CN1542793A - 光记录介质及其制造方法以及用于溅射工艺的靶 - Google Patents

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Abstract

一种光记录介质，包括含有用通式：(TixM11－x)yM21－y表示的合金的记录层，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是从由Si、Al和Fe组成的组中选择的并且不同于元素M1的元素，x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，y等于或大于0.75以及等于或小于1。由此构造的光记录介质仅对全球环境产生最小负担。

Description

光记录介质及其制造方法 以及用于溅射工艺的靶
技术领域
本发明涉及光记录介质，用于制造光记录介质的方法和用于溅射工艺的靶(target)，以及更具体地说，涉及包括记录层的光记录介质(该记录层由对全球环境产生最小负担的材料形成)，用于制造这种光记录介质的方法，以及用于溅射工艺的靶，其允许光记录介质的记录层由对全球环境产生最小负担的材料形成。
背景技术
光记录介质诸如CD、DVD等等已经广泛用作用于记录数字数据的记录介质。这些光记录介质能粗略地划分成不允许写入和重写数据的光记录介质，诸如CD-ROM和DVD-ROM(ROM型光记录介质)、允许写入但不允许重写数据的光记录介质诸如CD-R和DVD-R(一次写入型光记录介质)，以及允许重写数据的光记录介质诸如CD-RW和DVD-RW(数据可重写型光记录介质)。
通常在其制造工艺中，使用在衬底中形成的预置坑在ROM型光记录介质中记录数据，而在数据可重写型光记录介质中，通常将相变材料用作记录层的材料，以及利用由相变材料的相变引起的光特性方面的变化来记录数据。
另一方面，在一次写入型光记录介质中，通常将有机染料诸如花青染料、酞花青染料或偶氮染料用作用于记录层的材料，以及利用由有机染料的化学变化引起的、可能伴有物理变形的光特性方面的变化来记录数据。
与记录在数据可重写型光记录介质中的数据不同，不能擦除和重写记录在一次写入型光记录介质中的数据。这意味着不能仿造记录在一次写入型光记录介质中的数据，以致在有必要防止仿造记录在光记录介质中的数据的情形中，一次写入型光记录介质很有用。
然而，由于当有机染料暴露到太阳光等等时会降解，在有机染料用作记录层的材料的情况下，很难改进长时间存储可靠性。因此，期望由除有机染料以外的材料形成记录层以便改进一次写入型光记录介质的长时间存储可靠性。
如在日本专利申请公开号No.62-204442中所公开的，包括由无机材料形成的两个记录层的光记录介质被认为是由除有机染料以外的材料形成其记录层的光记录介质的例子。
然而，在日本专利申请公开号No.62-204442中所公开的用于形成光记录介质的记录层的无机材料包括对环境产生严重负担的材料，以致在日本专利申请公开号No.62-204442中公开的光记录介质不能满足保护全球大气的要求。
发明内容
因此，本发明的目的是提供包括由对全球环境产生最小负担的材料形成的记录层的光记录介质。
本发明的另一目的是提供用于制造包括由对全球环境产生最小负担的材料形成的记录层的光记录介质的方法。
本发明的另一目的是提供用于溅射工艺的靶，其能由对全球环境产生最小负担的材料形成光记录介质的记录层。
通过光记录介质来完成本发明的上述和其他目的，该光记录介质包括包含用通式(TixM11-x)yM21-y表示的合金的记录层，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，y等于或大于0.75以及等于或小于1。
由于包含在记录层中的Ti、Si和Al的每一种是地球上最平常的元素并且仅对全球环境产生极小的负担，所以由本发明提供的包括包含上述元素的合金的记录层的光记录介质能大大地降低对全球环境的负担。
根据本发明，当将激光束投射在光记录介质的记录层上时，在用激光束照射的记录层的区域处熔化作为主要成分包含在记录层中的合金，以及当凝固所熔化的合金时改变合金的相，从而将数据记录在记录层中。
在本发明中，有必要使限定包含在记录层中的合金内的Ti和元素M1，即Si或Al的含量的x等于或大于0.3以及等于或小于0.8。在由本发明的发明人所做的研究中，发现在x小于0.3或x超出0.8的情况下，不可能获得具有高C/N比的信号并且再现信号的抖动和数据串扰变得更槽。
在由本发明的发明人所做的进一步研究中，发现随着元素M2的含量减小，光记录介质的记录特性改进，以及当y等于1时，换句话说，当记录层由Ti和Si的合金或Ti和Al的合金组成时，光记录介质的记录特性变得最好。
在本发明中，为获得具有更高C/N比的再现信号以及更有效地抑制数据串扰，最好x等于或大于0.4以及等于或小于0.6，更可取的是x为约0.5。
在本发明中，最好上述通式中的元素M2是从由Si、Al和Fe组成的组中选择的。
由于包含在合金中作为可选成分的Si、Al和Fe的每一个是地球上最平常的元素并且仅对全球环境产生极小的负担，由本发明提供的包括由包含上述元素的合金作为主要成分的记录层的光记录介质能大大地降低对全球环境的负担。
在本发明的优选方面，光记录介质进一步包括在记录层的至少一个侧面上的介电层。
根据本发明的这一优选方面，由于通过介电层物理和化学地保护记录层，故能在长时间有效地防止记录数据的劣化。
在本发明的另一优选方面，所述光记录介质进一步包括在记录层的相对侧面上的介电层。
本发明的发明人进一步有力地从事用于实现上述和其他目的的研究，结果，发现当通过使用包含用通式(Tix＇M11-x＇)y＇M21-y＇表示的合金的靶，通过溅射工艺来形成光记录介质的记录层时，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x＇等于或大于0.37以及等于或小于0.85，以及y＇等于或大于0.75以及等于或小于1，可以形成包含由通式(TixM11-x)yM21-y表示的合金的记录层，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，以及y等于或大于0.75以及等于或小于1。
因此，能通过用于溅射工艺的靶来实现本发明的上述和其他目的，该靶包含用通式(Tix＇M11-x＇)y＇M21-y＇表示的合金，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x＇等于或大于0.37以及等于或小于0.85，以及y＇等于或大于0.75以及等于或小于1。
根据本发明的这一方面，可以制作能产生具有高C/N比的信号和低抖动，并能有效地抑制数据串扰和具有改进的记录灵敏度的光记录介质。
在本发明中，最好在上述通式中的元素M2是从由Si、Al和Fe组成的组选择的。
可由用于制作光记录介质的方法实现上述和其他目的，该方法包括使用包含用通式：(Tix＇M11-x＇)y＇M21-y＇表示的合金的靶，通过溅射工艺来形成光记录介质的记录层的步骤，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x＇等于或大于0.37以及等于或小于0.85，以及y＇等于或大于0.75以及等于或小于1。
根据本发明，可以制作能产生具有高C/N比的信号和低抖动，并且能有效地抑制数据的串扰和具有改进的灵敏度的的光记录介质。
本发明的上述和其他目的和特征从下述结合附图的描述将变得显而易见。
附图说明
图1是表示为本发明的一个优选实施例的光记录介质的示意性局部剖面透视图。
图2是由图1中的A表示的光记录介质的部分的放大示意性截面图。
图3是表示在将2T信号记录在图1和2所示的光记录介质中的情况下，用于调制激光束的功率的脉冲串图形的波形的图。
图4是表示在将3T信号记录在图1和2所示的光记录介质中的情况下，用于调制激光束的功率的脉冲串图形的波形的图。
图5是表示在将4T信号记录在图1和2所示的光记录介质中的情况下，用于调制激光束的功率的脉冲串图形的波形的图。
图6是表示在将5T信号至8T信号中的一个记录在图1和2所示的光记录介质中的情况下，用于调制激光束的功率的脉冲图形的波形的图。
图7是表示本发明的另一优选实施例的光记录介质的示意性截面图。
图8是表示从光记录介质样品#1-1至#1-5的每一个再现的信号的C/N比如何随x值改变的图。
图9是表示从光记录介质样品#1-1至#1-5的每一个再现的信号的单一抖动(single jitter)和交叉抖动(cross jitter)如何随x值改变的图。
图10是表示从光记录介质样品#3-1至#3-4的每一个再现的信号的C/N比如何随y值改变的图。
图11是表示从光记录介质样品#3-1至#3-4的每一个再现的信号的单一抖动和交叉抖动如何随y值改变的图。
图12是表示从光记录介质样品#5-1至#5-5的每一个再现的信号的C/N比如何随x值改变的图。
图13是表示从光记录介质样品#5-1至#5-5的每一个再现的信号的单一抖动和交叉抖动如何随值x改变的图。
图14是表示从光记录介质样品#7-1至#7-3的每一个再现的信号的C/N比如何随y值改变的图。
图15是表示从光记录介质样品#7-1至#7-3的每一个再现的信号的单一抖动和交叉抖动如何随值y改变的图。
具体实施方式
图1是表示为本发明的一个优选实施例的光记录介质的示意性局部剖面透视图，图2是由图1中的A表示的示意性放大截面图。
如图1所示，根据这一实施例的光记录介质10形成盘形并具有约120mm的外直径和约1.2mm的厚度。
根据这一实施例的光记录介质10构成为一次写入型光记录介质，以及如图2所示，它包括支撑衬底11、在支撑衬底11的表面上形成的反射层12、在反射层12的表面上形成的第二介电层13、在第二介电层13的表面上形成的记录层14、在记录层14的表面上形成的第一介电层15和在第一介电层15的表面上形成的光透射层16。
在这一实施例中，如图2所示，具有380nm至450nm的波长的激光束L投射在由光透射层16的一个表面构成的光入射面16a上，由此将数据记录在光记录介质10中或从该光记录介质10再现数据。
支撑衬底11用作用来确保光记录介质10所需的机械强度和约1.2mm厚度的支架。
只要支撑衬底11能用作光记录介质10的支架，不特别地限定用来形成支撑衬底11的材料。支撑衬底11能由玻璃、陶瓷、树脂等等形成。在这些材料中，由于容易使树脂成形，因此最好将树脂用于形成支撑衬底11。适合于形成支撑衬底11的树脂的示例性例子包括聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅树脂、含氟聚合物、丙烯腈丁二烯苯乙烯树脂、聚氨基甲酸酯树脂，等等。在这些中，从易于处理、光特性等等的角度看，聚碳酸酯树脂和聚烯烃树脂最适合用于形成支撑衬底11，在这一实施例中，支撑衬底11由聚碳酸酯树脂形成。在这一实施例中，由于经由与支撑衬底11相对的光入射面16a投射激光束L，所以支撑衬底11不必具有光透射性能。
如图2所示，在支撑衬底11的表面上交替和呈螺旋状地形成沟11a和岸(land)11b，以便从在支撑衬底11的中心附近的部分延伸到其外周或从支撑衬底11的外周延伸到其中央附近的部分。沟11a和/或岸11b用作为激光束L的导轨。
沟11a的深度不特别地限定，最好设置到10nm至40nm。沟11a的间距不特别地限定，最好设置到0.2μm至0.4μm。
反射层12用来反射通过光透射层16进入的激光束L以便从光发射层16发射该激光束。
用来形成反射层12的材料在能反射激光束L的情况下不特别地限定，以及反射层12能由Mg、Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Ag、Pt、Au等等形成。在这些材料中，最好由具有高反射特性的金属材料，诸如Al、Au、Ag、Cu或包含这些金属的至少一种的合金，诸如Ag和Cu的合金来形成反射层12。
反射层12还用来通过多重干扰效应(multiple interferenceeffect)来增加记录区和非记录区间的反射系数方面的差值，从而获得较高再现信号(C/N比)。
反射层12的厚度不特别地限定，但最好从5nm至300nm，最可取的是从20nm至200nm。
在反射层12的厚度薄于5nm的情况下，难以按所需方式反射激光束L。另一方面，在反射层12的厚度超出300nm的情况下，反射层12的表面光洁度变得更糟以及花费更长的时间来形成反射层12，因此降低了光记录介质10的生产率。
第一介电层15和第二介电层13用来保护记录层14。通过第一介电层15和第二介电层13，能长时间地防止记录数据劣化。
用于形成第一介电层15和第二介电层13的材料当其在激光束L的波长范围内是透光的情况下不特别地限定，第一介电层15和第二介电层13可由包含例如氧化物、硫化物、氮化物、碳化物或其组合的介电材料作为主要成分形成。为防止由于热而使支撑衬底11变形以及提高第一介电层15和第二介电层13保护记录层14的特性，最好由Al、Si、Ce、Ti、Zn、Ta等等的氧化物、硫化物、氮化物或碳化物，诸如Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO、CeO2、SiO、SiO2、Si3N4、SiC、La2O3、TaO、TiO2、SiAlON(SiO2、Al2O3、Si3N4和AlN的混合物)、LaSiON(La2O3、SiO2和Si3N4的混合物)等等，或其混合物形成第一介电层15和第二介电层13。
第一介电层15和第二介电层13可以由相同介电材料或不同介电材料制成。此外，第一介电层15和第二介电层13的至少一个可以具有多层结构，包括多个介电薄膜。
第一介电层15和第二介电层13也用来增加数据记录前后间光记录介质10的光性能方面的差值，因此，最好由具有在激光束L的波长范围内的高折射率n的材料形成第一介电层15和第二介电层13。此外，由于当激光束L被投射到光记录介质10上以及将在此记录数据时，随着第一介电层15和第二介电层13中吸收的能量变大，记录灵敏度变低，因此最好由具有在激光束L的波长范围内的低消光系数k的材料形成第一介电层15和第二介电层13。
由上述可以看出，特别优选的是由其克分子比为80∶20的ZnS和SiO2的混合物形成第一介电层15和第二介电层13。
不特别地限定第一介电层15和第二介电层13的厚度，但最好是从3nm至200nm。如果第一介电层15或第二介电层13薄于3nm，将难以获得上述优点。另一方面，如果第一介电层15或第二介电层13厚于200nm，形成第一介电层15或第二介电层13将花费很长的时间，从而降低了光记录介质10的生产率，以及由于存在于第一介电层15和/或第二介电层13中的应力，会在第一介电层15和/或介电层13中产生裂纹。
记录层14用来形成记录标记和在此记录数据。
在这一实施例中，记录层14包含由通式(TixM11-x)yM21-y表示的合金，其中元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，以及y等于或大于0.75以及等于或小于1。
随着元素M2的含量降低以及当y等于1时，改进了光记录介质10的记录特性，换句话说，当记录层14由Ti和Si的合金或Ti和Al的合金组成时，光记录介质10的记录特性变得最好。
然而，限定合金中Ti和Si或Ti和Al的含量的x等于或大于0.3以及等于或小于0.8是有必要的。在x小于0.3或x超出0.8的情况下，不可能获得具有高C/N比的再现信号，以及再现信号的抖动和数据串扰变得更槽。
为获得具有更高C/N比的再现信号以及更有效地抑制数据串扰，x最好等于或大于0.4以及等于或小于0.6，以及最可取的是x为约0.5。
最好，在上述通式中的元素M2是从包括Si、Al和Fe的组中选择的。
由于作为必需成分包含在记录层14中的合金中的Ti、Si和Al以及作为可选成分包含在合金中的Si、Al和Fe的每一种是地球上最平常的元素以及对全球环境仅产生极小的负担，因此，包括包含这些元素的合金的记录层14的光记录介质10能大大地降低对全球环境的负担。
当记录层14的厚度增加时，记录灵敏度变得最糟糕，以及由于在记录层14中吸收的激光束L的量增加，降低了反射系数。因此，最好使记录层较薄以便防止记录灵敏度变得最糟以及防止降低反射系数，但在记录层14的厚度太小的情况下，用激光束L照射前后间的反射系数方面的变化很小，以致不能获得具有高强度(C/N比)的再现信号。此外，变得难以控制记录层14的厚度。
因此，最好使记录层14具有3nm至40nm的厚度，以及更可取的是，使其形成为具有5nm至30nm的厚度。
光透射层16用来传送激光束L以及最好具有10μm至300μm的厚度。更可取的是，光透射层16具有50μm至150μm的厚度。
不特别地限定用来形成光透射层16的材料，但在通过旋涂方法等等形成光透射层16的情况下，最好使用紫外线可固化树脂、电子束可固化树脂等等。更可取的是，光透射层16由丙烯酸紫外线可固化树脂或环氧紫外线可固化树脂形成。
光透射层16可以使用粘接剂，通过将由可透光树脂制成的薄片粘接到第一介电层15的表面上来形成。
具有上述结构的光记录介质10例如可用下述方式制作。
首先通过使用压模，通过注射模塑法，制作在其表面上具有沟11a和岸11b的支撑衬底11。
然后，在具有沟11a和岸11b的衬底11的表面上形成反射层12。
使用包含用于生成反射层12的元素的化学物质，通过汽相生长工艺形成反射层12。汽相生长工艺的示例性例子包括真空淀积工艺、溅射工艺等等，但最好使用溅射工艺形成反射层12。
然后，在反射层12的表面上形成第二介电层13。
还使用包含用于形成第二介电层13的元素的化学物质，通过汽相生长工艺形成第二介电层13。汽相生长工艺的示例性例子包括真空淀积工艺、溅射工艺等等，但最好使用溅射工艺形成第二介电层13。
然后在第二介电层13上形成记录层14。
通过使用至少包含Ti以及Si和Al中的一个的合金，通过汽相生长工艺形成记录层14。汽相生长工艺的示例性例子包括真空淀积工艺、溅射工艺等等，但最好使用溅射工艺形成第二介电层13。
本发明的发明人进行了导致发现有关使用包含合金的靶，通过溅射工艺形成的光记录介质10的记录层14的研究，其中合金至少包含Ti以及Si和Al中的一个。特别地，发明人发现当靶包含由通式(Tix＇M11-x＇)y＇M21-y＇表示的合金时，其中x＇等于或大于0.37和等于或小于0.85，以及y＇等于或大于0.75和等于或小于1，能形成包含由上述通式(TixM11-x)yM21-y表示的合金的记录层14。
例如，通过Ti粉末与Si和Al中的一种的粉末混合以及烘焙混合粉末来制作这种靶。
然后在记录层14上形成第一介电层15。还使用包含用于形成第一介电层15的元素的化学物质，通过气相生长工艺来形成第一介电层15。
最后，在第一介电层15上形成光透射层16。例如，通过旋涂将调整到适当粘度的丙烯酸紫外线可固化树脂或环氧紫外线可固化树脂施加到第二介电层15的表面上来形成涂层和用紫外线照射该涂层来固化该涂层，从而形成光透射层16。
由此，制成光记录介质10。
在数据将记录在上述结构的光记录介质10的情况下，其功率被调制过的激光束L经光透射层16投射到记录层14上，同时旋转光记录介质10。
为了以高记录密度记录数据，最好将具有450nm或更短的波长λ的激光束L经由具有0.7或更大的数值孔径NA的物镜(未示出)投射到光记录介质10上，以及更可取的是λ/NA等于或小于640nm。
在这一实施例中，经由具有数值孔径NA为0.85的物镜，将具有405nm的波长λ的激光束L投射到光记录介质10上。
结果，在用激光束L照射的记录层14的区域处，熔化作为主要成分包含在记录层中的合金，以及当凝固被熔化的合金时改变其相，由此形成记录标记以及将数据记录在光记录介质10的记录层14中。
另一方面，在将再现记录在光记录介质10的记录层14中的数据的情况下，经光透射层16，将具有预定功率的激光束L投射到记录层14上，同时旋转光记录介质10，以及检测由记录层14反射的激光束L的量，由此再现记录在光记录介质10的记录层14中的数据。
图3至6的每一个是表示在将数据记录在光记录介质10的记录层14的情况下，用于调制激光束L的功率的脉冲图的波形图，其中图3表示用在记录2T信号的情况下的脉冲图，图4表示用在记录3T信号的情况下的脉冲图，图5表示用在记录4T信号的情况下的脉冲图，以及图6表示用在记录5T信号至8T信号中的一个的情况下的随机信号。
如图3至6所示，在两个水平，记录功率Pw和基础功率(bottompower)Pb(其中Pw＞Pb)之间调制激光束L的功率。
当将设置成记录功率Pw的激光束L投射在记录层14上时，将记录功率Pw设置成能熔化和改变包含在光记录介质10的记录层14中的合金的相的高水平。另一方面，将基础功率Pb设置成极低的水平，在该水平，在用设置成基础功率的激光束L照射期间，能冷却用具有设置成记录功率Pw的激光束照射加热的记录层14的区域。
如图3所示，在将2T信号记录在光记录介质10的记录层14的情况下，调制激光束L的功率以便在时间t11从基础功率Pb增加到记录功率Pw，以及在经过预定时间周期ttop后，在时间t12，从记录功率Pw减小到基础功率Pb。
因此，在将2T信号记录在光记录介质10的L0信息记录层20或L1信息记录层30的情况下，将具有等于记录功率Pw水平的脉冲数量设置为1。
另一方面，如图4所示，在将3T信号记录在光记录介质10的记录层14的情况下，调制激光束L的功率以便使其在时间t21从基础功率Pb增加到记录功率Pw，在经过预定时间周期ttop后的时间t22，使其从记录功率Pw减小到基础功率Pb，在经过预定时间周期toff后的时间t23，使其从基础功率Pb增加到记录功率Pw，以及在经过预定时间周期tlp后的时间t24，使其从记录功率Pw减小到基础功率Pb。
因此，在将3T信号记录在光记录介质10的记录层14的情况下，将每个具有等于记录功率Pw的水平的脉冲的数量设置为2。
另外，如图5所示，在将4T信号记录在光记录介质10的记录层14的情况下，调制激光束L的功率以便在时间t31，使其从基础功率Pb增加到记录功率Pw，在经过预定时间周期ttop后的时间t32，使其从记录功率Pw减小到基础功率Pb，在经过预定时间周期toff后的时间t33，使其从基础功率Pb增加到记录功率Pw，在经过预定时间周期tmp后的时间t34，使其从记录功率Pw减小到基础功率Pb，在经过预定时间周期toff后的时间t35，使其从基础功率Pb增加到记录功率Pw，以及在经过预定时间周期tlp后的时间t36，使其从记录功率Pw减小到基础功率Pb。
因此，在将4T信号记录在光记录介质10的记录层14的情况下，每个具有等于记录功率Pw的水平的脉冲的数量被设置成3。
此外，如图6所示，在将5T信号至8T信号中的一个记录在光记录介质10的记录层14的情况下，调制激光束L的功率，以便在时间t41，使其从基础功率Pb增加到记录功率Pw，在时间周期ttop、时间周期tmp和时间周期tlp期间，使其保持在记录功率Pw，在时间周期toff期间，使其保持在基础功率Pb，以及在时间t48，使其从记录功率Pw减小到基础功率Pb。
因此，在将5T信号至8T信号中的一个记录在光记录介质10的记录层14的情况下，每个具有等于记录功率Pw的水平的脉冲的数量被设置成4至7。
当用设置成记录功率Pw的激光束L照射记录层14时，在用激光束L照射的记录层14的区域处熔化作为主要成分包含在记录层14中的合金，以及当用设置成基础功率Pb的激光束L照射它时，凝固所熔化的合金以及改变该合金的相，由此形成记录标记和将数据记录在记录层14中。
由于记录层14的用这种方式形成记录标记的区域和未形成记录标记的区域，即空白区对激光束L的反射系数大大地不同，所以利用记录层14的形成记录标记的区域和空白区域之间的反射系数方面的差值，能再现记录在记录层14中的数据。
记录标记的长度以及记录标记和相邻记录标记之间的空白区的长度构成记录在记录层14中的数据。记录标记和空白区形成为具有等于T的整数倍的长度，其中T是相应于参考时钟的一个周期的长度。在采用1，7RLL(游程长度受限)调制码的情况下，形成具有2T至8T长度的记录标记和空白区。
根据这一实施例，由于光记录介质10的记录层14包含由通式(TixM11-x)yM21-y表示的合金，其中元素M1为Si或Al，元素M2为不同于元素M1的元素，x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，以及y等于或大于0.75以及等于或小于1，以及由于作为必要成分包含在记录层14中的合金中的Ti、Si和Al以及作为可选成分包含在合金中的Si、Al和Fe的每一种都是地球上最平常的元素并仅对全球环境产生极小的负担，所以具有包括含有这种元素的合金的记录层14的光记录介质10能大大地降低对全球环境的负担。
另外，根据这一实施例，由于确定作为必要元素包含在记录层14中的合金中的Ti和Si或Ti和Al的含量以使得x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，故可以再现具有高C/N比的信号，并减小信号的抖动以及有效地抑制数据的串扰。
图7是表示本发明的另一优选实施例的光记录介质的示意性截面图。
如图7所示，根据这一实施例的光记录介质30包括支撑衬底31、透明中间层32、光透射层(保护层)33、在支撑衬底31和透明中间层32间形成的L0信息记录层40，以及在透明中间层32和光透射层33间形成的L1信息记录层50。
L0信息记录层40和L1信息记录层50是记录数据的信息记录层，即，根据这一实施例的光记录介质30包括两个信息记录层。
L0信息记录层40构成远离光入射面33a的信息记录层，以及通过从支撑衬底31的一侧层叠反射层41、第四介电层42、L0记录层43和第三介电层44来构成。
另一方面，L1信息记录层50构成接近光入射面33a的信息记录层，并通过从支撑衬底31的一侧层叠反射层51、第二介电层52、L1记录层53和第一介电层54来构成。
支撑衬底31用作用来确保光记录介质30所需的机械强度和约1.2mm的厚度的支架以及按照与图1和2所示的光记录介质10的支撑衬底11的相同的方式形成。
如图7所示，在支撑衬底31的表面上交替和呈螺旋状地形成沟31a和岸31b以便具有与图1和2所示的光记录介质10类似的深度和间距。当将数据记录在L0信息记录层40上时或当从L0信息记录层40再现数据时，沟31a和/或岸31b用作激光束L的导轨。
透明中间层32用来使L0信息记录层40和L1信息记录层50物理和光学上分开足够的距离。
如图7所示，在透明中间层32的表面上交替地形成沟32a和岸32b。当将数据记录在L1层50上时，或当从L1层50再现数据时，在透明中间层32的表面上形成的沟32a和/或岸32b用作激光束L的导轨。
可将沟32a的深度和沟32a的间距设置成基本上与在支撑衬底31的表面上形成的沟31a相同。
最好，将透明中间层32形成为具有5μm至50μm的厚度，以及使其形成为具有10μm至40μm的厚度则更佳。
不特别地限定用于形成透明中间层32的材料，以及最好用紫外线可固化树脂形成透明中间层32。
对透明中间层32来说，有必要具有足够高的透光率，因为当将数据记录在L0信息记录层40上以及将再现记录在L0信息记录层40中的数据时，激光束L通过透明中间层32。
最好使用压模，通过2P工艺形成透明中间层32，但该透明中间层32也可由其他工艺形成。
光透射层33用来传送激光束L，以及由其一个表面构成光入射面33a。
按与图1和2所示的光记录介质10的光透射层16相同的方式形成光透射层33。
包括在L0信息记录层40中的L0记录层43包含用上述通式(TixM11-x)yM21-y表示的合金。
类似地，包括在L1信息记录层50中的L1记录层53包含用上述通式(TixM11-x)yM21-y表示的合金。
按与图1和2所示的光记录介质10的反射层12相同的方式，形成包括在L0信息记录层40中的反射层41和包括在L1信息记录层50中的反射层51的每一个。
按与图1和2所示的光记录介质10的第一介电层15或第二介电层13相同的方式，形成包括在L0信息记录层40中的第四介电层42和第三介电层44以及包括在L1信息记录层50中的第二介电层52和第一介电层54中的每一个。
可使用包含用于形成它的元素的化学物质，通过汽相生长工艺形成包括在L0信息记录层40中的反射层41、第四介电层42、L0记录层43和第三介电层44，以及包括在L1信息记录层50中的反射层51、第二介电层52、L1记录层53和第一介电层54。汽相生长工艺的示例性例子包括溅射工艺、真空淀积工艺等等，最好用溅射工艺形成它们。
当将数据记录在包括在光记录介质30的L0信息记录层40的L0记录层43中时，使设置成记录功率Pw的激光束L经由光透射层33聚焦到L0记录层43上。结果，在用激光束L照射的L0记录层43的区域处熔化作为主要成分包含在L0记录层43中的合金，以及当将激光束L设置成基础功率Pb时，凝固所熔化的合金以及改变该合金的相，由此形成记录标记和将数据记录在L0记录层43中。
另一方面，当将数据记录在包括在光记录介质30的L1信息记录层50的L1记录层53中时，设置成记录功率Pw的激光束L经由光透射层33被聚焦到L1记录层53上。结果，在用激光束L照射的L1记录层53的区域熔化作为主要成分包含在L1记录层53的合金，以及当将激光束L设置成基础功率Pb时，凝固所熔化的合金以及改变该合金的相，由此形成记录标记和将数据记录在L1记录层53中。
当再现记录在包括在光记录介质30的L0信息记录层40的L0记录层43中的数据时，经由光透射层33，设置成再现功率的激光束L被聚焦到L0记录层43上，以及检测由L0记录层43反射的激光束L的量。
另一方面，当将再现记录在包括在光记录介质30的L1信息记录层50的L1记录层53中的数据时，经由光透射层33，将设置成再现功率的激光束L聚焦在L1记录层53上，以及检测由L1记录层53反射的激光束L的量。
根据这一实施例，由于L0记录层43和L1记录层53中的每一个包含由通式(TixM11-x)yM21-y表示的合金，其中元素M1为Si或Al，元素M2为不同于元素M1的元素，x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，以及y等于或大于0.75以及等于或小于1，以及由于作为必要成分包含在记录层14中的合金中的Ti、Si和Al以及作为可选成分包含在合金中的Si、Al和Fe中的每一种是地球上最平常的元素并仅对全球环境产生极小的负担，所以具有包括含有这种元素的合金的记录层14的光记录介质10能大大地降低对全球环境的负担。
另外，根据这一实施例，由于确定作为必要元素包含在L0记录层43和L1记录层53中的合金中的Ti和Si或Ti和Al的含量以使得x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，故可以再现具有高C/N比的信号，并减小信号的抖动以及有效地抑制数据的串扰。
工作例子和比较例子
在下文中，将阐述工作例子以便进一步澄清本发明的优点。
工作例子1
用下述方式制作光记录介质样品#1-1。
首先，通过注射模塑法制作具有1.1mm厚度和120nm直径以及在其表面上形成具有沟和岸的盘状聚碳酸酯衬底，以使轨道间距(槽距)等于0.32μm。
然后，在溅射装置上放置该聚碳酸酯衬底，以及使用溅射工艺，在形成沟和岸的该聚碳酸酯衬底的表面上顺序地形成由包含Ag、Pd和Cu的合金构成并具有100nm的厚度的反射层、包含ZnS和SiO2的混合物以及具有25nm的厚度的第二介电层、包含由成分通式TixSi1-x表示的合金以及具有10nm的厚度的记录层、以及包含ZnS和SiO2的混合物并具有20nm厚度的第一介电薄膜。
包含在第一介电层和第二介电层中的ZnS和SiO2的混合物中的ZnS与SiO2的克分子比为80∶20。
另外，确定包含在记录层中的合金的成分以便成分分子式TixSi1-x中的x值等于0.2(20原子％)。
另外，将其表面上形成有反射层、第二介电层、记录层和第一介电层的该聚碳酸酯衬底放在旋涂装置上，以及使用旋涂方法，通过在溶剂中溶解丙烯酸紫外线可固化树脂而配制的树脂溶液来涂覆第一介电层以便形成一个涂层，以及用紫外线照射该涂层，从而固化该丙烯酸紫外线可固化树脂以便形成具有100μm厚度的光透射层。
由此制成光记录介质样品#1-1。
此外，除了成分分子式TixSi1-x中的x值逐步增加到1(100原子％)以便形成记录层外，用与光记录介质样品#1-1相同的方式制作光记录介质样品#1-2至#1-5。
将光记录介质样品#1-1至#1-5中的每一个安置在由PulstecIndustrial Co.Ltd制作的光记录介质评价装置“DDU1000”(产品名)中，以及使用数值孔径为0.85的物镜，将具有405nm的波长、其功率根据图3所示的脉冲图调制的激光束经由光透射层聚焦在记录层上，同时以5.3m/sec的线速度旋转每个样品，从而在其中按1，7RLL调制码记录包括2T信号至8T信号的随机信号。
将激光束的记录功率设置为7.0mW，而将激光束的基础功率固定在0.1mW。
然后，将光记录介质样品#1-1至#1-5的每一个放在上述光记录介质评价装置中，以及使用数值孔径为0.85的物镜，经由光透射层将具有405nm波长的激光束聚焦在每个样品的记录层上，同时以5.3m/sec的线速度旋转每个样品，从而再现记录在记录层中的信号，以及测量再现信号的时钟抖动。将激光束的再现功率设置为0.35mW。
使用时间间隔分析仪测量再现信号的波动(fluctuation)σ，以及将时钟抖动计算为σ/Tw，其中Tw是一个时钟周期。
另外，与上述类似，将随机信号记录在每个光记录介质样品#1-1至#1-5中，同时以0.2mW的增量使激光束的记录功率增加达到10.0mW，从而从每个样品再现该随机信号，以及与上述类似地测量该再现信号的时钟抖动。
从由此测量的时钟抖动中确定最低时钟抖动，以及将在再现信号的时钟抖动最低时的记录功率确定为激光束的最佳记录功率。
然后，将每个光记录介质样品#1-1至#1-5放在上述光记录介质评价装置中，以及除了将激光束的记录功率设置为最佳记录功率外，按与将随机信号记录在每个样品的记录层中相同的方式，将按1，7RLL调制码的2T信号记录在每个样品的记录层中。
另外，将每个光记录介质样品#1-1至#1-5放在上述光记录介质评价装置中，以及按与从每个样品的记录层再现随机信号相同的方式，再现记录在每个样品的记录层中的2T信号，从而测量再现信号的C/N比。
测量结果如图8所示。
然后，将每个光记录介质样品#1-1至#1-5放在上述光记录介质评价装置中，以及除了将激光束的记录功率设置为最佳记录功率外，按与将随机信号记录在每个样品的记录层中相同的方式，将按1，7RLL调制码的8T信号记录在每个样品的记录层中。
另外，将每个光记录介质样品#1-1至#1-5放在上述光记录介质评价装置中，以及按与从每个样品的记录层再现随机信号相同的方式，再现记录在每个样品的记录层中的8T信号，从而测量再现信号的C/N比。
测量结果如图8所示。
如图8所示，发现在成分分子式TixSi1-x中的x值为0.3(30原子％)至0.8(80原子％)的情况下，通过再现2T信号获得的信号的C/N比等于或高于40dB，以及通过再现8T信号获得的信号的C/N比等于或高于45dB，并且每个样品都能实际用作光记录介质。
另外，发现在成分分子式TixSi1-x中的x值为0.4(40原子％)至0.6(60原子％)的情况下，通过再现2T信号获得的信号的C/N比和通过再现8T信号获得的信号的C/N比都变高，以及在x值为约0.5(50原子％)的情况下，通过再现2T信号获得的信号的C/N比和通过再现8T信号获得的信号的C/N比都变为最大值。
工作例子2
按与工作例子1相同的方式，通过将激光束的记录功率设置为最佳记录功率，包括按1，7RLL调制码的2T信号到8T信号的随机信号被记录在每个光记录介质样品#1-1至#1-5中。然后，从每个光记录介质样品#1-1至#1-5再现由此记录的随机信号以及测量再现信号的时钟抖动。
测量结果如图9所示。
在图9中，曲线A1表示从位于未再现数据的各轨道间的一个轨道获得的再现信号的时钟抖动(单一抖动)，以及曲线A2表示从位于记录数据的各轨道间的一个轨道获得的再现信号的时钟抖动(交叉抖动)。
如图9所示，发现在成分分子式TixSi1-x中的x值低于0.3(30原子％)的情况下，单一抖动和交叉抖动均很高。进一步发现，在x值为0.4(40原子％)至0.6(60％原子)的情况下，单一抖动和交叉抖动的值之间的差值很小，以及在x值为0.5(50原子％)的情况下，单一抖动和交叉抖动的值之间的差值非常小。
因此，发现为改进光记录介质的串扰特性，最好将包含在记录层中的合金的成分确定成使成分分子式TixSi1-x中的x值为0.4(40原子％)至0.6(60原子％)，以及更可取的是将包含在记录层中的合金的成分确定成使x值为约0.5。
工作例子3
除了形成包含由成分分子式(Ti0.5Si0.5)yAl1-y表示的合金的记录层外，按与工作例子相同的方式制作光记录介质样品#3-1。
包含在记录层中的合金的成分确定为使(Ti0.5Si0.5)yAl1-y中的y值等于0.67(67原子％)。
另外，除了使成分分子式(Ti0.5Si0.5)yAl1-y中的y值逐步增加到1(100原子％)以便形成记录层外，按与光记录介质样品#3-1相同的方式制作光记录介质样品#3-2至#3-4。
此外，将每个光记录介质样品#3-1至#3-4放在上述光记录介质评价装置中，以及按与工作例子1相同的方式，使用其记录功率设置为7.0mW的激光束，将包括按1，7RLL调制码的2T信号至8T信号的随机信号记录在每个光记录介质样品#3-1至#3-4中。然后，按与工作例子1相同的方式，从每个光记录介质样品#3-1至#3-4再现由此记录的随机信号以及测量再现信号的时钟抖动。
另外，与上类似，将随机信号记录在每个光记录介质样品#3-1至#3-4中，同时以0.2mW的增量使激光束的记录功率增加达到10.0mW，从而从每个样品再现该随机信号，以及与上述类似地测量再现信号的时钟抖动。
从由此测量的时钟抖动中确定最低时钟抖动，以及将再现信号的时钟抖动最低时的记录功率确定为激光束的最佳记录功率。
另外，按与将随机信号记录在每个样品的记录层中相同的方式，使用其记录功率设置为最佳记录功率的激光束，将2T信号记录在每个光记录介质样品#3-1至#3-4中。
然后，按与再现来自来自每个样品的记录层的随机信号相同的方式，从每个光记录介质#3-1至#3-4再现使用记录功率被设置为最佳记录功率记录的2T信号，从而测量再现信号的C/N比。
测量结果如图10所示。
另外，将每个光记录介质样品#3-1至#3-4放在上述光记录介质评价装置中，以及按与将2T信号记录在每个样品的记录层中相同的方式，使用其功率被设置为最佳记录功率的激光束，将按1，7RLL调制码的8T信号记录在每个样品#3-1至#3-4中。
然后，按与从每个样品的记录层的重现2T信号相同的方式，从每个光记录介质样品#3-1至#3-4再现使用其功率被设置为最佳记录功率的激光记录的8T信号，从而测量再现信号的C/N比。
测量结果如图10所示。
如图10所示，发现在成分分子式(Ti0.5Si0.5)yAl1-y中的y值为0.75(75原子％)至1(100原子％)的情况下，通过再现2T信号获得的信号的C/N比和通过再现8T信号获得的信号的C/N比基本上都恒定，以及在成分分子式(Ti0.5Si0.5)yAl1-y中的y值小于0.75(75原子％)的情况下，通过再现2T信号获得的信号的C/N比和通过再现8T信号获得的信号的C/N比都极其低。
因此，发现在成分分子式(Ti0.5Si0.5)yAl1-y中的y值等于或大于0.75(75原子％)的情况下，再现的信号的C/N比几乎不受包含在合金中的任何Al的影响。
工作例子4
按与工作例子3相同的方式，通过将激光束的记录功率设置为最佳记录功率，包括按1，7RLL调制码的2T信号到8T信号的随机信号被记录在每个光记录介质样品#3-1至#3-4中。然后，从每个光记录介质样品#3-1至#3-4再现由此记录的随机信号以及测量再现信号的时钟抖动。
测量结果如图11所示。
在图11中，曲线B1表示从位于未再现数据的各轨道间的一个轨道获得的再现信号的时钟抖动(单一抖动)，以及曲线B2表示从位于记录数据的各轨道间的一个轨道获得的再现信号的时钟抖动(交叉抖动)。
如图11所示，发现在成分分子式(Ti0.5Si0.5)yAl1-y中的y值在0.75(75原子％)至1(100原子％)的情况下，单一抖动和交叉抖动都基本上是恒定的，以及在成分分子式(Ti0.5Si0.5)yAl1-y中的y值小于0.75(75原子％)的情况下，单一抖动和交叉抖动均极其高。
因此，发现在成分分子式(Ti0.5Si0.5)yAl1-y中的y值等于或大于0.75(75原子％)的情况下，再现信号的单一抖动和交叉抖动几乎不受包含在合金中的任何Al的影响。
工作例子5
除了包含用成分分子式TixAl1-x表示的合金的记录层以及形成具有35nm厚度的第一介电层外，按与工作例子1相同的方式制作光记录介质样品#5-1。
确定包含在记录层中的合金的成分以使成分分子式TixAi1-x中的x值等于0.15(15原子％)。
另外，除了成分分子式TixAi1-x中的x值逐步增加达1(100原子％)以便形成记录层外，按与光记录介质样品#5-1相同的方式制作光记录介质样品#5-2至#5-5。
然后，将光记录介质样品#5-1至#5-5的每一个安置在上述光记录介质评价装置中，以及按与工作例子1相同的方式，使用其记录功率设置为7.0mW的激光束，将包括按1，7RLL调制码的2T信号至8T信号的随机信号记录在每个光记录介质样品#5-1至#5-5中。然后，从每个光记录介质样品#5-1至#5-5再现由此记录的随机信号以及测量再现信号的时钟抖动。
另外，与上类似，将随机信号记录在每个光记录介质样品#5-1至#5-5中，同时以0.2mW的增量使激光束的记录功率增加达到10.0mW，从而从每个样品再现该随机信号，以及与上述类似地测量再现信号的时钟抖动。
从由此测量的时钟抖动中确定最低时钟抖动，以及将再现信号的时钟抖动最低时的记录功率确定为激光束的最佳记录功率。
另外，按与将随机信号记录在每个样品的记录层中相同的方式，使用其记录功率设置为最佳记录功率的激光束，将2T信号记录在每个光记录介质样品#5-1至#5-5中。
然后，按与再现来自每个样品的记录层的随机信号相同的方式，从每个光记录介质样品#5-1至#5-5再现使用其记录功率被设置最佳记录功率的激光记录的2T信号，从而测量再现信号的C/N比。
测量结果如图12所示。
另外，将每个光记录介质样品#5-1至#5-5放在上述光记录介质评价装置中，以及按与将随机信号记录在每个样品的记录层中相同的方式，使用其功率被设置为最佳记录功率的激光束，将按1，7RLL调制码的8T信号记录在每个光记录介质样品#5-1至#5-5中。
然后，按与从每个样品的记录层再现随机信号相同的方式，从每个光记录介质样品#5-1至#5-5再现使用其功率被设置为最佳记录功率的激光记录的8T信号，从而测量再现信号的C/N比。
测量结果如图12所示。
如图12所示，发现在成分分子式TixAi1-x中的x值为0.3(30原子％)至0.8(80原子％)的情况下，通过再现2T信号获得的信号的C/N比等于或高于40dB，以及通过再现8T信号获得的信号的C/N等于或高于45dB，以及每个样品可实际用作光记录介质。
此外，发现在成分分子式TixAi1-x中的x值为0.4(40原子％)至0.6(60原子％)的情况下，通过再现2T信号获得的信号的C/N比和通过再现8T信号获得的信号的C/N比都变高，以及在x值为约0.5(50原子％)的情况下，通过再现2T信号获得的信号的C/N比和通过再现8T信号获得的信号的C/N比都变为最大值。
工作例子6
按与工作例子5相同的方式，通过将激光束的记录功率设置为最佳记录功率，包括按1，7RLL调制码的2T信号到8T信号的随机信号被记录在每个光记录介质样品#5-1至#5-5中。然后，从每个光记录介质样品#5-1至#5-5再现由此记录的随机信号，以及测量再现信号的时钟抖动。
测量结果如图13所示。
在图13中，曲线C1表示从位于未再现数据的各轨道间的一个轨道获得的再现信号的时钟抖动(单一抖动)，以及曲线C2表示从位于记录数据的各轨道间的一个轨道获得的再现信号的时钟抖动(交叉抖动)。
如图13所示，发现在成分分子式TixAi1-x中的x值低于0.3(30原子％)的情况下，单一抖动和交叉抖动都极其高，以及在成分分子式TixAi1-x中的x值等于或大于0.4(40原子％)以及等于或小于0.6(60原子％)的情况下，单一抖动和交叉抖动间的差值很小。进一步发现，在成分分子式TixAi1-x中的x值为约0.5的情况下，单一抖动和交叉抖动间的差值极其小。
因此，发现为改进光记录介质的串扰特性，最好将包含在记录层中的合金的成分确定为使成分分子式TixAi1-x中的x值为0.4(40原子％)至0.6(60原子％)，以及尤其可取的是将包含在记录层中的合金的成分确定成使x值为约0.5。
工作例子7
除了形成包含由成分分子式(Ti0.5Al0.5)ySi1-y表示的合金的记录层外，按与工作例子1相同的方式制作光记录介质样品#7-1。
包含在记录层中的合金的成分确定为使(Ti0.5Al0.5)ySi1-y中的y值等于0.67(67原子％)。
另外，除了将成分分子式(Ti0.5Al0.5)ySi1-y中的y值逐步增加到1(100原子％)以便形成记录层外，按与光记录介质样品#7-1相同的方式制作光记录介质样品#7-2至#7-3。
然后，将每个光记录介质样品#7-1至#7-3放在上述光记录介质评价装置中，以及按与工作例子1相同的方式，使用其记录功率被设置为7.0mW的激光束，将包括按1，7RLL调制码的2T信号至8T信号的随机信号记录在每个光记录介质样品#7-1至#7-3中。然后，从每个光记录介质样品#7-1至#7-3再现由此记录的随机信号，以及测量再现信号的时钟抖动。
另外，与上类似，将随机信号记录在每个光记录介质样品#7-1至#7-3中，同时以0.2mW的增量使激光束的记录功率增加达到10.0mW，从而从每个样品再现随机信号，以及与上述类似地测量再现信号的时钟抖动。
从由此测量的时钟抖动中确定最低时钟抖动，以及将再现信号的时钟抖动最低时的记录功率确定为激光束的最佳记录功率。
另外，按与将随机信号记录在每个样品的记录层中相同的方式，使用其记录功率设置为最佳记录功率的激光束，将2T信号记录在每个光记录介质样品#7-1至#7-3中。
然后，按与从每个样品的记录层再现随机信号相同的方式，从每个光记录介质#7-1至#7-3再现使用其记录功率被设置最佳记录功率的激光记录的2T信号，从而测量再现信号的C/N比。
测量结果如图14所示。
另外，将每个光记录介质样品#7-1至#7-3放在上述光记录介质评价装置中，以及按与将随机信号记录在每个样品的记录层中类似的方式，使用其功率设置为最佳记录功率的激光束，将按1，7RLL调制码的8T信号记录在每个样品#7-1至#7-3中。
然后，按与从每个样品的记录层再现随机信号相同的方式，从每个光记录介质样品#7-1至#7-3再现使用其功率被设置为最佳记录功率的激光记录的8T信号，从而测量再现信号的C/N比。
测量结果如图14所示。
如图14所示，发现在成分分子式(Ti0.5Al0.5)ySi1-y中的y值为0.75(75原子％)至1(100原子％)的情况下，随着y值减小，通过再现2T信号获得的信号的C/N比和通过再现8T信号获得的信号的C/N比均稍微减小，但通过再现2T信号获得的信号的C/N比基本上等于或高于40dB，以及通过再现8T信号获得的信号的C/N等于或高于50dB。
另一方面，发现在成分分子式(Ti0.5Al0.5)ySi1-y中的y值小于0.75(75原子％)至1(100原子％)的情况下，通过再现2T信号获得的信号的C/N比和通过再现8T信号获得的信号的C/N比都随着y值减小而减小。
因此，发现在成分分子式(Ti0.5Al0.5)ySi1-y中的y值等于或大于0.75(75原子％)的情况下，再现信号的C/N比受包含在合金中的任何Si的影响不是很大。
工作例子8
按与工作例子7相同的方式，通过将激光束的记录功率设置为最佳记录功率，包括按1，7RLL调制码的2T信号到8T信号的随机信号被记录在每个光记录介质样品#7-1至#7-3中。然后，从每个光记录介质样品#7-1至#7-3再现由此记录的随机信号，以及测量再现信号的时钟抖动。
测量结果如图15所示。
在图15中，曲线D1表示从位于未再现数据的各轨道间的一个轨道获得的再现信号的时钟抖动(单一抖动)，以及曲线D2表示从位于记录数据的各轨道间的一个轨道获得的再现信号的时钟抖动(交叉抖动)。
如图15所示，发现在成分分子式(Ti0.5Al0.5)ySi1-y中的y值在0.75(75原子％)至1(100原子％)的情况下，伴随y值减小单一抖动和交叉抖动都稍微减小，但没有观察到单一抖动和交叉抖动的显著增加。
相反，发现在成分分子式(Ti0.5Al0.5)ySi1-y中的y值小于0.75(75原子％)至1(100原子％)的情况下，伴随y值的减小单一抖动和交叉抖动都突然增加。
因此，发现在成分分子式(Ti0.5Al0.5)ySi1-y中的y值等于或大于0.75(75原子％)的情况下，再现信号的单一抖动和交叉抖动受包含在合金中的任何Si的影响不是很大。
已经参考特定的实施例和工作例子示出和描述了本发明。然而，应注意到本发明绝不限于所描述的配置的详细情况，而是在不背离附后权利要求的范围的情况下，可以做出各种改变和改进。
例如，在图1和2所示的光记录介质10中，尽管记录层14夹在第二介电层13和第一介电层15之间，也可以与记录层14相邻仅形成第二介电层13和第一介电层15中的一个。类似地，在图7所示的光记录介质30中，L0信息记录层40和L1信息记录层50的每一个可以包括单个介电层。
此外，尽管图1和2所示的光记录介质10包括在支撑衬底11上的反射层12，但在记录层14的形成记录标记的区域的反射系数与空白区域的反射系数之间的差值大的情况下，可以省略反射层12。
另外，在上述实施例中，尽管反射层12、反射层41和反射层51的每一个构成为单层，但反射层12、反射层41和反射层51的每一个也可以具有多层结构。
此外，在图7所示的实施例中，L1信息记录层50包括反射层51，但由于当激光束L投射在L0信息记录层40上时，激光束L通过L1信息记录层50，所以L1信息记录层50可以不具有反射层或具有极其薄的反射层，以便增加L1信息记录层50的光透射率。
此外，尽管图1和2所示的实施例中的光记录介质10包括单个记录层14作为信息记录层，以及在图7所示的实施例中的光记录介质30包括L0信息记录层40和L1信息记录层50，但光记录介质可以包括三个或多个信息记录层。
另外，在图1和2所示的实施例中，光记录介质10包括光透射层16，并构成为经由光透射层16将激光束L投射在记录层14上，以及在图7所示的实施例中，光记录介质30包括光透射层30，并构成为经由光透射层33，使激光束L投射在L1信息记录层50或L0信息记录层40上。然而，本发明不限于具有这种结构的光记录介质，光记录介质可以包括由可透光材料形成的衬底，并构成为经由该衬底，将激光束L投射在记录层14、或L1信息记录层50或L0信息记录层40上。
根据本发明，可以提供包括由对全球环境负担最小的材料形成的记录层的光记录介质。
另外，根据本发明，可以提供用于制造包括由对全球环境负担最小的材料形成的记录层的光记录介质的方法。
此外，根据本发明，可以提供用于溅射工艺的靶，其能由对全球环境负担最小的材料形成光记录介质的记录层。

Claims (18)

1.一种光记录介质，包括含有用通式：(TixM11-x)yM21-y表示的合金的记录层，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x等于或大于0.3以及等于或小于0.8，y等于或大于0.75以及等于或小于1。
2.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，从由Si、Al和Fe组成的组中选择元素M2。
3.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，x等于或大于0.4以及等于或小于0.6。
4.如权利要求2所述的光记录介质，其特征在于，x等于或大于0.4以及等于或小于0.6。
5.如权利要求1所述的光记录介质，进一步包括在所述记录层的至少一个侧面上的介电层。
6.如权利要求2所述的光记录介质，进一步包括在所述记录层的至少一个侧面上的介电层。
7.如权利要求3所述的光记录介质，进一步包括在所述记录层的至少一个侧面上的介电层。
8.如权利要求1所述的光记录介质，进一步包括在所述记录层的相对侧面上的介电层。
9.如权利要求2所述的光记录介质，进一步包括在所述记录层的相对侧面上的介电层。
10.如权利要求3所述的光记录介质，进一步包括在所述记录层的相对侧面上的介电层。
11.一种用于制造光记录介质的方法，包括使用含有用通式：(Tix′M11-x′)y′M21-y′表示的合金的靶，通过溅射工艺来形成光记录介质的记录层的步骤，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x′等于或大于0.37以及等于或小于0.85，y′等于或大于0.75以及等于或小于1。
12.如权利要求11所述的用于制造光记录介质的方法，其特征在于，从由Si、Al和Fe组成的组中选择元素M2。
13.如权利要求11所述的用于制造光记录介质的方法，其特征在于，x′等于或大于0.4并且等于或小于0.6。
14.如权利要求12所述的用于制造光记录介质的方法，其特征在于，x′等于或大于0.4并且等于或小于0.6。
15.一种用于溅射工艺的靶，包含用通式：(Tix′M11-x′)y′M21-y′表示的合金，其中，元素M1是Si或Al，元素M2是不同于元素M1的元素，x′等于或大于0.37以及等于或小于0.85，y′等于或大于0.75以及等于或小于1。
16.如权利要求15所述的用于溅射工艺的靶，其特征在于，从由Si、Al和Fe组成的组中选择元素M2。
17.如权利要求15所述的用于溅射工艺的靶，其特征在于，x′等于或大于0.4并且等于或小于0.6。
18.如权利要求16所述的用于溅射工艺的靶，其特征在于，x′等于或大于0.4并且等于或小于0.6。
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