CN1604469A

CN1604469A - 表面声波器件

Info

Publication number: CN1604469A
Application number: CNA2004100834283A
Authority: CN
Inventors: 和知宽忠; 田中敏文; 竹崎彻; 市川聪; 大浦毅; 和田刚一; 折户悟士
Original assignee: Fujitsu Media Devices Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2003-10-01
Filing date: 2004-10-08
Publication date: 2005-04-06
Anticipated expiration: 2024-10-08
Also published as: SG110212A1; KR100607635B1; CN100426668C; US20050093395A1; JP4184220B2; KR20050032476A; US7462973B2; JP2005110142A

Abstract

一种表面声波器件，包括：压电基板；设置在所述压电基板上的至少一个叉指式换能器；以及设置在所述压电基板上的屏蔽电极。所述叉指式换能器在面对所述屏蔽电极的边沿上具有一第一图案。所述屏蔽电极在一边沿上具有一第二图案，以与所述第一图案均匀地相隔开。

Description

表面声波器件

技术领域

本发明一般涉及表面声波器件，更具体来说，涉及一种在一压电材料基板(后面称为压电基板)上具有一屏蔽电极和至少一个叉指式换能器(后面称为IDT)的表面声波器件。

背景技术

近年来，将上述类型的表面声波(后面称为SAW)器件已在频率范围为30MHz到400MHz的电视机中的带通滤波器和频率范围为800MHz到几GHz的移动电话中的RF滤波器中采用。IDT包括一对梳状电极。每个梳状电极由一汇流排(bus bar)和多个电极指组成，该多个电极指具有连接到所述汇流排的第一边沿和开路的第二边沿。将一对梳状电极布置成使得这对梳状电极的多个电极指交替交叉或者按规则间距交错。换句话说，将所述多个交错电极指交替连接到两个汇流排。通过将一交流电压施加在这对梳状电极之间来产生SAW。该SAW具有这样一种频率响应，即，利用该频率响应，可获得一种具有所希望的频率特性的滤波器。

图1A和1B示出了一种常规SAW器件。图1A示出了该常规SAW器件的总体原理图，而图1B示出了图1A中所示的屏蔽电极的放大图。图1A和1B中所示的SAW器件包括：第一IDT 10，布置在压电基板50上；屏蔽电极20；以及第二IDT 30。将第一IDT 10、屏蔽电极20以及第二IDT30相邻地布置在SAW的传播方向上。将屏蔽电极20布置在第一IDT 10与第二IDT 30之间。例如，第一IDT 10用作输入电极，而第二IDT 30用作输出电极。屏蔽电极20防止第一IDT 10和第二IDT 30的电磁耦合。

IDT 30包括一对梳状电极30a和30b。梳状电极30a包括一汇流排和多个电极指。梳状电极30b也包括一汇流排和多个电极指。电极指30a的开路边沿面对着电极指30b的开路边沿。彼此面对的交错电极指的交叉部分与SAW的激发有关。如图1B所示，对电极指图案进行加权。所述电极指图案被限定为由所述多个电极指所形成的图案。通过例如切趾法(apodization)来对电极指图案进行加权。对电极指图案的加权可以改变频率特性。

IDT 10也包括一对梳状电极；但是，与IDT 30不同的是，未对IDT10进行加权。换句话说，IDT 10的多个电极指具有相等的交叉宽度。

上述滤波器起到了带通滤波器的作用。这种类型的带通滤波器存在一个问题，即从IDT 30的多个电极指边沿产生了不希望的波。该不希望的波劣化了频率特性。

为消除所述不希望的波，在IDT 30的靠近屏蔽电极20的一侧布置了多个防反射电极40，如图1B所示。该多个防反射电极40包括多个电极指。设置该多个电极指，以产生振幅相等而相位相反的不希望的波。这样，可以使这些不希望的波相互抵消。例如，在日本专利申请特开公报No.1982-25714(以下称为文献1)或日本专利申请特开公报No.1984-125113(以下称为文献2)中公开了上述常规技术。

日本专利申请特开公报No.1998-41778(以下称为文献3)公开了一种用于消除在所述压电基板内传播的不希望的波的技术。该公开显示了布置在IDT 30的一侧的伪电极(dummy electrode)的使用。

此外，日本专利申请特开公报No.1983-43608(以下称为文献4)显示了IDT 30的交叉部分具有一排列上的倾斜度，如图2所示。该倾斜排列防止了不希望的体波(bulk wave)的产生。

但是，文献1、2和4中公开的技术旨在消除沿压电基板的厚度方向在输入IDT与基座(stem)之间产生的不希望的波，或者旨在消除仅在输入IDT的一侧产生的不希望的波。即使消除了上述不希望的波，还存在另一问题，即，不能实现阻带中令人满意的高衰减。另外，文献3中公开的技术不能完全消除不希望的激发，因为在IDT 30侧存在微小的交叉部分。从而，不能完全消除所述不希望的激发，因此不能使信号在阻带中充分衰减。

发明内容

鉴于上述情况提出了本发明，本发明提供了一种改进了阻带中的高阻尼特性的SAW器件。

根据本发明的一方面，提供了一种表面声波器件，其包括：压电基板；设置在所述压电基板上的至少一个叉指式换能器(IDT)；以及设置在所述压电基板上的屏蔽电极，并且，所述IDT具有在面对所述屏蔽电极的边沿处的第一图案，所述屏蔽电极具有在一边沿处的第二图案，以与所述第一图案均匀地相隔开。

附图说明

下面将参照附图对本发明的多个优选实施例进行详细描述，其中：

图1A和1B示出了一种常规SAW器件；

图2示出了另一种常规SAW器件的实质部分；

图3A到3C图示了本发明的原理；

图4A和4B图示了本发明的原理；

图5A和5B图示了本发明的原理；

图6A到6E示出了根据第一实施例的SAW器件和一对比示例，以及该第一实施例和对比示例的基于时间的响应和频率特性；

图7示出了根据第二实施例的SAW器件；

图8示出了根据第三实施例的SAW器件；

图9示出了根据第四实施例的SAW器件；

图10示出了根据第五实施例的SAW器件；

图11示出了根据第六实施例的SAW器件；

图12示出了根据第七实施例的SAW器件；

图13示出了根据第八实施例的SAW器件；

图14示出了根据第九实施例的SAW器件；

图15示出了根据第十实施例的SAW器件；

图16示出了根据第十一实施例的SAW器件；

图17示出了根据第十二实施例的SAW器件；

图18示出了根据第十三实施例的SAW器件；

图19示出了根据第十四实施例的SAW器件；

图20示出了根据第十五实施例的SAW器件；

图21示出了根据第十六实施例的SAW器件；

图22示出了根据第十七实施例的SAW器件；

图23示出了根据第十八实施例的SAW器件；

图24示出了根据第十九实施例的SAW器件；以及

图25示出了根据第二十实施例的SAW器件。

具体实施方式

下面将参照附图对本发明的多个实施例进行描述。

本发明研究了为什么所述常规SAW滤波器不能使阻带中的频率分量充分地衰减的原因。发明者认为不希望的激发可能是在IDT 30的面对屏蔽电极20的边沿与屏蔽电极20的面对IDT 30的边沿之间产生的。因而，发明者提出了以下消除所述不希望的激发的机理。

图3A到3C示出了本发明的原理。更具体来说，图3A示出了所述SAW器件的整体结构的示例。图3B示出了图3A中所示的屏蔽电极的放大图。图3C示出了该屏蔽电极的进一步放大的图。如图3A所示，一SAW器件包括：压电基板5，布置在压电基板5上的两个IDT 1和3，以及屏蔽电极2。IDT 1是一普通电极，而IDT 3包括一例如通过切趾来加权的电极指。例如，IDT 3充当输入IDT，而IDT 1充当输出IDT。IDT 3包括一对梳状电极，将其中一个梳状电极接地，而向另一个电极提供交流电压。将被施加了所述交流电压的所述梳状电极表示为HOT侧电极。将IDT 1的成对电极对应地连接到设置在压电基板5上的焊盘上。类似地，将IDT3的成对电极对应地连接到设置在压电基板5上的焊盘上。

参照图3B，将第一图案6设置在IDT 3与屏蔽电极2相邻的一侧。将第二图案7设置在屏蔽电极2的一侧，以使得第一图案7的电极指的边沿与第二图案6的电极指的边沿均匀地相隔开来。另外，将第一图案6和第二图案7布置成使得在屏蔽电极2与IDT 3之间产生的不希望的激发的总矢量强度为0。在图3B中，第一图案6和第二图案7两者都具有台阶。从而，可以说IDT 3包括第一台阶图案6，而屏蔽电极2包括第二台阶图案7。由位于电极3b的HOT侧的多个电极指来限定第一图案6的多个台阶。通过将一实心电极构图成具有多个台阶的屏蔽电极2来限定第二图案7的多个台阶。

参照图3C，下面给出对屏蔽电极2和IDT 3的更详细的描述。图3C中的参数A是设置在第一图案6和第二图案7中的台阶的宽度。对于第一图案6，参数A是相邻电极指之间的距离。第一图案6的台阶的宽度A等于第二图案7的台阶的宽度A。参数A等于λ/4，例如其中λ是通带中的SAW的波长。参数B是第一图案6与第二图案7之间的距离。更具体来说，参数B是第一图案6和第二图案7的对应台阶之间的距离。所有互相面对的台阶之间的距离都相等。参数C是形成第一图案6的台阶的长度。第一图案6的多个台阶的长度C彼此相等。参数C等于第一图案6中相邻电极指的长度之差。采用上述结构，可以在IDT 3与屏蔽电极2之间产生具有相同强度的相位差为180°(λ/2)的激发，从而这些激发可以相互抵消。因而，可以消除影响阻带中的频率特性的不希望的模式(不希望的激发)。这种结构的SAW器件具有足够高的衰减特性。

参照图4A和4B，来描述上述操作的原理。图4A与图3C相对应。在图4A中，将参数B(其是第一图案6与第二图案7之间的距离)表示为B1、B2、B3和B4(B＝B1＝B2＝B3＝B4)。符号B1到B4还表示代表相关联区间中的SAW的强度的矢量。参照图4B，屏蔽电极2中的长度C等于分别与位于IDT 3的HOT侧的区间B1、B2、B3以及B4相关的多个台阶的长度C。因而，在区间B1、B2、B3和B4中产生的不希望的激发具有相同的强度。如上所述，台阶的宽度A为λ/4，并且SAW的激发位置间隔为λ/4。从B1开始，相位偏移90度。可以利用图4B中的矢量来描述激发强度B1到B4。从图4B中可以看出，区间B1和B3中的激发具有相同的强度和180度的相差。类似地，区间B2和B4中的激发具有相同的强度和180度的相差。因此，这些激发可以总体上抵消。在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极之间，总矢量强度变为0。

可以将上述机理作如下扩展。例如，如图5A所示，将三个台阶布置成使得产生具有相同强度并且相差120度的激发。从而，如图5B所示，总矢量强度变为0，并且可获得与在图4A中所示的排列类似的效果。在图5A中的区间B1、B2和B3中产生的不希望的激发具有相同的强度，并且相位差为λ/3。从B1开始，相位偏移120度，如图5B所示。因而，区间B1、B2和B3中的激发抵消了，并且所述不希望的激发的总矢量强度变为0。对台阶的数量和互相面对的台阶间的位置关系没有限制，只要所述总矢量强度等于0即可。这可以用以下通用表述来描述。第一图案6包括宽度为mλ+λ/n的多个台阶，其中λ为SAW在通带中的波长，m为0或一自然数，并且n为一自然数。屏蔽电极2的边沿与IDT 3的边沿之间的距离等于mλ+λ/n，其中λ为SAW在通带中的波长，m为0或一自然数，并且n为一自然数。所述两个表达式中所用的参数m不必相等。

下面描述本发明的第一实施例。图6A是根据第一实施例的SAW器件的平面图，而图6B是在图6A中所示的SAW器件所使用的屏蔽电极的放大图。以下，对与图5中相同的部件和结构赋予相同的标号。如图6B所示，IDT 3的HOT侧电极3b包括一具有四个台阶的第一台阶图案6。该四个台阶中的每一个的宽度都是λ/4。相应地，屏蔽电极2包括一具有四个台阶的第二台阶图案7，每个台阶的宽度都是λ/4。因此，对应台阶间的距离相同。在第一实施例中，IDT 3中的接地侧电极3a包括一具有四个台阶的台阶图案8。屏蔽电极2包括一具有四个台阶的台阶图案9。台阶图案8的四个台阶与台阶图案9的四个台阶均匀地相隔开。另外，屏蔽电极2具有一台阶图案21和一台阶图案22。台阶图案21与台阶图案7相对应，而台阶图案22与台阶图案9相对应。台阶图案21及台阶图案22与IDT 1相邻。将台阶图案21和22布置得在SAW的传播方向上，使屏蔽电极2与其上没有屏蔽电极2的压电基板5之比恒定。换句话说，电极2的宽度不是恒定的。例如，对于IDT 1和IDT 3之间的距离相对较长的情况，屏蔽电极2可能相对较宽。而对于IDT 1与IDT 3之间的距离相对较短的情况，屏蔽电极2可能相对较窄。这样，不管从IDT 3发出的SAW在屏蔽电极2的任何区域中传播，SAW都受到屏蔽电极2与其上没有屏蔽电极2的压电基板5的相同比例的影响。因此，可以使所述SAW的速度保持恒定。压电基板5的暴露表面区域(更具体来说，其由IDT 3与屏蔽电极2之间和屏蔽电极2与IDT 1之间的表面区域组成)的长度与屏蔽电极2的长度之比在沿所述传播方向连接IDT 1和IDT 3的边沿的任何假想连线上都是恒定的。图6C示出了一对比示例。屏蔽电极20具有一矩形形状，并且没有台阶图案。与在IDT 3中一样，IDT 30包括台阶图案6和8。

图6D是描述第一实施例和所述对比示例的时域响应的曲线图。水平线表示时间，而垂直线表示强度(衰减)。图6E示出了基于频率从图6D转换过来的频率特性。水平线表示频率，而垂直线表示强度(衰减)。与所述对比示例相比，尤其是在图6D和6E中的圆圈中的阻带特性中，第一实施例有很大改进。这是消除了屏蔽电极2与IDT3的HOT侧电极3b之间的不希望的模式的结果。

例如，所述压电基板可以由/128°LiNbO₃、112°LiTaO₃、Li₂B₄O₇、石英、36°LiTaO₃、42°LiTaO₃、64°LiNbO₃制成。

图7示出了根据第二实施例的SAW器件。IDT 3包括分别设置在HOT侧电极3b和接地电极3上的台阶图案6和8。台阶图案6和8中的每一个都由相应的四个电极指来限定。电极2的面对IDT 3的一侧包括台阶图案7和9。台阶图案7与HOT侧电极3b上的台阶图案6相对应。台阶图案9与接地电极3a上的台阶图案8相对应。台阶图案6的四个台阶与台阶图案7的四个台阶均匀地相隔开。类似地，台阶图案8的四个台阶与台阶图案9的四个台阶均匀地相隔开。与IDT 1相邻的电极2的另一侧具有一直线形状。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。这改进了阻带中的抑制度。

图8示出了根据第三实施例的SAW器件。HOT侧电极3b上的台阶图案6是一具有四个台阶的山峰状的形状。在台阶图案6的中央附近布置一连接通路，以电连接所述多个电极指。每个电极指具有一宽度为λ/4的面对部分或暴露部分。屏蔽电极2具有一与台阶图案6相对应的形状。台阶图案6的多个台阶与台阶图案7的多个台阶均匀地相隔开。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。阻带中的抑制度可以得到改进。

图9示出了根据第四实施例的SAW器件。台阶图案6具有布置在IDT3的HOT侧电极3b上的四个电极指，如图9所示。屏蔽电极2具有与IDT3的台阶图案6面对的台阶图案7。为使所述SAW的传播速度保持恒定，在屏蔽电极2的与IDT 1相邻的一侧布置了一台阶图案21。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。另外，无论SAW可能在何处传播，都可以使其传播速度保持恒定。

图10示出了根据第五实施例的SAW器件。将具有四个电极指的台阶图案6布置在IDT 3的HOT侧电极3b上。类似地，将具有如图4所示的四个电极指的台阶图案8布置在IDT 3的接地侧电极3a上。将台阶图案7布置在屏蔽电极2的面对IDT 3的一侧。台阶图案7与IDT 3的HOT侧的台阶图案6相对应。将台阶图案9布置在屏蔽电极2的面对IDT 3的一侧。台阶图案8与IDT 3的接地侧的台阶图案9相对应。台阶图案6多个台阶与台阶图案7的多个台阶均匀地相隔开。台阶图案8的多个台阶与台阶图案9的多个台阶均匀地相隔开。将台阶图案21和22布置在屏蔽电极2的与IDT 1相邻的另一侧，使得无论所述SAW在何处传播，所述传播速度都保持恒定。台阶图案7和21的分别相对应的多个台阶之间的距离不相等。但是，在IDT 1与IDT 3之间的区域中，由屏蔽电极2所占据的表面区域与未被占据的表面区域之比是恒定的。而且，台阶图案9和22的分别相对应的多个台阶之间的距离不相等。但是，在IDT 1与IDT 3之间的区域中，由屏蔽电极2所占据的区域与未被占据的区域之比是恒定的。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。另外，无论所述SAW可能在何处传播，都可以使其传播速度保持恒定。

图11示出了根据第六实施例的SAW器件。IDT 3包括两组山峰状的台阶图案6和8。HOT侧电极3b具有台阶图案6，而接地侧电极3a具有台阶图案8。将台阶图案7和9布置在屏蔽电极2的与IDT 3相邻的一侧。台阶图案6的多个台阶与台阶图案7的多个台阶均匀地相隔开。台阶图案8的多个台阶与台阶图案9的多个台阶均匀地相隔开。将台阶图案21和22布置在屏蔽电极2的与IDT 1相邻的另一侧，使得无论所述SAW在何处传播，所述传播速度都保持恒定。台阶图案7的多个台阶与台阶图案21的多个台阶不是均匀地相隔开的。但是，在IDT 1与IDT 3之间的区域中，由屏蔽电极2所占据的表面区域与未被占据的表面区域之比是恒定的。而且，台阶图案9的多个台阶与台阶图案22的多个台阶不是均匀地相隔开的。但是，在IDT 1与IDT 3之间的区域中，由屏蔽电极2所占据的表面区域与未被占据的表面区域之比是恒定的。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。另外，无论所述SAW可能在何处传播，都可以使其传播速度保持恒定。

图12示出了根据第七实施例的SAW器件。在第七实施例中，按与如图10所示相同的形式来布置屏蔽电极2的一侧，但是，将只具有一个台阶的台阶图案23布置在屏蔽电极2的与IDT 1相邻的另一侧。将台阶图案24布置在IDT 1上，以与台阶图案23相对应。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。还可以消除在屏蔽电极2与IDT 1之间产生的不希望的模式。这样，可以改进阻带中的抑制度。

图13示出了根据第八实施例的SAW器件。IDT 3具有与图9中所示相同的结构。在第八实施例中，将台阶图案7及其多个电极指布置在屏蔽电极2上。按与如图4所示相同的方式来布置台阶图案7的多个电极指。即，使台阶图案6的多个台阶与台阶图案7的多个台阶均匀地相隔开。在上述多个台阶之间产生的不希望的激发的矢量强度总体上为0。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。可以改进阻带中的抑制度。

图14示出了根据第九实施例的SAW器件。在第九实施例中，按与如图7中所示相同的方式来布置IDT 3。此外，按与如图7所示相同的方式来布置屏蔽电极2的一侧。将台阶图案23及其多个电极指布置在屏蔽电极2的与IDT 1相邻的另一侧。将台阶图案24布置在IDT 1的与屏蔽电极2相邻的一侧。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。还可以消除在屏蔽电极2与IDT 1之间产生的不希望的模式。这样，就可以改进阻带中的抑制度。

图15示出了根据第十实施例的SAW器件。IDT 3的台阶图案6布置有一实心电极图案。由该实心电极图案组成的台阶图案6满足图4的要求。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。可以改进阻带中的抑制度。

图16示出了根据第十一实施例的SAW器件。屏蔽电极2和IDT 3具有与如图12所示相同的结构。通过利用所述实心电极来将台阶图案24布置在IDT 1的一侧。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。还可以消除在屏蔽电极2与IDT 1之间产生的不希望的模式。这样，就可以改进阻带中的抑制度。

图17示出了根据第十二实施例的SAW器件。屏蔽电极2和IDT 1具有与如图7所示相同的结构。通过利用所述实心电极来将台阶图案6和8布置在IDT 3上。台阶图案6满足与图7中的台阶图案6相同的要求。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。可以改进阻带中的抑制度。

图18示出了根据第十三实施例的SAW器件。IDT 1和屏蔽电极2具有与如图8所示相同的结构。通过利用所述实心电极来将台阶图案6布置在IDT 3上。台阶图案6满足与图8中的台阶图案6相同的要求。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。可以改进阻带中的抑制度。

图19示出了根据第十四实施例的SAW器件。IDT 1、IDT 3和屏蔽电极2具有与如图7所示相同的结构。但是，将屏蔽电极2和IDT 3紧靠着布置，如图19所示。在此情况下，要求屏蔽电极2的边沿与IDT 3的边沿之间的距离满足mλ+λ/n，其中λ为所述SAW在通带中的波长，m为0或一自然数，而n为一自然数。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。可以改进阻带中的抑制度。

图20示出了根据第十五实施例的SAW器件。除了图19中的结构以外，还将台阶图案23和24布置在IDT 1上和屏蔽电极2的与IDT 1相邻的一侧，并且将IDT 1和屏蔽电极2紧靠着布置。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的面对屏蔽电极2的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。还可以消除在屏蔽电极2与IDT 1之间产生的不希望的模式。这样，就可以改进阻带中的抑制度。

图21示出了根据第十六实施例的SAW器件。与图20的结构相反，将IDT 3和屏蔽电极2相分离。在此情况下，要求屏蔽电极2的边沿与IDT 3的边沿之间的距离满足mλ+λ/n，其中λ为所述SAW在通带中的波长，m为0或一自然数，而n为一自然数。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。还可以消除在屏蔽电极2与IDT 1之间产生的不希望的模式。这样，就可以改进阻带中的抑制度。

图22示出了根据第十七实施例的SAW器件的实质部分。在上述多个实施例中，在与所述传播方向垂直的方向上，所述多个台阶具有相等的长度。相反，第十七实施例具有长度不等的多个台阶。参照图22，将台阶图案6布置在IDT 3的HOT侧电极3b上。台阶图案6包括长度为C1的多个台阶和长度为C2的多个台阶。在图22中，C2比C1长。长度为C1的两个台阶具有180°的相位差。长度为C2的两个台阶具有180°的相位差。类似地，屏蔽电极2包括长度为C1的多个台阶和长度为C2的多个台阶。台阶图案6的多个台阶与台阶图案7的多个台阶均匀地相隔开，以在对应的台阶之间限定距离B。台阶图案6和7的多个台阶的宽度等于λ/4。这样就可以抵消在图案6和7的多个台阶C1之间产生的不希望的波。类似地，抵消了在述多个台阶C2之间产生的不希望的波。

图23示出了根据第十八实施例的SAW器件的实质部分。上述多个实施例利用了多个台阶的相同宽度A。相反，第十八实施例具有宽度不同的多个台阶。将台阶图案6布置在IDT 3的HOT侧电极3b上。台阶图案6在其相邻的电极指之间具有两个不同的间隔A1和A2，其中A1＝λ/4，而A2＝A1*m。A2等于A1的一整数倍。因此，可以抵消所述不希望的波。屏蔽电极2具有两个台阶宽度A1和A2，以与台阶图案6相匹配。台阶图案6的多个台阶与台阶图案7的多个台阶均匀地相隔开。在上述结构中，由于相位差为180度，所以抵消了所述不希望的波。

图24示出了根据第十九实施例的SAW器件的实质部分，其中布置在IDT 3的HOT侧电极3b上的图案6具有一连续斜面。所述斜边沿是一倾斜的直平面。图案6包括一图案宽度A，其等于nλ，其中n为一自然数。将A定义为所述斜面在SAW的传播方向上的倾斜长度。将一图案7(其是图案6的配对物)布置在具有一连续斜面的屏蔽电极2上。图案7包括相同的图案宽度A。图案6和图案7之间的间隔B与接地侧电极3a和屏蔽电极2之间的间隔B相同。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。可以改进阻带中的抑制度。

图25示出了根据第二十实施例的SAW器件的实质部分。第二十实施例具有一曲线形斜面，其用以代替图24中的直线斜面。IDT 3的HOT侧电极3b与屏蔽电极2之间的距离在任何点处都相同。采用上述结构，可以消除在屏蔽电极2与IDT 3的面对屏蔽电极2的HOT侧电极3b之间产生的不希望的模式。可以改进阻带中的抑制度。

本发明并不限于所具体公开的实施例，在不脱离本发明的范围的前提下，可以做出其他实施例、变型例和修改例。

本发明基于2003年10月1日提交的日本专利申请特开2003-343856，通过引用将其全部内容并入于此。

Claims

1、一种表面声波器件，包括：

压电基板；

设置在所述压电基板上的至少一个叉指式换能器；以及

设置在所述压电基板上的屏蔽电极，

其中：

所述叉指式换能器在面对所述屏蔽电极的边沿上具有一第一图案；并且

所述屏蔽电极在一边沿上具有一第二图案，以与所述第一图案均匀地相隔开。

2、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案具有按相等间隔排列的多个台阶，以使在所述屏蔽电极与所述叉指式换能器的边沿之间产生的多个不希望的激发的矢量强度总体上为0。

3、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案具有按不等间隔排列的多个台阶，以使在所述屏蔽电极与所述叉指式换能器的边沿之间产生的多个不希望的激发的矢量强度总体上为0。

4、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案包括一等于mλ+λ/n的台阶宽度，其中m为0或一自然数，n为一自然数，并且λ为通带中的表面声波的波长。

5、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案和所述第二图案各包括多个台阶，并且所述第一图案和所述第二图案的对应的多个台阶之间的距离都相同。

6、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述屏蔽电极的边沿与所述叉指式换能器的边沿之间的距离等于mλ+λ/n，其中m为0或一自然数，n为一自然数，并且λ为通带中的表面声波的波长。

7、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案被设置在将交流电流施加给的一对梳状电极中的一个上。

8、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案被设置在一对梳状电极的全部两个上。

9、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案和所述第二图案分别包括多个台阶，并且所述第一图案和第二图案的互相面对的多个台阶具有相等的长度。

10、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述屏蔽电极在与其上设置有所述第二图案的边沿相对的另一边沿上具有一第三图案。

11、如权利要求1所述的表面声波器件，其中：

所述屏蔽电极在与其上设置有所述第二图案的边沿相对的另一边沿上具有一第三图案；

所述表面声波器件还包括面对所述第三图案的另一叉指式换能器；并且

所述另一叉指式换能器包括设置在面对所述第三图案的一边沿上的一第四图案。

12、如权利要求11所述的表面声波器件，其中，所述第三图案和所述第四图案被布置得使所述屏蔽电极与所述压电基板的在所述叉指式换能器与所述另一叉指式换能器之间的表面区域的比例恒定。

13、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案和所述第二图案分别包括具有多个梳状电极的多个台阶。

14、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案和所述第二图案分别包括具有多个实心电极的多个台阶。

15、如权利要求9所述的表面声波器件，其中，所述第三图案包括具有一梳状电极和一实心电极中的至少一个的台阶。

16、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案和所述第二图案分别被布置得具有连续的直线斜面。

17、如权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一图案和所述第二图案分别被布置得具有连续的曲形斜面。

18、如权利要求15所述的表面声波器件，其中，所述斜面在表面声波的传播方向上的倾斜长度等于nλ，其中n为一自然数。