CN1637615A - 平板显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种平板显示装置和该装置的制造方法。这种平板显示包括设置在基片上面布置的第一电极层和第二电极层。排列在第一电极层和第二电极层之间的多个象素区域是由一个包含发光层的发光部分构成。至少在象素区域之间的一部分，挡板由至少一层或多层构成，并且在每个挡板的至少一侧形成了一个沟槽部分。

Description

平板显示装置及其制造方法
相关申请的交叉参考
本申请要求德国专利申请号为103 51 195.4的申请的优先权，于2003年10月30日在德国知识产权局申请。同时，本申请要求韩国专利申请号为2004-10605的申请的优先权，该申请于2004年2月18日在韩国知识产权局申请，这些公开在这里作为参考被完全引用。
技术领域
本发明涉及一种平板显示装置，更具体的说，涉及一种平板显示装置，其包括，在喷墨印刷工艺中，用来防止墨水溢出到相邻像素区的挡板，还包括一种制造该平板显示装置的方法。
背景技术
喷墨印刷工艺对于通过一个半导体发光聚合物(LEP)形成全彩色图像的制造是一个重要的构造工艺。在这种情况中，含有相应聚合物的溶液的小液滴被淀积到合适的基片上。这个工艺还可以用在其他技术领域中，比如基片上的彩色滤光器或者DNA传感器。
所有的这些应用要求将物质(墨水)精确淀积在预定的活性表面上。这项喷墨印刷技术拥有这个特性。在喷墨印刷中，将一种活性物质溶解到辅助物质中从而形成墨水。然后，墨水以小液滴的形式被淀积在基片上，比如通过压力或者“起泡喷射”喷墨技术实现。基片上液滴的精确定位是通过以机械方式将喷墨头定位在基片上实现的。辅助物质蒸发后，活性物质在基片的活性表面形成一层薄膜。
在印刷工艺中一个常见的问题是墨滴从活性物质中散布到邻近的基片表面。因为红、绿或蓝色发射区相互紧靠排列，这会导致包括有机发光二极管(OLED)的显示部件的色彩混合。
发展到上世纪八十年代后期，OLED显示可以分为聚合物有机发光二极管(PLED)和低分子有机发光二极管(SM-OLED)。比如，PCT专利号为WO00/76008A1(CDT)公开了一种PLED显示元件的结构。此外，专利号为US4539507和US4885211(Eastman-Kodak)公开了一种SM-OLED的主要结构，其中ALQ3(三-(5-氯-8-羟基-quinolinato)-铝)用作一种发光和电子传输的材料。
OLED的基本原则是基于电子发光，电子和空穴通过合适的接触被注入到半导体材料中去，通过这些电荷载流子的复合产生光。
一种压电喷墨印刷技术是基于聚合物OLED的全彩色显示制造的最重要构成技术之一。含有活性物质(空穴传输或者发光材料)的溶液的小液滴淀积在合适基片的活性表面上。对于高分辨率显示元件，活性表面(单一象素)的尺寸在40μm×180μm的范围内，比如在现代的移动电话中的应用。
传统喷墨头能够产生30μm直径的墨滴。这种墨滴的直径和一个要被淀积的象素是同样的数量级。为了避免液滴溢出，基片表面通过合适的方法形成。
在这方面，采用了两种策略：
一个基片表面可以通过这种方式制成，即不同的区域拥有不同的表面能，所以允许墨水以不同的方式移动。而且还可以设计几何(机械)挡板用来防止液滴溢出。
第一种策略的申请在欧洲专利号为0989778 A1(Seiko-Epson)的申请中有所描述。通过对形成基片表面的材料的适当选择，可以产生非恒定的表面能。墨水只能扩散到高表面能的区域，低表面能的区域则起到了挡板的作用。为了获得同质厚度的薄膜，在OLED象素表面的周围以外形成一个高表面能区域也是它的一个优势。在周围区域内薄膜是同质的，而在靠近挡板的活性区域以外，层厚度显著减少。所需表面能之间的不同可以通过很多不同的方法实现。欧洲专利号为0989778 A1(Seiko Epson)公开了一种两层结构的基片表面，运用等离子体进行合适的表面处理，基片上层可以提供低表面能，而下层则基于其化学特性，运用同样的处理方法，提供高表面能。传统上，下层是由无机材料组成，例如氧化硅/氮化硅。
在这个例子中，无机层成为具有高表面能的周围区域，使得喷墨印刷工艺中的聚合物薄膜同质淀积变得容易。
然而层的构成和淀积需要在半导体工业中通常使用的工艺。对于层淀积，可以运用溅射工艺和气相工艺，如：PECVD(等离子体增强化学气相淀积)。这些处理要求长脉冲时间(pulse time)而且增加了成本，因此减少了由OLED技术带来的成本优势。另外，第二层提供了一种表面地势，即低表面能的区域(在这里称为“隔离物”)具有高于主基片表面一个有限的高度。由于这个高度外形，被隔离的聚合物薄膜在隔离物处弯曲向上进入周围区域时，形成了一种不理想的厚度轮廓。根据尺寸的不同，向上的弯曲可以突出到象素中。
在EP 0989778中提到了另一个缺点，墨水储存器用作为进一步的防溢出保护。为了提供充足的部分数量的液(墨)滴，墨水储存器必须至少有一个最小容量。几百纳米的必要深度产生了一个边缘，后来的淀积阴极层可以打断它。这将导致功率输入增加或者一个指示元件的故障。这种墨水储存器的构成耗费时间，并且由于结合了另一个处理步骤，增加了工艺难度。
日本已公开的专利号为09203803的申请，公开了一种基片表面的化学处理方法，预先用光刻胶对其进行处理。接着，利用掩膜对光刻胶曝光，然后显影。在生成的结构中，保留光刻胶的区域拥有低表面能，然而除去光刻胶的区域则拥有高表面能。光刻胶结构的侧面拥有平均表面能，因此表面能量有一个相当平滑的过渡。但是，侧面没有形成一个自由选择表面能和几何结构的分界线。因为喷墨印刷工艺的空间溶解能力在平均表面能的区域下降，这就成为一个缺点。还有一个缺点就是只有由单一材料构成的光刻胶可以加以利用的事实。因此，表面能的对比不能通过采用不同材料而实现，这也限制了OLED的使用。另外，所需的化学处理耗费时间，导致了很长的生产时间。
日本已公开的专利号为09230129的申请，公开了对表面的两个阶段处理方法。首先，整个表面提供低表面能。由于对选择的表面区域是用短波长光进行下一步处理，这些区域的表面能得以增加。然而表面能的对比受到限制，并且大规模生产中要求的曝光时间太长。
对于防止墨滴溢出，几何(机械)挡板是第二种可能性。
美国专利号为6,388,377 B1的申请公开了安置在相邻象素之间的一种光刻胶条纹结构。这些光刻胶条纹高度为至少2μm，并且形成一个用于防止墨滴溢出的物理挡板。这种光刻胶结构的生产在欧洲专利号为0996314 A1的申请中被公开。在每个例子中，两个光刻胶结构相互平行排列，形成沟道的堤，在沟道中间是随后发出同色光(红、绿或蓝)的象素。在沟道中的合适墨水的印刷给象素提供活性材料，并且光刻胶结构防止墨水溢出到邻近沟道的象素。堤的高度大于0.5x(象素宽度/液滴直径)。这高度也比通过喷墨印刷技术方法淀积的活性材料的厚度大。具有良好结构的堤可以通过将圆形、椭圆或三角形槽口刻痕应用到堤上来获得，从而形成一个溢出储存器。然而，堤和/或边缘的高度降低了下一步骤中金属淀积的质量。在金属淀积中，OLED结构元件的阴极由热蒸发或者溅射形成。基于光刻胶结构的形式和高度，形成了一个中断，或者至少在堤的侧壁上至少得到一个很薄的金属薄膜淀积。这将导致电阻的增加，对显示元件的功率输入造成负面影响。
发明内容
本发明提供了一种薄平板OLED，它可以有效地防止墨滴溢出到邻近的储存器中，本发明还提供其制造方法。
本发明还提供了一种平板显示装置，其中OLED仅由有机材料构成，本发明还提供了它的制造方法。本发明还提供了制造廉价的具有预规定质量要求的一种平板显示装置。
为了防止墨水溢出，本发明的一个或多个实施例提供了一种小高度的挡板，可以防止或明显减少电极层的中间或者挡板侧壁上的淀积。较薄的淀积增加了平板显示装置的功率输入，并且使得操作更加有效。换句话说，由于阴极薄膜淀积在随后对挡板(在它的外缘和可能使用的溢出储存器所产生的边缘)上阴极层的淀积中不会发生，而且阴极薄膜具有明显低的电阻，所以可以减少操作平板显示装置的功率要求。
在这个方面，至少一块挡板在它的上边沿着它的纵轴方向有一个沟槽。挡板或隔离物可以由光刻胶构成。由高度低于1μm的光刻胶构成的挡板和深度低于0.1μm的沟槽，对于用于喷墨印刷工艺(墨滴的直径一般大于20μm)中的墨滴，提供了有效地溢出保护。不带有沟槽的传统显示装置的挡板要求其高度至少为4μm以便以同样有效的方式防止溢出。本发明实施例中有效地防止溢出主要是归结于在墨滴和在挡板上形成的沟槽所产生的边缘之间的一种物理相互作用。因为这个原因，根据本发明实施例的基片可以运用于OLED显示，因为可以有效防止墨水溢出到邻近墨水储存器(象素)中。小的高度的外形也能减少用于OLED显示的功率需求，因为位于挡板(隔离物)侧壁上的(阴极)金属薄膜的淀积的侧壁上，中断或者至少较薄的淀积层能够被避免或是显著减少。
由铟锡氧化物层或是另一种适合空穴注入的材料构成的层在基片上形成。铟锡氧化物层可以具有条纹图案。由光刻胶形成的挡板能够完全覆盖铟锡氧化物层边缘之间的空隙。
挡板的排列使得邻近铟锡氧化物条纹关于每一个挡板对称。在挡板中间能形成沟槽。基片可以由玻璃、合成材料或硅构成。
由于挡板含有沟槽，随后使用(通过喷墨印刷工艺)的墨水不会溢出到其它区域。在此情况，用于基片的喷墨印刷工艺中的墨水包含一种溶液，它包括了将被淀积的物质，比如：一种以有机发光二极管为基础的用于显示的聚合物。然而，根据本发明实施例的基片并不限于包括以有机发光二极管为基础的用于显示的喷墨印刷工艺的应用。墨水可以包括彩色滤光器或者DNA传感器。
没有被挡板覆盖的基片表面能够形成基片的活性表面(象素)。沟槽可以在所有的挡板中形成。
根据本发明的实施例，制造一种显示装置的方法包括在至少一个挡板上沿其纵轴方向在它上边形成沟槽。沟槽由等离子体蚀刻方法制成。一种用于等离子体蚀刻的蚀刻剂包括比例为1∶4的CF4和O2。
没有形成沟槽的挡板区域在等离子体蚀刻处理之前用一种深层(保护性的)光刻胶层覆盖。当挡板由光刻胶形成时，在没有蚀刻的挡板区域上形成了一个保护性的光刻胶层，该光刻胶层保护挡板，随后被除去。保护性的光刻胶层可以通过淀积、曝光和显影形成。该光刻胶层结构可以通过丙酮的方法加以除去。在形成以平行排列的纵向挡板之前，铟锡氧化物层被淀积在基片上，而且该铟锡氧化物层用做OLED显示的一个阳极层。
在一个实施例中，一种平板显示装置包括一个基片，一个位于基片上的第一电极，一个位于第一电极之上的第二电极，一个包含有置于第一电极和第二电极之间的发光层的多个象素区域，以及至少在象素区域之间的部分上形成和具有至少一层的挡板，其中每个挡板至少在其一侧上形成有一个沟槽。
根据本发明的另一个方面，沟槽部分拥有条纹或者网纹图案。
因此，邻近象素区域可以被带有沟槽部分的挡板分隔开来，并且包括不同的发光层。
可选择的，至少一个象素区域被同样的网纹沟槽部分包围，并且包括发射相同颜色的发光层。
可选择的，挡板可以由光刻胶构成。
附图说明
本发明的上述和其他特性以及优点，将通过实施例的详细描述并参照附图得以更明白的体现。
图1、2、3、4、5、6、7、8和9是示意图，表示了根据本发明一个实施例的一种无源矩阵驱动平板显示装置的制作工艺。
图10是通过图1到图9制造的无源矩阵驱动平板显示装置的平面图。
图11是图10平板显示装置中沿E-E剖面线的剖视图。
图12是根据本发明的另一个实施例的一种有源矩阵(AM)驱动平板显示装置的平面图。
图13是图12平板显示装置中沿F-F剖面线的剖视图。
图14和15是根据本发明的另一个实施例的一种有源矩阵(AM)驱动平板显示装置的平面图。
图16是有源矩阵(AM)驱动平板显示装置的平面图。
图17是图16中沿G-G剖面线的剖视图。
具体实施方式
图1、2、3、4、5、6、7、8和9描述了根据本发明一个实施例的一种无源矩阵(PM)显示装置。图1是基片1的俯视图，其上安装了作为阳极的第一电极层2，然而，本发明不限于此。另外，作为阳极的第一电极层2可以由各种材料构成，但在本实施例中是一个由铟锡氧化物构成的透明电极。第一电极层2形成带有发光部分(包括发光层)的象素区域，用来发光，第二电极层放置在第一电极层2的上面。
如图1所示的基片是由硼硅酸盐玻璃构成的，其厚度大约1.1mm。然而，本发明并不限于此，比如：基片可以由一种或多种玻璃、合成材料和硅构成。
第一电极层2在基板上以单个的条纹形成，其厚度大约100nm。如图1、图2所示，第一电极层2的各个条纹用传统方法制成，比如蚀刻至70μm的宽度，条纹之间的距离为8μm至100μm。
接下来，参见图3、4，在由第一电极层2形成的象素区域之间形成挡板3，其设置在基片1上。即，挡板3平行于第一电极层2并且在第一电极层2之间形成。例如一种光刻胶，在线型酚醛清漆基上或Messrs JSR(日本人造橡胶)的JEM 750光刻胶可以用作挡板。可选择的，光刻胶可以包括一种丙烯酸清漆、一种环氧清漆和一种聚酰胺清漆。当将光刻胶用作挡板3时，光刻胶被旋涂至500mm的厚度。然后用适当的光掩膜对旋涂的光刻胶进行曝光和显影，并在200℃的温度下对其进行约1小时的热处理。
所示的挡板3和第一电极层2部分重叠，并具有和第一电极层2相同的长度，其宽度大约25mm，高度约0.35mm。挡板3形成在邻近第一电极层2正中间。由挡板3环绕的沟道形成一个象素区，用作墨水储存器7，在后面的喷墨印刷工艺被墨水涂覆。发光部分形成在接下来的第一电极层2上，邻近的形成象素区的发光部分包括用来发射不同颜色的发光层。
参见图5和6，在挡板3形成后，光刻胶层4(如，Messrs Clariant的AL 6612)用传统技术加以淀积，并且覆盖整个表面，除了邻近挡板3之间的中间部分以外，该中间部分具有7μm的宽度。如图5和6所示，光刻胶层结构4的厚度可以是1μm。
参见图7，使用包含具有1∶4比率的CF4/O2的等离子体以及使用300W的能量，对没有被光刻胶结构4覆盖的挡板3的一部分进行10分钟的蚀刻。因此，在每个挡板3上形成30nm深的沟槽部分6。在没有被光刻胶结构4覆盖的挡板3的区域里形成了沟槽部分6。优选，在挡板3的上表面的中间形成沟槽部分6。
参见图8和9，在沟槽部分6形成以后，光刻胶层结构4被除去。例如，可以通过超声波浴中的丙酮在小于一分钟的时间内除去光刻胶层结构4。
回到图1中，基板1可以包括一个铟锡氧化物层结构2。在一个实施例中，铟锡氧化层结构2是由厚度为100nm的单个的铟锡氧化物条纹组成的。基板1可以由厚度为1.1μm的硼硅酸盐玻璃制成。为了保留铟锡氧化物层结构2，如图2所示，用宽度为70μm且中间间距8为10μm宽来平行排列条纹，从而形成一个连续的铟锡氧化物层。
正如图3和4所示，在生产基片的下一个处理步骤中，大量纵向挡板3基本平行排列，并被淀积在基板2上。挡板3可以包括在线型酚醛清漆基，MessrsJSR(日本人造橡胶)的JEM 750的光刻胶。为了制造挡板3，通过旋涂使光刻胶的厚度为500nm并且用合适的光掩模对其进行曝光。显影后，对光刻胶在200℃下进行一小时的热后处理。以这样的方式形成光刻胶层：形成高度为0.35μm、宽度为25μm、长度和包含象素的基片区域内的ITO条纹的长度相对应的矩形体形状的挡板3。挡板3精确地设置在每两个相邻的ITO条纹2的中间。被挡板3包围的沟道形成墨水储存器7，其中容纳了在后面的喷墨印刷工艺中使用的墨水。
根据本发明，在基片生产的进一步处理步骤中，光刻胶层结构4(MessrsClariant的AZ 6612)用标准技术进行淀积，并且以覆盖整个基片的方式对其进行构造，除了那些沿着挡板的纵轴方向对称分布的7μm宽的特殊表面。如图5和6所示，光刻胶层结构4的厚度是1μm。
在下一个的处理步骤(图7)中，使用具有含1∶4的CF4/O2混合气体的等离子体蚀刻以及300W的等离子体功率，对那些没有被光刻胶层结构4覆盖的特殊表面进行10分钟的蚀刻。这样，在挡板3的上侧上制作出深度为30nm的沟槽6和/或凹穴，如图7所示。基于保护性的光刻胶层结构4，沟槽6只是形成在挡板3上没有被光刻胶层结构4覆盖的那个区域内。在进一步的处理步骤(图8和9)中，通过超声波浴中的丙酮在一分钟的时间内将光刻胶层结构4从基片上彻底除去。根据本发明，在基片以特定形式被制作出来后，(在基片1上用ITO结构2进行涂覆，应用挡板3和光刻胶层结构4，其中只有在挡板3的中间条纹部分没有被光刻胶层结构4覆盖，等离子体蚀刻处理和随后的光刻胶层结构4的除去)，可以使用喷墨印刷技术对活性表面涂覆空穴传导和/或发光层。
如图9所示，根据本发明的一个实施例，沟槽部分6形成为条纹形式，优选的，位于由含有沟槽部分6的相同的挡板3所形成的相同的沟道中的象素区域，其包括了一个单色发光层。
参见图10和11，在沟槽部分6形成后，包含一个发光层的发光部分9形成于象素区域的墨水储存器7中，第二电极层10在顶部形成。如图10所示，作为一个阴极层的第二电极层10包括多个条纹。一个象素区域形成于第一电极层1和第二电极层10的交叉处。发光层以一个或多个挡板3为界。
根据本发明的另一个实施例，图12和13表示一种有源矩阵电致发光设备。图13是图12中沿F-F’的剖视图。如图所示，进一步还包括在基片1和第一电极层2之间的一个驱动层11。图13所示的是驱动层11的放大图。一个缓冲层12形成在基片1上，一个半导体有源层111和一个栅电极113形成在缓冲层12上，一个栅绝缘层112使得半导体有源层111和栅电极113电绝缘，半导体有源层111被电信号激发。一个由SiO2或者SiNx组成的中间层114形成在栅电极113上，源极和漏极115a和115b形成在中间层上。一个钝化层和/或一个平面层117形成在源极和漏极115a和115b上。第一电极层2通过形成在钝化层和/或平面层117上的通孔118电连接漏极115b。在图中，驱动层11包括一个具有顶栅结构的薄膜晶体管(TFT)，然而，这只是一个例子，本发明并不限于此。
在第一电极层2形成了带有电发光部分的象素区域和随后形成的第二电极后，挡板3’在象素区域之间形成。挡板3’在各个象素区域之间限定像素并且以网纹的形式形成。
在挡板3’形成后，用与前面实施例相同的方法，形成一个光刻胶(参见图5和6)。然后，用等离子体蚀刻(参见图7)的方法在挡板3’上形成一个沟槽部分。用含1∶4的CF4/O2的蚀刻剂以及约300W的功率，进行约10分钟的等离子体蚀刻。在事先以一个特定形状形成沟槽部分之后，使用超声波浴中的丙酮，在不到一分钟的时间内将光刻胶除去。光刻胶的蚀刻和除去只是一个例子，本发明并不限于本例子。
在沟槽部分形成以后，包括发光层的电发光部分在一个墨水储存器的象素区域中形成，并且电发光部分还包括位于第一电极层和发光层之间和/或位于发光层和第二电极层之间的电子传输层(空穴传输层和/或电子传输层)。
在图12中，沟槽部分6’拥有一个条纹图案，并且排列在邻近沟槽部分之间的象素区域包括发射相同颜色的发光层。该沟槽部分除了图12所示的条纹图案外，还可以有各种图案。比如，沟槽部分可以拥有如图14所示的网纹图案。参见图14，沟槽部分6’形成在象素区域间的挡板3’的所有区域中，并且将所有象素区域包围。参见图15，沟槽部分被限定围绕多于两个的象素区域。当在挡板3’上形成的沟槽部分6具有一个网纹图案时，在同样的网纹中的象素区域包括发出相同颜色的发光层。
同时，正如图9所示的，挡板3’的高度小于1μm，沟槽部分6’的宽度小于约0.1μm。此外，挡板3’的形成使得邻近象素区域关于挡板3’对称，沟槽部分6’可以在挡板3’的上表面的中间形成。
根据本发明的另一个实施例，一个挡板3’a和3’b可以作为一个双板来实现。即，如图16和17，第一电极层2在基片1的上面形成以后，第一挡板3’a在由第一电极层2形成的象素区之间形成，并且第二挡板3’b在第一挡板3’a的上面形成。第一和第二挡板3’a和3’b被布置成使得邻近象素区域关于挡板3’a和3’b对称。
当发光部分在作为墨水储存器的象素区内形成时，沟槽部分6’b在第二挡板3’b中形成，并且可以在第二挡板3’b的中间形成。同时，第一挡板3’a以包围象素区域的网纹图案形成，而第二挡板3’b具有如图16中所示的一个条纹图案或者具有各种图案，例如网纹图案。另外，形成于第二挡板3’b内的沟槽部分6’b可以具有条纹图案或是网纹图案。正如上述实施例所述，当沟槽部分6’b具有条纹图案时，位于邻近沟槽部分之间的象素区域可以包括发射相同颜色的发光层。而且，当沟槽部分以网纹形式形成时，在相同网纹中的象素区域包括发射相同颜色的发光层。
正如图9所示，挡板3’a和3’b的总高度约小于1μm，沟槽部分6’b的宽度约小于0.1μm。
本发明不只是应用于显示装置，还可以应用在各种技术领域。如，可以将墨水替换为一个DNA传感器或者一个彩色滤光器，而且溶剂可以包括如聚合物的淀积材料，用在有机电场发射显示装置。
根据本发明的实施例，显示装置很薄，尽管拥有充分的溢出保护。因此，就不需要制造具有不同表面能(为了达到溢出保护)的区域，从而使得成本降低。同样，对于使用根据本发明的一个实施例的显示装置的OLED结构元件，可以减少不直接用于发光目的的材料数量。
光刻胶在OLED结构元件的使用过程中会脱气，并且脱气产品可以减少OLED显示元件的寿命。但是，本发明实施例制造的低挡板高度(轮廓高度)减小了所用的光刻胶的体积。因此，减少了脱气产品的数量，从而使得OLED结构元件的使用寿命延长。此外，因为挡板的绝对高度很小，在挡板结构上的阴极淀积可以避免或者减少。这使得形成的阴极薄膜(在OLED结构元件的生产中在一个后续处理步骤中淀积)更加均匀，并因此导致了一个明显的低电阻，这在显示元件的能量平衡方面有着积极的影响。
虽然本发明参照其实施例进行了特别的图示和描述，本领域的技术人员应明白，在不脱离由下面的权利要求书所确定的本发明的精神和范围内可以对其形式和细节做出各种改变。

Claims (27)

1.一种平板显示装置，包括：
基片；
位于基片上的第一电极；
位于第一电极之上的第二电极；
多个象素区域，包括置于第一电极和第二电极之间的发光层；以及
至少在象素区之间的一部分上形成具有至少一层的挡板，每个挡板至少在其一侧上形成有沟槽。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：沟槽部分具有条纹图案。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：邻近象素区域被具有沟槽部分的挡板隔开，并且包括不同的发光层。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：沟槽部分具有网纹图案。
5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于：挡板包围一个或多个象素区域。
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：至少一个象素区域被相同的网纹沟槽部分包围，并且包括发射相同颜色的发光层。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：挡板由一种光刻胶形成。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于：在喷墨印刷基片上的光刻胶是由从线型酚醛清漆基、丙烯酸清漆、环氧清漆和聚酰胺清漆所构成的组中选择的材料构成。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：挡板的高度小于1μm。
10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：沟槽部分6的深度小于0.1μm。
11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：发光部分还包括一个位于第一电极层和发光层之间或者位于发光层和第二电极层之间的电荷载流子层。
12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：挡板的形成使得邻近象素关于每一个挡板对称。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于：沟槽部分位于挡板中间。
14.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：基片是由从玻璃、合成材料和硅所构成的组中选择的材料构成。
15.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：挡板包括：
邻近第一电极层并且确定了象素区域的第一挡板层；和
在其上形成有沟槽部分的第二挡板层。
16.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：第二挡板层由一种光刻胶形成。
17.根据权利要求16所述的装置，其特征在于：光刻胶是从在线型酚醛清漆基上的传统光刻胶、丙烯酸清漆、环氧清漆或者聚酰胺清漆所构成的组中选择的材料构成。
18.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：发光部分是一个有机电致发光部分。
19.一种用于平板显示的在象素之间的挡板上形成沟槽的方法，包括：
在基片上形成第一电极层；
在由第一电极层构成的象素区域之间形成挡板；
在挡板的一部分上形成光刻胶；
在没有形成光刻胶的区域进行等离子体蚀刻；和
除去光刻胶。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于：使用1∶4的CR4/O2混合物作为蚀刻剂进行等离子体蚀刻。
21.根据权利要求19所述的方法，其特征在于：使用丙酮除去光刻胶。
22.根据权利要求19所述的方法，其特征在于：当形成光刻胶时，光刻胶包括一个线型酚醛清漆基。
23.根据权利要求19所述的方法，其特征在于：挡板的形成包括形成一个单个步骤挡板。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于：挡板由含有线型酚醛清漆基的光刻胶构成。
25.根据权利要求19的任一项所述的方法，其特征在于：挡板的形成包括：
在第一电极层之间形成第一挡板；
在第一档板上形成第二挡板；和
在第二挡板上形成构槽部分。
26.根据权利要求19所述的方法，其特征在于：发光部分是一个有机电致发光部分。
27.一种在平板显示的象素之间形成挡板的方法，包括：
在基片上形成第一电极层；
在由第一电极层确定的象素区域之间的至少一部分上形成第一挡板；
在第一档板上形成第二挡板；
在象素区域上和第二挡板的一部分上形成光刻胶；
在光刻胶没有覆盖的第二挡板上的区域里形成沟槽部分；
除去光刻胶；
在象素区域上形成发光部分；和
在象素区域的至少一部分上形成第二电极层。
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