CN109574714A - 陶瓷基体表面t处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种陶瓷基体表面T处理方法，包括如下步骤：步骤1、用清洗液对陶瓷基体表面进行清洗处理；步骤2、将陶瓷基体放入碱液中处理；步骤3、将陶瓷基体放在含有稀硫酸的酸液中预处理；步骤4、将陶瓷基体在盐酸与磷酸的混合溶液中浸泡、腐蚀；步骤5、陶瓷基体在聚烯基磷酸酯中进行保护处理。本发明的有益效果是通过化学手段使陶瓷构件与树脂构件的接合，完成两种材料一体化。

Description

陶瓷基体表面T处理方法
技术领域
本发明涉及陶瓷表面处理技术领域，特别涉及一种陶瓷基体表面T处理方法。
背景技术
现在市场使用的陶瓷与树脂的结合主要依赖于陶瓷产品的结构或完全避开不使用陶瓷，目前手机行业中后盖材质主要使用金属、塑料、玻璃。使用金属后盖容易对信号造成干扰、所以一般金属都无法做到机身一体化、另外一般金属是没有颜色的，为了美观，一般使用电镀、阳极或喷漆，不仅工艺复杂、不环保，且长期使用过程中也会出现掉色、腐蚀等现象。由于塑料比较软，容易刮花及变形，时间长了颜色也会变深，影响美观。玻璃不易刮花，但是易碎；陶瓷的优势在于耐磨耐刮，也不容易摔碎，又不会像金属对信号有干扰等问题，外观在长期使用过程中也不会掉色、腐蚀。
发明内容
本发明的目的是通过陶瓷构件与树脂构件的接合，完成两种材料一体化，是通过如下技术方案实现的。
陶瓷基体表面T处理方法，包含以下处理步骤：
步骤1、用清洗液对陶瓷基体表面进行清洗处理；
步骤2、将陶瓷基体放入碱液中处理；
步骤3、将陶瓷基体放在含有稀硫酸的酸液中预处理；
步骤4、将陶瓷基体在盐酸与磷酸的混合溶液中浸泡、腐蚀；
步骤5、陶瓷基体在聚烯基磷酸酯中进行保护处理。
进一步的，所述步骤1中，具体是将陶瓷基体在质量浓度为45～55g/L的磷酸钠、碳酸钠及焦磷酸钠混合溶液的脱脂剂溶液中浸泡5-8分钟，温度50-60℃。
进一步的，所述碱溶液是NAOH溶液中，NAOH浓度40-60g/L，3-5分钟，30-50℃。
进一步的，步骤3中，将陶瓷基体放入所述硫酸溶液中，浓度为80g-100g/L，时间3-6分钟，温度20-30℃。
进一步的，步骤4中，所述混合溶液的磷酸浓度为100-130g/L，盐酸浓度50-80g/L，温度控制40-50℃，在反应过程中保持药液一直打气，时间10-15分钟。
进一步的，步骤5中，将表面处理过的陶瓷基体放入聚烯基磷酸酯中浸泡1-2分钟，温度20-30℃,聚烯基磷酸酯浓度30-100g/L。
附图说明
图1是本发明实施例中陶瓷T处理后的10000倍SEM效果图。
图2是本发明实施例中陶瓷T处理后的3000倍SEM效果图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
陶瓷基体表面T处理方法，包含以下处理步骤：
步骤1、用清洗液对陶瓷基体表面进行清洗处理，具体是将陶瓷基体在质量浓度为45/L的磷酸钠、碳酸钠及焦磷酸钠混合溶液的脱脂剂溶液中浸泡8分钟，温度60℃。
步骤2、将陶瓷基体放入碱液中处理，所述碱溶液是NAOH溶液中，NAOH浓度40g/L，5分钟，30℃。
步骤3、将陶瓷基体放在含有稀硫酸的酸液中预处理；硫酸溶液中，浓度为80g/L，时间6分钟，温度20℃。
步骤4、将陶瓷基体在盐酸与磷酸的混合溶液中浸泡、腐蚀，混合溶液的磷酸浓度为100g/L，盐酸浓度50g/L，温度控制40℃，在反应过程中保持药液一直打气，时间15分钟。
步骤5、陶瓷基体在聚烯基磷酸酯中进行保护处理，将表面处理过的陶瓷基体放入聚烯基磷酸酯中浸泡2分钟，温度20℃,聚烯基磷酸酯浓度30g/L。
实施例二：
陶瓷基体表面T处理方法，包含以下处理步骤：
步骤1、用清洗液对陶瓷基体表面进行清洗处理，具体是将陶瓷基体在质量浓度为55g/L的磷酸钠、碳酸钠及焦磷酸钠混合溶液的脱脂剂溶液中浸泡5分钟，温度60℃；
步骤2、将陶瓷基体放入碱液中处理，所述碱溶液是NAOH溶液中，NAOH浓度60g/L，处理时间3分钟，溶液温度50℃；
步骤3、将陶瓷基体放在含有稀硫酸的酸液中预处理，将陶瓷基体放入所述硫酸溶液中，浓度为100g/L，时间3分钟，温度30℃。
步骤4、将陶瓷基体在盐酸与磷酸的混合溶液中浸泡、腐蚀。混合溶液的磷酸浓度为130g/L，盐酸浓度80g/L，温度控制50℃，在反应过程中保持药液一直打气，时间10分钟。
步骤5、陶瓷基体在聚烯基磷酸酯中进行保护处理，将表面处理过的陶瓷基体放入聚烯基磷酸酯中浸泡1分钟，温度30℃，聚烯基磷酸酯浓度100g/L。
本发明是在陶瓷表面T处理后，利用陶瓷表面被均匀腐蚀产生的微孔,热塑性树脂渗入到表面的微孔中与陶瓷构件牢牢结合在一起，最终形成陶瓷表面与树脂相互结合，最终一体化，因此本发明的技术关键点在于处理过程中产生的微孔孔径能够使树脂在高温高压的注塑条件下射入，并且保证在表面形成尽可能多的微孔，表面形成的微孔尽可能的均匀，涉及整个表面处理的工艺流程、控制参数、药水配方成分以及设备。
如图1-2所示，图1是陶瓷T处理后的10000倍SEM效果图，图2是陶瓷T处理后的3000倍SEM效果图，陶瓷在T处理后3000倍的SEM下即可明显的孔洞结构，在10000倍SEM下明显看出孔洞的结构和密度，其有效孔密度50％-80％。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.陶瓷基体表面T处理方法，其特征在于，包含以下处理步骤：
步骤1、用清洗液对陶瓷基体表面进行清洗处理；
步骤2、将陶瓷基体放入碱液中处理；
步骤3、将陶瓷基体放在含有稀硫酸的酸液中预处理；
步骤4、将陶瓷基体在盐酸与磷酸的混合溶液中浸泡、腐蚀；
步骤5、陶瓷基体在聚烯基磷酸酯中进行保护处理。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基体表面T处理方法，其特征在于，所述步骤1中，具体是将陶瓷基体在质量浓度为45～55g/L的磷酸钠、碳酸钠及焦磷酸钠混合溶液的脱脂剂溶液中浸泡5-8分钟，温度50-60℃。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基体表面T处理方法，其特征在于，所述碱溶液是NAOH溶液中，NAOH浓度40-60g/L，3-5分钟，30-50℃。
4.根据权利要求1所述的陶瓷基体表面T处理方法，其特征在于，步骤3中，将陶瓷基体放入所述硫酸溶液中，浓度为80g-100g/L，时间3-6分钟，温度20-30℃。
5.根据权利要求1所述的陶瓷基体表面T处理方法，其特征在于，步骤4中，所述混合溶液的磷酸浓度为100-130g/L，盐酸浓度50-80g/L，温度控制40-50℃，在反应过程中保持药液一直打气，时间10-15分钟。
6.根据权利要求1所述的陶瓷基体表面T处理方法，其特征在于，步骤5中，将表面处理过的陶瓷基体放入聚烯基磷酸酯中浸泡1-2分钟，温度20-30℃,聚烯基磷酸酯浓度30-100g/L。
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