CN1639085A - 金属化钛酸盐基陶瓷的方法 - Google Patents

金属化钛酸盐基陶瓷的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1639085A
CN1639085A CNA038046199A CN03804619A CN1639085A CN 1639085 A CN1639085 A CN 1639085A CN A038046199 A CNA038046199 A CN A038046199A CN 03804619 A CN03804619 A CN 03804619A CN 1639085 A CN1639085 A CN 1639085A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pottery
etching
acid
temperature
chemical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA038046199A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1301937C (zh
Inventor
伊里·劳巴尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dr Ing Max Schloetter GmbH and Co KG
Original Assignee
Dr Ing Max Schloetter GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dr Ing Max Schloetter GmbH and Co KG filed Critical Dr Ing Max Schloetter GmbH and Co KG
Publication of CN1639085A publication Critical patent/CN1639085A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1301937C publication Critical patent/CN1301937C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
    • C04B41/5338—Etching
    • C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/89—Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1862—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
    • C23C18/1865—Heat
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886—Multistep pretreatment
    • C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

一种湿法化学金属化钛酸盐基陶瓷的方法，包括如下步骤：蚀刻陶瓷，活化在(a)步骤中蚀刻的陶瓷，将(b)步骤中得到的陶瓷进行化学金属化，其特征在于步骤(a)中，在温度为130－170℃下，用于蚀刻的硫酸溶液浓度范围按重量计为65－90％。

Description

金属化钛酸盐基陶瓷的方法
本发明涉及一种金属化钛酸盐基陶瓷的方法，其中将所述的陶瓷在硫酸中蚀刻。
下面描述的处理顺序通常用于湿法化学金属化陶瓷零件：
1，蚀刻
2，活化
3，化学金属沉积，产生导电表面
4，任选进一步的金属沉积，根据需要可以是电或无电镀的。
为了获得金属层与基质的牢固结合，金属层必须被结合在基底材料表面上。若表面具有微尺寸范围特定的粗糙度和类穴结构，就能够实现这一点。
在一些情况下，在制备陶瓷基质后已存在这种结构，但在其它情况下，基质的表面是光滑的，因此就需要施加“蚀刻”处理步骤，以使粘附层能够被沉积。蚀刻剂必须非均匀地侵蚀陶瓷，从而能得到具有大量微空穴的所期望的结构。能够均匀侵蚀基底材料的蚀刻剂不适合用作预处理，因为这类蚀刻剂的作用不能得到上述的结构。
钛酸盐基陶瓷，例如钛酸钡或含有稀土元素的钛酸盐用来生产零件，并且在特定的情况下，必须被金属化以用在电子工业中。陶瓷零件表面的光滑度取决于其组成和制备方法。具有光滑表面的陶瓷零件在金属化前必须进行蚀刻。
在DE-OS 3 345 353中描述的方法中，其中基于氧化铝、钛酸钡和氧化铍的陶瓷在含有氢氟酸的介质中被蚀刻。在其说明书的实施例2中描述了钛酸钡电容器陶瓷的金属化。随后在浓氢氟酸中蚀刻，可达到5N/mm的粘附力。但是，由于环保原因氟化物的使用通常是不期望的。另外，在处理氢氟酸和含有氟化物的溶液时，必须遵守严格的安全规则。
在DE-OS 3 523 957中描述的方法中，其中陶瓷在碱金属氢氧化物熔体或在酸熔体中进行预处理，并向蚀刻介质中加入粘附促进剂和/或感光剂和/或活化剂和/或催化剂。在其说明书的实施例5中描述了钛酸钡陶瓷的金属化。用硫酸氢铵熔体使其粗糙化，并向其中加入醋酸锡(II)。在200℃下将陶瓷零件处理10分钟。但该方法的缺点在于，就设备而言，使用熔体需要较高额的费用。该相对高的工作温度另外与增加能量消耗相关联，并且陶瓷有被热负荷破坏的危险。
DE-OS 3 737 757中描述了一种金属化氧化铝陶瓷的方法，其中用浓磷酸在250-360℃下蚀刻。但该方法的缺点在于也使用了高温，其一方面导致能量的高效耗，另一方面也导致陶瓷被破环。
DE-OS 3 833 441中描述了一种金属化氧化铝陶瓷的方法，其中用磷酸/硫酸混合物在220℃下作为蚀刻剂。但在如此高的温度下，存在形成酸蒸气的危险，所述的酸蒸气有非常强的腐蚀性，因此应可能避免。由于高温，就设备而言进一步需要相对高的费用。
在EP 0 254 201 A1中建议使用基于无机酸的蚀刻剂，如氢氟酸、氢氯酸、磷酸、硝酸和其它无机酸。175℃下在浓磷酸中处理陶瓷，在实施例中描述了随后在氟化氢铵溶液中处理。但这种两步法的缺点在于步骤上的不经济。另外由于环保的原因氟化物化合物也是不期望的。
因此形成本发明基础的目的在于提供一种金属化陶瓷的方法，该方法没有如上所述的缺点。
通过本发明权利要求1的方法实现上述目的。
在进一步的权利要求中描述了本方法实施方式的优点。
图1和图2表示根据本发明实施例1蚀刻之前(图1)之后(图2)得到的由稀土钛酸盐组成的陶瓷表面的扫描电镜照片。
图3和图4表示根据本发明实施例14蚀刻后得到的钛酸钡基陶瓷表面的不同放大倍数的扫描电镜照片。与此相比，图5是蚀刻前相同材料表面的电镜照片。
图6是根据本发明实施15蚀刻后的钛酸钡-钛酸钐基陶瓷的扫描电镜照片。
若根据本发明的方法，相对于目前的方法，可实现以下优点：
●与已有技术相比，蚀刻中使用了较低的温度，
●不再需要使用氢氟酸或氟化物，
●不再需要对氢氧化物或盐熔体进行复杂的处理。
本方法涉及一种钛酸金属盐基陶瓷，为了使陶瓷零件获得期望的性能，碱土金属如钙和钡，稀土元素如镧和钐，及其它元素也可作为金属以小的比例使用。
已发现硫酸溶液非常适合蚀刻钛酸盐基陶瓷。由此在陶瓷表面上产生这样的结构，其能够使随后沉积的金属层具有优异的粘附力。
硫酸的浓度按重量计为65-90％，优选按重量计为70-80％。
在按重量计浓度低于65％时，陶瓷仅能轻微被侵蚀，并且由此产生的粘附力也不令人满意。为了获得有利的粘附力，所用硫酸的浓度为65-90wt％，优选为70-80wt％。在这些条件下，陶瓷被非均匀侵蚀，形成微尺寸范围的类穴结构，该结构能使随后沉积的金属层牢固地粘附。浓度高于90wt％时，由于在温度约为130℃时有相当多的酸雾形成，这一点应当尽量避免，因此不是有利的。另外，用浓硫酸并不能形成类穴的微结构，从而随后施加的金属涂层仅有很低的粘附力。
溶液在蚀刻时的工作温度为130-170℃，优选为140-160℃。温度范围在145-155℃时被证明是特别有利的。温度和浓度优选这样设定以使处理时间为5-20分钟。
在温度低于130℃时，陶瓷表面的侵蚀过慢，或者陶瓷不能被充分侵蚀。侵蚀的强度随着所用温度的增加而增加。超过170℃时，此时由于酸雾形成的量相当大，因此该温度不优选。
所用温度的上限进一步受到硫酸溶液与浓度相关的沸点的限制，由于在沸点以上不应进行任何工作。
出于环境工程的考虑，硫酸的挥发应尽保持尽可能的低。随着硫酸的浓度和温度增加，气相中硫酸的比例增加。硫酸的挥发与形成白色的酸性烟雾有关。因此，对浓度和温度进行选择以使形成的酸蒸气最少是有益的。从这一点考虑，较高浓度时应该选择较低的温度。
蚀刻后，陶瓷零件用水彻底冲洗。为了从表面上除去松散的陶瓷颗粒，用超声波辅助清洗是有益的。为了达到甚至更彻底的清洗，在蚀刻后可使用酸、碱或中性溶液来清洗陶瓷表面，这些清洗液中可能含有表面活性剂。优选的清洗方式是在超声波处理辅助下进行。
经过冲洗，和任选的另外清洗步骤后，对陶瓷表面进行活化。可使用已知的工业上可获得的方法，如基于钯的化合物，用于这一目的。
活化后，用无电镀法将金属层沉积到陶瓷的表面。无电镀槽，如无电镀镍槽或铜槽，来实现这一目的。
这些镀槽中含有金属盐、络合剂、稳定剂、还原剂和其它添加剂。用次磷酸盐或硼化合物，如二甲氨基硼烷，可在市场上购买到用作镀镍槽的还原剂。市场上可购买到的无电镀铜槽通常含有甲醛作为还原剂。
一旦陶瓷表面在无电镀槽中被涂布后，根据需要可用无电镀或电法沉积另外的层。如下组合物可用作实施例：铜、锡或锡-铅；铜、镍、金；铜、镍。金属层可用已知的方法进行构造，从而在陶瓷表面上形成金属图样。
通过以下实施例对本发明作更详细的描述：
实施例
例1
将由稀土钛酸盐组成的陶瓷零件在150℃的硫酸中(按重量计为74％)处理10分钟，随后用水冲洗，干燥。
从扫描电镜图(图1和图2)可以清楚地看出蚀刻溶液的效果。图1表示蚀刻前的陶瓷，其表面相对光滑，且晶界能够清楚地分辨。图2表示蚀刻后的表面。与图1相比，可观察到陶瓷被非均匀地侵蚀，并且主要在晶界处被侵蚀。形成的凹陷和空穴能粘附随后沉积的金属沉积层。
蚀刻后，用工业上购买的钯胶体基活化剂活化陶瓷，并且在化学镀镍槽中用镍进行无电镀涂布，其中所用的二甲氨基硼烷作为还原剂。从酸性铜槽中铜被电沉积到该导电层上。该层的厚度为20μm。
当剥离该金属层(DIN 53494)时，可观察到具有良好的粘附力(6N/cm)。
实施例2-13
将与实施例1中描述的相同类型的陶瓷零件在各种硫酸溶液中被蚀刻，硫酸的浓度、温度和接触时间依照表1中给出的详细条件进行变化。粘附力随后根据DIN 53494进行计算。
结果列于如下的表1中。
表1：
实施例编号      酸浓度[wt.％]    温度(℃)      处理时间    粘附力
                                                [分钟]     [N/cm]
    1                74            150            10        6.0
    2                69            150            20        10.0
    3                74            130            60        8.0
    4                74            130            180       11.5
    5                74            140            20        5.9
    6                74            140            30        12.8
    7                74            150            20        13.5
    8                74            160            5         4.0
    9                74            160            10        15.5
    10               80            140            20        5.5
    12               87            150            20        5.2
    13               87            150            60        6.3
实施例14
将用钛酸钡基陶瓷制备的小片在74％的硫酸中150℃下处理30分钟。图3和图4表示蚀刻后的陶瓷表面不同放大倍数的扫描电镜照片。图5所示的蚀刻前的照片作为对比。从扫描电镜照片中可清楚地看出，在蚀刻后的表面上形成了类空穴的凹陷。
将相同类型的陶瓷零件蚀刻后在水中冲洗，可通过超声波强化冲洗。随后进行活化，如实施例1描述的化学镍镀涂布和电镀铜涂布，得到的粘附力可通过剥离试验(DIN 53494)来定量确定。测量值为6-7N/cm。将蚀刻槽中接触时间延长至90分钟得到的粘附力值为14-16N/cm。
实施例15
将钛酸钡-钛酸钐基陶瓷零件在74％的硫酸中蚀刻，在150℃下处理30分钟。随后按照实施例14的方法进行清洗和活化，将陶瓷零件在化学镀铜槽中进行金属化，其中甲醛作为还原剂。然后在酸性铜槽中通过电镀以强化沉积。剥离法(DIN 53494)测得粘附力为10N/cm。
该良好的粘附力值与蚀刻得到的表面结构相一致。蚀刻后陶瓷表面的扫描电镜照片如图6所示。
对比例
将与实施例1相同的陶瓷零件在浓硫酸(按重量计为96％)中处理，在150℃下处理不同的时间。然后进行活化，按照实施例1相同的方法，进行化学镀镍涂布和电镀铜涂布，用DIN 53494测量粘附力。
    处理时间[min]     粘附力[N/cm]
    20     0
    60     ＜2
    90     2
从对比例中可以清楚地看出，用浓硫酸蚀刻后的陶瓷表面仅具有较低的粘附力。

Claims (9)

1.一种湿法化学金属化钛酸盐基陶瓷的方法，包括如下步骤：
(a)蚀刻陶瓷，
(b)活化在(a)步骤中蚀刻的陶瓷，
(c)将(b)步骤中得到的陶瓷进行化学金属化，
其特征在于步骤(a)中，在温度为130-170℃下，用于蚀刻的硫酸溶液浓度范围按重量计为65-90％。
2.如权利要求1的方法，其特征是在温度为140-160℃下，所用的硫酸浓度按重量计为70-80％。
3.如权利要求1或2的方法，其特征是所述的陶瓷随后在步骤(d)中进行电或化学金属化。
4.如权利要求1-3任一项的方法，其特征是所述的陶瓷含有钛酸钡。
5.如权利要求1-4任一项的方法，其特征是所述的陶瓷含有稀土元素。
6.如权利要求1-5任一项的方法，其特征是所述的陶瓷在步骤(c)中用化学法涂布铜。
7.如权利要求1-6任一项的方法，其特征是所述的陶瓷在步骤(c)中用化学法涂布镍。
8.如权利要求1-7中任一项的方法，其特征在于随后的蚀刻步骤，以及在步骤(b)之前，陶瓷用中性溶液和/或碱性溶液和/或酸性溶液进行清洗。
9.如权利要求8的方法，其特征是清洗在超声波辅助下进行。
CNB038046199A 2002-02-26 2003-02-19 金属化钛酸盐基陶瓷的方法 Expired - Fee Related CN1301937C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002108120 DE10208120A1 (de) 2002-02-26 2002-02-26 Verfahren zur Metallisierung von Keramik auf Basis von Titanaten
DE10208120.4 2002-02-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1639085A true CN1639085A (zh) 2005-07-13
CN1301937C CN1301937C (zh) 2007-02-28

Family

ID=27762439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB038046199A Expired - Fee Related CN1301937C (zh) 2002-02-26 2003-02-19 金属化钛酸盐基陶瓷的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20050224461A1 (zh)
EP (1) EP1478607B1 (zh)
JP (1) JP2005518328A (zh)
CN (1) CN1301937C (zh)
DE (2) DE10208120A1 (zh)
WO (1) WO2003072527A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102842433A (zh) * 2012-08-28 2012-12-26 四川大学 超级电容器电极材料及制备方法和由其制作的超级电容器
CN109574714A (zh) * 2019-01-21 2019-04-05 深圳市纳明特科技发展有限公司 陶瓷基体表面t处理方法
CN112500193A (zh) * 2020-11-09 2021-03-16 麦德美科技（苏州）有限公司 一种钛酸钙镁陶瓷的化学粗化及金属化工艺
CN116462531A (zh) * 2023-03-21 2023-07-21 沈阳富创精密设备股份有限公司 一种陶瓷表面处理方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103253989B (zh) * 2012-02-16 2016-09-07 比亚迪股份有限公司 一种陶瓷表面选择性金属化方法和一种陶瓷
CN104646664A (zh) * 2015-03-06 2015-05-27 苏州欢颜电气有限公司 Cu包覆钛酸钡纳米颗粒及其制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3640765A (en) * 1969-08-06 1972-02-08 Rca Corp Selective deposition of metal
JPS5444797A (en) * 1977-09-16 1979-04-09 Murata Manufacturing Co Barium titanate semiconductor porcelain
DE3345353A1 (de) * 1983-12-15 1985-08-29 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren und metallisierung einer keramikoberflaeche
US4647477A (en) * 1984-12-07 1987-03-03 Kollmorgen Technologies Corporation Surface preparation of ceramic substrates for metallization
DE3523957A1 (de) * 1985-07-04 1987-01-08 Licentia Gmbh Verfahren zur metallisierung von keramik
US4888208A (en) * 1986-10-16 1989-12-19 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Ceramic substrate for printed circuits and production thereof
JPH04176882A (ja) * 1990-11-08 1992-06-24 Kawasaki Steel Corp 銅板接合セラミックス基板のエッチング方法
US6630074B1 (en) * 1997-04-04 2003-10-07 International Business Machines Corporation Etching composition and use thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102842433A (zh) * 2012-08-28 2012-12-26 四川大学 超级电容器电极材料及制备方法和由其制作的超级电容器
CN102842433B (zh) * 2012-08-28 2016-08-03 四川大学 超级电容器电极材料及制备方法和由其制作的超级电容器
CN109574714A (zh) * 2019-01-21 2019-04-05 深圳市纳明特科技发展有限公司 陶瓷基体表面t处理方法
CN112500193A (zh) * 2020-11-09 2021-03-16 麦德美科技（苏州）有限公司 一种钛酸钙镁陶瓷的化学粗化及金属化工艺
CN116462531A (zh) * 2023-03-21 2023-07-21 沈阳富创精密设备股份有限公司 一种陶瓷表面处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20050224461A1 (en) 2005-10-13
JP2005518328A (ja) 2005-06-23
DE10208120A1 (de) 2003-09-18
EP1478607A1 (de) 2004-11-24
DE50300764D1 (de) 2005-08-18
CN1301937C (zh) 2007-02-28
EP1478607B1 (de) 2005-07-13
WO2003072527A1 (de) 2003-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0759482B1 (en) Electroplating process
TWI565379B (zh) 細線電路之製造方法
CN1422924A (zh) 助粘组合物、多层印刷电路板的制法和转涂的铜表面
EP1562411B1 (en) Metal/ceramic bonding member and method for producing same
CN1764739A (zh) 用于蚀刻铜表面的溶液和在铜表面上沉积金属的方法
CN1238442C (zh) 用于纹饰树脂材料及去污和清除树脂材料的溶胀剂
CN101052276A (zh) 用于制造嵌入印刷电路板的电容器的方法
CN1839219A (zh) 印刷电路板中的增粘剂
JPS6389674A (ja) 金属めっき方法
CN1301937C (zh) 金属化钛酸盐基陶瓷的方法
CN1204291C (zh) 微多孔性铜覆膜及用于制备该铜覆膜的化学镀铜液
CN102146558A (zh) 用于非电解镀覆的预处理液
CN1209440C (zh) 用于纹饰树脂材料、去污和去除树脂材料的包含氮杂环化合物和二醇的组合物
CN1744801A (zh) 多层柔性印刷基板的无电解铜电镀方法
CN1508287A (zh) 用于塑料电镀的基底的活化方法
CN1260390C (zh) 用于化学镀覆的材料的预处理方法
CN1659310A (zh) 聚合物基质的无电金属喷镀的方法
CN1910059A (zh) 用于在等离子体处理系统中清洁包括钇氧化物的一组结构的方法
CN1129487C (zh) 钕铁硼永磁表面聚对二甲苯耐蚀涂层制备预清洗工艺
CN1131888C (zh) 用于半导体衬底的清洗水溶液
CN1799293A (zh) 用于结构化地金属化聚合的和陶瓷的基材的方法以及在该方法中使用的可活性化的化合物
TW572869B (en) Method to apply galvanically contact-layers on ceramic elements
JPH09184076A (ja) 窒化アルミニウムメタライズ基板の製造方法
JP2591500B2 (ja) プリント配線板の製造方法
JP3635293B6 (ja) 直接的に金属被覆するための導電性合成樹脂によるプリント基板の貫通接触法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee