明的电子零件，以层叠陶瓷电容器为例进行了说明，但是，本发明的电子零件并不是只限于层叠陶瓷电容器，例如可以适用于层叠型电感器、层叠型激励器、电阻器等。

[实施例I]

(芯片型电子零件的制作)

基本上制作图1所示结构的芯片型电子零件并进行评价。首先，制作了包含以钛酸钡粉末为主要成分的电介质粉末的厚度3μm的电介质生片。在这个电介质生片的上表面上，将以Ni为主要成分的导体糊，以1～1.5μm的厚度进行印刷，而分别制作图5所示的模型A、B、C、D的生片。接着，将模型A、B、C、D的生片层叠为各种形态，之后，在其上、下表面层叠规定枚数的没有印刷导体图案的厚度10μm的电介质生片。接着，进行橡胶模冲压，其后切断成所要的尺寸，以形成陶瓷主体成型体。接着，把已经制作的陶瓷主体成型体，在还原气氛中用1250～1280℃温度进行烧成，进行滚筒研磨而在端面形成铜的外部电极，以制作图1、2所示的芯片型电子零件。表1中示出所获得的每一个电子零件的陶瓷主体的形状。

而且，使内部的导体图案的印刷面积改变，以调制浮出到陶瓷主体侧面的色调。另外，作为比较例的试样No.1·8是只层叠模型D的生片而形成的。

对已经制作的芯片型电子零件，用以下所示的方法评价色调差、膨胀率、曲率半径和破坏强度。在表1中示出评价结果。另外，试样数在所有评价中为10个。

(色调差)

利用色差计评价了陶瓷主体层叠方向的表面(图1所示的面9a)及其侧面(图1所示的面9b)之间的色调差。这种情况下，色调差为20％以上就认为有色调差。

(膨胀率)

如图4所示，在将陶瓷主体的导体层的层叠方向最长长度设为a1、将没有露出导体层的陶瓷主体侧面的层叠方向长度设为b1时，层叠方向的膨胀率x1用公式x1＝{(a1-b1)/b1}×100来表示。另外，在将导体部延长方向且没有露出陶瓷主体的导体部方向的宽度方向最短长度设为d、将相同方向的陶瓷主体1的端部之间的长度设为c时，层叠方向的垂直方向的膨胀率y用y＝{(d-c)/c}×100来表示。在这一次的评价中，在分别测量了两面的膨胀率的情况下，将这些的平均值作为膨胀率。

(曲率半径)

曲率半径r1是用电子显微镜摄影已经制作完的陶瓷主体的研磨之后的剖面，利用该照片，使用圆规(compass)来测量。

(破坏强度)

利用自动绘图仪(autograph)来测量破坏强度。

表1

试样No.	陶瓷主体的形状			上表面与侧面的色调差	层叠方向的膨胀率*3％	宽度方向的膨胀率*4％	曲率半径		破坏强度MPa
										弯曲面的场所	尺寸*2mm3	层叠层数	上下表面mm	侧面mm
	I-1	层叠方向的上下面及侧面	2×1×1.8				50	有							5.5	-5.1	5.2	55	555
I-2				层叠方向的上下面及侧面	2×1×1.8	100			有	5.6	-5.2	4.5	49	521
	I-3	层叠方向的上下面及侧面	2×1×1.8				300	有							5.9	-5.3	4.6	48	501
I-4				层叠方向的上下面	2×1×1.8	100			有	5.1	-	5	-	430
	I-5	层叠方向的上下面及侧面	3×2×1.8				100	有							4.3	-3.2	8	86	489
I-6				层叠方向的上下面及侧面	2×1×1.8	100			无	5.2	-5	4	49	500
	I-7	层叠方向的上下面及侧面	2×1×1.8				100	有							2.6	-1.2	6	59	460
*I-8				没有	2×1×1.8	100			有	0	0	-	-	390

^*标记表示本发明的范围外的试样。

^*2：外部电极方向长度×宽度×厚度

^*3：x1＝{(a1-b1)/b1}×100

^*4：y＝{(d-c)/c}×100

由表1可知：在把陶瓷主体的至少一个面作为弯曲面的试样No.I-1～7中，破坏强度为430Mpa以上，特别是将陶瓷主体的相对向的表面弯曲为凹凸状的试样No.I-1～3、5～7中，破坏强度为470Mpa以上。另外，在陶瓷主体的尺寸为2×1×1.8mm³、层叠方向的膨胀率为5％以上、宽度方向的膨胀率为-5％以上(负的情况下，绝对值大)、曲率半径在上、下表面中为52mm以下、在侧面为55mm的如下的No.I-1～3、6中，其破坏强度为500Mpa以上。对此，在层叠方向和宽度方向的膨胀率都为0(曲率半径不能测量)的试样No.I-8中，其破坏强度降低至390Mpa。

另外，在具有弯曲表面的No.I-1～3、5～7中，和表面全部平坦的试样No.I-8相比，增加了陶瓷主体表面的面积。由此，至少1.1倍以上的大的印字成为可能，提高了芯片零件的视觉辨识性。

[实施例II]

(芯片型电子零件的制作)

基本上制作图6所示结构的芯片型电子零件并进行评价。首先，和实施例I同样，制作了图10所示的模型E、F的电介质生片。

接着，层叠模型E、F的生片，以成为各种形态，在其上、下以少于实施例I的枚数层叠没有印刷导体图案的电介质生片之后，进行橡胶模冲压。然后，切断成所要的尺寸，而形成陶瓷主体成型体。接着，和实施例I同样，进行烧成，进行滚筒研磨，接着，形成外部电极，以制作图6、7所示的芯片型电子零件。在表2中示出所获得的每一个电子零件的陶瓷主体的形状。

另外，作为比较例的试样No.II-8是只层叠模型F的生片而形成的。

对于已经制作完的芯片型电子零件，和实施例I同样，评价了色调差、层叠方向的膨胀率、曲率半径(r2)和破坏强度。在表2中示出这些评价结果。另外，在所有评价中试样数为10个。

                                                  表2

试样No.	陶瓷主体的形状			上表面与侧面的色调差	层叠方向的膨胀率*3％	曲率半径上下表面mm	破坏强度MPa
								弯曲面的场所	尺寸*2mm3	层叠层数
	II-1	层叠方向的上下面	1×1×1.8								50	有	5.5	4.9	791
II-2				层叠方向的上下面	1×1×1.8	100	有	5.6	4.7	756
	II-3	层叠方向的上下面	1×1×1.8								300	有	5.9	4.6	711
II-4				只层叠方向的上面	1×1×1.8	100	有	5.1	3.8	654
	II-5	层叠方向的上下面	2×1×1.8								100	有	5.6	4.7	522
II-6				层叠方向的上下面	1×1×1.8	100	无	5.2	4.2	703
	II-7	层叠方向的上下面	1×1×1.8								100	有	2.6	2	460
*II-8				没有	1×1×1.8	100	有	0	-	400

^*标记表示本发明的范围外的试样。

^*2：外部电极方向长度×宽度×厚度

^*3：x2＝{(a2-b2)/b2}×100

由表2可知：在使陶瓷主体表面弯曲的本发明的试样No.II-1～7中，破坏强度为460Mpa以上。另外，在层叠方向的膨胀率为5.1％以上、曲率半径为4.2～4.9mm的试样No.II-1～6中，破坏强度变为522Mpa以上；并且，虽然是相同层数但覆盖层的厚度薄而具备色调差的试样的破坏强度低于没有色调差的试样的破坏强度。

对此，在层叠方向的膨胀率为0(曲率半径不可测定)的本发明之外的试样No.II-8中，破坏强度降低至400Mpa。

另外，在具有弯曲表面的No.II-1～7中，和表面全部平坦的试样No.II-8相比，陶瓷主体表面的面积增加，由此，至少1.1倍以上的大的印字变为可能，提高了芯片零件的视觉辨识性。

[实施例III]

(芯片型电子零件的制作)

基本上制作了图11所示结构的芯片型电子零件并进行评价。首先，和实施例I同样，制作了图13所示的模型G、H的电介质生片。

接着，层叠模型G、H的生片，以便成为各种形态，在其上、下层叠没有印刷导体图案的电介质生片之后，进行橡胶模冲压。然后，切断成为所要的尺寸，而形成陶瓷主体成型体。接着，和实施例I同样，烧成成型体，进行滚筒研磨。接着，在两个端面上，以表3所示的厚度形成铜的外部电极，以制作图11、12所示的芯片型电子零件。在此，外部电极的厚度由铜糊的黏度来调整。表3中的外部电极的厚度是用图11的(t0-t1)/2来表示的值。

另外，作为比较例的试样No.III-8是只层叠模型H的生片而形成的。另外，作为陶瓷主体的形状上下面平坦的试样No.III-7，由于可以减轻内部导体的阶差的影响，故形成为这种形状。

对已经制作的芯片型电子零件，和实施例I同样，评价色调差、曲率半径(r3)和破坏强度，并且，用以下所示的方法实施层叠方向的膨胀率(x3)和落下试验的评价。在表3中示出这些评价结果。另外，在所有评价中试样数为10个。

(层叠方向的膨胀率)

如图11所示，在垂直于内部电极延长方向的面的中央部附近的层叠方向最大长度为t、陶瓷主体端部的层叠方向长度为t1时，陶瓷主体层叠方向的膨胀率x3用公式x3＝{(t-t1)/t1}×100来表示。在这次的评价中，在测量了相对向的面的情况下，取两个面的平均值。

(落下试验)

落下试验是从高度1m向混凝土块落下试样之后，观察落下后的外部电极的状态，来评价有无缺陷或裂纹。

由下面的表3的结果可知：在试样No.III-1～7中，破坏强度为155Mpa以上，落下试验中的废品率为0.3％以下。

另外，在层叠方向的膨胀率为5％以上、曲率半径为89mm的试样No.III-1～6中，破坏强度为187Mpa以上，落下试验中的废品率为0.1％以下；另外，在外部电极的厚度为4mm、陶瓷主体层叠方向厚度t大于相同方向外部电极的宽度t0的试样No.III-1～4中，破坏强度进一步提高，落下试验中的废品率降低。对此，在层叠方向的层叠方向膨胀率为0(曲率半径不能测定)的试样No.III-8中，破坏强度降低至132Mpa，落下试验中的废品率上升到0.8％。

在试样No.III-1～7中，和表面全部平坦的试样No.III-8相比，陶瓷主体表面的面积增加，由此，至少1.1倍以上的大的印字变为可能，提高了芯片零件的视觉辨识性。

                                                                   表3

试样No.	陶瓷主体的形状			外部电极厚度μm	电子零件主体的层叠方向厚度t与相同方向的外部电极宽度t0的关系	上表面与侧面的色调差	层叠方向的膨胀率*3％	曲率半径上下表面mm	破坏强度MPa	落下试验中的外部电极废品率％
											形状	尺寸*2mm3	层叠层数
	II-1	图11	3×2×1.8											50	4	t＞t0	无	4.5	89	236	0
II-2				图11	3×2×1.8	100	4	t＞t0	有	4.7	68	211	0
	II-3	图11	3×2×1.8											300	4	t＞t0	有	5	56	190	0
II-4				图11	2×1×1.8	100	4	t＞t0	有	5.1	50	266	0
	II-5	图11	2×1×1.8											100	4	t＞t0	有	5.2	49	259	0
II-6				图11	2×1×1.8	100	6	t＜t0	有	5.4	48	187	0.1
	II-7	上下面平坦*4	2×1×1.8											20	4	t＜t0	无	1.8	98	155	0.3
*II-8				图14	2×1×1.8	100	4	t＜t0	有	0	-	132	0.8

^*标记表示本发明的范围外的试样。

^*2：外部电极方向长度×宽度×厚度

^*3：x3＝{(t-t1)/t1}×100

^*4：只有上下面不弯曲的外部电极形成部的端部区域的厚度t1小。

Claims (17)

1、一种芯片型电子零件，其中由内部具有导体部的陶瓷主体构成，其特征在于，

所述陶瓷主体的至少一个面为凸状的弯曲面。

2、根据权利要求1所述的芯片型电子零件，其特征在于，所述陶瓷主体为长方体状，所述陶瓷主体的厚度方向的至少一面弯曲为凸状，同时陶瓷主体的侧面弯曲为凹状。

3、根据权利要求1或2所述的芯片型电子零件，其特征在于，陶瓷主体的体积为8mm³以下，且凸状及凹状的弯曲面的曲率半径r1及r11为50mm以下。

4、根据权利要求1～3中任一项所述的芯片型电子零件，其特征在于，厚度方向的膨胀率和宽度方向的膨胀率的绝对值大于1％。

5、根据权利要求4所述的芯片型电子零件，其特征在于，厚度方向的膨胀率和宽度方向的膨胀率的绝对值大于5％。

6、根据权利要求1～5中任一项所述的芯片型电子零件，其特征在于，凸状的弯曲面是沿着陶瓷主体的宽度方向改变厚度而形成的。

7、根据权利要求1所述的芯片型电子零件，其特征在于，只有一个面为凸状的弯曲面。

8、根据权利要求1或7所述的芯片型电子零件，其特征在于，陶瓷主体的体积为1mm³以下，且弯曲面的曲率半径r2为5mm以下。

9、根据权利要求7或8所述的芯片型电子零件，其特征在于，厚度方向的膨胀率大于1％。

10、根据权利要求9所述的芯片型电子零件，其特征在于，厚度方向的膨胀率大于5％。

11、根据权利要求1～10中任一项所述的芯片型电子零件，其特征在于，弯曲面的色调不同于其他面的色调。

12、根据权利要求1～11中任一项所述的芯片型电子零件，其特征在于，所述陶瓷主体由陶瓷制的多个绝缘层、与该绝缘层交替层叠的导体部构成。

13、一种芯片型电子零件，其中具备：交替层叠陶瓷制的多个绝缘层和导体层而成的陶瓷主体；和形成在该陶瓷主体的两端面上，并与所述导体层隔一层交替连接的一对外部电极；其特征在于，

所述陶瓷主体的所述外部电极之间的中央部的层叠方向的厚度大于端面侧的厚度。

14、根据权利要求13所述的芯片型电子零件，其特征在于，外部电极之间的层叠方向厚度从端面侧向中央部逐渐扩大。

15、根据权利要求13或14所述的芯片型电子零件，其特征在于，陶瓷主体的体积为8mm³以下，且弯曲面的曲率半径r3为50mm以下。

16、根据权利要求13～15中任一项所述的芯片型电子零件，其特征在于，外部电极的厚度为5μm以上。

17、根据权利要求13～16中任一项所述的芯片型电子零件，其特征在于，在将陶瓷主体的层叠方向的最大厚度设为t、将和陶瓷主体的层叠方向相同方向的外部电极的最大宽度设为t0时，满足t≥t0的关系。

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