CN1573481A - 用于群集系统的传送室 - Google Patents
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Abstract
用于群集系统的传送室包括第一主体、附着于第一主体的一个侧面处的第二主体和与该第一主体的上部结合的盖。该传送室进一步包括在该第一主体的另一个侧面处的第三主体,其中该第三主体具有与该第二主体相同的形状。
Description
本发明要求2003年6月2日在韩国申请的韩国专利申请号2003-0035350的优先权,这里作为参考将其引入。
技术领域
本发明涉及一种制造半导体器件的装置,以及更特别地是,涉及一种用于制造半导体器件的群集系统(cluster system)的传送室(transferchamber)。
背景技术
由于信息技术的快速发展,显示器件已经发展到处理并且显示日益增加的大的信息量。最近已经构思并发展了用于具有厚度小、重量轻和功耗低的显示器件的平板显示器技术。在这些技术当中,由于液晶显示(LCD)器件的优良的分辨率、彩色图像显示和图象质量,以及已经被广泛地用于笔记本式计算机、桌面式监视器(desktop monitor)和其它的应用,所以公众已经注意到用液晶显示器件来代替阴极射线管(CRT)。
LCD器件可包括多个像素,其中每一个的开关元件可被形成以独立地控制像素。该LCD器件通常是指有源矩阵液晶显示(AMLCD)器件。薄膜晶体管可用作该开关元件,并且包括该薄膜晶体管的LCD器件被称作薄膜晶体管(TFT)LCD器件。
该TFT LCD器件包括两个基板,在基板上元件例如电场形成电极和薄膜晶体管以薄膜的形式形成。通过光刻工艺由重复沉积薄膜并图案化该薄膜形成该元件。该光刻工艺包括用于选择性曝光或覆盖薄膜的曝光工艺、用于选择性去除薄膜以具有预定形状的蚀刻工艺和用于消除残留物的清洁工艺,其中该清洁工艺包括清洗和烘干。
在用于相应工艺处理的最佳条件的处理室内进行每个工艺。最近,为了在短时间内处理多个基板,使用了群集系统。该群集系统包括用于完成上述工艺的处理室以及用于保持基板和输送或送还该基板的传送室。
该群集系统也用于半导体器件的制造工艺,其包括在半导体基板上例如硅晶片上沉积薄膜、通过光刻工艺使该薄膜图案化和清洗该图案化的薄膜的重复工艺。这里,在群集系统之内处理的物体可以称作基板。
图1是群集系统的相关技术的示意图。在图1中,该群集系统包括存储部件10、装载锁定室(loadlock chamber)20、多个处理室42、44、46和48、预热室50和传送室30。在该存储部件10中,多个基板(未示出)被保持。该装载锁定室20具有至少一个存储槽以临时装载基板。在处理室42、44、46和48中,完成用于基板的处理。该基板被装入到处理室42、44、46和48中的一个处理室并被处理之前,该基板在预热室50中被预热。该传送室30被连接到装载锁定室20、多个处理室42、44、46和48以及预热室50。
当存储部件10中的多个未处理的基板通过装载锁定室20、预热室50以及处理室42、44、46和48被分别处理,并接着被送回时,该传送室30作为基板临时存储的位置或基板通常穿过的通道。
图2说明用于群集系统的相关技术的传送室。在图2中,该传送室30包括主体32和盖38。该主体32具有用于与该盖38结合的开口。装载锁定室的连接部分34形成于主体32的一个侧面,并且多个处理室的连接部分35分别形成于主体32的另一个侧面。
该装载锁定室的连接部分34和多个处理室连接部分35被连接到该主体35的内部空间36中。因此,被装配在内部空间36中的自动传递装置(robot)(未示出)将基板输送到图1中的存储部件10、装载锁定室20以及处理室42、44、46和48中,并送回该些基板。
作为基板的临时存储位置或通道的传送室30的尺寸依赖于基板的尺寸。用于最近的第五代LCD器件的基板具有大约1,100mm×1,300mm的尺寸。随着该LCD器件变大,用于第六代LCD器件的基板可以具有大约1,500mm×1,800mm至1,800mm×2,000mm的尺寸。因此,该传送室可具有大约4,200mm的最大对角线。
但是,由于传送室由铝或不锈钢制成,所以很难制造一个主体与其它室的大传送室。另外,尽管制造出一个主体与其它室的大传送室,但是有一些缺点,制造成本增加且不容易传送该室。
发明内容
因此,本发明是直接用于制造半导体器件的群集系统的传送室,实质上避免了由于相关技术的限制和缺点所引起的一个或多个问题。
本发明的一个优点是提供一种用于制造半导体器件的群集系统的传送室,该传送室处理大尺寸的基板且可分离。
本发明的另一个优点是提供一种用于制造半导体器件的群集系统的传送室,该传送室以低成本制造且容易安装或传送。
本发明另外的特征和优点将在以下的描述中提出,从描述中某种程度上将变得显而易见,或可以由本发明的实践得知。本发明的目的和其它优点将通过书面描述和其中的权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和获得。
为了实现这些和其它的优点并根据本发明的目的,如具体化和概括地描述,用于群集系统的传送室包括第一主体、附着于第一主体一个侧面处的第二主体和与第一主体的上部结合的盖。该传送室还包括在该第一主体的另一个侧面的第三主体,其中该第三主体具有与该第二主体相同的形状。
应当理解的是上述大概的说明和以下详细地说明两者都是示例性的并且希望提供所要求的本发明的进一步地说明。
附图说明
包括的附图是为了提供进一步理解本发明,并引入该说明书中且构成该说明书的一部分,该附图说明本发明的实施例并与说明一起用来解释本发明的原理。
在附图中:
图1是群集系统的相关技术的示意图;
图2是说明用于群集系统的相关技术的传送室的视图。
图3是根据本发明第一实施例的传送室的示意图;
图4是根据本发明第一实施例的传送室的示意分解图;以及
图5是根据本发明第二实施例的传送室的示意图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的说明的实施例,在附图中说明本发明实施例的例子。
图3是根据本发明第一实施例的传送室的示意图以及图4是传送室的示意分解图。第一实施例的传送室可连接到一个装载锁定室和五个处理室。
在图3和4中,传送室300包括第一主体320、盖380、第二主体340和第三主体360。在图的前后关系中该盖380与该第一主体320的上部连接。该第二和第三主体340和360与彼此相对的第一主体320的侧面连接。为了密封密封圈(O-ring)330、350和370被插入在该第一主体320和该盖380之间以及该第一主体320和该第二和第三主体340和360之间。
该第一主体320具有六面体的形状。更特别地是,该第一主体320为长方体。上部开口形成于该第一主体320的上侧并且连接至该盖380。侧面开口322形成于该第一主体320的表面,并且两个装载锁定室连接部分326和一个处理室连接部分324分别形成于该第一主体320的其它表面。侧面开口322的侧面比该装载锁定室连接部分326和该处理室连接部分324的侧面宽。该第一主体320通过侧面开口322与第二和第三主体340和360连接。该装载锁定室连接部分326可形成为一个开口。
自动传递装置(未示出)被装配入该第一主体320中,并输送和送回基板。
该第二和第三主体340和360具有三棱镜的形状。侧面开口364形成于该第三主体360的一个侧面,尽管在图中没有示出,但是另一个侧面开口形成于该第二主体340的一个侧面,其中该第二主体340的一个侧面面向该第三主体360的侧面开口365。处理室连接部分342和362分别形成于第二和第三主体340和360的另一个侧面。
当基板被输送或被送回时,由该第一主体320与该第二和第三主体340和360连接形成的空隙用作临时存储位置或通道。在处理室(未示出)中处理该基板之前,预热室(未示出)通过该第一主体320的该处理室连接部分324和该第二和第三主体340和360的该处理室连接部分342和362中的一个可连接到传送室300以预热基板。
装载锁定室(未示出)可连接到该第二和第三主体340和360的该处理室连接部分342和362中的一个,并且处理室(未示出)可连接到该第一主体320的该装载锁定室连接部分326。
密封圈330、350和370被插入在该第一主体320和该盖380之间以及该第一主体320和该第二与第三主体340与360之间。当该传送室300被搬运(carry)或检修时,根据逆向装配通知单很容易将该传送室300拆开。密封圈330、350和370仅仅是一个例子并且其它的连接装置可用来将该第一主体320与该盖和该第二和第三主体340和360连接。
图3的传送室300具有六角柱的形状,并且被连接到六个其它的室,例如,一个装载锁定室和五个处理室。此时,如上所述,图4的该第一主体320具有六面体的形状,以及更特别地是长方体的形状。该第二和第三主体340和360具有三棱镜的形状。随着与该传送室300相结合的室的数量的增加,该传送室300可具有其它的形状,例如七角形和八角形的形状。同样该第二和第三主体340和360的形状依赖于传送室300的形状改变。
图5示出根据本发明第二实施例的一个传送室。
如图5所示,如果包括一个装载锁定室和多个处理室的八个室(未示出)被连接到传送室400,该传送室400可具有八角柱的形状。在该情况下,该传送室400的第一主体420具有长方体的形状,并且该传送室400的第二和第三主体440和460具有正方柱的形状。此时,该第二和第三主体440和460的上侧和下侧具有梯形的形状。
在本发明中,用于群集系统的传送室被制造成可拆式结构,并且容易获得用于大尺寸基板的间隙。另外,制造成本降低,并且容易安装和输送该群集系统。
在不脱离本发明的精神或范围的条件下,对于所属技术领域人员很明显可以进行各种更改和改变。因此,如果该发明的变形和改变落入附加的权利要求书和它们的等效替换的范围内,则希望本发明将它们涵盖在内。
Claims (12)
1.一种用于群集系统的传送室,其特征在于:所述传送室包括:
第一主体;
附着于该第一主体的一个侧面的第二主体;以及
与该第一主体的上部结合的盖。
2.根据权利要求1的传送室,其特征在于:该传送室具有六角柱的形状。
3.根据权利要求1的传送室,其特征在于:该第一主体具有六面体的形状。
4.根据权利要求3的传送室,其特征在于:该第一主体为长方体。
5.根据权利要求4的传送室,其特征在于:该第二主体具有三角柱的形状。
6.根据权利要求4的传送室,其特征在于:该第二主体具有正方柱的形状。
7.根据权利要求6的传送室,其特征在于:该第二主体的上侧和下侧具有梯形的形状。
8.根据权利要求1的传送室,其特征在于:该传送室具有八角柱的形状。
9.根据权利要求1的传送室,其特征在于:密封圈被插入在该第一主体和该第二主体之间。
10.根据权利要求1的传送室,其特征在于:密封圈被插入在该第一主体和该盖之间。
11.根据权利要求1的传送室,其特征在于:所述传送室进一步包括在面向该第二主体的该第一主体的另一个侧面处的第三主体。
12.根据权利要求11的传送室,其特征在于:该第三主体具有与该第二主体相同的形状。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7784164B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing chamber method |
US8033772B2 (en) | 2002-06-21 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber for vacuum processing system |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100441875B1 (ko) * | 2003-06-02 | 2004-07-27 | 주성엔지니어링(주) | 분리형 이송 챔버 |
US20060201074A1 (en) * | 2004-06-02 | 2006-09-14 | Shinichi Kurita | Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same |
US8206075B2 (en) * | 2004-06-02 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for sealing a chamber |
TWI298895B (en) | 2004-06-02 | 2008-07-11 | Applied Materials Inc | Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same |
US8648977B2 (en) | 2004-06-02 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for providing a floating seal having an isolated sealing surface for chamber doors |
KR100544896B1 (ko) * | 2004-07-27 | 2006-01-24 | (주)아이씨디 | 일체형 실링부재를 구비한 알루미늄 플라즈마 챔버 |
KR100595418B1 (ko) * | 2004-07-27 | 2006-07-03 | (주)아이씨디 | 알루미늄 플라즈마 챔버 및 그 제조 방법 |
WO2006130811A2 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same |
JP4791110B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空チャンバおよび真空処理装置 |
KR100831950B1 (ko) * | 2005-11-28 | 2008-05-23 | 주식회사 유진테크 | 챔버 |
US7845891B2 (en) * | 2006-01-13 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Decoupled chamber body |
US20080025821A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Applied Materials, Inc. | Octagon transfer chamber |
JP4473343B2 (ja) * | 2007-11-09 | 2010-06-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | インライン型ウェハ搬送装置 |
DE102007057644A1 (de) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Vakuumkammer auf Rahmenbasis für Beschichtungsanlagen |
JP2009239085A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Foi:Kk | 半導体ウェハ搬送装置および半導体ウェハ搬送方法 |
KR101598176B1 (ko) * | 2010-03-30 | 2016-02-26 | 주식회사 원익아이피에스 | 진공챔버 |
KR101932578B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2018-12-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 수직 인라인 화학기상증착 시스템 |
CN108933097B (zh) * | 2017-05-23 | 2023-06-23 | 东京毅力科创株式会社 | 真空输送组件和基片处理装置 |
JP6972852B2 (ja) * | 2017-05-23 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空搬送モジュール及び基板処理装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100367461C (zh) * | 1993-11-05 | 2008-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法 |
JPH0864542A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Plasma Syst:Kk | 半導体処理装置用真空チャンバーおよびその製造方法 |
US5672239A (en) * | 1995-05-10 | 1997-09-30 | Tegal Corporation | Integrated semiconductor wafer processing system |
EP0856594B1 (de) * | 1997-01-07 | 2001-06-13 | Siegfried Dr. Strämke | Vorrichtung zur Plasma-Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
US6045620A (en) * | 1997-07-11 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Two-piece slit valve insert for vacuum processing system |
US6312525B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment |
US6182851B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-02-06 | Applied Materials Inc. | Vacuum processing chambers and method for producing |
US6558506B1 (en) * | 1999-02-01 | 2003-05-06 | Tokyo Electron Limited | Etching system and etching chamber |
IT1308606B1 (it) * | 1999-02-12 | 2002-01-08 | Lpe Spa | Dispositivo per maneggiare substrati mediante un istema autolivellante a depressione in reattori epistassiali ad induzione con suscettore |
US6558509B2 (en) * | 1999-11-30 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc. | Dual wafer load lock |
JP4021125B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2007-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | ウェハ移載装置の装置ユニット接続時に用いられるレールの真直性保持装置 |
US6977014B1 (en) * | 2000-06-02 | 2005-12-20 | Novellus Systems, Inc. | Architecture for high throughput semiconductor processing applications |
JP4253107B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2009-04-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置及びその増設方法 |
JP2004335743A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置用真空チャンバー |
KR100441875B1 (ko) * | 2003-06-02 | 2004-07-27 | 주성엔지니어링(주) | 분리형 이송 챔버 |
TWI298895B (en) * | 2004-06-02 | 2008-07-11 | Applied Materials Inc | Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same |
US7784164B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing chamber method |
-
2003
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-
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-
2005
- 2005-05-23 US US11/135,727 patent/US7375041B2/en active Active
-
2007
- 2007-10-15 US US11/872,617 patent/US20080029029A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8033772B2 (en) | 2002-06-21 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber for vacuum processing system |
US7784164B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing chamber method |
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