CN1697318A - 具有侧面电极的电子元件和其制造方法及使用了该电子元件的设备 - Google Patents

Abstract

一种电子元件的制造方法，准备在表面形成有凹部的薄膜，该凹部具有第1部分和与该第1部分连接且比第1部分深的第2部分，将导电膏充填于薄膜的凹部，使导电膏的第1部分和第2部分分别充填于凹部的第1部分和第2部分。然后将薄膜的表面贴附在基板表面上。将薄膜从基板上剥离，将导电膏转印在基板的表面上，从而使导电膏的第1和第2部分转印到基板的表面上。分别对转印后导电膏的转印后的第1和第2部分进行烧成，得到导体图形的第1部分和第2部分。在导体图形上形成绝缘层，然后沿通过导体图形的第2部分的边界部切割基板、绝缘层和导体图形，从而分割成多个子基板，得到电子元件。通过该方法，电子元件在分割基板时形成侧面电极。

Description

具有侧面电极的电子元件和其制造方法及使用了该电子元件的设备

                                技术领域

本发明涉及具有侧面电极的电子元件和其制造方法及使用了该电子元件的设备。

                                背景技术

表面安装电子元件可按以下方法制造。图22表示其制造方法。薄片状的基板1上形成多个子基板2，子基板2上形成布线图形等，并排列成格子状。然后，沿边界部3将基板1切断，从而分割成多个子基板2。然后，在各子基板2的切割面即侧面上形成侧面电极，从而得到表面安装电子元件。

图23表示日本专利公开特开2002-252534号公报中揭示的以往的表面安装元件的制造方法。用激光在聚酰亚胺的薄膜上形成凹部，从而得到凹版(步骤4)。用刮板将导电膏充填在薄膜的凹部内(步骤5)。接着使在步骤5中充填的导电膏干燥(步骤6)。接着将在凹部内充填了导电膏的薄膜载置在基板1之上，将导电膏转印在基板1上(步骤7)。然后，将薄膜从基板1上剥离(步骤8)。接着，对转印了导电膏的基板1加热(步骤9)，在大约850℃进行烧成(步骤10)。通过步骤10的烧成，导电膏成为导体图形。然后，在导体图形之上和基板1之上形成绝缘层(步骤11)。将形成了绝缘层的基板1沿边界部3切割，分割成多个子基板2(步骤12)。在子基板2的侧面涂敷银，从而形成侧面电极。

图24是根据图23所示的方法制造的以往的表面安装电子元件18的立体图。在与子基板2对应的基板15之上设有导体图形16，在导体图形16和基板15之上设有绝缘层17。导体图形16与形成在表面安装元件18侧面18A上的侧面电极14连接。

                                发明内容

准备表面形成有凹部的薄膜，而该凹部具有第1部分和与该第1部分连接且比第1部分深的第2部分。将导电膏充填于薄膜的凹部，并将导电膏的第1部分和第2部分分别充填于凹部的第1部分和第2部分。然后，将薄膜的表面贴附在基板的表面上。将薄膜从基板上剥离，将导电膏转印在基板的表面上，从而使导电膏的第1和第2部分转印到基板的表面上。分别对转印后导电膏的转印后的第1部分和第2部分进行烧成，得到导体图形的第1部分和第2部分。在导体图形上形成绝缘层。然后，沿通过导体图形的第2部分的边界部切割基板、绝缘层和导体图形，由此得到电子元件。

通过该方法，电子元件在分割基板的同时形成侧面电极。

                                附图说明

图1表示本发明实施例1的表面安装电子元件的制造方法的制造工序。

图2是表示形成实施例1的表面安装电子元件的基板的俯视图。

图3是用于制造实施例1的表面安装电子元件的凹版的制造方法。

图4是表示用于制造实施例1的表面安装电子元件的凹部的剖视图。

图5A～图5C是表示实施例1的表面安装电子元件的制造方法的剖视图。

图6A和图6B是表示实施例1的表面安装电子元件的制造方法的剖视图。

图7是表示实施例1的表面安装电子元件的制造方法的主要部分剖视图。

图8是表示实施例1的表面安装电子元件的制造方法的剖视图。

图9表示实施例1的表面安装电子元件的制造方法中的温度曲线。

图10A～图10C是表示实施例1的表面安装电子元件的制造方法的剖视图。

图11是表示实施例1的表面安装电子元件的立体图。

图12表示实施例1的表面安装电子元件的制造方法中使用的树脂的特性。

图13是表示实施例1的表面安装电子元件的制造方法的剖视图。

图14A和图14B是实施例1的表面安装电子元件的制造装置的概要图。

图15是本发明实施例2的表面安装电子元件的俯视图。

图16是本发明实施例3的表面安装电子元件的剖视图。

图17是使用了本发明实施例4的表面安装电子元件的设备的剖视图。

图18表示本发明实施例5的表面安装电子元件的制造方法的制造工序。

图19A～图19D是表示实施例5的表面安装电子元件的制造方法的剖视图。

图20是图19D所示的基板的俯视图。

图21A是实施例5的表面安装电子元件的剖视图。

图21B是实施例5的表面安装电子元件的俯视图。

图22是用于形成以往的表面安装电子元件的基板的俯视图。

图23表示以往的表面安装电子元件的制造方法的制造工序。

图24是以往的表面安装电子元件的立体图。

                              具体实施方式

(实施例1)

图1表示本发明实施例1的表面安装电子元件的制造方法的制造工序。图2是形成实施例1的表面安装电子元件的基板的俯视图。用激光在薄膜上加工凹部，从而得到凹版(步骤20)。将导电膏充填在薄膜上形成的凹部内(步骤21)，并使导电膏干燥(步骤22)。步骤21的导电膏的充填和步骤22的导电膏的干燥也可重复规定次数。将在凹部内充填了干燥后的导电膏的薄膜贴附在事先涂敷有粘结剂的基板上，加热并进行加压(步骤23)。然后，将薄膜从基板上剥离，将导电膏转印至薄片状的基板上(步骤24)。对转印有导电膏的基板进行加热(步骤25)，对基板上的导电膏进行烧成(步骤26)，得到基板上的导体图形。然后，在导体图形和基板上形成绝缘层(步骤27)。沿多个子基板之间的边界部对形成了绝缘层的基板进行切割，分割成多个子基板(步骤28)。如图2所示，在薄片状的基板31上形成多个子基板32。在图1所示的步骤28中，沿多个子基板32之间的边界部33切割基板31，分割成作为表面安装电子元件的多个子基板32。边界部33相当于子基板32的侧面。

接着，对图1所示实施例1的表面安装电子元件的制造方法的工序进行详细说明。

图3表示图1步骤20中在薄膜上形成凹部的工序。薄膜50由厚度为125微米的聚酰亚胺制成。在薄膜50的上方载置了铬掩膜51。在铬掩膜51上形成有孔51a。在铬掩膜51和薄膜50之间设有透镜53。从铬掩膜51上方照射准分子激光52，准分子激光52穿过孔51a并透过透镜53，使薄膜50上的与孔51a对应的部分形成凹部54。

图4是凹部54的剖视图。凹部54的侧壁54d朝凹部开口的开口部54e以大约2度至6度的倾斜角54d扩展。由此，在步骤24中，充填于凹部54的导电膏容易从凹部54脱出，能形成高精度的导体图形。

在边界部33和其附近的凹部54的部分54f进一步形成凹部54b。即，在凹部54的部分54f形成与凹部54相同深度的凹部54a并在凹部54a的底面54g形成凹部54b。凹部54a和凹部54b形成电极用凹部54c。即，凹部54具有浅的部分541、与部分541连接并比部分541深的部分542。

在凹部54、54a、54b、54c的壁面上涂敷氟化碳类，形成氟化碳类的分子膜。通过该层，在步骤24中，充填于凹部54、54a、54b、54c的导电膏容易从凹部54、54a、54b、54c脱出，可形成高精度的导体图形。

图5A～图5C是表示在图1所示的步骤21中将导电膏充填于薄膜50凹部54时的薄膜50的剖视图。

如图5A所示，形成有开口部57a的、厚度为100mm的网板57载置在薄膜50上，导电膏56通过开口部57a而被网板涂刷在薄膜50之上。由此，导电膏56充填于凹部54内，在薄膜50上形成大约100微米厚度且大致均匀的导电膏56膜56a。网板57为不锈钢制，开口部57a比形成凹部54的区域大，可将导电膏充填在所有的凹部54内。然后，将涂刷了导电膏56的薄膜50用离心分离机旋转，使导电膏56充填至凹部54的各个角落。通过离心分离机，可在充填导电膏56的同时除去导电膏56内产生的气泡。

接着，如图5B所示，用刮板58将充填于凹部54的导电膏56以外的不要的导电膏56b从薄膜50表面上除去。

接着，以导电膏56不至于劣变但能使导电膏56中含有的溶剂挥发的温度，对被充填到凹部54的导电膏56进行干燥(图1的步骤22)。实施例1的导电膏56的溶剂使用异丙醇等乙醇类溶剂。导电膏56由大约60重量％的银粉、约38重量％的溶剂和约2重量％的粘合剂构成。对于这样的组分，干燥导电膏56的温度最好为150℃左右。

因为导电膏56的大约38重量％是溶剂，故当干燥结束后，如图5C所示，导电膏56的体积仅减少蒸发掉的溶剂的体积。为了补充减少的体积，再次将导电膏56充填于凹部54内(图1的步骤21)并进行干燥(图1的步骤22)。这样，对步骤21的导电膏的充填和步骤22的导电膏的干燥重复数次(实施例1中为5次)，直到凹部54被导电膏56完全充填。

在实施例1中，考虑到导电膏56的涂刷方便，将银粉的含有率做成约60重量％，但也可通过增大银粉的含有率，来减少重复步骤21和步骤22的工序次数。

图6A和图6B是已将干燥后的导电膏56充填于凹部54内的薄膜50和基板60的剖视图。

如图6A所示，将热塑性粘结剂即聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树脂涂敷在氧化铝的基板60上形成粘结层61。例如，将基板60浸渍在溶解有PVB树脂的丙酮与甲苯的混合液后取出，并使其干燥后形成粘结层61。因为PVB树脂溶解在丙酮和甲苯内，故混合溶液可在常温下干燥。

接着，如图6B所示，凹部54内充填有导电膏56的薄膜50贴附在氧化铝基板60上的粘结层61之上。贴附有薄膜50的氧化铝基板60夹在橡胶(未图示)之间，通过橡胶被施加压力，且被加热。通过该加热，粘结层61熔融，渗透至导电膏56内，使导电膏56与粘结层61的PVB树脂混合。

为了防止粘结层61附近的薄膜50与氧化铝基板60的剥离，该加热温度设定得比玻化转变温度高。而且，为了防止因PVB树脂内的分子的结合脱离而产生的水蒸气等气体沿着粘结层61的面形成的空隙，该温度设定得比PVB树脂的聚合度为0的温度低。由此，即使凹部54内产生气体，因其没有逃逸口，故气体将滞留在导电膏56内。

在大气氛围中，当将PVB树脂形成的粘结层61以175℃的温度加热20分钟左右，则PVB树脂的聚合度为0。为此，实施例1中，即使是175℃以下的温度，PVB树脂的分子结合的破坏也是逐渐进行并逐渐产生气体的，故将加热温度降低至140℃。由此，能得到没有缺陷的高精度的导体图形。

接着，当被冷却，粘结层61固化，导电膏56也固化时，则导电膏56可靠地粘结在基板60上。此时，粘结层61一直冷却到比玻化转变温度低的温度。在玻化转变温度以上的温度时，粘结层61的PVB树脂不会完全固化。如在该状态下搬运基板60和薄膜50，则有时薄膜50从基板60上剥离。

图7是充填有导电膏56的薄膜50已被贴附的基板60的2个边界部33附近的部分的剖视图。这些边界部33之间的部分32a与图1所示的步骤28的分割工序后的子基板32对应。在与子基板32侧面34a对应的位置形成由凹部54a、54b构成的电极用凹部54c，导电膏56充填在电极用凹部54c内。边界部33通过电极用凹部54c即部分542。导电膏56具有分别与凹部54部分541、542对应的部分561、562。在步骤28中，沿边界部33分割基板60，充填于部分542即电极用凹部54c的导电膏56露出，成为子基板32的、图11中所示的侧面电极34。即，在步骤28，在将基板分割成多个子基板32时形成侧面电极34。因此，可省略图23所示的以往的表面安装电子元件的制造方法中形成侧面电极的工序(步骤13)。

图8是在图1所示的步骤24中将薄膜50从基板60上剥离时的基板60和薄膜50的剖视图。将薄膜50从基板60上剥离，将凹部54内的导电膏56留在基板60上。由此，与铬掩膜51的孔51a对应的导体图形65转印到了基板60上。

接着，在图1所示的步骤25中对基板60上的导体图形65进行加热。图9表示该加热的温度曲线，纵轴表示温度，横轴表示时间。在图1所示的步骤25中，粘结层61加热至粘结层61的PVB树脂的聚合度大致为0。而且，进一步加热以促进PVB树脂的分解。由此，氧和氢作为水蒸气等气体从粘结层61的PVB树脂中脱离而留下碳分子，粘结层61变成褐色而变硬、变轻。粘结层61的PVB树脂在大气氛围中加热，在175℃的温度下保持大约20分钟，其聚合度变为0。

这里，最好从PVB树脂的玻化转变温度即61℃附近至PVB树脂的聚合度为0，使加热的温度上升斜率减小。在PVB树脂的软化点Ts(147℃)附近，使加热的温度上升斜率减少。

因此，实施例1中，首先，当从常温Tr以每分钟16℃的温度上升斜率而将基板60加热至温度T1时，就减小温度上升斜率。当基板60的温度达到温度T2后，进一步减小温度斜率，基本为0，并以时间D1加热基板60。在实施例1中，温度T1约为95℃，温度T2约为175℃，时间D1约为25分钟。粘结层61的PVB树脂在温度T2的状态下以时间D1被加热的期间，聚合度完全成为0，急剧分解。

图9所示的温度曲线中，最高温度为温度T2，约为175℃，即使导电膏56使用铜粉代替银粉，铜粉也不怎么氧化。在步骤25中，转印有使用了铜粉的导电膏56的基板60可不在氮等高价的惰性气体氛围而是在大气氛围中加热，故能低价地制造表面安装电子元件。

接着，对图1所示的步骤26中的烧成进行说明。该烧成中，将步骤25中被加热的基板60上的导电膏56的银粉在大约850℃的最高温度下进行烧结。粘结层61的PVB树脂在大约400℃进行燃烧，变化为碳和水(水蒸气)而烧掉，故导电膏56通过固定()效果(日文：アンカ一効果)固定于氧化铝基板60上，得到形成有导体图形65的基板。

图10A～图10C表示在图1的步骤27中，在导体图形65和基板60上形成用于电气、物理上保护导体图形65的绝缘层的制造工序。

图10A是通过步骤26的工序得到的基板60和具有在基板60上形成的导体图形65、65e、65d的晶片60c的剖视图。导体图形65d、65e是通过将充填在图7所示的电极用凹部54c内的导电膏56烧成而获得的。导体图形65具有分别与导电膏56的部分561、562对应的部分651、652。导体图形65的部分652比部分651高，并与部分651连接。

接着，在导体图形65、65d、65e和基板60的上表面涂敷由结晶质的玻璃等构成的绝缘膏。接着，对涂敷有绝缘膏的陶瓷基板60进行烧成，如图10B所示，形成由结晶质的玻璃构成的绝缘材料66。

接着，如图10C所示，削掉导体图形65d、65e上表面的绝缘材料68，露出导体图形65d、65e的上表面165d、165e，形成绝缘层67。形成绝缘层67的绝缘膏并不局限于玻璃，也可由树脂形成。

接着，在图1所示的步骤28中，通过利用切割装置等沿边界部33切断、分割形成有导体图形65、65d、65e、绝缘层67的基板60，从而得到子基板32。

图11是实施例1的表面安装电子元件，即基板32的立体图。子基板32具有分别切割基板60和绝缘层67而得到的基板160和绝缘层167。在图1所示的步骤28中，切断基板60时，与导体图形65d的切割面对应的侧面电极34的侧面34c露出。即，侧面电极34的侧面34c与基板160的侧面160a在相同的平面上露出。由导体图形65d形成侧面电极34，也同时形成侧面电极34的顶面部34d。由导体图形65e形成上表面电极35。

导体图形65由凹版印刷形成，故其端部的形状与由蚀刻形成的图形相比是平坦的，偏差少且稳定。由导体图形65形成的电感器具有偏差少且稳定的电感，因此可形成具有良好性能的高频电路。

导体图形65从绝缘层167的侧面34a导出，将侧面电极34与导体图形65形成一体。绝缘层167的侧面34a和基板160的侧面160a在相同的平面上，因此，侧面电极34与绝缘层的侧面34a和基板160的侧面160a在相同的平面上露出。侧面电极34与导体图形65一体形成，故期间的连接电阻小。另外，不需要安装其他侧面电极，可得到低价的表面安装电子元件。

上表面电极35从子基板32内的导体图形65与形成基板160的导体图形的面160b垂直地一体设置。上表面电极35可用作半导体装置中使用的Ball Grid Array(BGA：球形网格阵列)端子。

对侧面电极34和上表面电极35实施镍-锡电镀。侧面电极34和上表面电极35的大小为，纵、横为300mm左右，高度为60mm左右。

上表面电极35与侧面电极34相同，与导体图形65形成一体，故期间的连接电阻小。另外，因为形成一体，故实施例1的电子元件不需要形成其他上部电极，可得到低价的电子元件。

由于不在侧面电极34下方的基板60侧面160a上形成侧面电极34，故侧面160a为绝缘体。

接着，在图1所示的实施例1的表面安装电子元件的制造方法中，对在步骤25中加热导电膏56时抑制导电膏56变形的原理进行详细说明。

图12表示粘结层61的PVB树脂的粘度83及重量84与温度的关系，横轴表示温度，纵轴表示粘度和重量。

首先，对PVB树脂的粘度83进行说明。通过步骤25的加热，温度从常温开始上升，通过玻化转变温度Tt后，PVB树脂的粘度减小。温度在温度T4附近，其粘性急剧减小。在温度T5处PVB树脂的聚合度为0，PVB树脂的粘性成为最小。当温度进一步上升，超过温度T5后，PVB树脂的粘性增大。在温度T5处粘结层61的PVB树脂的绝大部分的分子成为单体状态，当加热超过温度T5后，急剧促进PVB树脂的分解。由此，PVB树脂分解为水蒸气等气体和碳分子，故其粘度增大。

接着对粘结层61的PVB树脂的重量84进行说明。当温度比温度T5高时，PVB树脂的氢和氧成为气体，重量84急剧减小。在大气氛围内实施步骤25的加热时，通过空气中的氧和PVB树脂的氧和氢而促进分解，故温度T5比在氮氛围等的低氧浓度氛围下加热时的分解促进温度低。即，实施例1的制造方法中，通过在步骤25中将基板60在大气氛围中加热，从而不需要氮等高价的气体，其温度也可降低至175℃，能节电地制造元件。

图13是图12所示的PVB树脂软化点Ts附近的基板60的剖视图。当由PVB树脂形成的粘结层61被加热时，则与温度成比例地膨胀。当温度上升，在软化点Ts附近的温度时，粘结层61的PVB树脂成为具有粘性的液体，因其热膨胀而从基板60中央部向外侧的方向92流动。此时，粘结层61与基板60的边界90处的流速大致为0，随着离开边界90，流速增大。在粘结层61的表面91处流速成为最大。导电膏56浮在粘结层61的流动的PVB树脂上，在粘结层61与导电膏56的边界面上产生摩擦力。当导电膏56的自重W小，则导电膏56因方向92的摩擦力而移动。即，导电膏56的自重W即截面积小的部分移动大。导电膏56中细的部分比粗的部分移动大，故因它们的移动量的差异而使烧成后的导体图形65变形。

实施例1的步骤25的加热工序中，通过在比玻化转变温度Ts高的温度时使PVB树脂的粘度急剧减小、以及在PVB树脂的聚合度为0的温度T5时使粘度为最小，从而使温度Ts和温度T5之间的温度上升斜率尽可能小。

由此，单位时间的粘结层61的膨胀量减小，能减小PVB树脂的流速。因此，可减小导电膏56的移动量，减小导体图形65的变形，得到高精度的导体图形65。

当将由PVB树脂形成的粘结层61加热超过温度T5后，其分子结构遭到破坏，故即使冷却也无法返回原来的分子结构。即，当聚合度成为0后一度冷却，再进行加热时的PVB树脂粘度下降较小，故可抑制在步骤26的烧成工序中PVB树脂产生的粘结层61的流动。即，即使导体图形65在步骤25的加热工序后一度冷却，然后在步骤26的烧成工序中进行加热，在步骤26的烧成工序中也几乎不变形，故可高精度地形成导体图形65。

实施例1的上述特征，在导电膏56使用铜粉的情况下是有用的。铜粉构成的导电膏56因铜的氧化而使其电阻值发生很大的变动，一般需要在氮氛围等低氧浓度的氛围下进行烧成。图14A是实施例1的表面安装电子元件的制造装置的概要图。根据实施例1，在步骤25的加热工序和步骤26的烧成工序之间，基板60的温度也可一度下降，故也可设置将图10A所示的晶片60c在步骤25进行加热的加热装置201、与加热装置201分开的在步骤26对晶片60c进行烧成的烧成装置202。也可将供给氮等惰性气体的供给器203、及将烧成装置202的氛围切换成大气和由供给器203供给的惰性气体的切换器204与烧成装置202连接。由此，在步骤26中，将由烧成装置202对晶片60c进行烧成的氛围在大气氛围和由惰性气体构成的低氧浓度氛围之间切换，也可烧成使用铜粉的导电膏56。切换器204也可是阀。供给惰性气体的供给器203也可是封入被液化后的惰性气体的气瓶。

图14B是实施例1的表面安装电子元件的其他制造装置的概要图。装置205包括：与图14A所示的加热装置201对应的加热室206；与烧成装置202对应的烧成室207；将加热室206和烧成室207隔开的隔壁208。在隔壁208上设有可通过晶片60c的小孔208a。也可在隔壁208的孔208a上设置门209。因装置205包含一体化的图10A所示的加热装置201和烧成装置202，因而节省空间。通过图14A和图14B所示的制造装置，可使用电阻值小的铜粉构成的导电膏56，使导体图形65处的信号损失减小，尤其是利用具有铜粉构成的导体图形65的元件，能得到NF等特性良好的高频设备。

(实施例2)

图15是实施例2的表面安装电子元件的俯视图。侧面电极34的上表面34d从基板160的面160b朝垂直的方向露出，与上表面34d连接的扩展电极34b印刷在绝缘层167上。由此，侧面电极34可向与上表面电极35相同方向导出，可容易地与外部连接。另外，也可将与上表面电极35连接的扩展电极35a印刷在绝缘层167上，增大上表面电极35。

(实施例3)

图16是实施例3的表面安装电子元件的剖视图。在氧化铝构成的基板160的上表面铺设导体图形65a。导体图形65a由实施例1的方法形成，从而形成电路。在基板160上形成有绝缘层167a。导体图形65b设置在绝缘层167a的上表面。导体图形65b也由实施例1的方法制造，形成电路。在绝缘层167a上形成绝缘层167b。与导体图形65a一体形成的连接凸部37a，将基板160上的导体图形65a和绝缘层167a上的导体图形65b电气连接。连接凸部37a与图10C所示的上表面165e露出的导体图形65e相同地形成。与导体图形65b一体形成的连接凸部37b，在绝缘层167b的上表面形成上表面电极38，例如导体图形65b的信号从上表面电极38导出。

设在子基板32a侧面39附近的连接凸部37c作为侧面电极40露出。与实施例2相同，也可在上表面电极38和侧面电极40上实施镍·锡电镀，形成扩展电极。实施例3的表面安装电子元件可增大内置的电路的密度。

(实施例4)

图17是安装在电子设备的母基板41上的实施例4的表面安装电子元件(子基板32)的剖视图。在母基板41的上表面形成凸区42，图11所示的子基板32上下倒置地安装在凸区42上。子基板32用导电接合构件即软熔钎焊43将侧面电极34与凸区42固接。如图11所示，导体图形65设置在氧化铝的基板160上。侧面电极34没有朝基板160延伸，故侧面电极34的高度44小了基板160的厚度160c。因此，软熔钎焊43减小，能使子基板32的安装尺寸45减小，将使用了子基板32的电子设备小型化。

另外，由于可减小导体图形65与母基板41之间的距离46，故通过将母基板41的上表面或下表面做成接地面，可减小导体图形65的阻抗。由此，子基板32即实施例4的表面安装电子元件能防御从外部进入的噪声。

(实施例5)

图18是本发明的实施例5的表面安装电子元件的制造方法的制造工序。图19A至图19C是表示实施例5的表面安装电子元件的制造方法的剖视图。图21A是实施例5的表面安装电子元件的剖视图。图21B是实施例5的表面安装电子元件的俯视图。图1所示的实施例1的表面安装电子元件的制造方法中，图15所示的侧面电极34由薄膜50的凹版印刷形成，但实施例5中由网板印刷形成。

如图19A所示，形成有孔111a的金属网板111载置在氧化铝的基板60上。在网板111上供给包含银·钯的导电膏112，将刮板113在网板111的表面朝方向118A移动，使导电膏112延伸。由此使导电膏112充填在网板111的孔111a内。此后，通过卸下网板111，从而在基板60上涂刷具有所需形状的导电膏112(步骤101)。将步骤101形成的导电膏烧成(步骤102)，形成导体图形121(图19B)。

接着，如图19B所示，将形成有比网板111的孔111a小的孔122的网板123载置在导体图形121上。孔122位于导体图形121上。向网板123上供给导电膏112，将刮板124在网板123的表面朝方向118B移动，使导电膏112延伸。由此使导电膏112充填在孔122内。然后，通过卸下网板123，使导体图形121露出地在导体图形121上涂刷导体膏112(步骤103)。将印刷在导体图形121上的导电膏112烧成(步骤104)，形成导体图形131(图19C)。实施例5中，网板123的厚度约为40mm，烧成后的导体图形131的厚度约为20mm。

如图19C所示，在与导体图形131对应的位置载置具有大于导体图形131而小于导体图形121的掩膜1131的网板1132。将绝缘膏132A供给于网板1132。将绝缘膏132A烧成固化，如图19D所示，在基板60上形成绝缘层132(步骤127)。在导体图形131上没有形成绝缘层132。即，绝缘层132的表面比导体图形131的表面低。

图20是图19D所示的基板60的俯视图。从上面看，从绝缘层132露出的导体图形131是长度L1为0.6mm，宽度L2为0.5mm的四角形。

沿通过导体图形131的边界部133分割基板60(步骤128)，得到图21A、图21B所示的表面安装电子元件32b。边界部133位于导体图形131的大致中央。在步骤128，用厚度W1约为0.2mm的旋转切削齿133A对基板60进行切割。切削齿133A进行的切割余量为0.2mm，故表面安装电子元件32b的四个角落1032分别形成宽度W2约为0.2mm、长度W3约为0.15mm的侧面电极32c。

如上所述，因为在步骤128进行切割，同时形成侧面电极32c，因而可省略另外形成侧面电极32c的工序，可低价制造表面安装电子元件32b。

另外，由于由网板123形成成为侧面电极32c的导体图形131，故可通过一次印刷而形成长度L1为0.6mm、宽度L2为0.5mm的宽大的导体图形131。因此，可将表面安装电子元件32b的侧面电极32c以宽大面积钎焊在母基板上，因而可增强与母基板之间的连接强度。

通过重复涂敷步骤101、103的利用网板111、123进行的导电膏112，可使导体图形121、131增厚。由此可得到制造工序简化、低价的表面安装电子元件32b。

在步骤127使用的网板，比导体图形121、131的总计厚度薄。由此，能可靠地将导体图形131从绝缘层132露出，可增强侧面电极32c与母基板之间的连接强度。

在图18所示的实施例5的表面安装电子元件的制造工序中，在步骤102中烧成导电膏112，以形成导体图形121，然后，将在步骤103所印刷的导电膏112在步骤104予以烧成，以形成导体图形131。也可省略步骤102，即，在步骤101利用网板111所涂刷的导电膏112上，在步骤103利用网板123来涂刷导电膏112。然后，通过对涂刷后的导电膏112进行烧成，能同时得到导体图形121、131。

Claims (14)

1.一种电子元件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

准备在表面上形成有第1凹部的薄膜的步骤，该第1凹部具有第1部分和与所述第1部分连接且比所述第1部分深的第2部分；

将第1导电膏充填于所述薄膜的所述第1凹部内、将所述第1导电膏的第1部分和第2部分分别充填于所述第1凹部的所述第1部分和所述第2部分的工序；

将在所述第1凹部内充填了所述第1导电膏的所述薄膜的所述表面贴附在基板表面上的步骤；

将所述薄膜从所述基板上剥离、将所述第1导电膏转印在所述基板的所述表面上、从而使所述第1导电膏的所述第1和第2部分转印到所述基板的所述表面上的步骤；

分别对所述转印后的第1导电膏的所述转印后的第1部分和第2部分进行烧成、得到第1导体图形的第1部分和第2部分的步骤；

在所述第1导体图形上形成绝缘层的步骤；以及

在形成所述绝缘层的步骤后，沿通过所述第1导体图形的所述第2部分的第1边界部切割所述基板、所述绝缘层和所述第1导体图形，分割成多个子基板的步骤。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，沿所述第1边界部切割所述基板、所述绝缘层和所述第1导体图形而分割成所述多个子基板的步骤，还包括沿所述第1边界部和第2边界部切割所述基板、所述绝缘层和所述第1导体图形而分割成所述多个子基板的步骤，

在所述表面上形成有第2凹部，该第2凹部在与所述薄膜的分别和所述第1边界部及所述第2边界部相对应的部分之间，具有第3部分和与所述第3部分连接且比所述第3部分深的第4部分。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：将第2导电膏充填于所述薄膜的所述第2凹部内，得到分别充填于所述第2凹部的所述第3部分和所述第4部分的所述第2导电膏的第3部分和第4部分，

将所述薄膜的所述表面贴附在所述基板的所述表面上的步骤包括：将充填第1导电膏于所述第1凹部、充填所述第2导电膏于所述第2凹部后的所述薄膜的所述表面贴附在所述基板的所述表面上，

将所述第1导电膏转印在所述基板的所述表面上的步骤包括：将所述薄膜从所述基板上剥离，将所述第1导电膏转印在所述基板的所述薄膜上，将所述第1导电膏的所述第1和第2部分转印在所述基板的所述表面上，将所述第2导电膏转印在所述基板的所述表面上，将所述第2导电膏的所述第3和第4部分转印在所述基板的所述表面上，

还包括将所述转印后的第2导电膏的所述转印后的第3部分和第4部分分别烧成，从而得到第2导体图形的第3部分和第4部分的步骤。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述第1导体图形之上形成所述绝缘层的步骤包括：

在所述第1导体图形和所述第2导体的所述第3与所述第4部分之上形成绝缘材料的步骤；

切削所述绝缘材料，使所述第2导体图形的所述第4部分露出的步骤。

5.一种电子元件的制造方法，其特征在于，包括：

在基板之上涂敷第1导电膏的步骤；

将所述涂敷后的第1导电膏烧成、形成第1导体图形的步骤；

为具有使所述第1导体图形露出的部分而将第2导电膏涂敷在所述第1导体图形之上的步骤；

将所述涂敷后的第2导电膏烧成、形成第2导体图形的步骤；

在所述第1导体图形的所述露出部分之上形成绝缘层的步骤；

沿通过所述第2导体图形的切割线切割所述基板、所述第1导体图形、所述第2导体图形和所述绝缘层的步骤。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，从上面看所述第2导体图形，其为四边形。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的表面比所述第2导体的表面低。

8.一种电子元件，其特征在于，包括：

具有表面和侧面的基板；

第1导体图形，其具有第1部分和与所述第1部分连接且比所述第1部分高的第2部分，且设置在所述基板的所述表面的上方，使得所述第2部分在与所述基板的所述侧面相同的平面上露出；以及

第1绝缘层，其具有上表面和与所述基板的所述侧面相同的所述平面上的侧面，且在所述第1导体图形上设置在所述基板的所述表面的上方。

9.如权利要求8所述的电子元件，其特征在于，还包括第2导体图形，其具有设在所述基板的所述表面与所述第1绝缘层之间的第3部分和与所述第3部分连接且从所述第1绝缘层的所述上表面露出的第4部分。

10.如权利要求9所述的电子元件，其特征在于，还包括：

设在所述第2导体图形的所述第4部分和所述第1绝缘层的所述上表面之上的第3导体图形；以及

第2绝缘层，其具有上表面和与所述基板的所述侧面相同的所述平面上的侧面，且设在所述第3导体图形和所述第1绝缘层的所述上表面之上。

11.如权利要求8所述的电子元件，其特征在于，所述第1导体图形的所述第2部分从所述第1绝缘层的所述上表面露出。

12.一种设备，其特征在于，包括具有表面的母基板、电子元件和凸区，其中，电子元件包括具有表面和侧面的基板、导体图形和绝缘层，

所述导体图形具有第1部分和与所述第1部分连接且比所述第1部分高的第2部分，且所述第2部分具有在与所述基板的所述侧面相同的平面上露出的第1面而被设在所述基板的所述表面的上方，所述绝缘层具有上表面和与所述基板的所述侧面相同的所述平面上的侧面，且在所述导体图形上设置在所述基板的所述表面的上方，

而所述凸区与所述导体图形的所述第2部分连接，并设置在所述母基板的所述表面之上。

13.如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述导体图形的所述第2部分还具有从所述绝缘层的所述上表面露出的第2面，

所述凸区与所述电子元件的所述导体图形的所述第2部分的所述第2面连接，

所述母基板位于所述电子元件的所述绝缘层的所述上表面的上方。

14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，还具有将所述电子元件的所述导体图形的所述第2部分的所述第2面与所述凸区连接起来的导电接合构件。

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