CN1658397A - 固态成像装置和信号处理电路 - Google Patents

固态成像装置和信号处理电路 Download PDF

Info

Publication number
CN1658397A
CN1658397A CN2005100600995A CN200510060099A CN1658397A CN 1658397 A CN1658397 A CN 1658397A CN 2005100600995 A CN2005100600995 A CN 2005100600995A CN 200510060099 A CN200510060099 A CN 200510060099A CN 1658397 A CN1658397 A CN 1658397A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel region
photoelectric conversion
conversion regions
zone
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2005100600995A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1658397B (zh
Inventor
村上一朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN1658397A publication Critical patent/CN1658397A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1658397B publication Critical patent/CN1658397B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/61—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise the noise originating only from the lens unit, e.g. flare, shading, vignetting or "cos4"
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H01L27/14843—Interline transfer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明涉及固态成像装置。该装置包括具有主表面的半导体衬底以及形成在沿半导体衬底主表面两个不同方向中至少一个方向上的三个或更多的像素区域。每个像素区域包括多个具有不同灵敏度的光电转换区域。在像素区域的外围像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域比在像素区域的中心像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域有着更高的灵敏度。

Description

固态成像装置和信号处理电路
技术领域
本发明涉及具有简单灵敏度校正的固态成像装置以及信号处理电路。
背景技术
在常用的CCD(电荷耦合器件)固态成像装置中，从二维布置的光电转换器输出的存储电荷以隔行(inter-line)传输方式或者逐行扫描(progressivescanning)方式顺序输出，从而输出所捕获的图像。
图4是一种常用CCD固态成像装置101的平面图。
如图4所示，CCD固态成像装置101包括光电转换器102矩阵阵列、水平方向上光电转换器102之间的垂直传输装置103、及连接到垂直传输装置103下端的水平传输装置104。每个光电转换器102对入射光进行光电转换，从而产生被存储的电荷。
垂直传输装置103由例如四相(four-phase)驱动脉冲所驱动从而以特定间隔读出存储在光电转换器102中的电荷，并顺序把读出的电荷传输到水平传输装置104。水平传输装置104由例如两相驱动脉冲所驱动，把从垂直传输装置103传输来的电荷通过最终水平传输电极LH传输到电荷检测器105。电荷检测器105通过输出栅HOG把电荷存储在浮动扩散单元(floatingdiffusion unit)FD中，并通过放大电路106输出电信号。如果必要的话，电荷检测器105还包括与浮动扩散单元FD相邻的复位漏极RD和复位栅RG，用来释放存储在浮动扩散单元FD中的电荷。
这样，CCD固态成像装置101把光电转换器102产生的电荷转换为电信号，并输出转换后的电信号。
近来小芯片尺寸且多像素的CCD固态成像装置具有小单元。然而，随着单元尺寸的缩小，光电转换器和垂直传输装置的尺寸也必须缩小，导致动态范围的减小。
为了提高动态范围，CCD固态成像装置包括彼此相邻的高灵敏度光电转换器和低灵敏度光电转换器，并且从CCD固态成像装置输出的成像信号由外部电路来处理(参见，例如T.Komobuchi，T.Yamada，A.Fukumoto，Y.Matsuda，M.Masukawa，和S.Terakawa，“Kou Dynamic Range(Wide DynamicRange)‘Hyper-D CCD，the Journal of the Institute of Image ElectronicsEngineers of Japan，Vol.25，NO.4，1996)。
在该方法中，通过使高灵敏度光电转换器的电荷存储时间不同于低灵敏度光电转换器的电荷存储时间，CCD固态成像装置101的相邻的光电转换器102被分成高灵敏度光电转换器和低灵敏度光电转换器。为了形成具有相邻高灵敏度光电转换器和低灵敏度光电转换器的像素对，外部电路将从高灵敏度光电转换器和低灵敏度光电转换器获得的成像信号相加。从高灵敏度光电转换器输出的成像信号在其加入之前被限幅在特定电平。
在入射到CCD固态成像装置上的光中，CCD固态成像装置外围部分中像素上的入射光中斜入射光分量的比例高于CCD固态成像装置中心部分像素上的入射光中斜入射光分量的比例。一般地，斜入射光分量更散而更少会聚。因此，如果CCD固态成像装置中心部分中的光电转换器以与外围光电转换区域按相同的方式形成，则光电转换效率会降低，导致低灵敏度。
发明内容
在本发明的一个方面，固态成像装置包括具有主表面(principal surface)的半导体衬底，以及形成在沿半导体衬底主表面两个不同方向中至少一个方向上的三个或更多的像素区域。该三个或更多的像素区域包括中心像素区域和围绕该中心像素区域的外围像素区域，且每个像素区域包括多个具有不同灵敏度的光电转换区域。外围像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域比中心像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域有着更高的灵敏度。
在本发明的另一方面，用来处理由固态成像装置的多个像素区域光电转换的信号的信号处理电路包括在固态成像装置之中或在其之外。该多个像素区域包括中心像素区域和围绕中心像素区域的外围像素区域。该信号处理电路包括根据f值来校正中心像素区域和外围像素区域的增益的电路。
在本发明的固态成像装置中，外围象素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域的灵敏度高于中心象素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域的灵敏度。这样，由入射在外围部分上的光中、比其中心部分更多的斜入射光分量所引起的所谓的暗斑(shading)，即，由像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域所引起的暗斑，可得到校正。因此，该固态成像装置提供了高质量的捕获图像。
本发明的信号处理电路5根据f值校正中心像素区域和外围像素区域的增益。例如，如果抑制中心像素区域和外围像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域引起暗斑，则低灵敏度光电转换区域可引起更严重的暗斑。然而，像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域以外的区域中引起的暗斑可以被校正。因此，固态成像装置提供了高质量的捕获图像。
附图说明
图1是根据本发明的固态成像装置的示意性横截面图；
图2是根据本发明一实施例的固态成像装置的平面图；
图3是根据本发明一实施例的信号处理电路的方块图；
图4是示出相关技术的固态成像装置的基本结构的图。
具体上述方式
为了校正在固态成像装置中引起的暗斑从而提高捕获图像的质量，根据本发明，固态成像装置外围像素区域中的高灵敏度光电转换区域比固态成像装置中心像素区域中的高灵敏度光电转换区域有更高的灵敏度。这样，由高灵敏度光电转换区域引起的暗斑可得到校正。此外，由高灵敏度光电转换区域以外的区域引起的暗斑可通过根据f值来校正中心像素区域和外围像素区域的增益而得到校正。
本发明的固态成像装置和信号处理电路适于应用到各种CCD成像装置。
第一实施例
根据本发明第一实施例的固态成像装置将参考图1和2进行描述。图2是固态成像装置的平面图，图1是沿图2的I-I线截取的固态成像装置的示意性横截面图。
如图1和2所示，三个或更多的像素区域21在沿半导体衬底11主表面两个不同方向中的至少一个方向上(在图2中，两个方向)形成在半导体衬底11上。每个像素区域21包括多个光电转换区域31，如两个光电转换区域31(311和312)。光电转换区域311和312具有不同的灵敏度(光敏度)。光电转换区域311具有比光电转换区域312更高的灵敏度。
在该固态成像装置中，像素区域21中外围像素区域21s中的高灵敏度光电转换区域311比像素区域21中中心像素区域21c中的高灵敏度光电转换区域311具有更高的灵敏度。
还是在图2所示像素区域21中垂直或水平的方向上，外围像素区域21s中的高灵敏度光电转换区域311比中心像素区域21c中的高灵敏度转换区域311具有更高的灵敏度。因此，图2所示布置在垂直和水平方向上的像素区域21的垂直和水平的中心像素区域21c中的高灵敏度光电转换区域311具有比像素区域21的其它像素区域中的高灵敏度光电转换区域311低的灵敏度。
尽管未示出，电荷传输区域邻近在每个光电转换区域31的一侧的读出区域形成，并且每个由光电转换区域31、读出区域和垂直电荷传输区域形成的像素由沟道截止(channel-stop)区域所隔开。
半导体衬底11包括电极叠置在垂直电荷传输区域和读出区域上的电极42，其间有绝缘膜41，并且绝缘膜43叠置在电极42上。绝缘膜43还由遮光电极(light-shielding electrode)44所覆盖，使得开口位于光电转换区域31处。光电转换区域31、遮光电极44和其它层还由平面透明绝缘膜45所覆盖。例如，绝缘膜45从底部起由覆盖遮光电极44、光电转换区域31和其它层的钝化膜、用于平坦化钝化膜的凹凸的平坦化膜、叠置在平坦化膜上的滤色器等构成。
像素区域21还包括用于使入射光聚焦到光电转换区域21上的聚光透镜51，一般称为微透镜阵列。例如，每个聚光透镜51形成为使得聚光透镜51的中心位于像素区域21中高灵敏度光电转换区域311的中心的上方，从而被聚焦的光的中心对着光电转换区域311。
从图2的一个方向来观察，聚光透镜51-B、51-B′和51-B″分别形成在光电转换区域311-B、311-B′和311-B″中心的上方。光电转换区域312-B、312-B′和31-B″分别由聚光透镜51-B、51-B′和51-B″部分地覆盖。光电转换区域312-B′和31-B″的没有被聚光透镜51-B′和51-B″覆盖的部分小于光电转换区域312-B的没有被聚光透镜51-B覆盖的部分。因此，光电转换区域312-B′和31-B″比光电转换区域312-B具有更低的灵敏度。
在图2中，每个像素区域21包括具有不同灵敏度的两个光电转换区域311和312；每个像素区域21可包括多于两个的多个光电转换区域31。即，每个像素区域21可包括n个光电转换区域31，其中n是大于1的整数。
像素区域21中具有最高灵敏度的光电转换区域311到具有第n(在图2中是第二)高灵敏度的光电转换区域312以类似的方式布置在像素区域21中，其中n是大于1的整数。在图2中，高灵敏度光电转换区域311形成在像素区域21的下面部分中，低灵敏度光电转换区域312形成在像素区域21的上面部分中。
为了改善暗斑，例如，形成在外围像素区域21s上方的聚光透镜51大于形成在中心像素区域21c上方的聚光透镜51。聚光透镜51的尺寸取决于暗斑程度。由于外围像素区域21s包括更多的斜入射光分量，理想地，更大的聚光透镜51形成在外围像素区域21s上方。
在第一实施例中，为了改善暗斑，在像素区域21中形成在外围像素区域21s上方的聚光透镜51大于形成在中心像素区域21c上方的聚光透镜51。可选择地，为了改善暗斑，形成在外围像素区域21s上方的聚光透镜51可以在像素区域21的列或行方向或者行和列方向的组合方向上相对于在中心像素区域21c上方形成的聚光透镜51倾斜地位移。聚光透镜51位移所在的方向取决于像素区域21中光电转换区域31的布置。
在本发明的固态成像装置中，像素区域21中在外围像素区域21s中的高灵敏度光电转换区域311-B′和311-B″的灵敏度实际上比中心像素区域21c中的高灵敏度光电转换区域311B的灵敏度要高。这样，由入射在外围部分上的光中、比固态成像装置中心部分更多的斜入射光分量所引起的所谓的暗斑，即，由像素区域21中高灵敏度光电转换区域311所引起的暗斑，可得到校正。因此，该固态成像装置提供了高质量的捕获图像。
第二实施例
第一实施例由于高灵敏度像素中的暗斑校正可能在低灵敏度像素中引起更严重的暗斑。根据本发明第二实施例的固态成像装置校正在低灵敏度像素中引起的更严重的暗斑。
在第二实施例中，处于第二实施例的固态成像装置之外或与其在同一芯片上的信号处理电路(未示出)根据聚光透镜51的f值，校正图1和图2所示的中心像素区域21c和外围像素区域21s的增益。
在固态成像装置中，例如，如果抑制图1和2所示的像素区域21的中心和外围像素区域21c和21s中的高灵敏度光电转换区域311引起暗斑，则低灵敏度光电转换区域312会引起更严重的暗斑。在这种情况下，信号处理电路根据f值对中心和外围像素区域21c和21s的增益进行校正，从而校正像素区域21中高灵敏度光电转换区域311以外的区域中所引起的暗斑。因此，固态成像装置捕获了高质量图像。
第三实施例
图3是根据本发明第三实施例的信号处理电路5的方块图。
如图3所示，信号处理电路5包括模拟-数字(AD)转换电路51H，用于对高灵敏度光电转换区域输出的信号SH进行AD转换，以及AD转换电路51L，用来对低灵敏度光电转换区域输出的信号SL进行AD转换。
AD转换电路51H连接到存储器52H，该存储器用来暂存AD转换电路51H转换的数字信号，AD转换电路51L连接到存储器52L，该存储器用来暂存AD转换电路51L转换的数字信号。存储器52L连接到放大电路53，该放大电路用来使读入存储器52L的信号乘以为每个像素区域所确定的系数。放大电路53连接到暂存放大信号的存储器54。存储器52H和存储器54连接到加法电路55，该加法电路把存储在存储器52H和存储器54中的信号相加，从而产生像素信号S。存储器54不是必需的，加法电路55可把放大电路53输出的信号与存储器52H输出的信号相加，从而产生像素信号。
本发明的信号处理电路5根据聚光透镜51的f值，对如图1和2所示像素区域21的中心像素区域21c和外围像素区域21s的增益进行校正。例如，如果抑制像素区域21的中心和外围像素区域21c和21s中的高灵敏度光电转换区域311引起暗斑，则低灵敏度光电转换区域312可引起更严重的暗斑。
信号处理电路5的增益校正使得像素区域21中高灵敏度光电转换区域311以外区域中引起的暗斑，即在光电转换区域312中引起的暗斑，得到校正。因此，固态成像装置提供了高质量的捕获图像。
由于其高灵敏度，人眼对低灵敏度光电区域中捕获图像的噪声分量敏感。因此，高灵敏度光电转换区域中的暗斑校正通过根据中心部分的光电转换区域或外围部分的光电转换区域而改变入射光的量来进行。在这种情况下，低灵敏度光电转换区域中的入射光可遭受更多的暗斑；该暗斑通过信号处理电路5执行增益校正而得到校正。
该校正方法易受信号处理电路5中干扰的影响。然而，由于其对高亮度信号的低灵敏度，人眼不会察觉该干扰。

Claims (10)

1.一种固态成像装置，包括：
具有主表面的半导体衬底；以及
形成在沿所述半导体衬底的所述主表面的两个不同方向中的至少一个方向上的三个或更多的像素区域，该三个或更多的像素区域包括中心像素区域和围绕该中心像素区域的外围像素区域，每个像素区域包括多个具有不同灵敏度的光电转换区域，
其中，所述外围像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域比所述中心像素区域中具有最高灵敏度的光电转换区域有着更高的灵敏度。
2.根据权利要求1的固态成像装置，其中所述像素区域设置在一平面中，
相同数量的具有不同灵敏度的光电转换区域形成在每个所述像素区域中，
所述多个光电转换区域包括n个光电转换区域，其中n是大于1的整数，以及
具有最高灵敏度的所述光电转换区域到具有第n高灵敏度的所述光电转换区域以类似的方式设置在所述像素区域中。
3.根据权利要求1的固态成像装置，还包括形成在每个所述像素区域入射光侧的聚光透镜，
其中所述聚光透镜形成在所述像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域上方，从而所述外围像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域的灵敏度比所述中心像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域的灵敏度高。
4.根据权利要求3的固态成像装置，其中形成在所述外围像素区域上方的所述聚光透镜比形成在所述中心像素区域上方的聚光透镜大。
5.根据权利要求3的固态成像装置，其中形成在所述外围像素区域上方的所述聚光透镜在所述像素区域的列或行方向、或行和列的组合方向上相对于在所述中心像素区域上方的所述聚光透镜倾斜地位移。
6.根据权利要求1的固态成像装置，还包括形成在每个所述像素区域入射光侧的聚光透镜，
其中，为校正暗斑，所述外围像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域比所述中心像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域有更高的灵敏度，该暗斑由于入射在所述外围像素区域上的光比入射在所述中心像素区域上的光包括更多的斜入射光分量而引起，该暗斑由所述像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域引起。
7.根据权利要求1的固态成像装置，还包括用于处理通过所述像素区域光电转换的信号的信号处理电路，该信号处理电路包含在所述固态成像装置之中或在其之外，
其中该信号处理电路根据f值校正所述中心像素区域和所述外围像素区域的增益。
8.根据权利要求7的固态成像装置，其中所述信号处理电路校正所述像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域以外的区域中引起的暗斑，并且
该信号处理电路包括：
乘法电路，将所述像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域以外的区域输出的信号或者将通过对该输出信号进行信号处理所获得的信号乘以为每个所述像素区域确定的系数；以及
加法电路，将所述像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域以外的区域输出的信号或者将通过对该输出信号进行信号处理所获得的信号加上乘以了所述系数的所述信号。
9.一种信号处理电路，用于处理通过固态成像装置的多个像素区域被光电转换的信号，该多个像素区域包括中心像素区域和围绕该中心像素区域的外围像素区域，该信号处理电路包括在所述固态成像装置之中或在其之外，所述信号处理电路包括根据f值校正所述中心像素区域和所述外围像素区域的增益的电路。
10.根据权利要求9的信号处理电路，还包括：
放大电路，将所述像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域以外的区域输出的信号或者将通过对该输出信号进行信号处理所获得的信号乘以为每个所述像素区域确定的系数；以及
加法电路，将所述像素区域中具有最高灵敏度的所述光电转换区域以外的区域输出的信号或者将通过对该输出信号进行信号处理所获得的信号加上乘以了所述系数的所述信号。
CN2005100600995A 2004-01-06 2005-01-06 固态成像装置和信号处理电路 Expired - Fee Related CN1658397B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004000763A JP2005197379A (ja) 2004-01-06 2004-01-06 固体撮像装置および信号処理回路
JP000763/04 2004-01-06
JP000763/2004 2004-01-06

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910208191XA Division CN101692457B (zh) 2004-01-06 2005-01-06 固态成像装置和信号处理电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1658397A true CN1658397A (zh) 2005-08-24
CN1658397B CN1658397B (zh) 2011-08-31

Family

ID=34737107

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005100600995A Expired - Fee Related CN1658397B (zh) 2004-01-06 2005-01-06 固态成像装置和信号处理电路
CN200910208191XA Expired - Fee Related CN101692457B (zh) 2004-01-06 2005-01-06 固态成像装置和信号处理电路

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910208191XA Expired - Fee Related CN101692457B (zh) 2004-01-06 2005-01-06 固态成像装置和信号处理电路

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8072529B2 (zh)
JP (1) JP2005197379A (zh)
CN (2) CN1658397B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101197387B (zh) * 2006-12-08 2010-06-02 索尼株式会社 固态成像装置及其制造方法以及成像设备
CN104183612A (zh) * 2014-08-01 2014-12-03 上海集成电路研发中心有限公司 一种光路倾斜的cmos图像传感器的像素阵列
CN104681569A (zh) * 2013-12-03 2015-06-03 株式会社东芝 固体摄像装置以及摄像系统
CN109076163A (zh) * 2016-04-27 2018-12-21 索尼公司 成像控制装置、成像控制方法以及成像装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4500574B2 (ja) * 2004-03-30 2010-07-14 富士フイルム株式会社 広ダイナミックレンジカラー固体撮像装置及びこの固体撮像装置を搭載したデジタルカメラ
JP2006238410A (ja) * 2005-01-31 2006-09-07 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像装置
JP4459099B2 (ja) * 2005-03-18 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP2007189021A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Fujifilm Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
JP4808557B2 (ja) * 2006-07-04 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JP5101402B2 (ja) * 2008-06-18 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JP4661912B2 (ja) 2008-07-18 2011-03-30 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
JP4402161B1 (ja) * 2009-03-30 2010-01-20 マスレ ホールディングス エルエルピー 撮像装置、画像再生装置、及び撮像方法
JP5229060B2 (ja) * 2009-03-31 2013-07-03 ソニー株式会社 撮像装置および焦点検出方法
JP5330439B2 (ja) 2011-03-18 2013-10-30 株式会社東芝 カメラモジュール、画像処理装置及び画像処理方法
JP5956782B2 (ja) * 2011-05-26 2016-07-27 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP5755111B2 (ja) * 2011-11-14 2015-07-29 キヤノン株式会社 撮像装置の駆動方法
JP2013110548A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Canon Inc 固体撮像素子、該固体撮像素子を備えた距離検出装置、該距離検出装置を備えたカメラ
JP6149369B2 (ja) * 2012-09-27 2017-06-21 株式会社ニコン 撮像素子
US9967501B2 (en) 2014-10-08 2018-05-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device
JP6782431B2 (ja) 2016-01-22 2020-11-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置
CN112788224B (zh) 2016-01-29 2023-04-04 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
JP2020155514A (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサチップ及び電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0750401A (ja) 1993-08-06 1995-02-21 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JPH09205589A (ja) 1996-01-26 1997-08-05 Sony Corp 固体撮像装置
US6137535A (en) * 1996-11-04 2000-10-24 Eastman Kodak Company Compact digital camera with segmented fields of view
JP4054094B2 (ja) * 1996-12-27 2008-02-27 オリンパス株式会社 電子内視鏡
JP3430071B2 (ja) 1999-06-02 2003-07-28 シャープ株式会社 マスク作製方法
US6933976B1 (en) * 1999-09-03 2005-08-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state image pickup device
JP2001281529A (ja) * 2000-03-29 2001-10-10 Minolta Co Ltd デジタルカメラ
KR20030010148A (ko) * 2001-07-25 2003-02-05 주식회사 하이닉스반도체 이미지 센서
JP3962278B2 (ja) * 2002-05-14 2007-08-22 富士フイルム株式会社 ディジタルカメラおよびそのシェーディング補正方法
JP2004103785A (ja) * 2002-09-09 2004-04-02 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子
US7742088B2 (en) * 2002-11-19 2010-06-22 Fujifilm Corporation Image sensor and digital camera

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101197387B (zh) * 2006-12-08 2010-06-02 索尼株式会社 固态成像装置及其制造方法以及成像设备
CN101789438B (zh) * 2006-12-08 2012-05-30 索尼株式会社 固态成像装置及其制造方法以及成像设备
CN104681569A (zh) * 2013-12-03 2015-06-03 株式会社东芝 固体摄像装置以及摄像系统
CN104183612A (zh) * 2014-08-01 2014-12-03 上海集成电路研发中心有限公司 一种光路倾斜的cmos图像传感器的像素阵列
CN104183612B (zh) * 2014-08-01 2018-05-01 上海集成电路研发中心有限公司 一种光路倾斜的cmos图像传感器的像素阵列
CN109076163A (zh) * 2016-04-27 2018-12-21 索尼公司 成像控制装置、成像控制方法以及成像装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005197379A (ja) 2005-07-21
CN101692457A (zh) 2010-04-07
US20120119069A1 (en) 2012-05-17
US8072529B2 (en) 2011-12-06
US20050151873A1 (en) 2005-07-14
CN101692457B (zh) 2013-11-06
US8780253B2 (en) 2014-07-15
CN1658397B (zh) 2011-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1658397B (zh) 固态成像装置和信号处理电路
US8416329B2 (en) Image pickup device and image pickup system
US7990444B2 (en) Solid-state imaging device and camera
US10334189B1 (en) HDR pixel array with double diagonal binning
US6403998B1 (en) Solid-state image sensor of a MOS structure
EP0948055B1 (en) Solid-state image pickup device
US7511324B2 (en) Solid-state imaging device
CN1734779A (zh) 固态成像器件和成像装置
JP4659788B2 (ja) 裏面照射型撮像素子
CN1682375A (zh) 固态摄像器件及其制作方法
CN1773731A (zh) 光电二极管中带有多种掺杂物植入的图像传感器像素
CN1838419A (zh) 固态成像器件
KR20060042901A (ko) 고체 촬상 디바이스 및 모듈형 고체 촬상 디바이스
CN1245828C (zh) 固态摄像元件
KR20070046903A (ko) 증폭형 고체 촬상장치
JP2008153370A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
US6528831B2 (en) Solid-state image pickup device
KR101350758B1 (ko) 고체 촬상 장치
US20220199660A1 (en) Pixel group and pixel array of image sensor
US20070012861A1 (en) Solid-state imaging device
US20220232184A1 (en) Image sensing device
US11336871B2 (en) Image device
KR100769563B1 (ko) 누설 전류를 감소시킨 이미지 센서
US20240214707A1 (en) Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus
KR100783791B1 (ko) 넓은 동적범위를 갖는 이미지센서

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Open date: 20050824

CI01 Publication of corrected invention patent application

Correction item: Rejection of patent application

Correct: Dismiss

False: Reject

Number: 32

Volume: 26

ERR Gazette correction

Free format text: CORRECT: PATENT APPLICATION REJECTION AFTER THE ANNOUNCEMENT; FROM: REJECTION TO: CANCEL REJECTION

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110831

Termination date: 20200106

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee