CN1534805A - 带有光敏器件的有机发光二极管显示器 - Google Patents

带有光敏器件的有机发光二极管显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN1534805A
CN1534805A CNA2004100314560A CN200410031456A CN1534805A CN 1534805 A CN1534805 A CN 1534805A CN A2004100314560 A CNA2004100314560 A CN A2004100314560A CN 200410031456 A CN200410031456 A CN 200410031456A CN 1534805 A CN1534805 A CN 1534805A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
display
electrode
layer
transparent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100314560A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100435375C (zh
Inventor
A��D����ŵ
A·D·阿诺
ƿ�ӻ���
R·S·科克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Global OLED Technology LLC
Original Assignee
Eastman Kodak Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eastman Kodak Co filed Critical Eastman Kodak Co
Publication of CN1534805A publication Critical patent/CN1534805A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100435375C publication Critical patent/CN100435375C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04D—ROOF COVERINGS; SKY-LIGHTS; GUTTERS; ROOF-WORKING TOOLS
    • E04D13/00—Special arrangements or devices in connection with roof coverings; Protection against birds; Roof drainage ; Sky-lights
    • E04D13/04—Roof drainage; Drainage fittings in flat roofs, balconies or the like
    • E04D13/08—Down pipes; Special clamping means therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04D—ROOF COVERINGS; SKY-LIGHTS; GUTTERS; ROOF-WORKING TOOLS
    • E04D13/00—Special arrangements or devices in connection with roof coverings; Protection against birds; Roof drainage ; Sky-lights
    • E04D13/04—Roof drainage; Drainage fittings in flat roofs, balconies or the like
    • E04D13/08—Down pipes; Special clamping means therefor
    • E04D2013/084—Means for fixing down pipes to structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种有机发光二极管显示器包括：透明电极；具有透明窗口的反射电极；设置在透明电极和反射电极之间的光发射层；和位于反射电极的透明窗口下面的光敏器件，用来传感由发光层产生的光。

Description

带有光敏器件的有机发光二极管显示器
技术领域
本发明涉及固态有机发光二极管(OLED)平板显示器，尤其涉及具有与显示器集成在一起的光敏器件的这种显示器。
背景技术
固态有机发光二极管(OLED)图象显示器作为一种高级的平板显示器技术具有极大的利益。这些显示器利用电流穿过有机材料薄膜来产生光。通过有机薄膜材料的成分可以确定发出的光的颜色和从电流到光的能量转换效率。不同的有机材料发射不同颜色的光。可是，随着显示器的使用，该器件内的有机材料老化，并且在发光时效率变低。因此提供一种方法来校正OLFD器件随时间的光输出是有用的。
OLED器件通常是顶部发光或者底部发光的。通过在基片上淀积电极、在整个第一电极上淀积有机发光材料和在发光材料上淀积第二电极可在基片上构建OLED显示器。罩用于密封和保护该器件。通过施加从一个电极到另一个电极的穿过有机发光材料的电流发出光。底部发光器件发光穿过基片和第一电极，它们必须都是透明的。第二电极可以是透明的，或者是可反射的。顶部发光器件发光穿过罩和第二电极，它们必须都是透明的。在这种情况下，第二电极可以是透明的，或者是可反射的。
OLED器件在各个方向发光。一部分光直接向着显示器器件的前面发出：穿过基片(对于底部发光器件)或密封罩(对于顶部发光器件)。相同部分的光向着显示器器件的背面发出，并且被电极或在有机层之后的其它层吸收或者反射。如果向着背面发出的部分光被反射，它能又一次穿过有机层并被发射穿过显示器的前面，由此增强了显示器的亮度。如果向着背面发出的这部分光被吸收，它被吸收且损耗，由此使得发出的光减少了一半。
由于OLED材料老化，已知通过使用可对从显示器器件输出的光进行测量的外部传感器可以校准OLED显示器器件，并且可构建该器件的使用校准表来校正老化。参见1994年12月6日授权给Bohan等人的US5371537的实例。这个方案存在校准期间内传感器件使显示器模糊、不能提供实时操作的问题。此外，这些方案对于校正在单个像素显示元件中的均匀性变化并没有用。
另一种方法利用了与显示器的发光元件自身结合的光传感器。例如，在2002年12月3日授权给Young等人的US6489631中描述了电致发光像素元件和光敏器件的集成。每个光感应元件包括栅控光敏薄膜器件如具有带接触区的半导体层的TFT结构，栅控区域使接触区在基片上横向间隔开并分离。一部分相连接的显示器元件在栅控区域上延伸，显示器元件的电极作为该光敏器件的控制栅，由此确保了在显示器元件和光敏器件之间的良好的光耦合。这种设置需要使用透明电极，因此不能优化显示器元件产生的光的发射，并且限制了可穿过电极的能量。
因此需要一种改进的具有集成光敏器件的OLED显示器。
发明内容
根据本发明通过提供一种OLED显示器可满足该需要，该OLED显示器包括：透明电极；具有透明窗口的反射电极；位于透明电极和反射电极之间的光发射层；位于反射电极透明窗口下面的光敏器件用来感应光发射层产生的光。
本发明的优点在于该OLED显示器器件提供了测量OLED显示器器件光输出的方法，同时使得光输出最大化。
附图说明
图1是根据本发明的OLED显示器中的发光元件的横截面示意图；
图2是现有技术的顶部发光OLED显示器的部分横截面示意图；和
图3是现有技术的OLED结构的横截面示意图。
参照图2，表示了现有技术的顶部发光OLED显示器器件10，它带有基片12和包括给OLED元件提供能量的薄膜晶体管(TFT)阵列的TFT有源矩阵层14。有图案的第一绝缘层16设置在TFT有源矩阵层14上面，反射电极18的阵列设置在绝缘层16上面，且与TFT有源矩阵层14电连接。有图案的第二绝缘层17设置在反射电极18的阵列的上面，使得每个反射电极18的至少一部分被暴露出来。
在第一电极和绝缘层上面，设置有发射红光、绿光和蓝光的有机电致发光(EL)元件19。在这里，有机EL元件的聚集体也被称为有机EL层。该层可以由现有技术中已知的其它层组成，如空穴注入层32、空穴传输层34、发射层36、电子传输层38和电子注入层39。作为选择，可以在分隔的红光、绿光和蓝光发射元件的位置中使用带有滤色器阵列的单个连续白光发射层。
发光像素区通常由与有机EL元件接触的第一电极18的区域来限定。在有机EL层上设置有透明的公共透明电极30，它具有足够的光学透明度允许发出的红光、绿光和蓝光传输。每个第一电极结合与第一电极相连的有机EL元件和第二电极在此称为OLED元件。典型的顶部发光OLED显示器器件包括OLED元件的阵列，其中每个OLED元件发出红、绿或蓝光。可是，在已知单色显示器器件中，OLED元件的阵列发出同一色光如白光。密封或保护层31可以设置在透明电极30上。
在操作中，TFT层14中的薄膜晶体管允许电流在第一电极18和公共第二电极30之间流通，每个第一电极18能可选择地被访问。空穴和电子在有机EL元件内重组来发光。
参照附图1，根据本发明的一个实施例，光敏器件13位于第一电极18和第一绝缘层16的下面。第一绝缘层16是透明的，它可以由例如二氧化硅组成。第一电极18可反射使得从该器件输出的光最大化。透明窗口29设置在第一电极18内，从而允许光穿过开口和透明第一绝缘层16到达光敏器件13。通常，透明窗口29小于第一电极18尺寸的一半，优选更小。合适的电极材料在现有技术中已经知道，它可以包括如银、铝、或银和铝的复合物。
在操作中，通过位于第一电极18上的有机材料发光。尽管光不能从透明窗口29上的电致发光元件19直接发射，但是光会从第一电极18上的区域向各个方向发射。一些这种光将穿过透明窗口29至光敏器件13。然后显示器能测量和使用该光，例如使用现有技术中已知的且在此公开中引证的方法来校准或控制发光元件的光输出。由于透明窗口29比第一电极18小得多，因此从透明窗口29上的区域的光输出的减少量比通过使用可反射的第一电极18得到的光输出小。由于第一电极可反射且非常厚，因此它能比限制其为透明的情况下传输的电流量大。此外，第一电极18可以使用较宽范围的多种材料，从而使制造工艺更加容易。
在制造第一电极18的同时可以对透明窗口29构图，使得不需要更进一步的光刻步骤来制造该开口。该窗口可以充满绝缘、透明材料如二氧化硅，优选包括与第二绝缘层17相同的材料且与第二绝缘层17同时淀积。另一方面，该有机材料19可以直接在窗口29的上面淀积，没有插入淀积材料，简化了第二绝缘层17的掩模。然而在另一可选实例中，薄透明电极(如由银或铝、或银或铝的化合物构成的薄金属层、或ITO的薄层)可以设置在透明窗口29内。该薄透明电极可以覆盖整个电极18或仅覆盖透明窗口29。这在没有显著地损失显示器的反射率和光输出的条件下提高了光输出和与光敏器件13的光耦合。
可以调整该透明窗口29的尺寸使得适合光敏器件13的灵敏度、发光元件的效率和显示器电路的噪音要求。作为选择，如果设置半透明开口如薄导电金属层，可以调整该窗口29的厚度(和导电率)使得光输出和光敏信号最优化。
可以由发光元件来提供一个光敏器件13，发光元件以矩形结构被淀积在显示器上。作为选择，可以设置多个光敏器件13和透明开口29，尤其对于大的发光元件。
在优选实施方案中，本发明应用在包括有机发光二极管(OLED)的器件中，该有机发光二极管由小分子或聚合OLED组成，它们在1988年9月6日授权给Tang等人的US4769292和1991年10月29日授权给VanSlyke等人的US5061569中公开，但并不局限于此。可以使用有机发光显示器的许多组合和变化来制造这种器件。
本发明可以应用于大部分的OLED器件结构中。这些结构包括从非常简单的阳极和阴极的结构到复杂的器件，如包括阳极和阴极正交阵列的用来形成发光元件的无源矩阵显示器，和其中可以独立控制每个发光元件的如带有薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵显示器。
有许多可以成功地实现本发明的有机层结构。典型的现有技术结构表示在图3中，它包括基片101、阳极103、空穴注入层105、空穴传输层107、发光层109、电子传输层111和阴极113。以下对这些层进行详细描述。注意基片可以可选择地位于邻近阴极，或者基片实际上可以构成阳极或阴极。在阳极和阴极之间的有机层通常称为有机EL元件。该有机层的总的组合厚度优选小于500nm。
OLED的阳极和阴极通过电导体260与电压/电流源250相连。通过在阳极和阴极之间施加电压使得阳极具有比阴极更高的电势来操作该OLED。将空穴从阳极注入有机EL元件，将电子在阳极注入有机EL元件。当该OLED在AC模式下运行时，有时能得到提高的器件稳定性，在该AC模式下，对于在该周期内的某些时段，使得电压偏移反向且没有电流流动。AC驱动OLED的实例在US5552678中描述。
本发明的该OLED器件典型地设置在支撑基片上，此处阴极或阳极可以与该基片接触。与基片接触的该电极方便地称为底部电极。通常，底部电极是阳极，但本发明并不局限于那种结构。该基片可以是可透射的或不透明的。在基片是可透射的情况下，将反射层或光吸收层用来反射穿过罩的光或者吸收该光，因此提高了显示器的对比度。基片包括但不限于玻璃、塑料、半导体材料、硅、陶瓷和电路板材料。当然必须设置透光顶部电极。
当通过阳极103观察EL发射时，阳极对所关注的发射必须是透明的或基本上是透明的。在本发明中使用的公共透明阳极材料是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锡，但是其它的金属氧化物也能采用，它们包括但不限于掺杂铝或铟的氧化锌、氧化镁铟和氧化镍钨。除了这些氧化物外，金属氮化物如氮化镓、金属硒化物如硒化锌、和金属硫化物如硫化锌可以作为阳极使用。在仅通过阴极观察EL发射的应用中，阳极的透射特性是不重要的，并且可能使用任何透明、不透明或反射的导电材料。该应用中的导体的例子包括但不限于金、铱、钼、钯和铂。典型的透射或不透射阳极材料具有4.1eV或更大的功函数。通常通过任何合适的方法如蒸镀、溅射、化学汽相淀积或电化学方法来淀积希望得到的阳极材料。使用已知的光刻工艺能对阳极构图。可选地在施加其它层之前对阳极抛光来减小表面粗糙度，从而使短路故障最小化或提高反射率。
在阳极103和空穴传输层107之间设置空穴注入层105通常是有用的，虽然不总是必须的。该空穴注入材料能用来改善后来的有机层的膜形成性能，并促使空穴注入空穴传输层。在空穴注入层中使用的合适的材料包括但不限于如在US4,720,432中所述的卟啉(porphyrinic)化合物，如在US6208075中所述的等离子体沉积的碳氟聚合物，以及一些芳香胺，如m-MTDATA(4，4′，4″-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺)。据报道对有机EL装置有用的可替换的空穴注入材料在EP0891121A1和EP1029909A1中有所描述。
空穴传送层107包含至少一种空穴传输化合物例如芳香族的叔胺，其中后者被理解为是包含至少一个仅键接于碳原子的三价氮原子的化合物，而且至少一个该碳原子是芳香环的一员。该芳香叔胺的一种可以是芳基胺，例如单芳基胺、二芳基胺、三芳基胺或多芳基胺。US3,180,730中Klupfel等人阐明了典型的单体的三芳基胺。其他适宜的用一个或多个乙烯基团取代的和/或包括至少一个含活性氢的基团的三芳基胺被Brantley等人公开在US 3,567,450和3,658,520中。
更优选的一类芳香叔胺是如在US4,720,432和5,061,569中所描述的包括至少两个芳香叔胺部分的那些芳香叔胺。空穴传送层可以由单一的芳香叔胺化合物或其混合物形成。有用的芳香叔胺的示例如下：
1，1-双(4-二-对-甲苯基氨基苯基)环已烷
1，1-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)-4-苯基环己烷
4，4’-双(二苯基氨基)四苯(quadriphenyl)
双(4-二甲基氨基2-甲基苯基)-苯基甲烷
N，N，N-三(对-甲苯基)胺
4-(二-对-甲苯基胺)-4’-[4(二-对-甲苯基胺)苯乙烯基]芪
N，N，N′，N′-四-对甲苯基-4，4′-二氨基联苯
N，N，N′，N′-四苯基-4，4′-二氨基联苯
N，N，N′，N′-四-1-萘基-4，4′-二氨基联苯
N，N，N′，N′-四-2萘基-4，4′-二氨基联苯
N-苯基咔唑
4，4′-双[N-(1-萘基-N-苯基氨基)联苯
4，4′-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]联苯
4，4″-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对-三联苯
4，4′-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯
1，5双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘
4，4′-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯
4，4″-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对-三联苯
4，4′-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(8-荧蒽基(fluoranthenyl)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(2-并四苯基(naphthacenyl)-N-苯基氨基)联苯
4，4′-双[N-(2-苝基(perylenyl)-N-苯基氨基)联苯
4，4′-双[N-(1-蒄基(coronenyl)-N-苯基氨基]联苯
2，6-双(二-对-甲苯基氨基)萘
2，6-双[二-(1-萘基)氨基]萘
2，6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘
N，N，N′，N′-四(2-萘基)-4，4″-二氨基-对-三联苯
4，4′-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)-苯基]氨基}联苯
4，4′-双[N-萘基-N-(2-芘基)氨基]联苯
2，6-双[N，N-二(2-萘基)氨基]芴
1，5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘
4，4，4″-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯基胺
另一类有用的空穴传送材料包含如EP1009041中所述的多环芳香化合物。可以使用具有两个以上胺基团的叔芳香族胺，包括低聚材料。此外，可以使用聚合的空穴-传送材料，例如聚(N-聚乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺，以及共聚物例如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸醇)，也称为PEDOT/PSS。
正如在US4769292和US5935721中作出的较充分的描述，在由于电子空穴对在这个区域重新复合而产生电致发光的情况下，该有机EL元件的发光层(LEL)109包括发光或荧光材料。发光层可能包括单一材料，但也可以更多，通常包括基质材料，它掺杂了客体化合物或光发射主要来自掺杂剂且光发射会是任意颜色的化合物。在发光层内的该基质材料可以是以下限定的电子传输材料、以上限定的空穴-传输材料、或别的材料或能支持空穴电子复合的材料的组合物。该掺杂剂通常从高荧光染料中选出，但也可使用发荧光的化合物如在WO98/55561、WO00/18851、WO00/57676和WO00/70655描述的过渡金属络合物。典型地是将重量百分比为0.01至10％的掺杂剂涂覆在基质材料中。聚合物材料如聚芴(polyfluorenes)和聚(乙烯基亚芳基)(polyvinylarylenes)(例如聚(对-亚苯基亚乙烯基(phenylenevinylene)，PPV)也可用作主体材料。在这种情况下，小分子掺杂剂会进行分子扩散进入聚合基质，或者该掺杂剂会通过将小组分共聚进入基质聚合体被加入。
选择作为掺杂剂的染料的重要关系为带隙电势的比较，该带隙电势被限定为分子的最高占用分子轨道和最低未占分子轨道之间的能量差。对于从基质向该掺杂剂分子的有效的能量传输，必须的条件为该掺杂剂的带隙小于基质材料的带隙。对于荧光发射体，具有足够高的基质的三重态能量级使得能量能从基质传输到掺杂剂也是重要的。
已知使用的基质和发射分子包括但不限于在US4768292、5141671、5150006、5151629、5405709、5484922、5593788、5645948、5683823、5755999、5928802、5935720、5935721和6020078中公开的。
8-羟基喹啉的金属配合物(喔星)和类似的衍生物构成了一类有用的能支持电致发光的主体化合物。有用的螯合喔星(oxinoid)化合物的示例如下：
CO-1：三喔星铝[别名，三(8-喹啉醇合(quinolinolato)铝(III))
CO-2：二喔星镁[别名，双(8-喹啉醇合)镁(II)]
CO-3：双[苯并{f}-8-喹啉醇合]锌(II)
CO-4：双(2-甲基-8-喹啉醇合)铝(III)-氧代-双(2-甲基-8-喹啉醇合)铝(III)
CO-5：三喔星铟[别名，三(8-喹啉醇合)铟(III)]
CO-6：三(5-甲基喔星)铝[别名，三(5-甲基-8-喹啉醇合)铝(III)]
CO-7：三喔星锂[别名，三(8-喹啉醇合)锂(I)]
CO-8：三喔星镓[别名，三(8-三喹啉醇合)镓(III)]
CO-9：喔星锆[别名，四(8-喹啉醇合)锆(IV)]
其他类有用的主体材料包括但不局限于：蒽的衍生物，例如在US5935721中所述的9，10-二(2-萘基)蒽及其衍生物，在US5,121,029中所述的联苯乙烯亚芳基衍生物，和吲哚衍生物，例如2，2′，2″(1，3，5-亚苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]。咔唑衍生物是用于磷光性发射体的特别有用的主体。
有用的荧光掺杂剂包括但不限于蒽的衍生物、并四苯、氧杂蒽、苝、红荧烯、香豆素、若丹明、和喹吖啶酮、二氰基亚甲基吡喃化合物、噻喃化合物、聚甲川化合物、吡喃鎓(pyrilium)和噻喃鎓(thiapyrilium)化合物、芴衍生物、迫位苯并芘(periflanthene)衍生物、茚并苝(indenoperylene)衍生物、双吖嗪基(azinyl)胺硼化合物、双吖嗪基(azinyl)甲烷化合物、和喹诺酮(carbostyryl)化合物。
用于形成本发明有机的EL元件的电子传送层的优选薄膜形成材料是金属螯合的喔星化合物，包括喔星本身的螯合物(也通常称为8-羟基喹啉(8-quinolinol)或8-羟基喹啉(8-hydroxyquinoline))。这样的化合物有助于注入和传输电子，显示出高的性能水平，并且容易被加工成薄膜形式。在前面已列出了典型的喔星(oxinoid)化合物。
其它的电子-传输材料包括如在US4356429中公开的多种的丁二烯衍生物和如在US4539507中描述的多种杂环荧光增白剂。吲哚和三嗪也是有用的电子传输材料。
当单独通过阳极观察发出的光时，在本发明中使用的阴极113可能包括几乎任何一种导电材料。理想的材料具有良好的膜形成特性以确保与下面的有机层的良好接触，并且促进低压时电子的注入，并具有良好的稳定性。可使用的阴极材料通常包括低功函数金属(＜4.0eV)或金属合金。一种优选的阴极材料包括Mg∶Ag合金，其中银的百分比正如在US4885221中描述的在1至20％的范围内。另一种合适的阴极材料包括含有与有机层(如ETL)接触的薄电子注入层(EIL)的双层，该薄电子注入层由导电金属较厚层罩盖。在此，该EIL最好包括低功函数金属或金属盐，如果这样，那么较厚罩盖层不需要具有低功函数。一种这样的阴极正如US5677572中描述的包括LiF薄层，在其后有较厚的铝层。另外的有用的阴极材料组包括但不限于那些在US5059861、US5059862和US6140763中公开的。
当通过阴极观察发出的光时，阴极必须是透明的或几乎是透明的。对于这些应用，金属必须是薄的或必须使用透明导电氧化物或这些材料的组合。光学透明阴极已经在US4885211、US5247190、JP3234963、US5703436、US5608287、US5837391、US5677572、US5776622、US5776623、US5714838、US5969474、US5739545、US5981306、US6137223、US6140763、US6172459、EP1076368、US6278236和US6284393中作出了比较详细的描述。典型地通过蒸镀、溅射或化学汽相淀积对阴极材料进行淀积。当需要时，通过许多已知的方法实现构图，其包括但不限于贯穿掩模淀积、整体遮蔽掩模如在US5276380和EP0732868中描述的、激光烧蚀和选择的化学汽相淀积。
在一些实例中，可选择地将层109和111压扁成单层，该单层具有支持光发射和电子传输的作用。在现有技术中已知可以将发射掺杂剂加入到空穴传输层中，可以用作基质。为了制造发白光的OLED，可以将多重掺杂剂加入到一层或更多层中，例如通过结合发蓝光和黄光材料、发青光和红光材料或发红光、绿光和蓝光的材料。发白光器件在例如EP1187235、US20020025419、EP1182244、US5683823、US5503910、US5405709和US5283182中得以描述。
正如在现有技术中教导的附加层如电子或空穴阻挡层可以应用于本发明的器件中。空穴阻挡层通常用来改善荧光发射体器件的效率，如在US20020015859中所述的。
本发明可以用在所谓的堆叠器件结构中，如专利US5703436和US6337492所教导的。
上述提到的有机材料通过汽相方法如升华得以适宜地淀积，但它可以从液体如从带有任意粘结剂的溶液开始淀积，从而改善膜形成。如果该材料是聚合物，可采用溶液淀积，但也可采用别的方法，如溅射或从供体片中热传递。通过升华淀积的材料会从通常包括钽材料的升华器“舟”中蒸发，正如US6237529所述，或者会首先将该材料涂覆在供体片上，然后再将它在比较接近基片处升华。材料的混合物层能利用分隔的升华器舟，或者从单舟或供体片预混合并涂覆这些材料。构成图形的淀积可以通过使用遮蔽掩模、整体遮蔽掩模(US5294870)、自原料片的空间限定的热染料转换(US5688551、5851709和6066357)和喷墨方法(US6066357)得到。
大多OLED器件对湿气或氧或者它们二者敏感，因此它们通常和干燥剂一起密封在惰性气体如氮或氩中，该干燥剂为例如氧化铝、矾土、硫酸钙、粘土、硅胶、沸石、碱性金属氧化物、碱土金属氧化物、硫酸盐或者金属卤化物和高氯酸盐。用于密封和干燥的方法包括但并不局限于US6226890所述的那些方法。另外，现有技术中已公开了阻挡层如SiOx、聚四氟乙烯、和交联无机/聚合层可用来密封。
本发明的OLED器件能应用多种已知的光学效应来根据需要提高它的性能。这包括优化层厚度来产生最大光传输、设置介质镜结构、用光吸收电极代替反射电极、在显示器上设置抗强光或抗反射涂层、在显示器上设置偏振介质、或在显示器上设置彩色的中性密度滤光片或色彩转换滤光器。滤光器、偏振器和抗强光或抗反射涂层特别设置在盖上或盖下面的电极保护层上。

Claims (12)

1.一种OLED显示器，包括：
a)透明电极；
b)具有透明窗口的反射电极；
c)设置在透明电极和反射电极之间的光发射层；和
d)位于反射电极的透明窗口下面的光敏器件，可检测由发光层产生的光。
2.如权利要求1所述的显示器，其中透明窗口是在反射电极中的开口。
3.如权利要求2所述的显示器，其中该开口充满透明绝缘体。
4.如权利要求3所述的显示器，其中透明绝缘体是SiO2。
5.如权利要求2所述的显示器，其中该开口充满透明导体。
6.如权利要求5所述的显示器，其中该透明导体是ITO。
7.如权利要求1所述的显示器，其中该透明窗口是反射电极内的薄区域。
8.如权利要求1所述的显示器，其中该光敏器件是薄膜器件。
9.如权利要求1所述的显示器，其中该窗口位于反射电极的中央。
10.权利要求1所述的显示器，其中该窗口位于反射电极的边缘。
11.如权利要求1所述的显示器，其中该反射电极包括多个窗口。
12.如权利要求11所述的显示器，进一步包括与多个窗口对应的多个光敏器件。
CNB2004100314560A 2003-03-28 2004-03-29 带有光敏器件的有机发光二极管显示器 Expired - Lifetime CN100435375C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/401,658 US6933532B2 (en) 2003-03-28 2003-03-28 OLED display with photosensor
US10/401658 2003-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1534805A true CN1534805A (zh) 2004-10-06
CN100435375C CN100435375C (zh) 2008-11-19

Family

ID=32825024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100314560A Expired - Lifetime CN100435375C (zh) 2003-03-28 2004-03-29 带有光敏器件的有机发光二极管显示器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6933532B2 (zh)
EP (1) EP1463117B1 (zh)
JP (1) JP4550455B2 (zh)
KR (1) KR100995825B1 (zh)
CN (1) CN100435375C (zh)
TW (1) TWI350713B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108899356A (zh) * 2018-09-04 2018-11-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN109166901A (zh) * 2018-09-04 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板、显示装置及其制作方法
CN110021270A (zh) * 2019-05-22 2019-07-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070004742A (ko) * 2004-03-24 2007-01-09 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전계 발광 디스플레이 디바이스
US7400345B2 (en) * 2004-10-22 2008-07-15 Eastman Kodak Company OLED display with aspect ratio compensation
KR100656192B1 (ko) * 2004-11-24 2006-12-12 이병철 전면발광형 유기이엘 디스플레이 소자
KR101097920B1 (ko) * 2004-12-10 2011-12-23 삼성전자주식회사 광 센서와, 이를 구비한 표시 패널 및 표시 장치
KR101359412B1 (ko) * 2005-08-31 2014-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 카르바졸 유도체, 발광소자용 재료, 발광소자, 발광 장치 및 전자기기
US7498735B2 (en) 2005-10-18 2009-03-03 Eastman Kodak Company OLED device having improved power distribution
US8477125B2 (en) * 2005-12-21 2013-07-02 Samsung Display Co., Ltd. Photo sensor and organic light-emitting display using the same
EP1816681A3 (en) 2006-02-06 2012-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
KR101230308B1 (ko) * 2006-02-22 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US7854513B2 (en) * 2006-03-03 2010-12-21 Quach Cang V One-way transparent display systems
KR100762682B1 (ko) * 2006-05-03 2007-10-01 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100769444B1 (ko) * 2006-06-09 2007-10-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치
DE102006030541B4 (de) * 2006-06-23 2010-05-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optische Anordnung
TW200818979A (en) * 2006-09-29 2008-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light-emitting component, device with the same, lighting equipment and display device
CN101529612A (zh) * 2006-10-20 2009-09-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 有机发光二极管器件
US20080174735A1 (en) * 2007-01-23 2008-07-24 Emiscape, Inc. Projection Display with Holographic Screen
US20080278063A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved power distribution
US20090323341A1 (en) * 2007-06-28 2009-12-31 Boundary Net, Incorporated Convective cooling based lighting fixtures
US8319703B2 (en) 2007-06-28 2012-11-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Rendering an image pixel in a composite display
KR100927598B1 (ko) * 2007-10-05 2009-11-23 한국전자통신연구원 광 게이팅 스위치 시스템
JP2009164543A (ja) * 2007-12-11 2009-07-23 Sony Corp 光センサ及び表示装置
JP5355904B2 (ja) * 2008-02-26 2013-11-27 パナソニック株式会社 照明装置
KR100987381B1 (ko) * 2008-07-16 2010-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US20100019993A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Boundary Net, Incorporated Calibrating pixel elements
KR100963076B1 (ko) * 2008-10-29 2010-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR101002659B1 (ko) * 2008-12-23 2010-12-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US20100201275A1 (en) 2009-02-06 2010-08-12 Cok Ronald S Light sensing in display device
JP5481902B2 (ja) * 2009-03-27 2014-04-23 ソニー株式会社 表示パネルおよび表示装置
US8803417B2 (en) * 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
WO2012027458A1 (en) 2010-08-26 2012-03-01 Semprius, Inc. Structures and methods for testing printable integrated circuits
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
TWI423492B (zh) * 2010-12-03 2014-01-11 Univ Nat Taiwan Science Tech 有機薄膜電晶體及其製造方法
KR101726597B1 (ko) 2010-12-13 2017-04-14 삼성전자주식회사 멀티터치 및 근접한 오브젝트 센싱이 가능한 디스플레이 장치
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
US9000452B2 (en) 2012-09-28 2015-04-07 Industrial Technology Research Institute Display with filter structure
US10628103B2 (en) * 2013-06-07 2020-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processor and program
US9761754B2 (en) 2014-06-18 2017-09-12 X-Celeprint Limited Systems and methods for preparing GaN and related materials for micro assembly
US9865600B2 (en) 2014-06-18 2018-01-09 X-Celeprint Limited Printed capacitors
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
WO2015193435A1 (en) 2014-06-18 2015-12-23 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
US9698308B2 (en) 2014-06-18 2017-07-04 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
TWI652796B (zh) 2014-06-18 2019-03-01 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 多層印刷電容器
CN117198903A (zh) 2014-07-20 2023-12-08 艾克斯展示公司技术有限公司 用于微转贴印刷的设备及方法
KR20170047324A (ko) 2014-08-26 2017-05-04 엑스-셀레프린트 리미티드 마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들
KR102265752B1 (ko) 2014-09-01 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9799261B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9537069B1 (en) 2014-09-25 2017-01-03 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting diode with encapsulating reflector
US9468050B1 (en) 2014-09-25 2016-10-11 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US10102794B2 (en) 2015-06-09 2018-10-16 X-Celeprint Limited Distributed charge-pump power-supply system
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
US10091446B2 (en) 2015-12-23 2018-10-02 X-Celeprint Limited Active-matrix displays with common pixel control
US9928771B2 (en) 2015-12-24 2018-03-27 X-Celeprint Limited Distributed pulse width modulation control
TWI607576B (zh) * 2016-01-12 2017-12-01 友達光電股份有限公司 光感測裝置
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
US10109753B2 (en) 2016-02-19 2018-10-23 X-Celeprint Limited Compound micro-transfer-printed optical filter device
WO2017144573A1 (en) 2016-02-25 2017-08-31 X-Celeprint Limited Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
US10150326B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid document with variable state
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US9997102B2 (en) 2016-04-19 2018-06-12 X-Celeprint Limited Wirelessly powered display and system
US10198890B2 (en) 2016-04-19 2019-02-05 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
US10360846B2 (en) 2016-05-10 2019-07-23 X-Celeprint Limited Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device
US10622700B2 (en) 2016-05-18 2020-04-14 X-Celeprint Limited Antenna with micro-transfer-printed circuit element
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US10222698B2 (en) 2016-07-28 2019-03-05 X-Celeprint Limited Chiplets with wicking posts
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10157880B2 (en) 2016-10-03 2018-12-18 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with volatile adhesive layer
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
WO2018091459A1 (en) 2016-11-15 2018-05-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10297502B2 (en) 2016-12-19 2019-05-21 X-Celeprint Limited Isolation structure for micro-transfer-printable devices
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
CN108630724A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN108630726A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
US10832935B2 (en) 2017-08-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-level micro-device tethers
US10832934B2 (en) 2018-06-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-layer tethers for micro-transfer printing
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
US12020521B2 (en) 2020-03-27 2024-06-25 Home Valet, Inc. Apparatus to allow for storage or holding of items, especially for deliveries and/or pickups
KR102448029B1 (ko) * 2020-06-11 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3728594A (en) * 1971-11-17 1973-04-17 Rca Corp Electroluminescent device comprising a transition metal oxide doped with a trivalent rare earth element
US5371537A (en) 1991-10-31 1994-12-06 Eastman Kodak Company Method and apparatus for automatically calibrating a CRT display
JP3663741B2 (ja) * 1996-05-22 2005-06-22 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置及びその製造方法
JP2918037B1 (ja) * 1998-06-18 1999-07-12 日本電気株式会社 カラー有機ｅｌディスプレイとその製造方法
US6392617B1 (en) * 1999-10-27 2002-05-21 Agilent Technologies, Inc. Active matrix light emitting diode display
US6509574B2 (en) * 1999-12-02 2003-01-21 Texas Instruments Incorporated Optocouplers having integrated organic light-emitting diodes
US6882102B2 (en) * 2000-02-29 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2001257079A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機ｅｌ表示装置
JP2001332392A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Sony Corp 両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子、両面発光型有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
GB0014961D0 (en) 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements
JP2002162934A (ja) * 2000-09-29 2002-06-07 Eastman Kodak Co 発光フィードバックのフラットパネルディスプレイ
CA2336753C (en) * 2001-02-14 2007-07-03 Itf Optical Technologies Inc.-Technologies Optiques Itf Inc. Method for measuring polarization dependent loss and insertion loss
JP4151263B2 (ja) * 2001-12-05 2008-09-17 ソニー株式会社 表示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108899356A (zh) * 2018-09-04 2018-11-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN109166901A (zh) * 2018-09-04 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板、显示装置及其制作方法
CN108899356B (zh) * 2018-09-04 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN110021270A (zh) * 2019-05-22 2019-07-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20040188687A1 (en) 2004-09-30
JP2004303731A (ja) 2004-10-28
KR20040085025A (ko) 2004-10-07
EP1463117A3 (en) 2008-03-12
EP1463117B1 (en) 2012-06-20
TWI350713B (en) 2011-10-11
TW200500594A (en) 2005-01-01
EP1463117A2 (en) 2004-09-29
JP4550455B2 (ja) 2010-09-22
US6933532B2 (en) 2005-08-23
KR100995825B1 (ko) 2010-11-23
CN100435375C (zh) 2008-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100435375C (zh) 带有光敏器件的有机发光二极管显示器
JP4570014B2 (ja) スタック型有機電場発光デバイス
JP4354747B2 (ja) アクティブマトリクス式有機発光ダイオード表示装置
KR101134410B1 (ko) 개선된 동력 효율을 갖는 칼라 유기 발광 다이오드디스플레이
KR101266369B1 (ko) 변형가능 기판을 갖는 평판 ｏｌｅｄ 장치
CN1472823A (zh) 有机发光二极管显示器
KR101182183B1 (ko) 변형가능 기판을 갖는 평판 ｏｌｅｄ 장치
JP2004022541A (ja) 有機発光ダイオード表示装置
CN1497750A (zh) Oled灯
CN1533223A (zh) 串并联有机发光二极管光源
KR20080053478A (ko) 유기 발광다이오드(ｏｌｅｄ) 디스플레이 제작 방법
JP2004071570A (ja) 有機発光デバイス装置及びその製造方法
JP2004281371A (ja) 電圧安定性を向上したカスケード式有機電場発光デバイス
JP2011082564A (ja) 非正孔阻止バッファ層を有するｏｌｅｄ
CN1497751A (zh) 具有改进的光输出的有机发光二极管器件
JP5194699B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
KR20040010317A (ko) 섬유-광학 화면을 구비한 유기 발광 다이오드 디스플레이
CN1498050A (zh) 在有机电致发光器件中使用的高功函数金属合金阴极
US7304428B2 (en) Multilayered cathode structures having silver for OLED devices
KR20060055053A (ko) 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
CN110896097A (zh) 一种全色有机电致发光装置
KR20080046344A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN112563423A (zh) 一种具有交叠结构载流子传导特征的高品质全彩oled显示器件及其制备工艺
JP2004247309A (ja) 有機発光デバイス
US20060147649A1 (en) Photoelectric devices

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: GLOBAL OLED SCIENCE AND TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: EASMAN KODA CO., LTD.

Effective date: 20100421

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: NEW YORK STATE, U.S.A. TO: DELAWARE STATE, U.S.A.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20100421

Address after: Delaware, USA

Patentee after: Global OLED Technology LLC

Address before: American New York

Patentee before: Eastman Kodak Co.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20081119

CX01 Expiry of patent term