CN1574369A - 固体摄像器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的是提供水平传送CCD的高传送效率和垂直传送CCD的充足耐压同时实现的固体摄像器件及其制造方法。本发明的固体摄像器件具有：半导体衬底(110)、构成2层重叠多晶硅电极的第1层多晶硅电极(120)、第2层多晶硅电极(130)、形成在半导体衬底(110)的表面部分且成为信号电荷传送通路的埋入沟道区(140)、及蓄积光电转换过的信号电荷的光电二极管布置成二维状态的光电二极管区(150)；水平传送CCD的电极间距离(c)比垂直传送CCD的电极间距离(a)短。
Description
技术领域
本发明涉及固体摄像器件及其制造方法
背景技术
近年来，在构成摄像机(或照相机)、特别是数字静态照相机的摄像器件的固体摄像器件中，主要使用CCD(电荷耦合器件)型固体摄像器件，为了更加提高性能，即提高画质、提高能使用的时间、提高连拍速度性、减轻重量等，要求固体摄像器件增加像素、降低消耗功率、高速化、小型化。
为了满足这些要求，存在几个问题。特别是在想要制作具有高CCD传送效率的多像素固体摄像器件的情况下，存在以下问题。由于像素数量的增大导致传送段数的增加、即传送效率劣化，所以为了提高CCD的传送效率就需要缩短传送电极间距离。再有，在水平传送CCD的传送电极上，只施加用于提高驱动频率、降低消耗功率的低的驱动电压，难以提高传送效率，所以，为了提高水平传送CCD的传送效率，也需要缩短传送电极间距离。但是，由于传送电极间距离设计得等于通常由光刻的限度来决定的最小尺寸，所以不能使传送电极间距离短于由光刻的限度决定的最小尺寸，来提高CCD的传送效率。
作为用于解决上述问题的在先例子，有“固体摄像器件”(参照专利文献1)。根据该文献，通过将传送电极制成2层重叠(overlap)多晶硅结构，来缩短传送电极间距离，提高CCD的传送效率。
图1是表示现有固体摄像器件的传送电极配置的概要俯视图。
如图1所示，现有的固体摄像器件包括：半导体衬底310、构成2层重叠多晶硅电极的第1层多晶硅电极320、第2层多晶硅电极330、在半导体衬底310的表面部分形成且成为信号电荷的传送通路的埋入沟道区340、以及对光电转换后的信号电荷进行蓄积的光电二极管布置成二维状态的光电二极管区350。而且，垂直传送CCD的传送电极间距离为d，水平传送CCD的传送电极间距离为e。另外，水平传送CCD是通过施加两个不同的电压电平H1、H2进行信号电荷的传送的两相驱动CCD，垂直传送CCD是通过施加四个不同的电压电平V1、V2、V3、V4进行信号电荷的传送的四相驱动CCD。
接着，对制作具有如以上所述的传送电极配置的固体摄像器件的工序进行说明。
图2是表示现有固体摄像器件的传送电极配置的概要俯视图和概要俯视图的A-A’线的概要剖面图。而且，与图1相同的要素附带同一符号，这里省略与它们相关的详细说明。
首先，如图2A所示，在半导体衬底310的栅极绝缘膜410上形成第1层多晶硅电极320，将其氧化来形成用于层间绝缘的第1氧化膜420。
接着，如图2B所示，在第1氧化膜420上的相邻的两个第1层多晶硅电极320之间，形成第2层多晶硅电极330。
这样一来，在现有的固体摄像器件中，垂直传送CCD和水平传送CCD的传送电极间距离d、e由第1层多晶硅电极320和第2层多晶硅电极330之间的第1氧化膜420的膜厚决定，所以可以小于由光刻限度决定的最小尺寸。
在此，使用图3说明缩短传送电极间距离时提高CCD的传送效率。
图3是用于对信号电荷的传送进行说明的电势(potential)分布的变化图。而且，图3的电势分布是沿着图2的俯视图的A-A’线的剖面的分布。另外，传送信号电荷时，加在第1层多晶硅电极320a、第2层多晶硅电极330a、第1层多晶硅电极320b、第2层多晶硅电极330b上的电位分别为φV1、φV2、φV3、φV4。
在电位φV1和电位φV2为高电平的时间t1，电势为由第1层多晶硅电极320a、第2层多晶硅电极330a控制的部分深于由第1层多晶硅电极320b、第2层多晶硅电极330b控制的部分，信号电荷蓄积在由第1层多晶硅电极320a、第2层多晶硅电极330a控制的部分。
然后，在电位φV3变为高电平的时间t2，电势为由第1层多晶硅电极320a、第2层多晶硅电极330a、第1层多晶硅电极320b控制的部分深于由第2层多晶硅电极330b控制的部分，信号电荷蓄积在由第1层多晶硅电极320a、第2层多晶硅电极330a、第1层多晶硅电极320b控制的部分。
然后，在电位φV1变为低电平的时间t3，电势为由第2层多晶硅电极330a、第1层多晶硅电极320b控制的部分深于由第1层多晶硅电极320a、第2层多晶硅电极330b控制的部分，信号电荷蓄积在由第2层多晶硅电极330a、第1层多晶硅电极320b控制的部分。因此，信号电荷从由第1层多晶硅电极320a、第2层多晶硅电极330a控制的部分向由第2层多晶硅电极330a、第1层多晶硅电极320b控制的部分传送。这时，在由第1层多晶硅电极320a控制的部分与由第2层多晶硅电极330b控制的部分之间的区域形成电势袋(电势区：potential pocket)，所以电荷注入该电势袋，信号电荷陷落，信号电荷完全未被传送。
在此，传送电极间距离为固定的情况下，电势袋的形成由其两侧电极下的电势之差决定，电势之差由小于固定值时引起。因而，在图3中，施加了电位的各电极下的电势之差变小，所以在施加了电压的传送电极间下形成电势袋，而且，未加电压的各传送电极下的电势之差为零，所以，与未加电压的各传送电极间下也形成电势袋相对，在施加了电位的传送电极下与未加电压的各传送电极下的电势之差变大，所以不形成电势袋。
而且，一般电势袋的大小由传送电极间距离决定，传送电极间距离变得越短，则相互之间的传送电极的电场作用变得越小。
这样一来，在传送信号电荷时，传送电极间下形成电势袋，该电势袋成为信号电荷的传送效率降低的主要原因，所以通过减小电势袋，也就是通过缩短传送电极间距离，可以提高CCD的传送效率。
而且，图3中虽然说明了有关四相驱动CCD，但是一般水平传送CCD中所使用的两相驱动CCD也同样存在上述情形。
但是，在现有的固体摄像器件中，为了使垂直传送CCD不仅具有传送电荷的功能，而且兼有读出来自受光部的电荷的功能，而向传送电极加高的驱动电压，所以，若缩短垂直传送CCD的传送电极间距离d，则不能得到传送电极间的充足耐压。因而，若为了提高传送效率而缩短水平传送CCD的传送电极间距离e，则垂直传送CCD和水平传送CCD通过同一处理过程形成，故垂直传送CCD的传送电极间距离d和水平传送CCD的传送电极间距离e变成相等，垂直传送CCD的传送电极间距离d变短，因此传送电极间的耐压不足。
【专利文献1】
(日本)特开平7-74337号公报(第16页、24图)
发明内容
为了实现上述目的，本发明涉及的固体摄像器件，传送通过对入射光进行光电转换而生成的信号电荷，其特征在于，具备：在半导体衬底上布置成二维状的多个光电转换部、从上述光电转换部接受信号电荷向垂直方向传送的垂直传送CCD、及接受由上述垂直传送CCD传送的信号电荷向水平方向传送的水平传送CCD；上述垂直传送CCD和水平传送CCD的传送电极各自由不少于两层的层结构形成；上述水平传送CCD的传送电极间距离比上述垂直传送CCD的传送电极间距离短。在此，上述垂直传送CCD和水平传送CCD的传送电极也可以各自由两层结构形成。
这样一来，由于垂直传送CCD和水平传送CCD的传送电极各自由不少于两层的层结构形成，垂直传送CCD的传送电极间距离比水平传送CCD的传送电极间距离长，所以，发挥可以实现具备具有高传送效率的水平传送CCD、及具有充足耐压的垂直传送CCD的固体摄像器件的效果。
另外，上述垂直传送CCD和水平传送CCD相邻的部分的传送电极间距离，等于上述水平传送CCD的传送电极间距离。
这样一来，由于可以缩短垂直传送CCD的传送电极和水平传送CCD的传送电极之间的距离，所以可以改善垂直传送CCD的传送电极和水平传送CCD的传送电极之间的信号电荷的传送效率的效果。
另外，在上述垂直传送CCD中传送电极间形成不小于两层的膜，在上述水平传送CCD中传送电极间形成不小于一层的膜；在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜的膜厚的合计，大于在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜的膜厚的合计。这里，也可以在上述垂直传送CCD中传送电极间形成两层的膜，在上述水平传送CCD中传送电极间形成一层的膜。
这样一来，通过对上述垂直传送CCD和水平传送CCD的传送电极间形成的膜的膜厚的合计进行控制，可以使垂直传送CCD的传送电极间距离比水平传送CCD的传送电极间距离长。
另外，也可以在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜的层数的总数，多于在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜的层数的总数；在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜，包含膜厚与在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜相同的膜。
这样一来，在垂直传送CCD的传送电极间，通过控制水平传送CCD的传送电极间的膜的膜厚的合计，发挥可以设定为了得到垂直传送CCD的充足耐压而所需要的传送电极间距离。
本发明的固体摄像器件的制造方法，其特征在于具有以下工序：在半导体衬底上，形成垂直传送CCD和水平传送CCD的第1传送电极的工序；在上述第1传送电极，形成第1氧化膜的工序；选择性除去在上述水平传送CCD的第1传送电极形成的第1氧化膜的工序；在上述垂直传送CCD和水平传送CCD的第1传送电极，形成第2氧化膜的工序；在上述垂直传送CCD和水平传送CCD的第1传送电极间，形成第2传送电极的工序。另外，也可以包括以下工序：在半导体衬底上，形成垂直传送CCD和水平传送CCD的第1传送电极的工序；在上述第1传送电极，形成第1氧化膜的工序；对仅包含上述水平传送CCD的第1传送电极的区域进行开口，形成覆盖其以外部分的抗蚀剂层的工序；选择性除去在上述水平传送CCD的第1传送电极形成的第1氧化膜的工序；在水平传送CCD的第1传送电极间注入离子形成势垒区的工序；除去上述抗蚀剂层的工序；在上述垂直传送CCD和上述水平传送CCD的第1传送电极，形成第2氧化膜的工序；及在上述垂直传送CCD的第1传送电极和水平传送CCD的第1传送电极间，形成第2传送电极的工序；也可以通过湿法刻蚀除去上述第1氧化膜。
这样一来，得到可以通过同一处理过程形成具有高传送效率的水平传送CCD、及具有充足耐压的垂直传送CCD的效果。
附图说明
图1是表示现有的固体摄像器件的传送电极布置的概要俯视图。
图2A是表示现有的固体摄像器件的传送电极布置的概要俯视图和概要俯视图的A-A’线的概要剖面图。
图2B是表示现有的固体摄像器件的传送电极布置的概要俯视图和概要俯视图的A-A’线的概要剖面图。
图3是用于对信号电荷的传送进行说明的电势分布的变化图。
图4是表示本发明实施方式的固体摄像器件的传送电极布置的概要俯视图。
图5A是表示同一固体摄像器件的传送电极布置的概要俯视图和概要剖面图(俯视图的A-A’线的概要剖面图)。
图5B是表示同一固体摄像器件的传送电极布置的概要俯视图和概要剖面图(俯视图的A-A’线的概要剖面图)。
图5C是表示同一固体摄像器件的传送电极布置的概要俯视图和概要剖面图(俯视图的A-A’线的概要剖面图)。
图5D是表示同一固体摄像器件的传送电极布置的概要俯视图和概要剖面图(俯视图的A-A’线的概要剖面图)。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明实施方式的固体摄像器件。
图4是表示本发明的本实施方式的固体摄像器件的传送电极布置的概要俯视图。
本实施方式的固体摄像器件的目的是同时实现水平传送CCD的高传送效率、及垂直传送CCD的充足耐压，其具有：半导体衬底110；构成2层重叠的多晶硅电极的第1层多晶硅电极120；第2层多晶硅电极130；形成在半导体衬底110的表面部分、且成为信号电荷传送通路的埋入沟道区140；蓄积光电转换过的信号电荷的光电二极管布置成二维状态的光电二极管区150。在此，垂直传送CCD的多晶硅电极的电极间距离为a，垂直传送CCD的多晶硅电极与水平传送CCD的多晶硅电极的电极间距离为b，水平传送CCD的多晶硅电极的电极间距离为c。另外，电极间距离a和电极间距离c具有如以下(1)式的关系。而且，水平传送CCD是通过施加2个不同的电压电平H1、H2进行信号电荷传送的两相驱动CCD，垂直传送CCD是通过施加4个不同的电压电平V1、V2、V3、V4进行信号电荷传送的四相驱动CCD。
a＞c …… (1)
在以上构成的固体摄像器件中，垂直传送CCD将从光电二极管区150输出的信号电荷顺序向水平传送CCD传送，水平传送CCD将从垂直传送CCD接受的信号电荷传送至输出部(图外)，从而输出图像信号。
接着，沿着图5所示的概要俯视图和概要剖面图(俯视图的A-A’线的概要剖面图)，对如以上构成的固体摄像器件的传送电极布置的制造工序进行说明。而且，与图4相同的要素附带相同符号，并在此省略其相关的详细说明。
首先，如图5A所示，通过与现有技术相同的方法，在半导体衬底110形成的栅极绝缘膜210上形成第1层多晶硅电极120，对其进行氧化形成用于层间绝缘的第1氧化膜220、230。而且，第1氧化膜220形成在垂直传送CCD的第1层多晶硅电极120上，第1氧化膜230形成在水平传送CCD的第1层多晶硅电极120上。
接着，如图5B所示，仅使水平传送CCD的第1层多晶硅电极120开口，覆盖其以外的部分而在图5B所示的俯视图的斜线部F形成抗蚀剂240。然后，使用氟酸类的水溶液选择性地除去在水平传送CCD的第1层多晶硅电极120上形成的第1氧化膜230，然后，为了形成势垒区，进行向如图5B所示的俯视图的斜线部F’注入硼离子等的离子注入。而且，选择性除去在水平传送CCD的第1层多晶硅电极120上形成的第1氧化膜230是通过使用氟酸类的水溶液的湿法刻蚀进行的。但是，并不限于此，只要能选择性除去在水平传送CCD的第1层多晶硅电极120上形成的第1氧化膜230，也可以使用其它的湿法刻蚀或湿法刻蚀以外的方法，例如也可以使用干法刻蚀。另外，仅对水平传送CCD的第1层多晶硅电极120进行开口，覆盖其以外的部分来形成抗蚀剂240。但是，也可以在水平传送CCD的第1层多晶硅电极120的基础上，还在垂直传送CCD的第1层多晶硅电极120的最后段的局部、即离水平传送CCD最近的垂直传送CCD的第1层多晶硅电极120的一部分进行开口，覆盖其以外的部分来形成抗蚀剂240，从而使电极间距离b和电极间距离c相等。
接着，如图5C所示，再次整体氧化而在第1氧化膜220和水平传送CCD的第1层多晶硅电极120上形成第2氧化膜250。
接着，如图5D所示，在第1层多晶硅电极120之间形成第2层多晶硅电极130。
由以上方法制造的固体摄像器件中，在水平传送CCD的第1层多晶硅电极120上形成的第2氧化膜250的膜厚，薄于在垂直传送CCD的第1层多晶硅电极120上形成的氧化膜的膜厚、即第1氧化膜220和第2氧化膜250总计的膜厚，所以，水平垂直CCD的电极间距离短于垂直传送CCD的电极间距离。
根据如上所述的本实施方式，可以将水平传送CCD的电极间距离设定得短，而且，可以将垂直传送CCD的电极间距离设定得长。因而，本实施方式的固体摄像器件可以实现水平传送CCD的高传送效率和垂直传送CCD的充足耐压同时兼顾的固体摄像器件。也就是说，由于可以使在水平传送CCD的传送电极间下形成的电势袋变小，所以可以在水平传送CCD高速地传送信号电荷。进而，由于用低的驱动电压也可以得到充足的传送效率，所以可以削减消耗功率。
而且，根据本实施方式，不分别独立形成垂直传送CCD和水平传送CCD，也就是可以通过同一处理过程形成。
而且，根据本实施方式，水平传送CCD的电极间距离短。因而，不需要为了增加在水平传送CCD传送的信号电荷的最大量而扩大水平传送CCD的面积，所以，本实施方式的固体摄像器件不扩大水平传送CCD的面积也可以增大处理信号电荷量的饱和阈值。
而且，根据本实施方式，可以使电极间距离b和电极间距离c相等。因而，电极间距离b比电极间距离a短，可以改善垂直传送CCD的多晶硅电极和水平传送CCD的多晶硅电极之间的信号电荷的传送效率，所以，本实施方式的固体摄像器件可以抑制垂直传送CCD的多晶硅电极和水平传送CCD的多晶硅电极之间的FPN(Fixed PatternNoise：固定图形噪声)。
而且，根据本实施方式，垂直传送CCD的电极间距离由将第1氧化膜220和第2氧化膜250合计的膜厚决定，水平传送CCD的电极间距离由第2氧化膜250决定。因而，通过控制各自的氧化的膜厚，可以独立控制本实施方式的垂直传送CCD的电极间距离、垂直传送CCD的电极间距离，所以，本实施方式的CCD型固体摄像器件可以用高的自由度来设定垂直传送CCD、水平传送CCD的电极间距离。
而且，在本实施方式中，多晶硅电极由两层重叠多晶硅结构形成。但是，多晶硅电极也可以由不少于三层的结构形成。
而且，在本实施方式中，水平传送CCD是两相驱动CCD，垂直传送CCD是四相驱动CCD。但是，水平传送CCD也可以是其他驱动方式，例如四相驱动等，垂直传送CCD也可以是其他驱动方式，例如两相驱动等。
而且，在本实施方式中，在第1层多晶硅电极120和第2层多晶硅电极130之间形成的氧化膜，在垂直传送CCD由两层膜形成，在水平传送CCD由一层膜形成。但是，若水平传送CCD的传送电极间距离比垂直传送CCD的电极间距离短则没有限制，也可以在垂直传送CCD，氧化膜由不少于两层的膜形成，在水平传送CCD，氧化膜由不少于一层的膜形成。
如以上说明的那样，根据本发明涉及的固体摄像器件，由于水平传送CCD的电极间距离比垂直传送CCD的电极间距离短，可以最适当地设计两电极间距离，所以，起到可以提高水平传送CCD的高速驱动时的传送效率和降低电压、垂直传送CCD的传送电极和水平传送CCD的传送电极之间的FPN的改善、处理信号电荷量的饱和阈值的增大、同时确保垂直传送CCD的耐压的优良的固体摄像器件及固体摄像器件的制造方法的效果。而且，根据本发明涉及的固体摄像器件及固体摄像器件的制造方法，由于通过同一处理过程形成垂直传送CCD和水平传送CCD，所以起到可以简单地制造高性能的固体摄像器件的效果。
因而，通过本发明，可提供能由同一处理过程形成的具有高传送效率的水平传送CCD、及具有充足耐压的垂直传送CCD的高像素固体摄像器件及其制造方法，提高摄像机的摄影图像的图像质量，进而可以降低摄像机的消耗功率，所以本发明的固体摄像器件及其制造方法具有极高的实用价值。
产业上的使用可能性
本发明可用于固体摄像器件及其制造方法，特别可以用于CCD固体摄像器件。
Claims (17)
1.一种固体摄像器件，传送通过对入射光进行光电转换而生成的信号电荷，其特征在于，具备：在半导体衬底上布置成二维状的多个光电转换部、从上述光电转换部接受信号电荷向垂直方向传送的垂直传送CCD、及接受由上述垂直传送CCD传送的信号电荷向水平方向传送的水平传送CCD；
上述垂直传送CCD和水平传送CCD的传送电极分别由不少于两层的层结构形成；
上述水平传送CCD的传送电极间距离比上述垂直传送CCD的传送电极间距离短。
2.如权利要求1所记载的固体摄像器件，其特征在于，上述垂直传送CCD和水平传送CCD的传送电极各自由两层结构形成。
3.如权利要求2所记载的固体摄像器件，其特征在于，上述垂直传送CCD和水平传送CCD相邻的部分的传送电极间距离，等于上述水平传送CCD的传送电极间距离。
4.如权利要求3所记载的固体摄像器件，其特征在于，在上述垂直传送CCD中传送电极间形成不小于两层的膜，在上述水平传送CCD中传送电极间形成不小于一层的膜；
在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜的膜厚的合计，大于在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜的膜厚的合计。
5.如权利要求4所记载的固体摄像器件，其特征在于，在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜的层数的总数，多于在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜的层数的总数；
在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜，包含膜厚与在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜相同的膜。
6.如权利要求5所记载的固体摄像器件，其特征在于，在上述垂直传送CCD中传送电极间形成两层的膜，在上述水平传送CCD中传送电极间形成一层的膜。
7.如权利要求4所记载的固体摄像器件，其特征在于，在上述垂直传送CCD中传送电极间形成两层的膜，在上述水平传送CCD中传送电极间形成一层的膜。
8.如权利要求2所记载的固体摄像器件，其特征在于，在上述垂直传送CCD中传送电极间形成不小于两层的膜，在上述水平传送CCD中传送电极间形成不小于一层的膜；
在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜的膜厚的合计，大于在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜的膜厚的合计。
9.如权利要求8所记载的固体摄像器件，其特征在于，在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜的层数的总数，多于在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜的层数的总数；
在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜，包含膜厚与在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜相同的膜。
10.如权利要求9所记载的固体摄像器件，其特征在于，在上述垂直传送CCD中传送电极间形成两层的膜，在上述水平传送CCD中传送电极间形成一层的膜。
11.如权利要求1所记载的固体摄像器件，其特征在于，上述垂直传送CCD和水平传送CCD相邻的部分的传送电极间距离，等于上述水平传送CCD的传送电极间距离。
12.如权利要求1所记载的固体摄像器件，其特征在于，在上述垂直传送CCD中传送电极间形成不小于两层的膜，在上述水平传送CCD中传送电极间形成不小于一层的膜；
在上述垂直传送CCD中形成在传送电极间的膜的膜厚的合计，大于在上述水平传送CCD中形成在传送电极间的膜的膜厚的合计。
13.一种固体摄像器件的制造方法，其特征在于具有以下工序：
在半导体衬底上，形成垂直传送CCD和水平传送CCD的第1传送电极的工序；
在上述第1传送电极，形成第1氧化膜的工序；
选择性除去在上述水平传送CCD的第1传送电极形成的第1氧化膜的工序；
在上述垂直传送CCD和水平传送CCD的第1传送电极，形成第2氧化膜的工序；及
在上述垂直传送CCD和水平传送CCD的第1传送电极间，形成第2传送电极的工序。
14.如权利要求13所记载的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，通过湿法刻蚀除去上述第1氧化膜。
15.一种固体摄像器件的制造方法，其特征在于具有以下工序：
在半导体衬底上，形成垂直传送CCD和水平传送CCD的第1传送电极的工序；
在上述第1传送电极，形成第1氧化膜的工序；
对仅包含上述水平传送CCD的第1传送电极的区域进行开口，形成覆盖其以外部分的抗蚀剂层的工序；
选择性除去在上述水平传送CCD的第1传送电极形成的第1氧化膜的工序；
在水平传送CCD的第1传送电极间注入离子形成势垒区的工序；
除去上述抗蚀剂层的工序；
在上述垂直传送CCD和上述水平传送CCD的第1传送电极，形成第2氧化膜的工序；及
在上述垂直传送CCD的第1传送电极和水平传送CCD的第1传送电极之间，形成第2传送电极的工序。
16.如权利要求15所记载的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，通过湿法刻蚀除去上述第1氧化膜。
17.一种固体摄像器件的制造方法，其特征在于具有以下工序：
在半导体衬底上，形成垂直传送CCD和水平传送CCD的第1传送电极的工序；
在上述第1传送电极，形成第1氧化膜的工序；
对包含上述水平传送CCD的第1传送电极、及上述垂直传送CCD的第1传送电极的最后段的上述水平传送CCD侧的一部分的区域进行开口，形成覆盖其以外部分的抗蚀剂层的工序；
选择性除去在上述水平传送CCD的第1传送电极、及上述垂直传送CCD的第1传送电极的最后段的上述水平传送CCD侧的一部分形成的第1氧化膜的工序；
在水平传送CCD的第1传送电极间、及上述垂直传送CCD的第1传送电极的最后段与上述水平传送CCD的第1传送电极之间，注入离子形成势垒区的工序；
除去上述抗蚀剂层的工序；
在上述垂直传送CCD和上述水平传送CCD的第1传送电极，形成第2氧化膜的工序；及
在上述垂直传送CCD的第1传送电极和水平传送CCD的第1传送电极之间，形成第2传送电极的工序。
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