CN1603114B - 用于喷墨打印的基板及其制造方法 - Google Patents

用于喷墨打印的基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1603114B
CN1603114B CN2004100921239A CN200410092123A CN1603114B CN 1603114 B CN1603114 B CN 1603114B CN 2004100921239 A CN2004100921239 A CN 2004100921239A CN 200410092123 A CN200410092123 A CN 200410092123A CN 1603114 B CN1603114 B CN 1603114B
Authority
CN
China
Prior art keywords
discontinuous
substrate
photoresist layer
organic structure
layer structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2004100921239A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1603114A (zh
Inventor
A·尤里格
M·雷德克
M·沙迪格
T·施拉德
W·亨布斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE10343351.1A external-priority patent/DE10343351B4/de
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of CN1603114A publication Critical patent/CN1603114A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1603114B publication Critical patent/CN1603114B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/50—Recording sheets characterised by the coating used to improve ink, dye or pigment receptivity, e.g. for ink-jet or thermal dye transfer recording
    • B41M5/502—Recording sheets characterised by the coating used to improve ink, dye or pigment receptivity, e.g. for ink-jet or thermal dye transfer recording characterised by structural details, e.g. multilayer materials
    • B41M5/506—Intermediate layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/50—Recording sheets characterised by the coating used to improve ink, dye or pigment receptivity, e.g. for ink-jet or thermal dye transfer recording
    • B41M5/52—Macromolecular coatings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于喷墨打印的基板，该基板包括基础基板上的光致抗蚀剂层结构，还提供一种该基板的制造方法。该基板具有高表面张力变化和轻微的厚度变化，且制造成本低。该基板包括由氟化烃或聚硅氧烷制成的位于光致抗蚀剂层结构之上的不连续的有机层结构。

Description

用于喷墨打印的基板及其制造方法
本发明要求享有2003年9月12日提交的德国专利申请No.10343351.1和2004年1月6日提交的韩国专利申请No.2004-521的权益，特引用这两份申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及用于喷墨打印的基板及其制造方法。
技术背景
喷墨打印是采用发光半导体聚合物(LEPs)生产全色显示器的最重要的形成工艺之一。该工艺需要将相应聚合物溶液的小滴沉积在合适的基板上。但该喷墨打印工艺也可以用于在基板上沉积滤色片或DNA检测器。
上述应用需要将目标物质，诸如墨水，精确放置在基板的激活表面上。喷墨打印技术满足了这种需求。将活性物质溶解在辅助物质中，以制备墨水，再利用压电或“热气泡”喷墨技术将墨水的小滴沉积在基板上。通过包括使喷墨头相对基板准确定位等的多种技术，可使墨滴精确定位在基板上。辅助物质蒸发后，活性物质的薄膜会形成在基板上。
发生在打印过程中的通常失误是活性物质的墨滴跑到基板表面的相邻位置。在采用有机发光二极管(OLED)的显示器中，红、绿、蓝发光区挨着设置，上述跑偏的墨滴会混淆发光区中的发光材料的三种颜色。
OLED显示设备已经公知20多年了。它分为大分子量聚合物基的OLEDs(PLEDs)和小分子量的OLEDs(SM-OLEDs)。WO00/76008A1(CDT)描述了PLED显示设备的基本结构。美国专利US4539507和4885211(Eastman-Kodak)描述了SM-OLED的主要结构，其中将ALQ3(3-(5-氯-8-羟基-喹啉)-铝)用作发光和电子传输材料。
OLED显示设备是场致发光的显示设备。该设备中，通过适当的触点，电子和空穴被注入半导体材料层中，通过电荷载体的重组而产生光。
压电喷墨打印技术主要用于制造基于聚合物OLEDs的全色显示器。此时，包含活性物质的溶液的小滴(空穴传输体或发光材料)沉积在适当基板的作用面上。最近用于手机的高分辨率显示器用的作用面(单一像点)的尺寸约为40μm×180μm。
现有喷墨头产生的墨滴直径为30μm。因此，墨滴的直径决定了像点的大小。为了避免墨滴的溢出，可采用下述方法之一形成基板表面。
第一个方法在生产基板表面时，各区域的表面张力(能量)不同，对施加的墨水具有不同的覆盖特性。第二个方法采用几何(机械)的阻挡部以避免墨滴溢出。
EP0989778A1(Seiko-Epson)公开了一种办法。在基板表面上使用一种可导致不同表面张力的材料。由于具有低表面能量的区域形成阻挡部，因此打印的墨水会进入高表面能量的区域。为了获得厚度均匀的薄膜，OLEDs的周边区域通常具有较高的表面能量。该薄膜与周边区域是均质的，但活性区域到阻挡部的出口区域附近却薄得多。通过很多方式可获得表面能量的所需差别。
EP0989778A1(Seiko Epson)描述了一种两层表面结构，其中上层具有较小的表面张力，下层具有较大的表面张力。可通过等离子表面处理来改变表面张力。下层通常主要由无机材料，诸如氧化硅或氮化硅制成。
此时，无机层对应于具有较大表面张力的周边区域，使其在喷墨打印过程中，易于沉积均质的聚合物膜。
可采用普通的半导体制造方法，诸如溅镀、等离子增强化学气相沉积等对这样的层状结构进行沉积和布线。上述蒸发处理需要长脉冲持续，且成本高昂，可通过OLED技术降低成本。上述第二层包含一个特殊技术，包括例如，多个分隔物从基板表面伸出一定高度且具有低表面张力。因此，沉积在第二层上的聚合物膜从分隔物到周边区域的厚度发生不希望有的增加，使其可能到达像点。
EP0989778的另一个缺点在于带有用于避免溢出的墨腔。但形成墨腔耗费时间且更复杂，这是因为需要进行额外的处理。
JP09203803公开了基板表面的一种化学处理，它用光致抗蚀剂进行前处理。该光致抗蚀剂通过掩膜进行曝光，并显影。在该结构中，向比未施加光致抗蚀剂的区域的表面张力小的区域施加光致抗蚀剂。该光致抗蚀剂结构在边缘区域具有平均表面张力，基板的表面张力没有突变。但是，不能自由、选择性地改变该边缘区域的表面张力和几何形状，且其空间分散力低。而且，只能用一种特定的光致抗蚀剂。所以，使用其它材料无法改变表面张力，这限制了适应性。最终，化学处理大大增加了全部制造时间。
JP09230129公开了一种两阶段表面处理方法，包括形成低表面张力的整个基板表面，用短波长的光对表面的一个区域进行选择性曝光，以增加曝光区域的表面张力。但是，该方法会限制表面张力的变化，而且费时的曝光处理也不适于大批量生产。
如上所述，可形成几何(机械)的阻挡层来避免墨滴溢出。US6388377B1公开了一种位于两个相邻像点之间的光致抗蚀剂的条状结构。每个光致抗蚀剂条的高度大于2μm，用作避免墨滴溢出的物理阻挡层。EP0996314A1描述了上述光致抗蚀剂结构的形成。两个光致抗蚀剂结构(称为“堤坝”)相互平行设置，形成通道，发出红、绿、蓝光的像点插入其间。将合适的墨水打印在通道中，形成像点层，该光致抗蚀剂结构可防止墨滴溢出进入像点，该像点位于通道的外边。该堤坝的高度大于0.5x(像点的宽度/一个墨滴的直径)，大于采用喷墨打印技术沉积而成的活性材料膜的厚度。可通过形成圆形、椭圆形或三角形凹口，精细地形成堤坝，以便形成避免溢出的腔室。但是，该高度的堤坝会对后续的金属沉积处理造成负面影响。可由金属采用热蒸发或溅射方式形成OLED结构元件的阴极。由于光致抗蚀剂结构的形状和高度，在“堤坝”的侧壁上沉积形成不连续的金属膜或较薄的金属膜，由此导致电阻增大，这需要更多的输入能量。
发明概述
本发明提供一种表面张力变化大、厚度变化小的基板，该基板的制造成本低于传统基板。
本发明还提供一种基板，其一个表面仅由有机材料构成。
本发明的其它特征将在后面描述，可部分地通过说明书了解，也可通过实施本发明来掌握。
本发明提供一种用于喷墨打印的基板，包括基础基板、形成在基础基板的一个表面上的不连续的光致抗蚀剂层结构、形成在部分光致抗蚀剂层结构上的不连续的有机层结构。该不连续的有机层结构的表面张力低于上述不连续的光致抗蚀剂层结构。
本发明还提供一种用于喷墨打印的基板，包括基础基板、形成在基础基板上且由氧化铟锡制成的中间层、形成在部分基础基板和部分中间层上的不连续的光致抗蚀剂层结构、形成在部分光致抗蚀剂层结构上的不连续的有机层结构。该不连续的光致抗蚀剂层结构的表面张力的范围从大约50mN/m至大约100mN/m。该不连续的有机层结构的表面张力的范围从大约10mN/m至大约40mN/m。该中间层的表面张力的范围从大约50mN/m至大约100mN/m。
本发明还提供一种场致发光显示设备，包括基础基板、形成在基础基板的一个表面上的不连续的光致抗蚀剂层结构、形成在部分光致抗蚀剂层结构上的不连续的有机层结构。该不连续的有机层结构的表面张力低于上述不连续的光致抗蚀剂层结构。
本发明还提供一种用于喷墨打印的基板的制造方法，包括在一个基础基板的一个表面上形成第一不连续的光致抗蚀剂层结构；在至少部分第一不连续的光致抗蚀剂层结构上形成不连续的有机层结构。
本发明还提供一种用于喷墨打印的基板的制造方法，包括在一个基础基板的一个表面上形成第一不连续的光致抗蚀剂层结构；采用掩模在至少部分第一不连续的光致抗蚀剂层结构上形成不连续的有机层结构。采用化学气相沉积或热沉积来形成该不连续的有机层结构。
应当理解，前面的概括描述和后面的详细描述用于举例和解释，并试图进一步解释本发明。
附图简述
附图用于进一步理解本发明，并入本文并构成说明书的一部分，示出发明的实施例，与所作的描述一起用于解释发明的原理。
图1是本发明一个实施例所述基板的平面图，该基板包括氧化锡铟(ITO)层结构和光致抗蚀剂层结构。
图2是沿图1的A-A线所作的基板的剖视图。
图3是图1基板的平面图，在基板上设有掩模。
图4是沿图3的B-B线所作的基板的剖视图，基板上设有掩模。
图5是本发明另一实施例的基板的平面图，该基板包括ITO层结构、光致抗蚀剂层结构、及特弗隆层。
图6是沿图5的C-C线所作的基板的剖视图。
图7是本发明另一实施例的基板的平面图，该基板还包括第二光致抗蚀剂层结构。
图8是沿图7的D-D线所作的基板的剖视图。
图9是图7的基板的平面图，在该基板上进一步沉积特弗隆层。
图10是沿图9的E-E线所作的基板的剖视图。
图11是本发明另一实施例的基板的平面图。
图12是基板的平面图，与图1的基板相比，该基板还包括连续的特弗隆层。
图13是沿图12的F-F线所作的基板的剖视图，激光束照射在该基板上，以除去特弗隆层。
发明详述
参照图1，图1是基础基板1的平面图，该基础基板1厚1.1mm，由硼硅玻璃制成，由适合于空穴注入的材料制成的中间层结构2处于基础基板1的一个表面上。中间层结构2厚100nm，由氧化锡铟(ITO)或类似物制成。该ITO层结构2形成70μm宽的平行条纹，相隔10μm。说明书中使用的术语“层结构”、“ITO层结构”、“光致抗蚀剂层结构”是指用掩模通过激光烧蚀或其它类似方法形成的不连续的层的布局图样。一个厚0.3μm的光致抗蚀剂层结构3形成在基础基板1上。该光致抗蚀剂层结构3可由光致抗蚀剂JSR PC302利用诸如涂布等标准技术形成，可利用诸如曝光、显影处理等标准技术形成，使得形成显示器的像点(作用面或像素)的没有光致抗蚀剂的表面形成在ITO层结构2上。每个没有光致抗蚀剂的表面的尺寸约为50×200μm，且与相邻的没有光致抗蚀剂的表面相隔约100μm。对光致抗蚀剂进行显影，从而不会形成尖锐边缘。如图2所示，所形成的光致抗蚀剂层结构3，其相对于ITO层结构2倾斜大约20度。此后，将C3F8气体供入微波等离子设备，利用蒸发(气相)沉积，形成聚四氟乙烯(特弗隆)。也可以在蒸发沉积过程中使用C3F6气体、C2F4气体或其它类似气体。如图4、图9、图12所示，以200Pa的内腔压力，用微波等离子以200W的功率对基板进行60秒的处理，从而在基板上沉积厚100nm的特弗隆层结构5。
除了诸如聚四氟乙烯(特弗隆)等氟化烃以外，也可以利用六甲基二硅氧烷、丙烯酸衍生的硅氧烷、或乙烯基衍生的硅氧烷来沉积聚硅氧烷化合物或聚硅氧烷。
如图3和图4所示，可用掩模4在特弗隆层结构5中形成布局图样。可用厚500μm的金属箔制成掩模4，利用激光烧蚀或化学腐蚀形成金属箔的布局图样，从而不在ITO层结构2上形成特弗隆层结构5。在沉积特弗隆层结构5之前，可通过适当的设备将掩模放置在基础基板1上。图5和图6示出了本发明实施例所述的利用掩模4形成特弗隆层结构5之后的基板。如图5和图6所示，条状的特弗隆层结构5部分覆盖光致抗蚀剂层结构3，从而，可避免在喷墨打印过程中，墨滴溢出进入相邻的像素。
下面参照图7、8、9、10，描述采用发射工艺形成特弗隆层结构5的方法。
如图7、8所示，覆盖了未形成特弗隆层结构5的区域的第二光致抗蚀剂层结构6形成在图1的基板上。如图8所示，该第二光致抗蚀剂层结构6带有突出的边缘。由于该结构，如图9所示，在后续工艺中可采用化学气相沉积形成不连续的特弗隆层结构5。由光致抗蚀剂JEM750制成的该第二光致抗蚀剂层结构6可采用诸如四氢呋喃等溶剂显影，以便与形成在其上的特弗隆层结构5一起被除去，从而形成本发明一个实施例所述的、图10、11所示的基板。形成特弗隆层结构5之后，该溶剂可供入第二光致抗蚀剂层结构6中的缝隙。由于该第二光致抗蚀剂层结构6的突出边缘，不连续形成的该特弗隆层结构5使得溶剂易于渗入基板结构。
也可以采用激光烧蚀来形成该特弗隆层结构5。此时，如图1(见图12)所示地在基板上沉积连续的特弗隆层之后，如图13所示，波长248nm的eximer激光7(KrF-气)照射特弗隆层的预定区域，除去照射区域的特弗隆层，而不会影响下面的层。
如上所述，本发明实施例的适于喷墨打印的基板可如下述方式制造：在基础基板1上形成ITO层结构2、光致抗蚀剂层结构3和特弗隆层结构5。用掩模4和第二光致抗蚀剂层结构6通过发射工艺或激光烧蚀，形成特弗隆层结构5之后，将空穴传输层和/或发光层涂布在活性区域，即ITO层结构2上。该空穴传输层可由聚乙烯二氯二氧化噻吩-聚苯乙烯砜酸制成。发光层可由聚亚苯基乙烯撑或聚氟化物制成。
本发明实施例的基板可用于带有下层TFT层的无源和有源的矩阵型有机场致发光显示器。也可在本发明实施例的基板上沉积DNA传感器或滤色片。
如上所述，本发明实施例的基板由有机材料制成，表面张力变化大，而厚度变化小。由氟化烃或聚硅氧烷(聚硅氧烷化合物)制成的不连续层结构(布局图样)排布在位于基板表面的不连续的光致抗蚀剂层结构(布局图样)上。可将聚四氯乙烯(特弗隆)用作氟化烃。从而，本发明实施例的基板可由用玻璃、合成材料或硅制成的基础基板、及排布在基础基板上的两层结构组成。基础基板上的层结构之一的光致抗蚀剂层结构限定了曝光表面区域，该区域例如对应于OLED的氧化铟锡阳极。此时，该曝光表面区域指未被光致抗蚀剂层结构覆盖的基板上的活性区域。该光致抗蚀剂层结构还保护下面的电路，诸如薄膜晶体管。两层结构之二可由氟化烃或聚硅氧烷制成，其表面张力小于光致抗蚀剂层结构。这种层结构中，只有活性区域的边界区域由氟化烃或聚硅氧烷组成。由于包围活性区域的该区域的表面张力低，因此可避免根据喷墨打印方法所排出的墨滴溢出。墨水可以是含有例如OLED显示器中所用的聚合物的溶液。然而，利用喷墨打印工艺制造OLED显示器时可采用，但不限于，本发明实施例的基板。可采用喷墨打印工艺在本发明实施例的基板上沉积形成DNA传感器或滤色片。
由氟化烃或聚硅氧烷组成的层结构可全部或部分覆盖下面的光致抗蚀剂层结构，当其正好位于两个相邻活性区域(像素)之间时，可避免墨滴溢出。
包括基础基板、光致抗蚀剂层结构、及氟化烃或聚硅氧烷层结构的上述本发明实施例的基板具有本质的表面张力变化。例如，光致抗蚀剂层结构和由氧化铟锡制成的活性表面的表面张力范围从大约50mN/m至大约100mN/m。由氟化烃或聚硅氧烷组成的层结构的表面张力范围从大约10mN/m至大约40mN/m。因此，光致抗蚀剂层结构与不连续的有机层结构之间的表面张力变化的范围从大约10mN/m至大约90mN/m。从而，无需诸如使用等离子等额外的处理，即可获得充分的表面张力变化。
本发明的另一个优点在于制造OLEDs过程中使用的表面处理技术，例如用于清洁氧化铟锡(ITO)层的UV一臭氧处理，可应用于基板，而不会负面地影响其表面张力变化。
本发明的一个实施例中，可进行氧等离子处理，以选择性地增强活性区域
(像素)例如ITO层的表面张力，而不增加阻挡层的表面张力，从而在基板中形成更大的表面张力变化。该阻挡层指由氟化烃或聚硅氧烷构成的不连续的有机层。
根据本发明实施例，在用于喷墨打印的基板的制造方法中，在基础基板上沉积至少一个光致抗蚀剂层结构。接着，在其上形成氟化烃或聚硅氧烷的不连续层。适当的光致抗蚀剂包括任何市场出售的光致抗蚀剂，诸如酚醛清漆、丙烯酸漆、环氧树脂漆、聚酰亚胺漆及其它类似物。可采用标准技术沉积该光致抗蚀剂层，诸如喷漆及曝光、显影处理。
例如，可通过化学气相沉积采用C3F8，或通过热沉积采用聚四氟乙烯，沉积由氟化烃或聚硅氧烷构成的阻挡层。
可采用掩模通过激光烧蚀或发射处理使如上所述沉积的阻挡层形成图样。
本发明实施例的基板的另一个优点在于，采用有机溶液或水溶液或悬浮液，通过喷墨打印形成的厚度变化适于限定活性区域，该区域的表面张力分别为30N/m和70N/m。具有低表面张力且由特弗隆制成的该阻挡层不能用上述两种溶液涂布，但是具有高表面张力的ITO或光致抗蚀剂层则可用上述两种溶液涂布，从而形成局部涂布的、可防止墨滴溢出的几何层。
本发明实施例的基板的另一个优点在于，可以是特弗隆层的阻挡层可有效地排斥墨滴，形成相当小的厚度，例如100nm或更小。该薄的阻挡层还在金属层，例如后续形成的OLED阴极层上形成小阴影效应。通过形成比阻挡层结构和光致抗蚀剂层结构厚得多的金属层，完全覆盖基板的边缘。因此，无需象传统基板那样，在边缘或“堤坝”区域形成不均匀的金属层并增大该不均匀金属层的电阻，从而降低了活性矩阵型OLED的输入功率，并确保高操作稳定性。
本发明实施例的基板的另一个优点在于，可以是特弗隆层的阻挡层的宽为5μm或更小。因此，与堤坝宽度超过10μm的传统结构相比，可减小两个相邻像素之间的缝隙，这可在基板上形成更高分辨率的大屏幕显示器。而且，较小宽度可令顶部发光型显示器具有更大的屏幕高宽比，该比率是发光区域与整个像素区域之比。
此外，通过喷墨打印限定的活性区域厚度更均匀。在各层的边缘区域，具有表面张力变化的各层的厚度均匀性受到干燥现象的影响。由于阻挡层宽度小，因此阻挡层与活性表面(即ITO)的较大间距不会降低屏幕的分辨率。
最后，可仅采用有机材料和简单的技术来沉积上述各层并使其形成图样。例如，无需诸如飞溅装置或等离子腐蚀装置等复杂设备，这降低了制造成本。
本领域的技术人员将会明白，在不脱离本发明的宗旨和范围的前提下，可对本发明进行各种变化和变形。本发明覆盖了附随的权利要求范围内的各种变化和变形及其等同形式。

Claims (27)

1.一种用于喷墨打印的基板，包括：
基础基板；
形成在基础基板的一个表面上的不连续的光致抗蚀剂层结构；和
形成在部分光致抗蚀剂层结构上的不连续的有机层结构，
其中，不连续的有机层结构的表面张力低于上述不连续的光致抗蚀剂层结构，且
所述不连续的有机层结构由氟化烃或聚硅氧烷制成。
2.一种如权利要求1所述的基板，其中，不连续的有机层结构覆盖光致抗蚀剂层结构。
3.一种如权利要求1所述的基板，其中，不连续的光致抗蚀剂层结构与不连续的有机层结构之间的表面张力变化的范围从10mN/m至90mN/m。
4.一种如权利要求3所述的基板，其中，不连续的光致抗蚀剂层结构的表面张力的范围从50mN/m至100mN/m。
5.一种如权利要求3所述的基板，其中，不连续的有机层结构的表面张力的范围从10mN/m至40mN/m。
6.一种如权利要求1所述的基板，其中，还包括形成在基础基板上的中间层。
7.一种如权利要求6所述的基板，其中，该中间层由氧化铟锡制成。
8.一种如权利要求6所述的基板，其中，中间层的表面张力的范围从50mN/m至100mN/m。
9.一种用于喷墨打印的基板，包括：
基础基板；
形成在基础基板上且由氧化铟锡制成的中间层；
形成在部分基础基板和部分中间层上的不连续的光致抗蚀剂层结构；和
形成在部分光致抗蚀剂层结构上的不连续的有机层结构，
其中，不连续的有机层结构的表面张力低于上述不连续的光致抗蚀剂层结构，且
上述不连续的有机层结构由氟化烃或聚硅氧烷制成。
10.一种如权利要求9所述的基板，其中，该氟化烃是聚四氟乙烯。
11.一种如权利要求9所述的基板，其中，该基础基板由玻璃、硅或合成材料中的至少一种制成。
12.一种如权利要求9所述的基板，其中，不连续的光致抗蚀剂层结构由酚醛清漆、丙烯酸漆、环氧树脂漆、聚酰亚胺漆中的至少一种制成。
13.一种如权利要求9所述的基板，其中，不连续的光致抗蚀剂层结构的自由面形成基板的活性表面。
14.一种如权利要求13所述的基板，其中，基板的活性表面的大小约为50μm×200μm，且与相邻的活性表面间隔约100μm。
15.一种场致发光显示设备，包括：
基础基板；
形成在基础基板的一个表面上的不连续的光致抗蚀剂层结构；和
形成在部分光致抗蚀剂层结构上的不连续的有机层结构，
其中，不连续的有机层结构的表面张力低于上述不连续的光致抗蚀剂层结构，且
所述不连续的有机层结构由氟化烃或聚硅氧烷制成。
16.一种用于喷墨打印的基板的制造方法，包括：
在一个基础基板的一个表面上形成第一不连续的光致抗蚀剂层结构；和
在至少部分第一不连续的光致抗蚀剂层结构上形成不连续的有机层结构，
其中，不连续的有机层结构的表面张力低于上述不连续的光致抗蚀剂层结构，且
所述不连续的有机层结构由氟化烃或聚硅氧烷制成。
17.一种如权利要求16所述的方法，其中，采用化学气相沉积形成该不连续的有机层结构。
18.一种如权利要求17所述的方法，其中，通过沉积氟化烃形成该不连续的有机层结构。
19.一种如权利要求18所述的方法，其中，该氟化烃是聚四氟乙烯，并且所述化学气相沉积在包含反应气体C3F8，C3F6，C2F4中的至少一种的气氛中进行。
20.一种如权利要求17所述的方法，其中，采用从下述组中选出的至少一种聚硅氧烷来形成该不连续的有机层结构，该组为六甲基二硅氧烷、丙烯酸衍生的硅氧烷或乙烯基衍生的硅氧烷。
21.一种如权利要求16所述的方法，其中，采用热沉积来形成该不连续的有机层结构。
22.一种如权利要求16所述的方法，其中，采用掩模在至少部分第一不连续的光致抗蚀剂层结构上形成不连续的有机层结构，其中，采用化学气相沉积或热沉积来形成该不连续的有机层结构。
23.一种如权利要求22所述的方法，其中，采用化学气相沉积来形成该不连续的有机层结构，通过沉积聚四氟乙烯来形成该不连续的有机层结构，并且所述化学气相沉积在包含反应气体C3F8，C3F6，C2F4中的至少一种的气氛中进行。
24.一种如权利要求22所述的方法，其中，采用化学气相沉积来形成该不连续的有机层结构，并采用从下述组中选出的至少一种聚硅氧烷来形成该不连续的有机层结构，该组为六甲基二硅氧烷、丙烯酸衍生的硅氧烷或乙烯基衍生的硅氧烷。
25.一种如权利要求23所述的方法，其中，还包括在形成该不连续的有机层结构之后，采用激光烧蚀除去至少部分该不连续的有机层结构。
26.一种如权利要求23所述的方法，其中，还包括：
在形成该不连续的有机层结构之前，在第一不连续的光致抗蚀剂层结构的间隙中，形成带有突出边缘的第二不连续的光致抗蚀剂层结构；
在形成不连续的有机层结构之后，将一种溶剂供入第二不连续的光致抗蚀剂层结构中的缝隙；和
与在其上形成的不连续的有机层结构一起，除去该第二不连续的光致抗蚀剂层结构。
27.一种如权利要求22所述的方法，其中，还包括采用氧等离子处理该基础基板的表面。
CN2004100921239A 2003-09-12 2004-09-10 用于喷墨打印的基板及其制造方法 Active CN1603114B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10343351.1 2003-09-12
DE10343351.1A DE10343351B4 (de) 2003-09-12 2003-09-12 Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung
KR521/04 2004-01-06
KR1020040000521A KR100580560B1 (ko) 2003-09-12 2004-01-06 잉크젯 프린트용 기판 및 이의 제조 방법
KR521/2004 2004-01-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1603114A CN1603114A (zh) 2005-04-06
CN1603114B true CN1603114B (zh) 2010-06-16

Family

ID=34276556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004100921239A Active CN1603114B (zh) 2003-09-12 2004-09-10 用于喷墨打印的基板及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7833612B2 (zh)
JP (1) JP4313274B2 (zh)
CN (1) CN1603114B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060066235A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Brody Thomas P Receptacles for inkjet deposited PLED/OLED devices and method of making the same
JP4812627B2 (ja) * 2004-10-28 2011-11-09 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネセンスパネル及びその製造方法、並びに、カラーフィルタ基板及びその製造方法
JP4622955B2 (ja) * 2005-08-25 2011-02-02 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法、カラーフィルタ基板、表示装置
US20070105393A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-10 Hsi-Ming Cheng Method for forming patterns and thin film transistors
TWI266083B (en) * 2006-01-13 2006-11-11 Icf Technology Co Ltd Color filter partition walls and method for manufacturing the same, color filter and method for making the same
TW201001624A (en) * 2008-01-24 2010-01-01 Soligie Inc Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same
KR101431466B1 (ko) * 2008-07-30 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자의 제조 방법
KR100971751B1 (ko) * 2008-10-23 2010-07-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US8906752B2 (en) 2011-09-16 2014-12-09 Kateeva, Inc. Polythiophene-containing ink compositions for inkjet printing
FR2990055B1 (fr) 2012-04-30 2014-12-26 Total Sa Matrice de depot d'au moins un fluide conducteur sur un substrat, ainsi que dispositif comprenant cette matrice et procede de depot
WO2015065499A2 (en) * 2013-10-31 2015-05-07 Kateeva, Inc Polythiophene-containing ink compositions for inkjet printing
CN107771358A (zh) 2015-06-12 2018-03-06 默克专利有限公司 具有含氟聚合物台架结构的有机电子器件
US20170358445A1 (en) 2016-06-13 2017-12-14 Gvd Corporation Methods for plasma depositing polymers comprising cyclic siloxanes and related compositions and articles
US11679412B2 (en) 2016-06-13 2023-06-20 Gvd Corporation Methods for plasma depositing polymers comprising cyclic siloxanes and related compositions and articles
EP3363643A1 (en) * 2017-02-16 2018-08-22 HP Scitex Ltd Substrate coating
KR102137774B1 (ko) * 2018-12-27 2020-07-24 부산대학교 산학협력단 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
CN112973592B (zh) * 2019-12-16 2022-12-09 天津大学 一种基于阵列式喷墨打印的高通量dna合成装置与方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476988B1 (en) * 1998-03-18 2002-11-05 Seiko Epson Corporation Thin film forming method, display, and color filter

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539507A (en) * 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
JPS62177559A (ja) 1986-01-31 1987-08-04 Fuji Photo Film Co Ltd 湿し水不要感光性平版印刷版
US4885211A (en) * 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5017459A (en) * 1989-04-26 1991-05-21 Eastman Kodak Company Lift-off process
JPH05241012A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Toray Ind Inc 液晶表示用カラ−フィルタの製造方法
JPH09203803A (ja) 1996-01-25 1997-08-05 Asahi Glass Co Ltd カラーフィルタの製造方法及びそれを用いた液晶表示素子
JPH09230129A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Asahi Glass Co Ltd カラーフィルタの製造方法及びそれを用いた液晶表示素子
JP3633229B2 (ja) * 1997-09-01 2005-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法および多色表示装置の製造方法
TW420964B (en) 1998-02-25 2001-02-01 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence display substrate, method of manufacturing it and organic electroluminescent display element
JP3601716B2 (ja) 1998-03-17 2004-12-15 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法
KR100660384B1 (ko) 1998-03-17 2006-12-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시장치의 제조방법
JP3673399B2 (ja) * 1998-06-03 2005-07-20 クラリアント インターナショナル リミテッド 反射防止コーティング用組成物
JP2000323276A (ja) 1999-05-14 2000-11-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物
WO2001007941A1 (fr) 1999-07-28 2001-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de fabrication d'un filtre colore, filtre colore et dispositif a cristaux liquides
ATE324603T1 (de) 2000-06-02 2006-05-15 Canon Kk Herstellungsverfahren für ein optisches element
KR100403714B1 (ko) 2000-06-10 2003-11-01 씨씨알 주식회사 웹문서 레이아웃 이미지 및 웹사이트 구조를 제공하여인터넷 검색을 용이하게 할 수 있는 시스템 및 방법
US6980272B1 (en) * 2000-11-21 2005-12-27 Sarnoff Corporation Electrode structure which supports self alignment of liquid deposition of materials
SG148030A1 (en) * 2000-12-28 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
JP4802422B2 (ja) 2001-08-31 2011-10-26 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
DE10236404B4 (de) 2002-08-02 2008-01-10 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung eines Substrates
US7122482B2 (en) * 2003-10-27 2006-10-17 Molecular Imprints, Inc. Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476988B1 (en) * 1998-03-18 2002-11-05 Seiko Epson Corporation Thin film forming method, display, and color filter

Also Published As

Publication number Publication date
US7833612B2 (en) 2010-11-16
JP2005100982A (ja) 2005-04-14
JP4313274B2 (ja) 2009-08-12
US20050058785A1 (en) 2005-03-17
CN1603114A (zh) 2005-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1603114B (zh) 用于喷墨打印的基板及其制造方法
US10811476B2 (en) Pixel definition layer, manufacturing method thereof, display substrate and display device
KR102202520B1 (ko) 다중 노즐 유기 증기 제트 프린팅
US7122957B2 (en) Organic electroluminescent device and a method of manufacturing thereof
EP1093156B1 (en) Thin film forming apparatus
US7503823B2 (en) Method of producing an organic EL light-emitting device
EP1209744B1 (en) Manufacturing method for an organic electroluminescent device
JP4048687B2 (ja) 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
WO2019205752A1 (zh) Oled器件
KR20030095955A (ko) 유기 전자발광 디바이스 및 그 제조 방법
CN109830513B (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示面板
CN101989648B (zh) 发光装置的制造方法
CN106941112A (zh) 像素界定层及其制造方法、显示基板
KR20070079569A (ko) 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 노광 장치, 및 전자기기
CN106935735B (zh) 显示基板的制作方法、显示基板和显示装置
US20050282308A1 (en) Organic electroluminescent display device and method of producing the same
JP2007018994A (ja) パターニング方法、成膜方法、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、エレクトロルミネッセンス素子および電界発光表示装置
JP2002252083A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器
US20060113897A1 (en) Light-emitting material, organic electroluminescent apparatus, and method of manufacturing the same
JP2006202510A (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法
WO2006046673A1 (ja) 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法
JP2005203215A (ja) 有機ｅｌ素子
US20020164415A1 (en) Electroluminescent Device
KR100580560B1 (ko) 잉크젯 프린트용 기판 및 이의 제조 방법
Cho et al. P‐73: High‐Resolution Color Patterning of an OLED Device via Capillary‐Induced Ink Filling and a Sublimation Transfer Process

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090116

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD.

Effective date: 20090116

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121116

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121116

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon

Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.