CN107771358A - 具有含氟聚合物台架结构的有机电子器件 - Google Patents

具有含氟聚合物台架结构的有机电子器件 Download PDF

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Abstract

一种电子器件及用于其制备的方法，其包含在基板上第一和第二导电层之间的有源区域；该有源区域处于井中，该井的底部是基板上图案化的第一导电层，该井的侧部是包含非辐射活性含氟聚合物的台架结构，该台架结构与第一导电层的边缘重叠并且与基板接触。该井含有有源材料，该有源材料优选是通过喷墨等溶液方法引入的。第二导电层位于该井的顶部上。

Description

具有含氟聚合物台架结构的有机电子器件
技术领域
根据本发明的实施方案概括而言涉及非辐射活性含氟聚合物在有机电子器件中作为结构限定材料的用途，并且更具体而言涉及此种器件的分隔器、绝缘结构或台架结构(bank structure)以及涉及包含此种结构的有机电子器件、涉及用于制备此种结构的方法和涉及包括此种结构的有机电子器件。
背景技术
通过在特定区域上沉积处于溶液中的薄膜元件(有源材料或无源材料)来成本性且可制造性地制备有机电子器件(诸如有机场效应晶体管(OFET)或有机发光二极管(OLED)等有机电子(OE)器件)是可取的。通常使用的技术(如使用高温真空沉积的阴影掩模)昂贵、浪费材料并且需要复杂的机械。一个潜在的解决方案是提供一种基板，其包括图案化的台架层，该台架层限定了可以以溶液或液体形式沉积活性组分的井。井含有正干燥和固化的溶液，使得活性组分保留在由井限定的基板的区域中。可以使用喷墨以及其他技术将溶液引入井中。
台架结构及其形成方法已知被用于在基板上限定此种受限位置(井)。例如，US2007/0023837 A1、WO 2008/117395 A1、EP 1933393 A1、GB 2,458,454 A、GB 2,462,845A、US 2003/017360 A1、US 2007/190673 A1、WO 2007/023272 A1和WO 2009/077738 A1单独地且共同地是这些已知结构和方法的代表性公开。
即使提供了限定井的台架材料的图案化层，在将溶液容纳在井区域中并且使用溶液处理技术以在井区域中提供良好膜形成方面仍然存在问题。由于溶液在限定井的台架层上的接触角通常很低，所以可能会发生限定井的台架层的不可控润湿。在最坏的情况下，溶液可能会从井中溢出。
解决润湿问题的方法之一是使用氟基等离子体诸如CxFy或(CF2)x处理限定井的台架的表面，以便在沉积溶液之前降低其润湿性。例如，Hirai et al.,US 2007/0020899公开了使用可光致图案化的台架层来创建用于随后通过喷墨方法填充活性材料的井。图案化的台架通过使用氟基等离子体的后处理来含有氟，以便改变台架的表面性质以降低其润湿性。然而，等离子体处理可能污染暴露的器件表面(例如导电层)，这会降低器件的效率和寿命。
US 8217573和EP 2391187 B1描述了一种布置，其中在制造电致发光(EL)器件时将非辐射含氟聚合物LumiflonTM(可从Asahi Glass商购)用来形成图案化的限定井的台架层。低润湿性含氟聚合物材料有助于防止溶液在沉积时从井中溢出。然而，由于井的侧面也是低润湿的，所以溶液在井的底部趋于变薄，导致不均匀的膜形成。
可辐射固化或活性含氟光致抗蚀剂是已知的。例如，Gunner et al.,WO 03/083960描述了通过形成由氟聚合物光致抗蚀剂制备的台架结构而形成电子器件。在该参考文献中，通过在相对于基板上的导电层(ITO)的图案化列的正交方向上，由多列可光图案化含氟聚合物台架形成井，并且通过喷墨在井中填充发光所需的有机层，随后是图案化的第二导电电极，从而制备无源矩阵OLED。Yoshida et al.,US 7781963和US 8217573描述了通过在多行电极上使用由可光图案化含氟聚合物树脂制备的多行台架结构而形成井，并且使用喷墨方法填充井从而形成OLED。尽管含氟聚合物树脂的台架和阳极优选成直角，但是它们也可以被制备成与基板上的多列图案化电极平行的列。但是，该方法需要对台架的边缘进行非常精确的对准，使得它们精确地对应于图案化的导电电极的边缘。这在制造过程中难以执行，并且导致增加的浪费并且成本更高。Choi et al.,US 2014/0147950描述了OLED，其中像素对应于由台架形成的井，井中通过喷墨方法填充有发光所需的有机层。台架结构由可光图案化含氟聚合物制成并且可以位于底部电极上。由于台架壁的润湿作用，有机EL材料不形成均匀厚度的层，Choi提出了在较窄的光致抗蚀剂含氟聚合物台架下使用更宽的绝缘第一台架的解决方案。这种绝缘的第一台架防止发射层在台架的壁附近发射光。然而，该方法减小了像素的孔径尺寸。Nakatani et al.,EP 2391187也描述了通过在多行电极上使用由可光图案化含氟聚合物树脂制备的多行台架结构形成井，随后使用喷墨方法填充井来形成OLED。目前不存在能够形成负型台架特征的氟化光致抗蚀剂。
Moon et al.,IEEE Electron Device Lett.,32(8),1137(2011)描述了通过在基板上图案化光致抗蚀剂并随后以一层含氟聚合物(CYTOPTM)旋涂图案化基板的方法制备的OTFT。烘烤后，通过使用有机溶剂的剥离方法除去外涂光致抗蚀剂，在先前存在光致抗蚀剂图案的氟聚合物层中形成井。在井中沉积Ag和PEDOT:PSS的导电溶液以在除去溶剂之后在井的底部创建导电电极。随后沉积的并五苯和第二电极完成了OTFT。然而，在这种方法中，底部电极完全位于井中，因此其宽度受到井壁之间距离的限制。由于电阻增加对于长距离的窄电极可能是一个严重的问题，所以Moon的装置不能太小。
US 7833612 B2描述了双层台架概念，借此第一台架层是光致抗蚀剂且第二台架层是热蒸发的氟化材料。US 2007/0020899描述了一种方法，其中提供了两层台架结构，限定了用于电子基板的布线图案。该双层台架结构包括具有良好润湿性的第一层和沉积在第一台架顶部包含低润湿性含氟聚合物的第二层。这些方法需要精确的掩模定位，以便在沉积第二台架之前将第一台架与掩模对准。
Ulmer et al.,US 8765224描述了通过使用喷墨法沉积含氟聚合物溶液并用热固化来形成含氟聚合物台架结构。然而，这种方法不能给台架提供锐利的边缘。
McConnell,GB 2462845和Seok et al.,EP 1905800均公开了通过沉积氟碳聚合物和光致抗蚀剂聚合物的混合物，以图案方式曝光混合物并且除去未曝光的材料，形成含有含氟聚合物的台架结构。然而，该方法需要两种不同的聚合物进行相分离，这可能难以在整个装置上均匀地控制。
因此，需要提供用于在形成台架结构中使用的氟化非辐射活性结构限定材料，其与喷墨印刷和光刻印刷相容，所述喷墨印刷和光刻印刷提供期望的含溶液性质。此外，希望提供形成这种台架结构的高分辨率方法，其使用既兼容喷墨印刷又兼容光刻印刷且不需要使用诸如卤化碳反应性离子蚀刻的方法。更进一步地，希望提供使用这种期望的结构限定材料和结构形成方法制造的OE器件。最后，需要提供具有电连接的小的有源区域，以允许传送足够的功率而没有由于电阻造成的过度损失。
发明内容
根据本发明的实施方案包括一种电子器件，其包含由以下限定的井区域：
-共同基板，其上覆盖有导电第一层，该导电第一层被图案化为分离的区段，每个区段具有上表面、至少3个边缘以及每个边缘之间的距离；
-至少三个台架结构，每个均以最小距离分开，每个都与基板和至少一个第一导电层区段直接接触，每个台架结构的最大厚度大于第一导电层区段的厚度，并且在一起形成井的侧部；
-所述至少一个第一导电层区段的所有边缘部分地被台架结构重叠，使得所述第一导电层区段的边缘之间的距离全部大于所有台架结构之间的最小距离，使得导电层区段的暴露的上表面形成井的底部；
-至少一个有源层位于暴露的第一导电层区段上的井中并且在台架结构之间；
-第二导电层位于有源层之上；和
-台架结构包含非辐射活性含氟聚合物。
根据本发明所述的一些实施方案包括一种使用负型光致抗蚀剂工艺制备电子器件的方法，该电子器件具有与导电层区段重叠的非辐射活性含氟聚合物台架结构。该方法依次包括以下步骤：
a)在基板上图案化第一导电层，该第一导电层的每个区段具有上表面、至少三个边缘和每个边缘之间的距离；
b)在基板和图案化的第一导电层区段上沉积光致抗蚀剂；
c)将小于区段边缘之间的距离的每个第一导电层区段上方的光致抗蚀剂区域暴露于辐射中，由此沿区段所有边缘的上表面具有未曝光的光致抗蚀剂区域；
d)除去未曝光的光致抗蚀剂，以露出基板以及每个第一导电层区段沿所有边缘的上表面，并且在第一导电层上留下不溶性的曝光光致抗蚀剂的区段，其宽度小于导电层区段边缘之间的每个距离；
e)在基板、第一导电层沿每个边缘的上表面以及在第一导电层区段上的残留不溶性曝光光致抗蚀剂上沉积非辐射活性含氟聚合物层；
f)除去残留不溶性曝光的光致抗蚀剂及其上覆盖的含氟聚合物层并且露出第一导电区段的上表面区域，使得形成至少三个含氟聚合物台架结构，它们各自沿着第一导电层区段的每个边缘部分地重叠所述上表面并且与基板接触；
g)在含氟聚合物台架结构之间，在第一导电层区段的上表面上与之直接接触而沉积至少一个有源层；和
h)沉积第二导电层。
根据本发明的一些实施方案包括使用正型光致抗蚀剂工艺制备电子器件的方法，该电子器件具有与导电层区段重叠的非辐射活性含氟聚合物台架结构。这种方法依次包含步骤：
a)在基板上图案化第一导电层，该第一导电层的每个区段具有上表面、至少3个边缘和每个边缘之间的距离；
b)在基板和图案化的第一导电层区段上沉积光致抗蚀剂；
c)将每个第一导电层区段上方只沿着区段所有边缘的上表面放置的光致抗蚀剂区域以及支撑体的至少一部分上方的光致抗蚀剂区域暴露于辐射中，并且在曝光区段之间的第一导电层上方留下未曝光的光致抗蚀剂区域；未曝光区段之间的宽度小于第一导电层区段边缘之间的距离；
d)除去曝光的光致抗蚀剂以露出基板的至少一部分以及每个第一导电层区段沿每个边缘的上表面的部分，并且留下不溶性未曝光的光致抗蚀剂的区段，其宽度小于导电层区段边缘之间的每个距离；
e)在基板、第一导电层沿全部边缘的上表面以及在第一导电层区段上的残留不溶性未曝光的光致抗蚀剂上沉积非辐射活性含氟聚合物层；
f)除去残留不溶性未曝光的光致抗蚀剂及其上覆盖的含氟聚合物层并且露出第一导电区段的上表面区域，使得形成至少三个含氟聚合物台架结构，它们各自沿着第一导电层区段的每个边缘部分地重叠所述上表面；
g)在含氟聚合物台架结构之间，在第一导电层区段的上表面上与之直接接触而沉积至少一个有源层；和
h)沉积第二导电层。
具有限定井的含氟聚合物台架结构的高品质的电子器件中，导电层可以大于电子器件的有源区域的尺寸，从而将由于电阻导致的功率损失最小化。碳氟化合物台架结构的低润湿特性可以使有源区域均匀地形成，同时最小化在台架结构上溢出的风险并改善成膜的均匀性。此外，可以使用所描述的方法以低成本和高输出容易地制造具有这些特征的器件。
附图说明
以下参照下列附图描述了本发明的实施方案。由于各个组件的尺寸非常小，所以附图不是按比例绘制的。
图1a是根据本发明所述的具有两个相邻有源区域的电子器件的一个实施方案的侧视图的示意图，并且图1b是同一器件的平面图。
图2是电子器件的一部分的示意图(侧视图)，示出了第一连接层与其控制元件之间的电连接的一个实施方案。
图3是台架结构与两个相邻导电区段重叠的实施方案的示意图(侧视图)。
图4a是将第一导电层图案化为条纹的实施方案的示意图(平面图)并且图4b示出了有源区域细分在各个条纹内的类似实施方案。
图5a-5h是有源区域的不同形状的示意图(平面图)。
图6是作为有源区域的细分矩形的示意图(平面图)。
图7a-7h示出了制造根据图3所述的电子器件的负型工作光致抗蚀剂工艺的步骤(侧视图)。
图8a-8h示出了制造根据图3所述的电子器件的正型工作光致抗蚀剂工艺的步骤(侧视图)。
图9(平面图)示出了玻璃/ITO/本发明的含氟聚合物台架结构，其中使用喷墨工艺用OLED绿色发光材料填充由含氟聚合物台架形成的井。
具体实施方式
图1a和1b示出了根据本发明所述的有机电子器件1的一部分的示意图。基板2上覆盖有第一导电层的图案化区段3。每个区段3的边缘被也与基板2接触的含氟聚合物台架4重叠。因此，每个台架结构的最大厚度大于第一导电层区段的厚度。在由含氟聚合物台架4作为侧部和第一导电电极3的上表面作为底部形成的井中，是含有功能材料的有源区域5。在有源区域上方是第二导电层6。图1a中还示出了有源区域的宽度、台架的宽度、相邻含氟聚合物台架之间的重叠和间隙。
上述有机电子器件1例如是顶栅或底栅有机场效应晶体管(OFET)，包括有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光二极管(OLED)或有机光伏(OPV)器件。本发明的实施方案还包括包含上述和下述的有机电子器件的产品或装配。这种产品或装配是一个集成电路(IC)、射频识别(RFID)标签、包含RFID标签的安全标记或安全装置、平板显示器(FPD)、FPD的背板、FPD的背光、电润湿装置、电子照相设备、电泳设备、电子照相记录设备、有机存储装置、传感器、生物传感器或生物芯片。本发明进一步涉及制备有机电子器件(如顶栅OFET或底栅OFET)的方法，所述有机电子器件包含一个或多个下文所述的台架结构。如本文所使用的，术语有机场效应晶体管(OFET)将被理解为包括这种器件的子类，称为有机薄膜晶体管(OTFT)。
本发明的OE器件基于在两个(3和6)相反电荷的导电层(电极)之间定位的有源或功能层5。如本文所使用的，“有源”或“功能”(这些术语可以互换使用)层由无论何时在两个导电层之间施加电流或电荷时产生期望效果的材料组成。例如，在OTFT中，在导电层之间施加的电荷导致有源层5改变其导电性质，从而用作电气开关。对于OLED，在导电层之间施加电流将导致发光。应该理解，“有源层”可以包括提供所需效果所必需的任何数量的层。OE器件的“有源区域”5是由导电层激励并产生所需效果的那些区域。例如，OLED的“有源区域”将对应于发光像素的区域。
其中的适当有源层和材料可以从标准材料中选择，并且可以通过标准方法制造并应用于电子器件中。例如，具有有源层5的有机薄膜晶体管(OTFT)是有机半导体或电荷携载材料；电润湿(EW)器件具有含有着色液体的有源层5；有机光伏器件(OPV)具有含有光敏材料的有源层5；电致发光(EL)器件具有含有发光的材料的有源层5；且电泳(EP)器件具有含有分散在液体中的带电颜料颗粒的有源层5。这些装置、其组件和层的合适材料和制造方法是本领域技术人员已知的并且在文献中有描述。
有源层的形成是通过将合适的材料以液体形式或作为在溶剂中的溶液引入由含氟聚合物台架结构限定的井中来完成的。用于涂覆活性层的材料的方法不是关键的，并且可以使用诸如喷墨、分配器、喷嘴涂覆、凹版印刷、凸版印刷等技术来执行。喷墨方法是优选的。当使用分配器来施用含有活性材料的液体时，优选地在施用开始和结束时通过回抽操作等来控制来自分配器的液体排出。当材料为无溶剂液态时，可经适当处理固化成有源层。当材料处于溶液中时，通过干燥去除溶剂形成有源层。用于这些方法的设备、条件和技术是本领域技术人员已知的并且在文献中有描述。
另外，应理解的是，术语“介电”和“绝缘”在本文中可互换使用。因此，提到绝缘材料或层包括介电材料或层，反之亦然。此外，如本文中所使用的，术语“有机电子器件”将被理解为包括术语“有机半导体器件”以及此类器件的多个特定实施方式，例如以上定义的OFET。
如本文所用，术语“正交”和“正交性”将被理解为意指化学正交性。例如，正交溶剂是指当用于在先前沉积的层上沉积溶解于其中的材料层时不溶解所述先前沉积的层的溶剂。
如本文所使用的，术语“绝缘结构”和“台架结构”将被理解为表示图案化的结构，例如图案化的层，其设置在其下方的基板上并且在所述基板上限定特定的结构，例如井，该特定结构中可以被功能材料如半导体或电介质填充。图案化的结构包括经选择的结构限定材料，使得在所述图案化的结构和其所搁置的基板之间产生表面能对比。通常基板具有较高的表面能，而图案结构具有较低的表面能。通过使用液体溶液移动并粘附到具有较高表面能区域的倾向，使用绝缘结构或台架结构来更容易地限定例如电子器件中的半导体的溶液加工薄膜的有源区域，即导电层。通过将液体限制在给定的区域，可以根据需要在特定的器件应用中形成薄膜。这提供了一定的好处，例如在OFET中，有机半导体的受限区域改善了断态电流。在OLED中，受限区域将根据台架结构的数量和方向来定义像素或线。应当理解的是，术语“台架结构”和“绝缘结构”在本文中可互换使用。因此，提到台架结构包括绝缘结构。
如本文所使用的，术语“基板”将被理解为表示基底，在其上定位有第一导电层、限定井的台架结构、处于井中的功能材料以及第二导电层。基板通常由固体支撑体组成，其可以是刚性的(例如玻璃或厚金属)或柔性的(例如塑料或薄金属)。支撑体可以具有多个底层，它们可以在整个表面上是均匀的或者被图案化。均匀底层的实例包括绝缘层、分离层、吸光不透明层、反射层、散射层、防光晕层、平坦化层、粘合层等。图案化底层的实例包括遮光层、绝缘层、金属化层、粘合层等。对于许多类型的OE器件，在支撑体上在器件的有源区域之下或附近具有控制元件。这些控制元件(例如，TFT电路)通常从位于器件内其他位置的电路接收信号和功率，并随后将信号和功率提供并发送给有源区域。这些连接通过位于基板中的导电金属总线或线来实现。
如本文定义的，第一导电层3是与基板接触的导电层。其是图案化的；即其在基板的表面上不是均匀的，而是根据规则图案分解成单独的区段。第一导电层的区段将位于器件的有源区域之下(并且大于有源区域)。术语“第一导电层”和“底部电极”可以互换使用。在实践中，每个区段连接到控制元件，该控制元件通过电气总线或布线层提供信号和电荷(这些在图1a或1b中未示出)。它可以提供负电荷(例如，如在阴极中)或正电荷(例如在阳极中)。如本文所定义的，第二导电层6(其也可以被称为“顶部电极”)将覆盖有源层和第一导电层区段的区段。它可以与第一导电层区域对齐地图案化或在第一导电层的所有区域上均匀地延伸。它将带有与第一导电层相反的电荷。可以使用已知的光刻技术将第一导电层连同任何相关的布线或电导体在基板上图案化为区段。第二导电层通常通过溅射或其他蒸镀技术施加，因为下面的有源层通常不与光刻法兼容。当需要时，第二导电层的图案化通常需要使用阴影掩模。
对于OLED，导电层之一应该是透明的或者几乎是透明的(例如，由透明的金属氧化物或非常薄的金属层构成)，而另一个是反射性的(例如厚的金属层)。对于底发射OLED，第一导电层应该是透明的，第二导电层应该是反射性的。对于顶发射OLED，第一导电层应该是反射性的，第二导电层应该是透明的。
合适的电极材料和沉积方法是本领域技术人员已知的。这种电极材料包括但不限于无机或有机材料或这两者的复合材料。示例性的电极材料包括聚苯胺、聚吡咯、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)或掺杂共轭聚合物、石墨或金属颗粒(如Au、Ag、Cu、Al、Ni或其混合物)的其它分散体或膏体以及溅射涂布或蒸镀金属(诸如Cu、Cr、Pt/Pd、Ag、Au、Mg、Ca、Li或混合物)或金属氧化物如铟锡氧化物(ITO)、F-掺杂的ITO、GZO(镓掺杂的氧化锌)、或AZO(铝掺杂的氧化锌)。有机金属前体也可以使用并从液相沉积。
如本文所用，术语“聚合物”将被理解为是指包含一种或多种不同类型的重复单元(分子的最小构成单元)的骨架的分子，并且包括通常已知的术语“低聚物”、“共聚物”、“均聚物”等。此外，应该理解的是，术语聚合物除了聚合物本身之外还包括来自引发剂、催化剂和伴随此种聚合物合成的其它元素的残余物，其中这种残余物被理解为未共价结合到聚合物上。此外，通常在聚合后纯化过程中正常被除去的这些残余物和其它元素，典型地与聚合物混合或共混，使得它们在聚合物在容器之间或在溶剂或分散介质之间转移时与聚合物一起被保留。
如本文所用，术语“聚合物组合物”意指至少一种聚合物和加入到该至少一种聚合物中的一种或多种其他材料，以提供或改变聚合物组合物和/或所述至少一种聚合物的特定性能。应该理解的是，聚合物组合物是用于将聚合物携带到基板的载体，以在基板上形成层或结构。示例性的材料包括但不限于表面活性剂、染料、溶剂、抗氧化剂、光引发剂、光敏剂、交联部分或试剂、反应性稀释剂、酸清除剂、流平剂和粘合促进剂。此外，应该理解人是，除了上述示例性材料之外，聚合物组合物还可以包括两种或更多种聚合物的共混物。
如本文所定义的，术语“光致抗蚀剂”、“光致抗蚀剂树脂”，“光致抗蚀剂聚合物”、“可光图案化”和“光致抗蚀剂工艺”可互换使用并且是指光刻技术中众所周知的材料和工艺。除非特别定义，否则材料和工艺可以如本领域公知的那样正型或负型工作。其也可以是水基的(例如，聚(丙烯酰胺基乙醇酸甲酯甲基醚)或聚(MAGME))。在本发明的背景下，用以形成第一导电层区段和限定井结构的光刻用材料和工艺的性质通常不是关键的。设计、选择和测试合适的材料和工艺以提供期望的结构完全在本领域技术人员的能力范围内。
典型的光刻工艺包含步骤：清洗并准备基材，干燥基材，旋涂光致抗蚀剂树脂和任何添加剂，软烘焙(典型条件范围为从65℃120秒到95℃300秒)，冷却，辐射曝光(典型条件范围为165至200mJ/cm3)，曝光后烘焙(可选的；这个步骤使用时，典型条件范围在50至120℃下2至120分钟)，冷却至室温，松弛时间，显影，显影，漂洗和干旋，以及在50至150℃下硬烘焙5至120分钟。
如本文所定义的，术语“含氟聚合物”、“碳氟化合物聚合物”或“碳氟化合物”(当单独使用而不与诸如“碳氟化合物表面活性剂”或“碳氟化合物溶剂”等任何进一步描述结合使用时)可互换使用并且通常指含有氟原子和碳原子的任何聚合物。
重要的是，用来形成台架结构4的含氟聚合物是非辐射活性的。在本发明的意义上，“非辐射活性”是指该材料不会随着暴露于诸如X射线、UV、白光或IR光之类的辐射中而改变其溶解性。换句话说，其不是光致抗蚀剂树脂，不能用于任何种类的光致抗蚀剂工艺中以形成图案结构，也不能随差别暴露于任何类型的辐射中而形成任何种类的图案化结构。含有这种含氟聚合物不含有任何光反应性基团，这些光反应性基团应理解为是指在沉积过程中对光化辐射具有反应性的基团。而且，含氟聚合物沉积过程的初始步骤将不涉及通过有意的辐射而活化任何物质。
还重要的是，含氟聚合物与光致抗蚀剂树脂正交并且与光致抗蚀剂显影过程中使用的溶剂正交。当沉积在光致抗蚀剂树脂上时，其应该不与树脂混合，并且应该在树脂上保持为固体、分离和独特的层。其应当不以任何明显程序溶解于在工艺中使用的任何光致抗蚀剂加工溶液或溶剂中，并因此在处理后应保持原状。但应当注意的是，定位在剥离过程中(这与光刻步骤期间除去未曝光的(阴型工艺)或曝光的(正型工艺)光致抗蚀剂的工艺不同)溶解的光树脂上的任何含氟聚合物，当下方的光致抗蚀剂树脂被溶去时，也将从器件上除去。这此种加工条件下，位于诸如基板或导电层等任何不溶性表面上的含氟聚合物应基本上保持完整并且不受使用的处理溶液或溶剂的影响。换言之，在剥离过程中通过溶解下方的可溶性光致抗蚀剂以除去非台架区域内的含氟聚合物，并留下因下方不具有可溶性光致抗蚀剂而基本不受影响的台架结构，从而形成含氟聚合物台架结构。
可以通过溶液工艺来沉积含氟聚合物，其中所述含氟聚合物溶解或悬浮于溶剂中，该溶剂与用于创建存在于基板表面上的第一导电层区段或其它元件的光致抗蚀剂材料正交。溶液可以是含水的或使用有机溶剂，特别是含氟的有机溶剂。溶液还可以含有有助于涂布工艺的附加材料(例如表面活性剂)或有助于处理后台架性质的附加材料(例如附加的聚合材料)。与大多数光致抗蚀剂工艺正交的特别有用的非水溶剂的例子是乙酸1-甲氧基-2-丙酯(PGMEA)、乳酸乙酯、甲乙酮和乙酸乙酯。与大多数光致抗蚀剂工艺正交的氟化非水溶剂的例子包括Cytop-809MTM(可从Asahi Glass商购)、FC40TM、FC43TM、FC75TM(均可从Dupont商购)或HFE7000TM(可从3M商购)。在一些情况下，可能不需要额外的溶剂。合适的溶液工艺的实例包括喷涂、浸涂、卷筒涂布或旋涂、凹版印刷、丝网印刷、喷涂、喷墨、压花、分配或雕版印刷。碳氟化合物聚合物也可以通过热蒸发技术如等离子体生成、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积方法来施用。在任何情况下，含氟聚合物均匀地沉积在器件的整个有用表面上，并且不直接进行光图案化。
用于形成台架结构的含氟聚合物的适合例子包括但不限于：
氟化聚(对二甲苯)聚合物，包括氟化对二甲苯线性聚合物，诸如聚对二甲苯F、聚对二甲苯VT-4、聚对二甲苯AF-4[聚(α,α,α',α'-四氟对二甲苯)]或聚对二甲苯HTTM(由SCS,Specialty Coating Systems商业化)，聚对二甲苯F对应于下式的氟化聚合物：
无定形氟聚合物，如环状全氟化型聚合物，例如来自Asahi Glass Co.的其是一种带有全氟呋喃基团的全氟化聚合物，是通过全氟(烯基乙烯基醚)的环化聚合获得；
氟化聚酰亚胺；
Hyflon系列(可从Solvay获得)；
聚四氟乙烯(PTFE)或氟乙烯丙烯聚合物；
聚偏氟乙烯(PVDF)或系列(可从Arkema商购)；
氟乙烯乙烯醚(FEVE)树脂；
氟化聚萘；
氟化硅氧烷，如US 8883397或US 2014/0335452中描述的那些；
氟化非晶碳薄膜(a-C:F)；
聚-4,5-二氟二氧杂环戊烯，诸如由Dupont以名称AF系列市售的那些，诸如AF1601和AF 1600；
氟化氨基甲酸乙酯乙二醇基聚合物，诸如Cytonix FluorN562；
氟化聚环烯烃；
氟化聚降冰片烯；
由氟化和非氟化部分组成的共聚物，只要它们可溶于正交溶剂中即可；
聚-1,1,2,4,4,5,5,6,7,7-十氟-3-氧杂-1,6-庚二烯；和
通过等离子体处理由碳氟化合物产生的(CxFy)和(CF2)x。
其它适合的含氟聚合物可能描述于"Modern Fluoroplastics",John Scheris,John Wiley&Sons Ltd.编,1997,Chapter:"Perfluoropolymers Obtained byCyclopolymerisation"，N.Sugiyama,第541ff页；"Modern Fluoroplastics",JohnScheris,John Wiley&Sons Ltd.,1997编,Chapter:"Teflon AF amorphousfluoropolymers",P.R.Resnick,第397ff页；和“High Performance PerfluoropolymerFilms and Membranes”V.Arcella et al.,Ann.N.Y.Acad.Sci.984,第226-244页(2003)中。
含氟聚合物被用作台架结构材料或用作其组分。其可以是唯一的组分，或可以与其他含氟聚合物、非聚合物材料(含或不含氟)或其他种类的非氟化聚合物材料混合。此种材料包括但不限于表面活性剂、染料、溶剂、抗氧化剂、交联部分或试剂、稳定剂、清除剂、流平剂和特别地粘合促进剂。这样，台架的物理特性就可以设计成达到预期效果。例如，可以沿着台架的侧部均匀地或者根据从第一导电层区段的表面到台架的顶部的距离来控制润湿性能。染料可用于着色含氟聚合物台架，以防止光管或反射。也可以在形成之后对含氟聚合物台架结构的表面进行后处理以改变其性质。
在根据本发明的一些实施方案中，在70℃至130℃的温度下对台架结构进行曝光后烘烤，例如1至10分钟。
在根据本发明所述的其它实施方案中，含氟聚合物台架结构可以额外地含有可交联的材料，它们可以被交联(在台架形成之后)以改善台架的结构完整性、耐久性、耐机械性和耐溶剂性中的一种或多种性质。为了改变含有含氟聚合物的台架结构的性质，将含有含氟聚合物和交联性材料的混合组合物(仅在沉积和随后除去第一导电层上的混合含所聚合物组合物之后)暴露于电子束或电磁(光化)辐射(诸如X射线、UV或可光光辐射)中，或者如果交联性材料含有热交联性基团时加热该混合组合物。值得注意的是，这一步骤仅在形成含氟聚合物台架结构之后进行，并且不涉及台架的形成或图案化。这种暴露于光化辐射和/或热的目的是引起台架结构内的交联性材料的交联，并由此改变先前形成的台架的物理性质。如先前所述的，含氟聚合物是非辐射活性的并且不含任何光反应性基团。合适的辐射源包括汞灯、汞/氙灯、汞/卤素灯和氙灯，氩激光源或氙激光源、X射线并且在器件上是均匀的或特定于台架结构的位置。
含氟聚合物台架与第一导电层、基板或两者之间可以有层。如果存在，这些层应当被视为第一导电层或基板的一部分。它们可以或可以不延伸超越含氟聚合物台架结构的边界。它们可以提供绝缘功能(例如，一层SiO2)或者改变台架结构底部的润湿性。
与OE器件相关的问题之一是与图案化的第一导电层(底部电极)的电连接相关的功率损耗。如果图案实际上是从器件的有用区域的一端延伸到另一端的一维条纹或线(例如，在无源矩阵OLED中)，那么由于电阻原因，电压将从控制元件(在器件的一个边缘上)沿着条纹下降。这会导致不平均和不均匀的效果，并限制了器件的整体尺寸。使条纹图案中这种损失最小化的一种方法是使用更宽的导电材料条纹(通常不希望使用较厚的导电材料层，因为这种途径使得整个器件更厚)。但是，这导致了更大的有源区域和显示分辨率的损失。
对于二维图案(例如，有源矩阵OLED的典型像素矩阵)，第一导电层被划分为对应于有源区域的区段。因为每个区段需要具有至少一个控制元件(通常更多)，因此有必要将控制元件定位在要控制的区段附近。因此，控制元件可以位于邻近有源区域(沿着基板横向移位)或在有源区域下方(垂直移位到基板中)。然而，如果控制元件与有源区域相邻，则有源区域的空间量被限制并且显示分辨率将降低。如果控制元件位于有源区域下方，则必须有足够尺寸的从控制元件到底部电极的垂直连接以承载必要的功率。然而，由于连接面积需要很大(为了确保在制造过程中适当的垂直对准和连接)，这种连接不应该直接在有源区域内，但是具有大的连接面积扰乱了底部电极的均匀性，导致有源区域之间的性能差异。为了避免在这种情况下出现这些问题，最好使连接远离有源区域，这需要具有尺寸比有源区域大的底部电极。图2中示出了这一实施方案，其中控制元件7位于基板2中并是作为基板2的一部分。具有垂直电连接8，其在重叠的碳氟化合物台架4的下方区域和有源区域5的外侧连接到第一导电层区段2。
本发明的OE器件具有比有源区大的第一导电层区段。在此种OE器件中，通过使部分重叠第一导电层的含氟聚合物台架沿着第一导电层区段的所有侧部限定有源区域。这创造了一个井，其中该井的整个底部是第一导电层的上表面并且井的侧部是含氟聚合物台架。台架之间底表面为第一导电层的上表面的井区域含有有源层，该有源层被碳氟化合物台架所容纳。在有源层上方具有第二导电层。因为第一导电层区段大于有源区域，所以在一些实施方案中其可以被制得比有源区域更宽(以降低电阻)或在其它实施方案中，允许在有源区域的外侧位置将第一导电层区段连接到控制元件。
重要的是，碳氟化合物台架与第一导电层区段的所有边缘部分地重叠，以便当向井中导入有源材料的溶液时，该溶液在底部通过导电层的上表面且在侧部通过含氟聚合物台架结构而完全容纳在井内。如图1a所示，含氟聚合物台架还将一个有源区域与相邻有源区域分隔开。在这一实施方案中，含氟聚合物台架结构不会一直延伸到邻近的区段，相邻区段沿着其边缘具有自身的含氟聚合物台架结构。在这一实施方案中，如图1a所示，基板上两个邻近的含氟聚合物台架结构之间具有间隙或空间。两个台架之间的这种间隙可以被填充(例如，使用绝缘平坦化材料或导电金属总线)。
在另一实施方案中，含氟聚合物台架结构会完全占据相邻或邻近第一导电层区段之间的空间。在这一实施方案中，单一的含氟聚合物台架结构将与两个不同的导电层区段的一个边缘重叠。这示出了于图3中，其中单一的含氟聚合物台架4’接触两个相邻的第一导电层区段3和3’以及所述区段之间的基板。
相对于含氟聚合物台架结构的宽度(从与第一导电层区段重叠的台架边缘测量到与基板或另一导电层区段相遇的相对边缘，如图1a和3所示)，有源区域相对最小的宽度是设备类型和设计的问题，因为这些因素影响分辨率。这是因为台架结构越宽，有源区域之间的距离越远。例如，对于有源区域的形状为矩形的OLED，下表显示了一个显示尺寸的这些元件之间的一个代表性关系：
对于OLED实施方案，两个相对台架宽度的总和应当小于有源区域的宽度，以便使得有源区域之间的距离最小化。优选的是，在有源区域最小宽度的同一方向上，有源区域的最小宽度为两个相对台架宽度的至少1.5倍，且更优选2倍。例如，如果每个台架的台架宽度为10μm，总宽度为20μm，那么有源区域的最小宽度应当为至少30μm，或更优选至少40μm。应当理解的是，本领域技术人员能够基于器件的目的和设计来适合地确定有源区域和台架的尺寸。
重要的是，碳氟化合物台架与第一导电层区段的边缘重叠并且在所述边缘上延伸，以便其与基板接触(或在一些实施方案中，与另一导电区段接触)并且覆盖第一导电层区段的垂直边缘。这有助于在生产过程中防止由碎片引起的区段之间的意外短路。对于大多数器件，所述重叠(即从第一导电层区段的边缘到该第一导电层区段上表面上的含氟聚合物台架结构的边缘的距离，如图1a所示)应该是最小约100nm，并且优选至少250nm，最优选至少500nm。或者，由于有源区域的宽度取决于设备的类型及其设计，当宽度较小(小于8μm)，碳氟化合物台架的重叠程序应当小于第一导电层区段的最小宽度的1/8，或更优选1/6，但不小于100nm。
通常，在根据本发明一些优选的电子器件实施方案中，有源层(例如OTFT中的栅极电介质或半导体层)的厚度为0.001μm(在单层的情况下)至10μm。在其它实施方案中，此种厚度为0.001至1μm，并且还在其它实施方案中，为5nm至500nm，但是还设想了其它厚度或厚度范围，因此其它厚度或厚度范围也落入本发明的范围。由于含氟聚合物台架结构限定了其中将容纳有源层的井，那么含氟聚合物台架在第一导电层上的高度应当至少足以防止所施用的有源层的溢出。应当理解的是，在以流体或溶液形式施加有源材料的情况下，所述溶液由于非润湿特性而使得其最大高度可以大于含氟聚合物台架结构的高度。
在除去溶剂之后，导电层上的含氟聚合物台架结构(重叠的台架或任何细分台架)的高度应该是相同的或大于有源层的厚度。在含氟聚合物台架结构的高度显著大于有源层的厚度的情况下，第二导电层可以位于有源层的顶部以及含氟聚合物台架内(这示出于图1a中)。或者，如有必要，可以向有源区域添加材料以将其厚度增加到与台架厚度相同。如果含氟聚合物台架结构的高度仅稍大于或相同于有源层的厚度，那么如果需要，可以将第二导电层均匀地沉积在所有有源区域和台架顶部上(这示出于图3中)。应当理解的是，第二导电层是否局限于有源区域还是与全部有源区域一样不依赖于图1a和图3中所示的特定实施方案。
由于有源区域具有有限的尺寸，这意味着将会有至少3个台架结构，任何两个台架(或如果台架是非线性的，台架的相对区段)之间必须具有一些最小的距离。由于有源区域不限于任何特定的形状，所以台架不一定必须是线性的或彼此平行的。
最简单的情况是第一导电层区段的图案是从器件的一端延伸到另一端的多条平行条纹(如在无源矩阵OLED器件中)。这创建了长度远大于宽度的矩形的第一导电层区段。在这一实施方案中，台架沿着区段的长度(最长方法)与边缘重叠并且台架之间的最小距离小于(由于重叠)所述区段的宽度(最小方向)。在一个实施方案中，一旦导入有源层和第二导电层，将限定有源区域的相应井为长方形条纹的形状，其宽度小于第一导电层的条纹宽度。这示出于图4a中(为了清楚起见，未包括第2导电层)，其中第导电层3被图案化为长平行条纹区段。
上述实施方案为每个第一导电层区段描述了一个井或有源区域。然而，在其它实施方案中，如图4b所示，通过添加附加的碳氟化合物台架8，可以将所述井细分为两个或更多个子区段。附加的台架8将完全位于第一导电层区段的顶部并且完全在与所述区段的边缘重叠的含氟聚合物台架设定的井的边界内。应当理解的是，井(和所得到的有源区域)仅由与第一导电层区段的边缘重叠的含氟聚合物台架限定。这是因为井的这些更小的细分((5,5’,5”等)不是单独控制的，由于它们都共享相同的第一导电层区段。在创建限定井的含氟聚合物台架的光致抗蚀剂工艺期间，可以通过适合的曝光来制备细分井的含氟聚合物台架。
井的细分具有将有源材料更加均匀地分布在每个更小的井内的优点。在这种情况下，所有细分将含有相同的有源层的配方。或者，每个细分可以填充不同的材料。这产生具有不同有源层的不同子区段。例如，OLED的一个实施方案可具有RGB条纹，第一导电层区段是平行的条纹。覆盖这些导电条纹的有源层沿其长度可以由相同材料组成。但是，井的细分可以通过在第一导电层的条纹宽度上增加垂直台架来制得。然后可以使用不同的配方来填充每个细分。举个例子，单个蓝色条纹可以沿其长度具有短的蓝色发光区段与深蓝色发光区段的交替，有效地产生更宽的蓝色发射和改善的色彩再现。
不要求有源区域的形状与第一导电层区段的形状相对应或类似，只要含氟聚合物台架所限定的有源区域小于第一导电层区段即可，以便井的整个底部是第一导电层区段的上表面。
另一个更复杂的图案是第一导电层区段的二维矩阵。虽然单独的第一导电层区段的形状可以不受限制，为了便于制造，更优选的是它们的形状是矩形或正方形的。如果形状是矩形的，那么其具有长度和宽度，其中长度大于宽度(在正方形中，长度＝宽度)。如果区段是另一个形状(例如，椭圆形或圆形)，那么横跨该区段从一个边缘到相对边缘仍然具有最小距离。
即使当第一导电层区段为矩形或正方形时，有源区域也不需要对应于这些形状。研究表明，为了印刷层的均匀性和像素覆盖率，某些形状比其它形状更优选。取决于器件的需求和用于创建有源层的有源材料的性质，重叠的碳氟化合物台架结构可以被用来限定不同形状的井。但是，不管井的形状如何，含氟聚合物台架需要与第一导电层的所有边缘重叠，以便井的整个底部是第一导电层的上表面。
如图5a-5h所示，井(以及所得到的有源层)的形状可以包含但不限于矩形(图5a)、正方形(图5b)、菱形(图5c)、梯形(图5d)或三角形(图5e)。所有这些形状在直线相交的交叉点处可以具有圆角(例如，图5f)。形状也可以是没有任何直线边的形状，诸如椭圆形(图5g)或圆形(图5h)。图5a-5h利用了矩形的第一导电层区段3以便用于说明，但其他区域形状也是可能的，并且这些形状中的任何一者可以对应或可以不对应于第一导电层区段的形状。对于一些形状(例如正方形和圆形)，正方形导电层区段形状可能是优选的。但是，所有所述形状仍将具有台架(或台架节段)之间的最小距离，该距离小于第一导电层区段边缘之间的最小距离(如图5a-h所示)。
上述任何形状都可以拆分成两个或更多个细分。例如，图6示出了通过附加台架8’而被分成两个三角形子区段5’和5”的矩形有源区域。此种子区段可以含有相同的功能材料或者所述材料可以不同。
取决于器件的需求以及有源层的材料，含氟聚合物台架的形状可能是正型的((最接近基板)底部较宽且顶部较窄)或负型的(底部较窄且顶部较宽)。可以通过用来导入含氟聚合物台架结构的光致抗蚀剂工艺来形成这些形状。优选负型台架结构。
可以在准备的基板上使用负型工作或正型工作光致抗蚀剂来制造所要求保护的OE器件。这两种光致抗蚀剂工艺均是众所周知的。虽然使用的材料可能不同，但是每种方法的基本步骤非常相似，且主要区别在于哪些区域要被曝光并随后除去。
可以用来制备根据图3示出的实施方案所述的OE器件1的一种方法(如图7a-7h所示)基于负型工作光致抗蚀剂工艺。其依次包含步骤：
a)在基板2上图案化第一导电层3，第一导电层的每个区段具有上表面、至少三个边缘和每个边缘之间的距离；
b)在基板2和图案化的第一导电层区段3上沉积光致抗蚀剂9；
c)将小于区段3边缘之间的距离的每个第一导电层区段3上方的光致抗蚀剂区域暴露于辐射中，由此沿区段3的所有边缘的上表面具有光致抗蚀剂的未曝光区域10；
d)除去未曝光的光致抗蚀剂10以露出基板2以及沿所有边缘的每个第一导电层区段3的上表面，并且在第一导电层3上留下不溶性曝光的光致抗蚀剂12的区段，其宽度小于导电层区段3的边缘之间的每个距离；
e)在基板2、第一导电层3沿每个边缘的上表面以及在第一导电层区段3上的残留不溶性曝光的光致抗蚀剂12上沉积非辐射活性含氟聚合物层13；
f)除去残留不溶性曝光的光致抗蚀剂12及其上覆盖的含氟聚合物层13并且露出第一导电层区段3的上表面区域，使得形成至少三个含氟聚合物台架结构4，它们各自沿着第一导电层区段3的每个边缘部分地重叠所述上表面并且与基板接触；
g)在含氟聚合物台架结构4之间，在第一导电层区段3的上表面上并与之直接接触而沉积至少一个有源层5；和
h)沉积第二导电层6。
可以用来制备根据图3示出的实施方案所述的OE器件1的另一方法(如图8a-8h所示)基于正型工作光致抗蚀剂。其依次包含步骤：
a)在基板2上图案化第一导电层3，该第一导电层3的每个区段具有上表面、至少3个边缘和每个边缘之间的距离；
b)在基板2和图案化的第一导电层区段3上沉积光致抗蚀剂9；
c)将每个第一导电层区段3上方只沿着区段所有边缘的上表面放置的光致抗蚀剂区域11以及支撑体2上方的光致抗蚀剂区域11暴露于辐射中，并且在曝光的区段11之间的第一导电层3上方留下未曝光的光致抗蚀剂区域10；未曝光的区段10之间的宽度小于第一导电层区段3边缘之间的距离；
d)除去曝光的光致抗蚀剂11以露出基板2以及每个第一导电层区段3沿每个边缘的上表面的部分，并且留下不溶性未曝光的光致抗蚀剂的区段12，其宽度小于导电层区段3的边缘之间的每个距离；
e)在基板、第一导电层3沿全部边缘的上表面以及在第一导电层区段3上的残留不溶性未曝光的光致抗蚀剂12上沉积非辐射活性含氟聚合物层13；
f)除去残留不溶性未曝光的光致抗蚀剂12及其上覆盖的含氟聚合物层13并且露出第一导电区段3的上表面区域，使得形成至少三个含氟聚合物台架结构4，它们各自沿着第一导电层区段3的每个边缘部分地重叠所述上表面；
g)在含氟聚合物台架结构4之间，在第一导电层区段3的上表面上并与之直接接触而沉积至少一个有源层5；和
h)沉积第二导电层6。
虽然两种所述方法均是根据图3示出的实施方案，应当理解的是，通过改变曝光区域，它们两者还可以应用于图1a的实施方案。
在上述两个工艺中，在步骤c)的过程中未除去的不溶性光致抗蚀剂12被用来生成含氟聚合物台架4的位置和结构。含氟聚合物13被均匀地涂布在所有的表面上，包括残留的不溶性(未显影的)光致抗蚀剂12上。残留的光致抗蚀剂定位在需要除去含氟聚合物以产生用于有源层的井的区域内。然后剥离工艺除去不溶性光致抗蚀剂12及其外涂的含氟聚合物13。此外，通过控制残留不溶性光致抗蚀剂12的边缘的形状，可以确定在剥离工艺后残留的含氟聚合物台架结构4的边缘形状。
光致抗蚀剂12及其上覆盖的含氟聚合物层13的剥离和除去可以是能够除去期望材料并且与器件的残留结构和表面正交的任何工艺。典型地，这涉及将器件在正交溶剂中浸泡或沉浸一段时间。可以使用升高的温度以及超声波振动来帮助松弛光致抗蚀剂。剥离溶剂的一些例子包括DMSO、N-甲基吡咯烷酮和丙酮。诸如擦拭或刮擦等机械方法(尽管不总是理想的)可以额外地与溶剂处理结合使用。还可以使用能够与处理溶液中的组分化学反应的光致抗蚀剂，以便期能够容易地溶解于所述溶液中或者以其它方式从第一导电层的表面脱离。
为了协助不溶性光致抗蚀剂12及其上覆盖的含氟聚合物层13的剥离和除去，不溶性光致抗蚀剂层12的厚度应当大于其上覆盖的含氟聚合物13的厚度。这是因为溶剂的渗透需要来自不溶性光致抗蚀剂12的垂直边缘。在上述的正型和负型工艺方法中，优选的是，步骤d)中创建的不溶性光致抗蚀剂层12的厚度至少为步骤e)中沉积的含氟聚合物层13的厚度的2倍，更优选地为至少5倍或甚至10倍以上。另外，优选使用产生具有负型不溶性光致抗蚀剂12的方法，以增加溶剂向光致抗蚀剂12的渗入并改善剥离。
为了避免剥离所需的含氟聚合物台架结构4，重要的是台架结构3强烈地粘附基板2。碳氟化合物对基板的粘附力必须高，优选大于10N/mm2(10MPa)或更优选大于20N/mm2(20MPa)。在一些情况下，可以使用下方的层来提高基板与含氟聚合物之间的粘附力。这种粘合层可以是均匀横跨基板的底层，可以在光致抗蚀剂工艺之前被图案化，其可以或可以不延伸超过含氟聚合物台架结构的边界。或者，在光致抗蚀剂工艺之后但在引入含氟聚合物之前，可以在单独的步骤中引入粘合层。粘合促进材料的一些例子是BONDiTTM(可从Reltex Company商购)或在US 07/0166469、US 8530746或US 8617713中公开的那些。应当理解的是，当存在此种粘合层时，其被视为基板的一部分。
现在将参考以下实施例来更详细地描述本发明，其仅用于说明目的并且不限制本发明的范围。除非另有说明，上文和下文的百分比是重量百分比并且温度的单位为摄氏度(℃)。
实施例1：
OLED器件中台架结构形成：通过湿法蚀刻在玻璃基板上将不同厚度(50nm或150nm)的ITO层图案化为(0.5mm x 20mm)条纹。在ITO和玻璃表面上旋涂负型工作光致抗蚀剂(AZ5214ETM；获自MicroChemical Company)以形成2000nm厚的均匀层。在热板上在110℃下将光致抗蚀剂干燥2分钟。然后，以光掩模使用掩模对准器将光致抗蚀剂暴露于剂量为约60mJ/cm2的i-线(365nm)UV光下，随后在120℃下进行曝光后烘焙(PEB)2分钟。然后，不使用光掩模将样品泛曝光于剂量为250mJ/cm2的i-线(365nm)UV光下。样品在TMAH 2.35％水溶液中显影1分钟，然后用DI水冲洗数次，旋转干燥并在100℃下退火以除去样品中的水分，以在最终将要定位有源层的位置上创建210x 80μm2的不溶性光致抗蚀剂块。在该过程中除去了沿ITO边缘放置的光致抗蚀剂，使得露出了沿两个边缘的ITO上表面。对于两种层厚度，ITO的露出部分在每个边缘上约为140μm。在玻璃上旋涂Cytop-809MTM含氟聚合物的300nm层并且在100℃下干燥2分钟。这在基板的表面、ITO沿其边缘的上表面以及有源区域的不溶性光致抗蚀剂上创建了一层Cytop-809M。然后，在超声波浴中在60℃下使用DMSO处理1小时以从玻璃基板上剥去不溶性光致抗蚀剂及其上覆盖的Cytop-809M层。将样品旋转干燥并在100℃下退火2分钟。所得到的器件具有含氟聚合物台架结构，该台架结构沿着边缘沿着上表面与ITO底部电极重叠并且垂直边缘延伸到基板。两种ITO厚度给出了类似的结果。如图9所示，通过喷墨沉积使用OLED材料的层填充井并且沉积顶部电极将完成器件制造。
除非上下文另外明确指出，如本文所用的，本文中术语的复数形式应被解释为包括单数形式，反之亦然。
应该理解的是，可以对本发明的前述实施方案进行变化，而仍然落入本发明的范围内。除非另有说明，本说明书中公开的每个特征可以被用于相同、等同或相似目的的替代特征替代。因此，除非另有说明，所公开的每个特征仅是一个通用系列等同或类似特征的一个例子。本说明书中公开的所有特征可以以任何组合来组合，但排除其中这样的特征和/或步骤中至少一些是相互排斥的组合。特别地，本发明的特征适用于本发明的所有方面，并且可以以任何组合来使用。同样，非必要组合中描述的特征可以分开使用(而不是组合使用)。

Claims (27)

1.一种电子器件，其包含由以下限定的井区域：
共同基板，其上覆盖有导电第一层，该导电第一层被图案化为分离的区段，每个区段具有上表面、至少3个边缘以及每个边缘之间的距离；
至少三个台架结构，每个均以最小距离分开，每个都与基板和至少一个第一导电层区段直接接触，每个台架结构的最大厚度大于第一导电层区段的厚度，并且在一起形成井的侧部；
至少一个第一导电层区段的所有边缘部分地被台架结构重叠，使得所述第一导电层区段的边缘之间的距离全部大于所有台架结构之间的最小距离，使得导电层区段的暴露的上表面形成井的底部；
至少一个有源层位于暴露的第一导电层区段上的井中并且在台架结构之间；
第二导电层位于有源层之上；和
台架结构包含非辐射活性含氟聚合物。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于其是有机薄膜晶体管(OTFT)，其中至少一个有源层是有机半导体或电荷携载材料。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于其是电润湿(EW)器件，其中至少一个有源层含有有色液体。
4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于其是有机光伏器件(OPV)，其中至少一个有源层含有光敏材料。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于其是电致发光(EL)器件，其中至少一个有源层含有发光材料。
6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于有源区域的最小宽度为两个相对台架的总宽度的至少1.5倍。
7.根据权利要求5或6所述的EL器件，其特征在于第一导电层是透明的而第二导电层是不透明的金属，使得透过基板发射光。
8.根据权利要求7所述的EL器件，其特征在于第一导电层是不透明的金属而第二导电层是透明的，使得从器件的与基板相对的一侧发射光。
9.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于其是电泳(EP)器件，其中至少一个有源层包含分散在液体中的带电颜料颗粒。
10.根据权利要求1至9中一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述非辐射活性含氟聚合物选自于：氟化聚(对二甲苯)聚合物；无定形氟聚合物；氟化聚酰亚胺；Hyflon系列(可从Solvay获得)；聚四氟乙烯(PTFE)；氟乙烯丙烯聚合物；聚偏氟乙烯(PVDF；系列)；氟乙烯乙烯醚(FEVE)树脂；氟化聚萘；氟化硅氧烷；氟化非晶碳薄膜(a-C:F)；聚-4,5-二氟二氧杂环戊烯(AF系列)；氟化氨基甲酸乙酯乙二醇基聚合物；氟化聚环烯烃；氟化聚降冰片烯；聚-1,1,2,4,4,5,5,6,7,7-十氟-3-氧杂-1,6-庚二烯；以及(CxFy)和(CF2)x。
11.根据权利要求1至10中一项或多项所述的电子器件，其特征在于含氟聚合物台架结构在第一导电层区段的上表面上的重叠为至少500nm。
12.根据权利要求1至11中一项或多项所述的电子器件，其特征在于单个含氟聚合物台架结构将与两个不同的导电层区段的一个边缘重叠。
13.根据权利要求1至12中一项或多项所述的电子器件，其特征在于在相邻第一导电层区段的两个相邻含氟聚合物台架结构之间存在间隙。
14.根据权利要求1至13中一项或多项所述的电子器件，其特征在于由含氟聚合物台架结构限定的有源区域的形状选自矩形、正方形、菱形、梯形、三角形、椭圆形和圆形。
15.根据权利要求1至14中一项或多项所述的电子器件，其特征在于通过添加附加的碳氟化合物，每个第一导电区段上方的井被细分为两个或更多个子区段。
16.根据权利要求15所述的电子器件，其特征在于不同的子区段具有不同的有源层。
17.根据权利要求1至16中一项或多项所述的电子器件，其特征在于碳氟化合物台架的侧部具有负型轮廓。
18.一种形成根据权利要求1至17中一项或多项所述的电子器件的方法，其特征在于其依次包含步骤：
a)在基板上图案化第一导电层，该第一导电层的每个区段具有上表面、至少三个边缘和每个边缘之间的距离；
b)在基板和图案化的第一导电层区段上沉积光致抗蚀剂；
c)将小于区段边缘之间的距离的每个第一导电层区段上方的光致抗蚀剂区域暴露于辐射中，由此沿区段所有边缘的上表面具有未曝光的光致抗蚀剂区域；
d)除去未曝光的光致抗蚀剂，以露出基板以及每个第一导电层区段沿所有边缘的上表面，并且在第一导电层上留下不溶性曝光的光致抗蚀剂的区段，其宽度小于导电层区段边缘之间的每个距离；
e)在基板、第一导电层沿每个边缘的上表面以及在第一导电层区段上的残留不溶性曝光的光致抗蚀剂上沉积非辐射活性含氟聚合物层；
f)除去残留不溶性曝光的光致抗蚀剂及其上覆盖的含氟聚合物层并且露出第一导电区段的上表面区域，使得形成至少三个含氟聚合物台架结构，它们各自沿着第一导电层区段的每个边缘部分地重叠所述上表面并且与基板接触；
g)在含氟聚合物台架结构之间，在第一导电层区段的上表面上并且与之直接接触而沉积至少一个有源层；和
h)沉积第二导电层。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于步骤d)中第一导电层区段边缘上方的未曝光的光致抗蚀剂区域的宽度小于第一导电层区段的最小宽度的1/6，但不小于100nm。
20.一种形成根据权利要求1至17中一项或多项所述的电子器件的方法，其特征在于其依次包含步骤：
a)在基板上图案化第一导电层，该第一导电层的每个区段具有上表面、至少3个边缘和每个边缘之间的距离；
b)在基板和图案化的第一导电层区段上沉积光致抗蚀剂；
c)将每个第一导电层区段上方只沿着区段所有边缘的上表面放置的光致抗蚀剂区域以及支撑体的至少一部分上方的光致抗蚀剂区域暴露于辐射中，并且在曝光区段之间的第一导电层上方留下未曝光的光致抗蚀剂区域；未曝光区段之间的宽度小于第一导电层区段边缘之间的距离；
d)除去曝光的光致抗蚀剂以露出基板的至少一部分以及每个第一导电层区段沿每个边缘的上表面的部分，并且留下不溶性未曝光的光致抗蚀剂的区段，其宽度小于导电层区段边缘之间的每个距离；
e)在基板、第一导电层沿全部边缘的上表面以及在第一导电层区段上的残留不溶性未曝光的光致抗蚀剂上沉积非辐射活性含氟聚合物层；
f)除去残留不溶性未曝光的光致抗蚀剂及其上覆盖的含氟聚合物层并且露出第一导电区段的上表面区域，使得形成至少三个含氟聚合物台架结构，它们各自沿着第一导电层区段的每个边缘部分地重叠所述上表面；
g)在含氟聚合物台架结构之间，在第一导电层区段的上表面上并且与之直接接触而沉积至少一个有源层；和
h)沉积第二导电层。
21.根据权利要求20所述的方法,其特征在于步骤d)中第一导电层区段边缘上方的曝光的光致抗蚀剂区域的宽度小于第一导电层区段的宽度的1/6，但不小于100nm。
22.根据权利要求18和20所述的方法，其特征在于使用喷墨方法沉积所述至少一个有源层。
23.根据权利要求18和20所述的方法，其特征在于所述非辐射活性含氟聚合物选自于：氟化聚(对二甲苯)聚合物；无定形氟聚合物；氟化聚酰亚胺；Hyflon系列(可从Solvay获得)；聚四氟乙烯(PTFE)；氟乙烯丙烯聚合物；聚偏氟乙烯(PVDF；系列)；氟乙烯乙烯醚(FEVE)树脂；氟化聚萘；氟化硅氧烷；氟化非晶碳薄膜(a-C:F)；聚-4,5-二氟二氧杂环戊烯(AF系列)；氟化氨基甲酸乙酯乙二醇基聚合物；氟化聚环烯烃；氟化聚降冰片烯；聚-1,1,2,4,4,5,5,6,7,7-十氟-3-氧杂-1,6-庚二烯；以及(CxFy)和(CF2)x。
24.根据权利要求18和20所述的方法，其特征在于在步骤e)中，通过将含氟聚合物溶解于其中不溶解光致抗蚀剂的溶剂中，使用含氟聚合物溶液涂布基板并且除去溶液，从而沉积所述非辐射活性含氟聚合物层。
25.根据权利要求18和20所述的方法，其特征在于在步骤e)中，通过热蒸发、等离子体或化学气相沉积技术沉积非辐射活性含氟聚合物层。
26.根据权利要求18和20所述的方法，其特征在于步骤d)中沉积的不溶性光致抗蚀剂层的厚度是步骤e)中沉积的含氟聚合物层的厚度的至少2倍。
27.根据权利要求18和20所述的方法，其特征在于步骤f)中用于除去残留不溶性光致抗蚀剂及其上覆盖的含氟聚合物层的剥离工艺使用其中不溶解所述含氟聚合物的有机溶剂。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102034456B1 (ko) * 2016-12-09 2019-10-21 주식회사 엘지화학 유기전자장치의 제조방법
JP2020518107A (ja) 2017-04-26 2020-06-18 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドＯｔｉ Ｌｕｍｉｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス
KR102355529B1 (ko) * 2017-08-07 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
US11866602B2 (en) 2018-06-12 2024-01-09 3M Innovative Properties Company Fluoropolymer compositions comprising fluorinated additives, coated substrates and methods
CN108899345B (zh) * 2018-07-02 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构及其制造方法、显示面板和显示装置
KR20200073599A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
WO2021088198A1 (en) 2019-11-04 2021-05-14 3M Innovative Properties Company Electronic telecommunications articles comprising crosslinked fluoropolymers and methods
WO2022123431A1 (en) 2020-12-07 2022-06-16 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000076008A1 (en) * 1999-06-09 2000-12-14 Cambridge Display Technology Limited Method of producing organic light-emissive devices
CN101389634A (zh) * 2006-02-22 2009-03-18 住友化学株式会社 含氟化合物及其制造方法、含氟聚合物、有机薄膜、以及有机薄膜元件
CN101543135A (zh) * 2007-05-31 2009-09-23 松下电器产业株式会社 有机电致发光元件和其制造方法
CN102017800A (zh) * 2009-06-29 2011-04-13 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示面板
CN103261968A (zh) * 2010-12-20 2013-08-21 旭硝子株式会社 感光性树脂组合物、间隔壁、彩色滤光膜及有机el元件
CN104282712A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN104396345A (zh) * 2012-06-20 2015-03-04 日本先锋公司 有机电致发光器件
CN105514039A (zh) * 2016-01-25 2016-04-20 福州大学 一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1096568A3 (en) * 1999-10-28 2007-10-24 Sony Corporation Display apparatus and method for fabricating the same
US6656611B2 (en) 2001-07-20 2003-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure-defining material for OLEDs
GB0207134D0 (en) 2002-03-27 2002-05-08 Cambridge Display Tech Ltd Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained
US7833612B2 (en) 2003-09-12 2010-11-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same
JP4317113B2 (ja) * 2003-10-30 2009-08-19 三星モバイルディスプレイ株式會社 平板表示装置の製造方法
JP4677937B2 (ja) 2005-07-20 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法、デバイス、電気光学装置、電子機器、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
KR101209046B1 (ko) 2005-07-27 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법
DE112006002220B4 (de) 2005-08-23 2018-05-24 Cambridge Display Technology Ltd. Organische elektronische Vorrichtungsstrukturen und Herstellungsverfahren
GB2432256B (en) * 2005-11-14 2009-12-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectrical device
US8012542B2 (en) 2005-12-30 2011-09-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Fluoropolymer coating compositions containing adhesive polymers and substrate coating process
KR100718152B1 (ko) 2006-02-11 2007-05-14 삼성전자주식회사 유기발광다이오드 및 그 제조방법
KR101249219B1 (ko) 2006-09-29 2013-04-03 삼성전자주식회사 공중합체, 뱅크 형성용 조성물 및 이를 이용한 뱅크 형성방법
EP1933393A1 (en) 2006-12-13 2008-06-18 Samsung SDI Co., Ltd. Method of manufacturing a substrate for an electronic device
WO2008117395A1 (ja) 2007-03-26 2008-10-02 Pioneer Corporation 有機半導体素子及びその製造方法
FR2919521B1 (fr) 2007-08-01 2012-03-09 Commissariat Energie Atomique Couche d'accroche sur des polymeres fluores
GB2455747B (en) 2007-12-19 2011-02-09 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
EP2225763B1 (en) 2007-12-28 2013-02-20 Kaneka Texas Corporation Polyimides and fluoropolymer bonding layer with improved adhesive strength
WO2009084209A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Panasonic Corporation 有機ｅｌデバイスおよび有機ｅｌディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法
GB2458454B (en) 2008-03-14 2011-03-16 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
GB2462845B (en) 2008-08-21 2011-07-27 Cambridge Display Tech Ltd Organic electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
KR100971751B1 (ko) * 2008-10-23 2010-07-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4621818B1 (ja) 2009-06-04 2011-01-26 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
US8883397B2 (en) 2010-08-24 2014-11-11 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive photosensitive siloxane composition
KR20120078954A (ko) * 2011-01-03 2012-07-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
WO2012161025A1 (ja) 2011-05-20 2012-11-29 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 ポジ型感光性シロキサン組成物
US8765224B2 (en) 2012-03-28 2014-07-01 Sharp Laboratories Of America, Inc. Controlling printed ink line widths using fluoropolymer templates
US20140131684A1 (en) * 2012-11-14 2014-05-15 E I Du Pont De Nemours And Company Electronic device having radiation-produced containment regions and processes for making same
KR20140067645A (ko) 2012-11-27 2014-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000076008A1 (en) * 1999-06-09 2000-12-14 Cambridge Display Technology Limited Method of producing organic light-emissive devices
CN101389634A (zh) * 2006-02-22 2009-03-18 住友化学株式会社 含氟化合物及其制造方法、含氟聚合物、有机薄膜、以及有机薄膜元件
CN101543135A (zh) * 2007-05-31 2009-09-23 松下电器产业株式会社 有机电致发光元件和其制造方法
CN102017800A (zh) * 2009-06-29 2011-04-13 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示面板
CN103261968A (zh) * 2010-12-20 2013-08-21 旭硝子株式会社 感光性树脂组合物、间隔壁、彩色滤光膜及有机el元件
CN104396345A (zh) * 2012-06-20 2015-03-04 日本先锋公司 有机电致发光器件
CN104282712A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN105514039A (zh) * 2016-01-25 2016-04-20 福州大学 一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法

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