CN1497841A - 噪声滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种噪声滤波器。在积层了多个电介质层(1x、1a～1g)的电介质本体(1)中，配置其一端部与信号侧输入端子(6)连接、另一端部与信号侧输出端子(7)连接的信号侧线圈(2)、与该信号侧线圈(2)之间形成电容成分、并且其一端部通过接地电容成分(Cg)与接地端子(8)连接的接地侧线圈(3)。滤波器特性的控制以及制造方法容易，可以提供串线干扰少的低域频带特性好的噪声滤波器。
Description
技术领域
本发明涉及一种可以降低由数字设备产生的不需要的辐射噪声的分布常数型噪声滤波器。
又，本发明涉及一种可以在1个积层体内并设多个滤波器元件的多联噪声滤波器。
背景技术
随着近年来的电子设备的小型化，部件尺寸的小型、高密度化的这种市场要求更加严格。作为这样的部件之一有噪声滤波器。
一般的噪声滤波器，在积层了多个电介质层的电介质内、在各电介质层的层间，分别形成传递信号的导体线圈(以下仅称为信号侧线圈)、和接地的导体线圈(以下仅称为接地侧线圈)。然后，在信号侧线圈、接地侧线圈之间，通过电介质层产生电容。此外，称为信号侧线圈的线圈图形之间的连接通过电介质层内的过孔进行，称为接地侧线圈的线圈图形之间的连接也是通过电介质层内的过孔进行(特开2000-196392号公报)。
图5表示现有技术的噪声滤波器的线圈图形的积层体的分解立体图。此外，在图中省略了端子电极。又，图6(b)表示该分布常数型噪声滤波器的等效电路图。
在图5中，电介质本体，由成为上部边界层的电介质层51x，电介质层51a～51f积层所构成。
构成信号侧线圈的线圈图形52a、52c、52e，分别配置在电介质层51x和51a的层间、在电介质层51b和51c的层间、在电介质层51d和51e的层间。然后，各层间的信号侧线圈图形52a、52c、52e，通过分别配置在过孔导体以及电介质层51a和51b的层间、在电介质层51c和51d的层间、在电介质层51e和51f的层间的上下层连接图形54b、54d、54f相互连接，整体形成信号侧线圈。
又，构成接地侧线圈的线圈图形53b、53d、53f，分别配置在电介质层51a和51b的层间、在电介质层51c和51d的层间、在电介质层51e和51f的层间。然后，各层间的接地侧线圈图形53b、53d、53f，通过分别配置在过孔导体以及电介质层51x和51a的层间、在电介质层51b和51c的层间、在电介质层51d和51e的层间的上下层连接图形55a、55c、54e相互连接，整体形成接地侧线圈。
该噪声滤波器的等效电路图，如图6(b)所示。信号侧线圈由L1a～L1c表示，接地侧线圈由L2a～L2c表示。接地侧线圈L2a的一端接地，两线圈通过电容成分C1a～C1c耦合。
这样，可以制作成低通型噪声滤波器。其衰减频率，当等效电容C1a～C1c不变时，由信号侧线圈的自感L1a～L1c以及接地侧线圈的自感L2a～L2c、信号侧线圈和接地侧线圈之间的互感所确定，这样，可以获得能任意控制频率特性的滤波器特性。
可是，以往的噪声滤波器由于接地侧线圈直接接地，在低频波段电感不起作用，而是集合分布电容，起电容的作用。因此，由于使用降低所希望的频率特性的电容，即使在低频部分，也产生不必要的衰减。由此，存在高频信号波形变弱、延迟变大、电路不工作的问题。
还有，要达到更加小型化，实现所要求的特性的截止频率、衰减带域的高频化是非常困难的事情。
又，与上述部件尺寸的小型、高密度化的市场需求相关联，在同一基板内收纳多个噪声滤波器元件的多联噪声滤波器的市场需求也急剧增加。
这样的多联噪声滤波器，在现有技术中，是将由LC滤波器构成的噪声滤波器元件在平面上并排一列设置所构成(例如参见特开2001-60840号公报)。
但是，在上述结构的多联噪声滤波器中，如果增加噪声滤波器元件，将增大积层体的平面形状，进而增大安装面积，存在不能适应近年来对多联噪声滤波器的小型化的要求的问题。
即，在许可1个噪声滤波器元件的区域内，要构成能获得给定L(电感)和C(电容)的线圈图形，在实质上是困难的。
又，如果让各元件之间的间隔接近，存在在邻近噪声滤波器元件之间，具体地讲，在构成噪声滤波器元件的信号侧线圈图形之间会增大串线干扰(信号泄漏)的问题。
本发明的目的在于提供一种可以使构成滤波器的电感成分达到最大，降低分布电容值实现小型化并且使频率特性高频化的LC噪声滤波器。
本发明的另一目的在于提供一种即使小型化也可以保持稳定的特性、并且有效抑制串线干扰的多联噪声滤波器。
发明内容
本发明的噪声滤波器，包括积层了多个电介质层的电介质本体、设置在电介质本体的外表面上的信号侧输入端子电极、信号侧输出端子电极、以及接地端子电极、一端部与信号侧输入端子电极连接而另一端部与信号侧输出端子电极连接的信号侧线圈、在该信号侧线圈之间形成电容成分，并且一端部通过接地电容成分与接地端子电极连接的接地侧线圈。
依据该构成，在接地侧线圈的一端部和接地端子之间附加有接地电容成分。
然后，信号侧线圈的线圈图形和上述接地侧线圈的线圈图形，其一部分在厚度方向上通过介入电介质层后相互重叠，相互电容耦合。这样，由于构成一个噪声滤波器元件的信号侧线圈和接地侧线圈之间的耦合度可以通过重叠部分的面积进行控制，可以容易调整两者的耦合度，即噪声滤波器特性。
这样，其基本等效电路为图6(a)所示。和图6(b)的等效电路相比较，通过选择信号侧线圈的自感和接地侧线圈的自感，然后选择接地侧线圈和信号侧线圈的互感，可以比较简单获得所希望的滤波器特性。
图4(a)表示本发明的滤波器的代表特性。图4(b)表示现有技术的滤波器特性。本发明的特性在现有滤波器的低频部分通过接地电容成分Cg，抑制还流接地的电流，在低频不衰减，被衰减的频率是通过谐振电路，产生衰减的频率，谐振电路是由信号侧线圈的电感、接地侧线圈的电感、信号侧线圈和接地侧线圈间的电容以及接地电容成分Cg形成的谐振电路。因此，可以将截止频率扩展到高频侧。
其结果，可以将电感成分设定到最大限度，同时通过调整分散形成的电容的容量值，可以获得高频区域的良好的衰减特性。
因此，可以实现在通过区域以上的频率信号急剧衰减、衰减带域宽的噪声滤波器。
又，上述接地端子电极和接地侧线圈之间的接地电容成分，在设置在上述电介质层间的上述接地导体膜、和与该接地导体膜通过介入上述电介质层后对向的成为上述接地侧线圈的线圈图形之间形成。这样，该接地导体膜，在内部具有屏蔽板的作用。为此，在形成微计算机的总线那样的多个布线图形时，即使利用本发明的噪声滤波器的下部区域，可以获得信号泄漏少的良好的滤波器特性。
本发明的多联噪声滤波器，包括积层了多个电介质层的电介质本体、设置在电介质本体的外表面上的信号侧输入端子电极、信号侧输出端子电极、以及接地端子电极、一端部与信号侧输入端子电极连接、另一端部与信号侧输出端子电极连接的信号侧线圈、在该信号侧线圈之间形成电容成分，并且一端部通过接地电容成分与接地端子电极连接的接地侧线圈，上述信号侧线圈至少分别在上述积层体的上下方向上配置的多联噪声滤波器，其特征是使上述配置在上部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯，与上述配置在下部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯相互错位。
依据该构成，积层体的上下方向上分别配置信号侧线圈和接地侧线圈相互电容耦合的噪声滤波器元件。这样，可以缓和噪声滤波器元件的对图形面积的制约，容易获得给定值的电感和电容。又，对于多联噪声滤波器的安装面积，也适应小型化、能够比较容易在通信设备和电子设备等布线基板上高密度安装等。
进一步，由于构成上述上部噪声滤波器元件的信号侧线圈的线圈轴芯，与构成下部噪声滤波器元件的线圈的线圈轴芯相互错位，这2个信号侧线圈的磁力线也会错位，在噪声特性上，可以有效抑制由于不需要的两者之间的磁力线所引起的串线干扰。
依据该构成，可以减少多联噪声滤波器的安装面积，由此可以带来多联噪声滤波器的小型化。
又，优选上述配置在上部的噪声滤波器和上述配置在下部的噪声滤波器，通过接地电位的分隔导体膜进行分隔。这样，由于可以防止位于上部侧的上部噪声滤波器和位于下部侧的下部噪声滤波器之间由于电场耦合引起的泄漏，各个噪声滤波器元件的特性可以获得按照设计的稳定特性。
又，该上部噪声滤波器元件的接地侧线圈的一端以及下部噪声滤波器元件的接地侧线圈的一端，通过上述分隔导体膜与接地端子电极连接。为此，接地端子电极可以由上部噪声滤波器元件和下部噪声滤波器元件共用，上下积层的各噪声滤波器元件，特别是构成接地侧线圈的接地线圈图形的引线变得非常简单。同时，在分隔导体膜上的接地电位的电平可以保持恒定，上部噪声滤波器元件和下部噪声滤波器元件的接地电位也比较稳定，这样，也可以实现特性的稳定。
又，也可以使上述配置在上部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯和配置在下部的噪声滤波器元件的接地侧线圈的线圈轴芯实质上同轴，并且使配置在上部的噪声滤波器元件的接地侧线圈的线圈轴芯和配置在下部的噪声滤波器元件的信号侧线圈的线圈轴芯实质上同轴。即，在俯视时，由于构成一方侧的噪声滤波器元件的信号侧线圈、和构成另一方侧的噪声滤波器元件的接地侧线圈重叠，可以实现平面面积极小的多联噪声滤波器。
又，在由分隔导体膜分隔的上述积层体的上部侧以及/或者下部侧上，在上述积层体的横方向上也可以并排设置多个噪声滤波器元件。这样，不仅是上下方向的2个元件，而且横方向也可以利用，可以形成具有4元件、6元件、8元件等那样的任意元件数的多联噪声滤波器。此外，在横方向上并排设置多个噪声滤波器元件时，在上下方向上至少配置2个噪声滤波器元件，为此，多联噪声滤波器整体的噪声滤波器元件的元件数也可以是3元件、5元件…等。
又，在横方向上并排设置的多联噪声滤波器中，优选上述积层体的横方向上相邻噪声滤波器元件的信号侧线圈的线圈轴芯之间，配置在上述相邻噪声滤波器元件的形成区域的大致对角线上。由于按照构成各个噪声滤波器元件的信号侧线圈所形成的磁力线之间不耦合那样进行配置，可以有效抑制各个噪声滤波器元件之间的干扰，抑制多联噪声滤波器整体的串线干扰。
附图说明
图1(a)表示本发明的噪声滤波器的立体图，(b)表示本发明的噪声滤波器的截面图。
图2表示构成本发明的噪声滤波器的积层体部分的分解立体图。
图3(a)表示成为信号侧线圈的线圈图形的变形例的概略平面图，(b)表示成为接地侧线圈的线圈图形的变形例的概略平面图。
图4表示为将本发明的噪声滤波器和现有技术的噪声滤波器的特性进行比较的特性图。(a)表示本发明的噪声滤波器的特性，(b)表示现有技术的噪声滤波器的特性。
图5表示构成现有技术的噪声滤波器的积层体部分的分解立体图。
图6表示噪声滤波器的等效电路图，(a)表示本发明的噪声滤波器的等效电路图，(b)表示现有的噪声滤波器的等效电路图。
图7表示本发明中的多联噪声滤波器的外观立体图。
图8表示构成本发明中的多联噪声滤波器的积层体部分的分解立体图。
图9表示本发明中的多联噪声滤波器的等效电路图。
图10是表示上下配置的多联噪声滤波器中，噪声滤波器元件的信号侧线圈的轴芯错位形成的滤波器特性图。
图11(a)～(d)积层体的采用在上下方向上配置的噪声滤波器时的线圈图形的平面图。
图12(a)～(d)是表示采用在积层体的横方向上配置的噪声滤波器元件时的线圈图形的平面图。
符号说明
1—积层体；1x、1a～1e—各电介质层；2—信号侧线圈；3—接地侧线圈；5—上下层连接图形；6、7—信号侧输入输出端子电极；8—接地侧端子电极；9—接地导体膜；21a～21f、22a～22f、23k～23f、24k～24f—信号侧线圈图形；31b～31e、32b～32e、33j～33g、34j～34g—接地侧线圈图形；41f—分隔导体膜；51～54、61～64—信号侧输入输出端子电极；8—接地端子电极；Ls1～Ls4—信号侧线圈；Lg1～Lg6—接地侧线圈；Cg—接地电容成分。
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的实施方式。
—第1实施方式—
图1(a)表示本发明的噪声滤波器的外观立体图，图1(b)表示本发明的噪声滤波器的截面图。图2表示构成本发明的噪声滤波器的积层体结构的分解立体图。
在图1(a)、(b)、图2中，1表示积层了多个电介质层1x、1a～1g、以及最上边界层的积层体。6、7表示与信号侧线圈连接的信号侧输入输出端子电极，8表示与积层体内的接地导体膜9连接的接地侧端子电极。此外，在图2中，最上边界层没有画出。
积层体1，积层多个电介质层1x、1a～1g构成。各电介质层1x、1a～1g，由铝、BaTiO3、TiO2等陶瓷材料、或者磁性材料和结晶化玻璃材料的混合体所构成。
在该积层体1的内部，包括信号侧线圈2、接地侧线圈3以及接地导体膜9。构成该信号侧线圈2的线圈图形、构成接地侧线圈3的线圈图形、接地导体膜9、过孔导体(后述)、上下层连接图形(后述)，例如，由银系材料和铜系材料形成。
以下参照图2对信号侧线圈2的构成进行说明。信号侧线圈2由在电介质层1x上形成的端子连接图形、配置在电介质层1x和其下面的电介质层1a之间的线圈图形2a、配置在电介质层1a和其下面的电介质层1b之间的上下层连接图形4b、配置在电介质层1b和其下面的电介质层1c之间的线圈图形2c、配置在电介质层1c和其下面的电介质层1d之间的上下层连接图形4d、配置在电介质层1d和其下面的电介质层1e之间的线圈图形2e、配置在电介质层1e和其下面的电介质层1f之间的上下层连接图形4f、配置在电介质层1f和其下面的电介质层1g之间的端子连接图形所构成。各线圈图形以及上下层连接图形，通过图中虚线所示过孔导体相互连接。然后，端子连接图形，与上述信号侧输入输出端子电极6、7连接。
又，接地侧线圈3，由配置在电介质层1x和其下面的电介质层1a之间的上下层连接图形5a、配置在电介质层1a和其下面的电介质层1b之间的线圈图形3b、配置在电介质层1b和其下面的电介质层1c之间的上下层连接图形5c、配置在电介质层1c和其下面的电介质层1d之间的线圈图形3d、配置在电介质层1d和其下面的电介质层1e之间的上下层连接图形5e、配置在电介质层1e和其下面的电介质层1f之间的线圈图形3f所构成。这些线圈图形以及上下层连接图形，通过图中虚线所示过孔导体相互连接。然后，在电介质层1e和电介质层1f之间的线圈图形3f，与在电介质层1f和电介质层1g之间配置的接地导体膜9对向。这样，接地侧线圈3，形成接地电容成分。接地导体膜9，连接在接地侧端子电极8上。
以上那样构成的结果，本发明的噪声滤波器，如图6(a)所示，在积层体1的内部，形成由L1a～L1c构成的信号侧线圈2、和L2a～L2c构成的接地侧线圈3，并且其间形成C1a～C1c形成的电容成分，进一步，在接地侧线圈3的一端和接地端子电极8之间，形成接地电容成分Cg。
此外，图6(b)表示现有技术的噪声滤波器的等效电路图，接地侧线圈3的一端接地。
以下，对构成这样的信号侧线圈2、接地侧线圈3的线圈图形的形状，参照图2进行详细说明。
首先注意搭载了构成信号侧线圈2的线圈图形2c的电介质层1c。线圈图形2c，大致为矩形状，由电容形成区域21、和从该电容形成区域21向一方端侧(图中为左侧)延伸的2个电感形成部分22、23所构成。此外，从电容形成区域21向另一端侧(图中右侧)延伸的2个导体24、25成为电容形成区域的辅助部分。
然后注意搭载了构成接地侧线圈3的线圈图形3b的电介质层1b。线圈图形3b，大致为矩形状，由电容形成区域31、和从该电容形成区域31向一方端侧(图中为右侧)延伸的2个电感形成部分32、33所构成。此外，从电容形成区域31向另一端侧(图中左侧)延伸的2个导体34、35成为电容形成区域的辅助部分。
这两者的线圈图形3b和2c，经过电介质层1b相互对向。即，线圈图形2c的电容形成区域21和线圈图形3b的电容形成区域31相互对向。又，线圈图形2c的电感22、23和线圈图形3b的导体34、35相互对向。线圈图形3b的电感部32、33和线圈图形2c的导体24、25相互对向。
这样，在两线圈图形3b和2c之间形成给定电容成分。其结果，两者为电容耦合。
此外，在相邻电介质层的层间形成的其它线圈图形也相同。
又，接地侧线圈3的上下层连接图形5a、5c，与配置在中间电介质层中的成为接地侧线圈的线圈图形3b的2个电感部32、33重叠，形成为带状。然后，上下层连接图形5a的一端侧，例如通过贯通位于下侧的电介质层1a的厚度的过孔导体(虚线所示)，与线圈图形3b的一端侧的电感部32连接。又，上下层连接图形5c的一端侧，例如通过贯通位于上侧的电介质层1b的厚度的过孔导体(虚线所示)，与线圈图形3b的一端侧的电感部33连接。
又，接地导体膜9，在不使信号侧线圈2的端子连接图形短路的情况下在电介质层1g上的大致整个面上形成。该接地导体膜9和接地侧线圈3的线圈图形3f，通过电介质层1f对向。这样，在线圈图形3f和接地导体膜9之间形成给定接地电容成分Cg(参见图6(a))，两者电容耦合。然后，接地导体膜9，与从其长边的一部分延伸，在积层体1的外表面上形成的接地侧端子电极8连接。
此外，图2中的信号侧线圈2，合计大致3圈，接地侧线圈3也是大致3圈，圈数(自感)不应有大的差别。
但是，为控制衰减频率反而可以相差。这样，当等效电容不变时，信号侧线圈2和接地侧线圈3的互感可以任意控制，可以获得能任意控制噪声滤波器的衰减频率等的频率特性的滤波器特性。
在本实施例的各线圈图形2a、2c、2e、3b、3d、3f中形成的电感部22、23、32、33，在各自的端部侧按相同长度延伸。又，在相互的中央部侧形成电容成形区域。
各线圈的线圈图形部分，从平面上观察，分别为大致矩形状，占电介质的平面形状的一半。这样，符合信号侧线圈2、接地侧线圈3的平面形状，实质上可以近似于电介质层的平面形状。
其结果，可以使电介质层1a～1e的线圈图形2a、2c、2e、3b、3d、3f以及上下层连接图形4b、4d、4f、5a、5c、5e所构成的线圈的内面积达到最大，使线圈周围的无用区域到达最小。这样，可以使线圈的电感成分最大，并且使电介质层1a～1e的形状小型化，这样，可以实现小型积层体1。
上述结构的积层体1按照以下的制造方法制作。
首先，成为积层体1的电介质层1x、1a～1g的电介质片，将至少包含电介质材料的BaTiO3、TiO3的陶瓷粉末和有机载色剂均匀混合后，成形为给定厚度(20μm～100μm)的带状或者片状，按给定大小裁断。
然后，在该电介质片的给定位置(成为上下层连接图形4b～4f、5a～5e的任一端部的位置)上采用冲压加工等形成成为过孔导体的贯通孔(孔径50μm～200μm)。
然后，在上述贯通孔内，填充Ag系(Ag单体、Ag-Pd那样的Ag合金)，或者Cu系材料的金属粉末、根据需要与低融点玻璃料和有机载色剂均匀混合获得的导电性浆料。在该片的表面上通过上述导电性浆料的丝网印刷，分别形成厚度为1μm～20μm的成为信号侧线圈的线圈图形2a、2c、2e的导体膜，成为接地侧线圈的线圈图形3b、3d、3f的导体膜、成为上下层连接图形5a、5c、5e、4b、4d、4f的导体膜。
又，在成为最下层的电介质片上同样通过上述导电性浆料的丝网印刷，分别形成厚度为1μm～20μm的成为接地导体膜9的导体以及成为端子连接图形的导体膜。此外，在成为电介质层1x的电介质片上同样形成成为端子连接图形的导体膜。
然后，按照图2所示积层顺序，选择性积层各个电解质片，通过热压一体化。然后，根据需要裁断成考虑料烧结收缩后的最终尺寸，或者形成用于在最后工艺上进行分隔的分隔槽。
然后，对电介质片构成的积层体，在给定环境下，以给定温度烧成。上述导电性浆料采用Ag系导电性浆料时在氧化环境下或者中性环境下，采用Cu系导电性浆料时在还原性环境下或者中性环境下进行处理。又，峰值温度，按照电介质片烧结反应所需要的温度进行处理。
在这样烧成处理后的积层体1中，在积层体1的外表面上露出的过孔导体、导体的露出部分上通过导电性浆料的烧结形成成为各个端子电极6、7、8的导体膜，然后，在该导体膜的表面上实施电镀处理。
图3(a)、(b)，表示本发明的其它噪声滤波器中使用的2种电介质层1Y、1Z的平面图。在电介质层1Y中，形成构成信号侧线圈的线圈图形2Y以及构成接地侧线圈的上下层连接图形5Y。在电介质层1Z中，形成构成接地侧线圈的线圈图形3Z以及构成信号侧线圈的上下层连接图形4Z。
在图3中，没有形成图2所示线圈图形的辅助电容形成区域的导体24、25、34、35。即，线圈图形相对于在图2中实质上为“H”形状，在图3中实质上为“C”形状。这样的线圈图形，在不需要在两线圈之间形成的电容成分或者少量即可的情况下采用。
如上所述，在本发明中在接地侧线圈3和接地侧端子8之间，在接地导体膜9和线圈图形3f之间，形成了接地电容成分Cg(参见图6(a))。这样，通过附加接地电容成分Cg，可以改善低频的滤波器特性。
<例子>
本发明人，对本发明的噪声滤波器、和如图5所示的具有线圈圈数、尺寸等相同的线圈图形的现有技术的噪声滤波器，测定了其特性。
图4(a)表示本发明的噪声滤波器的特性，图4(b)表示现有技术的噪声滤波器的特性。横轴表示频率(MHz)、纵轴表示衰减量(dB)。根据这些图表明，本发明制品的特性，低频区域、例如到500MHz左右的衰减并不太大，而在这之上的频率急剧衰减，在较宽的频带可以获得足够的衰减量。
这表明，本发明制品，可以进一步任意设定现有技术的滤波器特性的自由度高的噪声滤波器，可以显著提高低频段的衰减特性。
本发明的特性在现有滤波器的低频部分通过接地电容成分Cg，抑制还流接地的电流，在低频不衰减，被衰减的频率是通过谐振电路，产生衰减的频率，谐振电路是由信号侧线圈的电感、接地侧线圈的电感、信号侧线圈和接地侧线圈间的电容以及接地电容成分Cg形成的谐振电路。
本实施方式，作为噪声滤波器的一例，该特性根据所采用的电路构成可以适当最优化。图6(a)表示的等效电路图中，各个元件的值可以根据所要求的滤波器特性、形状适当选择，并不限定于图中的值以及这些值的组合。
—第2实施方式—
以下，对本发明的多联噪声滤波器的结构、特性进行说明。
在说明中，以在积层体内部在上下方向上配置2个噪声滤波器、进一步在横方向上配置2个噪声滤波器、合计具有4个噪声滤波器元件的四联噪声滤波器为例进行说明。第1噪声滤波器元件和第3噪声滤波器元件配置在各个积层体内的上下方向上，第2噪声滤波器元件和第4噪声滤波器元件配置在各个积层体内的上下方向上，进一步，第1噪声滤波器元件和第2噪声滤波器元件配置积层体内的横方向上，第3噪声滤波器元件和第4噪声滤波器元件配置积层体内的横方向上。
图7表示本发明的多联噪声滤波器的外观立体图，图8表示多联噪声滤波器的积层结构的分解立体图。图9表示多联噪声滤波器的等效电路图。
多联噪声滤波器包括具备第1～第4噪声滤波器元件的积层体1、在该积层体1的外表面上分别形成第1噪声滤波器元件的信号侧输入输出端子电极51、61；第2噪声滤波器元件的信号侧输入输出端子电极53、63；第3噪声滤波器元件的信号侧输入输出端子电极52、62；第4噪声滤波器元件的信号侧输入输出端子电极54、64；第1～第4噪声滤波器元件共同的接地侧端子电极8。
积层体1，由钛酸钡、钛钴酸钡等电介质材料构成的电介质层1a～1k、成为在图8中未画出的上下边界层的电介质层积层构成。在电介质层1a～1k上形成有线圈图形和导体膜。
如果着眼于1个噪声滤波器，信号侧线圈和接地侧线圈相互通过电容成分耦合构成。然后，搭载4个这样的噪声滤波器元件。
4个多联滤波器的等效电路，如图9所示，构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1和接地侧线圈Lg1通过电容成分C1耦合。对于第2噪声滤波器元件也同样，信号侧线圈Ls2和接地侧线圈Lg2通过电容成分C2耦合。同样，对于第3、第4噪声滤波器元件，信号侧线圈Ls3、Ls4和接地侧线圈Lg3、Lg4通过电容成分C3、C4分别耦合。
参见图8，在电介质层1a～1k的各层间，分别形成第1～第4噪声滤波器元件的构成信号侧线圈Ls1～Ls4的信号侧线圈图形21a～21f、22a～22f、23f～23k、24f～24k、构成接地侧线圈Lg1～Lg4的接地侧线圈图形31a～31f、32a～32f、33j～33f、34i～34f。
具体地讲，第1噪声滤波器元件由在电介质层1a～1f上形成的信号侧线圈图形21a～21f所构成信号侧线圈Ls1、和接地侧线圈图形31b～31e所构成的接地侧线圈Lg1所构成。
又，第2噪声滤波器元件由在电介质层1a～1f上形成的信号侧线圈图形22a～22f所构成信号侧线圈Ls2、和接地侧线圈图形32b～32e所构成的接地侧线圈Lg2所构成。
同样，第3噪声滤波器元件由在电介质层1f～1k上形成的信号侧线圈图形23f～23k所构成信号侧线圈Ls3、和接地侧线圈图形33g～33j所构成的接地侧线圈Lg3所构成。
第4噪声滤波器元件由在电介质层1f～1k上形成的信号侧线圈图形24f～24k所构成信号侧线圈Ls4、和接地侧线圈图形34g～34j所构成的接地侧线圈Lg4所构成。
然后，在第1～第4噪声滤波器元件中构成信号侧线圈Ls1～Ls4的信号侧线圈图形21a～21f、22a～22f、23f～23k、24f～24k以及第1～第4噪声滤波器元件的构成接地侧线圈Lg1～Lg4的接地侧线圈图形31a～31f、32a～32f、33g～33j、34g～34j，为构成给定圈数的线圈，各线圈图形的一端通过过孔导体与在厚度方向相邻线圈图形的另一端连接。
在此，在电介质层1f上，各噪声滤波器元件共同的接地电位上，形成分隔位于上下的噪声滤波器元件、即第1噪声滤波器元件和第3噪声滤波器元件、同时第2噪声滤波器元件和第4噪声滤波器元件的分隔导体膜41f。
该分隔导体膜41f，通过电容成分Cg与构成各噪声滤波器元件的接地侧线圈Lg1～Lg4连接。例如，构成第1噪声滤波器元件的接地侧线圈Lg1的线圈图形31e和分隔导体膜41f通过电介质层1e、又，构成第2噪声滤波器元件的接地侧线圈Lg2的线圈图形32e和分隔导体膜41f通过电介质层1e、又，构成第3噪声滤波器元件的接地侧线圈Lg3的线圈图形33g和分隔导体膜41f通过电介质层1f、又，构成第4噪声滤波器元件的接地侧线圈Lg4的线圈图形34g和分隔导体膜41f通过电介质层1f分别连接。
此外，在该实施例中，虽然分隔导体膜41f和各接地侧线圈的线圈图形31e、32e、33g、34g通过电容成分连接，在该实施例中，分隔导体膜41f和各接地侧线圈的线圈图形31e、32e、33g、34g的没有形成过孔导体的端部，也可以通过过孔导体直接连接。
又，构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1，通过在电介质层1a上形成的线圈图形21a，例如与信号侧输入端子电极61连接，通过在电介质层1f上形成的线圈图形21f，例如与信号侧输出端子电极51连接。同样，构成第2噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls2，通过在电介质层1a上形成的线圈图形22a，例如与信号侧输入端子电极53连接，通过在电介质层1f上形成的线圈图形22f，例如与信号侧输出端子电极63连接。又，构成第3噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls3，通过在电介质层1k上形成的线圈图形23k，例如与信号侧输入端子电极52连接，通过在电介质层1f上形成的线圈图形23f，例如与信号侧输出端子电极62连接。同样，构成第4噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls4，通过在电介质层1k上形成的线圈图形24k，例如与信号侧输入端子电极64连接，通过在电介质层1f上形成的线圈图形24f，例如与信号侧输出端子电极54连接。
在此，其特点是，在上下方向上配置的第1噪声滤波器元件和第3噪声滤波器元件通过分隔导体膜41f，同时在上下方向上配置的第2噪声滤波器元件和第4噪声滤波器元件通过分隔导体膜41f分隔。
参照图8，如果对积层体1的内部结构更进一步详细说明，则在电介质层1a和电介质层1b的层间，例如在电介质层1b上配置成为约3/4圈的大致H字状(或者コ子状)的构成第1以及第2噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1、Ls2的线圈图形21b、22b，成为约1/4圈的大致I字状的构成第1以及第2噪声滤波器元件的接地侧线圈Lg1、Lg2的线圈图形31b、32b。
又，在电介质层1b和电介质层1c的层间，例如，在电介质层1c上配置成为约1/4圈的大致I字状的构成第1以及第2噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1、Ls2的线圈图形21c、22c，成为约3/4圈的大致H字状(或者コ子状)的构成第1以及第2噪声滤波器元件的接地侧线圈Lg1、Lg2的线圈图形31c、32c。
然后，构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的信号侧线圈图形21b的一端，通过过孔导体(虚线)与信号侧线圈图形21c的另一端连接，这样，形成大约1圈的线圈。同样，在接地侧线圈Lg1中，接地侧线圈图形31b的一端，通过过孔导体(虚线)与接地侧线圈图形31c的另一端连接，这样，形成大约1圈的线圈。对于第3噪声滤波器元件也同样。然后，这样连接构成的线圈图形，对于在电介质层1d、1e上形成的线圈图形也相同。
即，第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1，信号侧线圈图形21a的另一端例如与信号侧输入端子电极61连接，信号侧线圈图形21a的一端通过过孔导体与信号侧线圈图形21b的另一端连接，信号侧线圈图形21b的一端通过过孔导体与信号侧线圈图形21c的另一端连接，信号侧线圈图形21c的一端通过过孔导体与信号侧线圈图形21d的另一端连接，信号侧线圈图形21d的一端通过过孔导体与信号侧线圈图形21e的另一端连接，信号侧线圈图形21e的一端通过过孔导体与信号侧线圈图形21f的另一端连接，信号侧线圈图形21f的一端例如与信号侧输出端子电极51连接。又，第1噪声滤波器元件的接地侧线圈Lg1，以接地侧线圈图形31b作为始端，接地侧线圈图形31b的一端通过过孔导体与接地侧线圈图形31c的另一端连接，接地侧线圈图形31c的一端通过过孔导体与接地侧线圈图形31d的另一端连接，接地侧线圈图形31d的一端通过过孔导体与接地侧线圈图形31e的另一端连接，接地侧线圈图形31e相对于电介质层1e通过电容成分Cg与成为接地电位的分隔导体膜41f耦合，与接地电位端子电极7、8连接。
其结果，配置分隔导体膜41f上部侧的第1噪声滤波器元件，由大约2圈(由于有与端子电极连接的线圈图形，多少会增加一点圈数)的信号侧线圈Ls1、接地侧线圈Lg1形成。然后，例如夹持电介质层1b配置的信号侧线圈的线圈图形21b和接地侧线圈的线圈图形31c，其一部分对向，形成耦合电容Cg的一部分。同样，在其它电介质层1c～1e中也形成耦合电容Cg的一部分，合成这些电容成分，成为构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1和接地侧线圈Lg1之间的耦合容量成分Cg。此外，对于第2噪声滤波器元件也相同。
在此，如果观察构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的轴芯(缠绕线圈在纵方向的中心线)和接地侧线圈Lg1的轴芯，信号侧线圈Ls1的轴芯，向图8的纸面深部侧形成，接地侧线圈Lg1的轴芯向图8的纸面这边一侧形成，两线圈Ls1、Lg1的轴芯重合配置。
如果观察第2噪声滤波器元件的各线圈的轴芯，信号侧线圈Ls2的轴芯，向图8的纸面这边一侧形成，接地侧线圈Lg2的轴芯向图8的纸面深部侧形成，两轴芯重合配置。
上述接地电位的分隔导体膜41f的形状，为了使各接地号侧线圈图形31e、32e的自感一致，形成为β状。
对于在形成了分隔导体膜41f的电介质层1f的下部积层的电介质层1g～1k，也和上述第1噪声滤波器元件、第2噪声滤波器元件同样，第3噪声滤波器元件，由大约2圈强的信号侧线圈Ls3、和通过电容成分C3与该信号侧线圈Ls3耦合的大约2圈的接地侧线圈Lg3所构成，第4噪声滤波器元件，由大约2圈强的信号侧线圈Ls4、和通过电容成分C4与该信号侧线圈Ls4耦合的大约2圈的接地侧线圈Lg4所构成。
在此，在第3以及的4噪声滤波器元件中，接地侧线圈Lg3、Lg4与电介质层1f的分隔导体膜41f电容耦合后，与接地电位的端子电极7、8连接。
又，第3以及第4信号侧线圈Ls3、Ls4的一端，通过在电介质层1k上形成的线圈图形23k、24k例如与信号侧输入出端子电极53、64连接，第3以及第4信号侧线圈Ls3、Ls4的另一端，通过在电介质层1f上形成的线圈图形23f、24f例如与信号侧输出端子电极63、54连接。
然后，如果观察构成第3噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls3的轴芯和接地侧线圈Lg3的轴芯，信号侧线圈Ls3的轴芯，向图8的纸面这边一侧形成，接地侧线圈Lg3的轴芯向图8的纸面深部侧形成，两线圈Ls3、Lg3的轴芯重合配置。又，如果观察第4噪声滤波器元件的各线圈的轴芯，信号侧线圈Ls4的轴芯，向图8的纸面深部侧形成，接地侧线圈Lg2的轴芯向图8的纸面这边一侧形成，两轴芯重合配置。
此外，在各电介质层1a～1k上形成的所有线圈图形，电介质层1a～1k的厚度方向上形成的过孔导体，由以Ag系(Ag单体或者Ag合金)或者Cu系(Cu单体或者Cu合金)为主成分的导体构成。又，信号侧输入输出端子51～54、61～64以及接地侧端子电极7、8也可以在以Ag等为主成分的底部导体膜上在其表面形成Ni电镀或者焊锡电镀等的层。
在本发明中，在积层体1的上下配置的例如第1噪声滤波器元件、和第3噪声滤波器元件中，使构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的轴芯、和构成第3噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls3的轴芯错位来对第1噪声滤波器元件、第3噪声滤波器元件进行配置。即构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的轴芯向图8的纸面深部侧形成(接地侧线圈Lg1的轴芯向图8的纸面这边一侧形成)，构成第3噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls3的轴芯向图8的纸面这边一侧形成(接地侧线圈Lg3的轴芯向图8的纸面深部侧形成)，构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的轴芯、和构成第3噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls3的轴芯实质上不重合进行配置。
又，对于在积层体1的右侧上下配置的第2噪声滤波器元件、和第4噪声滤波器元件也同样。
这样的多联噪声滤波器，在成为电介质层1a～1k的印刷电路基板(Green sheet)的给定位置上形成成为过孔导体的贯通孔，在该贯通孔中填充导电性浆料，同时通过导电性浆料的印刷在印刷电路基板的表面上形成给定形状的成为线圈图形的导体膜、或者成为分隔导体膜的导体膜，然后，按照给定的积层顺序将该印刷电路基板以及成为上下边界层的印刷电路基板积层压接，裁断未烧成的积层体，以800～1050℃进行烧成处理后形成积层体1。然后，在该积层体1的面上烧结形成成为端子电极51～54、61～64的导体膜，并实施电镀处理。
如果只是着眼于这样在上下方向配置的噪声滤波器元件，各噪声滤波器元件的信号侧线圈以及接地侧线圈的两端部，根据与端子电极的连接结构，可以采用若干不同形状的如图11(a)～(d)所示的线圈图形。此外，在图11中，白色线圈图形例如表示信号侧线圈的线圈图形，黑色线圈图形例如表示接地侧线圈的线圈图形。
即，由图11(a)、(b)所示的线圈图形构成上部噪声滤波器元件，由图11(c)、(d)所示的线圈图形构成下部噪声滤波器元件。
即，构成上部噪声滤波器元件的信号侧线圈由线圈图形S1、S1′构成，接地侧线圈由线圈图形G1、G1′构成。构成下部噪声滤波器元件的信号侧线圈由线圈图形S3、S3′构成，接地侧线圈由线圈图形G3、G3′构成，如上所述，可以使构成上部噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的轴芯、和构成下部噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls3的轴芯错位。这样，在图11(a)～(d)中，构成位于上部以及下部的噪声滤波器元件的信号侧线圈以及接地侧线圈，在图11的纸面上也可以是上下相反的图形。任何一种情况下，由于都使构成上部噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1和构成下部噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls3的轴芯错位进行配置，例如通过构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的轴芯的磁力线、对配置在构成第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的下部的构成第3噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls3的影响可以到达最小。
此外，如上所述，第1噪声滤波器元件、和位于第1噪声滤波器元件的下部的第3噪声滤波器元件，实质上通过在电介质层1f上形成的接地电位的分隔导体膜41f，也可以遮断电场，由于在降低上述磁场影响的同时，也会降低电场的影响，第1噪声滤波器元件、第3噪声滤波器元件均可以保持按照设计的所希望的特性，不仅可以保持特性的稳定性，而且在1个元件形成区域中能配置2个噪声滤波器元件的安装面积也可以缩小。
图10表示在这样构成的本发明的多联噪声滤波器中，在同一积层体1内的上下(厚度)方向上配置的2个噪声滤波器元件的串线干扰对频率衰减特性的改变的特性图。在图10中，实线表示的T2，是在同一积层体1内的上下方向上配置的噪声滤波器元件的信号侧线圈按照实质上成同一轴芯进行配置的多联滤波器的特性，虚线所示的T1，是向本发明的第1噪声滤波器元件、第3噪声滤波器元件(或者第2噪声滤波器元件、第4噪声滤波器元件)那样的噪声滤波器元件的信号侧线圈的轴芯相互错位后的特性。
图10表明，当使构成噪声滤波器元件的信号侧线圈之间的轴芯错位时，特别是在频率500MHz以上的频带中可以改善由串线干扰引起的衰减特性的劣化。
此外，为了提高多联噪声滤波器的高频特性，线圈图形以及分隔导体膜41f、端子电极51～54、61～64由Cu系材料构成，电介质层1a～1k的材料也可以采用以钛酸钴酸钙为主要成分的氧化物的非还原性电介质材料。在该复合氧化物中也可以添加可以低温烧成的玻璃材料等辅助材料。
在上述图8以及图11中，对积层体1内的配置在上部侧的噪声滤波器元件的信号侧线圈的线圈图形、接地侧线圈的线圈图形、和配置在该噪声滤波器的下部的噪声滤波器元件的信号侧线圈的线圈图形、接地侧线圈的线圈图形之间的关系以及分隔导体膜的作用进行了说明。
又，如图8所示，在4元件的噪声滤波器元件中，在电介质层的同一平面上，形成了不同噪声滤波器元件的线圈图形。这时，例如，在电介质层1b上形成的2个噪声滤波器元件的信号侧线圈以及/或接地侧线圈的线圈图形，可以举出图12(a)～(d)所示4种图形。此外，在图12(a)～图12(d)中，白色线圈图形例如表示信号侧线圈的线圈图形，黑色线圈图形例如表示接地侧线圈的线圈图形。又，在图中，S0表示信号线圈的轴芯部分。
图12(a)表示图8所示线圈图形的情况。这时，并排设置的2个噪声滤波器元件，例如第1噪声滤波器元件、第2噪声滤波器元件，使信号侧线圈Ls1、Ls2的轴芯相互处在矩形状的电介质层1b的对角线上那样形成线圈图形S1、S2、G1、G2。此外，该电介质层1b上的3/4图形的线圈图形，是信号侧线圈的线圈图形S1、S2的情况。
在图12(b)中，并排设置的2个噪声滤波器元件，例如第1噪声滤波器元件、第2噪声滤波器元件，使信号侧线圈Ls1、Ls2的轴芯相互并排处在矩形状的电介质层1b中那样形成线圈图形S1、S2、G1、G2。此外，该电介质层1b上的3/4图形的线圈图形，是信号侧线圈的线圈图形S1、和接地侧线圈的线圈图形G2混合的情况。
在图12(c)中，并排设置的2个噪声滤波器元件，例如第1噪声滤波器元件、第2噪声滤波器元件，使信号侧线圈Ls1、Ls2的轴芯相互并排处在矩形状的电介质层1b中那样形成线圈图形S1、S2、G1、G2。此外，该电介质层1b上的3/4图形的线圈图形，是信号侧线圈的线圈图形S1、S2的情况。
在图12(d)中，并排设置的2个噪声滤波器元件，例如第1噪声滤波器元件、第2噪声滤波器元件，使信号侧线圈Ls1、Ls2的轴芯相互处在矩形状的电介质层1b的对角线上那样形成线圈图形S1、S2、G1、G2。此外，该电介质层1b上的3/4图形的线圈图形，是信号侧线圈的线圈图形S1、和接地侧线圈的线圈图形G2混合的情况。
此外，在图12中，虽然只表示了电介质层1b，在电介质层1c的线圈图形中，3/4图形的线圈图形变成1/4图形的线圈图形。
这样，在图12中，为了不使通过第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的轴芯和第2噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls2的轴芯的磁力线相互影响，优选使信号侧线圈的轴芯SO相互处在对角线上。例如，优选图12(a)的图形、和图12(d)的图形。此外，在图12(b)、(c)中，第1噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls1的轴芯和第2噪声滤波器元件的信号侧线圈Ls2的轴芯虽然并排设置，这时，只要使通过信号侧线圈的轴芯的磁力线相互不影响的程度，拉开噪声滤波器元件之间的间隔即可。
本发明的实施，并不限定于上述方式。在本发明的范围内可以实施各种变更。例如，在上述实施例中，积层体内，虽然是在上下配置2段噪声滤波器的例子，也可以积层3段以上的噪声滤波器元件。这时，使奇数段的噪声滤波器元件之间的例如信号侧线圈的轴芯相同，而与偶数段的噪声滤波器元件的如信号侧线圈的轴芯不同即可。
又，在第2实施方式中，第1～第4噪声滤波器的接地侧线圈Lg1～Lg4，通过接地电容成分Cg接地。但是，并不限定于该方式，接地侧线圈Lg1～Lg4，也可以通过贯通电介质层的过孔导体，与分隔导体膜41f等接地电位直接进行接地。在该结构中，通过使上下的信号侧线圈的磁力线错位，在噪声特性上，就可以有效抑制不需要的两者之间的磁力线的串线干扰，可以实现本发明的效果。
Claims (22)
1.一种噪声滤波器，其特征在于：
包括：
积层了多个电介质层的电介质本体、
设置在电介质本体的外表面上的信号侧输入端子电极、信号侧输出端子电极、以及接地端子电极、
一端部与信号侧输入端子电极连接、另一端部与信号侧输出端子电极连接的信号侧线圈、
在该信号侧线圈之间形成电容成分，并且一端部通过接地电容成分与接地端子电极连接的接地侧线圈。
2.根据权利要求1所述的噪声滤波器，其特征在于：
所述信号侧线圈以及所述接地侧线圈由在所述多个电介质层间形成线圈图形所构成，
所述信号侧线圈以及接地侧线圈之间的电容成分，在夹持所述电介质层所配置的成为所述信号侧线圈的线圈图形以及成为所述接地侧线圈的线圈图形之间形成，
所述接地端子电极和接地侧线圈之间的接地电容成分，在设置在所述电介质层间的所述接地导体膜、和与该接地导体膜通过所述电介质层后对向的成为所述接地侧线圈的线圈图形之间形成。
3.根据权利要求1或2所述的噪声滤波器，其特征在于：
在形成了成为所述信号侧线圈的线圈图形的绝缘体层上，形成有构成成为所述接地侧线圈的线圈图形的一部分的上下层连接图形。
4.根据权利要求1或2所述的噪声滤波器，其特征在于：
在形成了成为所述接地侧线圈的线圈图形的绝缘体层上，形成有构成成为所述信号侧线圈的线圈图形的一部分的上下层连接图形。
5.根据权利要求3或4所述的噪声滤波器，其特征在于：
所述线圈图形和所述上下层连接图形，通过绝缘体层中的过孔导体连接。
6.根据权利要求1～5中任一权利要求所述的噪声滤波器，其特征在于：
所述线圈图形大致成矩形状，由电容形成区域、和从该电容形成区域延伸的电感形成部分所构成。
7.一种多联噪声滤波器，是将构成所述权利要求1所述的噪声滤波器的信号侧线圈至少分别在所述积层体的上下方向上配置所构成的多联噪声滤波器，其特征在于：
包括：
使所述配置在上部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯，与所述配置在下部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯相互错位。
8.根据权利要求7所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
所述信号侧线圈图形和所述接地侧线圈图形，其一部分在厚度方向上通过电介质层后相互重叠，相互电容耦合。
9.根据权利要求7或8所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
所述配置在上部的噪声滤波器和所述配置在下部的噪声滤波器，通过接地电位的分隔导体膜进行分隔。
10.根据权利要求9所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
所述配置在上部的噪声滤波器的接地侧线圈的一端以及配置在下部的噪声滤波器的接地侧线圈的一端，通过所述分隔导体膜与接地端子电极连接。
11.根据权利要求7～10中任一权利要求所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
所述配置在上部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯和配置在下部的噪声滤波器的接地侧线圈的线圈轴芯实质上同轴，并且配置在上部的噪声滤波器的接地侧线圈的线圈轴芯和配置在下部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯实质上同轴。
12.根据权利要求7～11中任一权利要求所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
在由分隔导体膜分隔的所述积层体的上部侧以及/或者下部侧上，在所述积层体的横方向上并排设置多个噪声滤波器元件。
13.根据权利要求12所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
在所述积层体的横方向上相邻噪声滤波器元件的信号侧线圈的线圈轴芯之间，配置在所述相邻噪声滤波器元件的形成区域的大致对角线上。
14.一种多联噪声滤波器，其特征在于：
包括：积层了多个电介质层的电介质本体、设置在电介质本体的外表面上的信号侧输入端子电极、信号侧输出端子电极、以及接地端子电极、一端部与信号侧输入端子电极连接、另一端部与信号侧输出端子电极连接的信号侧线圈、在该信号侧线圈之间形成电容成分，并且一端部与接地端子电极连接的接地侧线圈，
所述信号侧线圈至少分别在所述积层体的上下方向上配置的多联噪声滤波器；
使所述配置在上部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯，与所述配置在下部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯相互错位。
15.根据权利要求14所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
所述信号侧线圈图形和所述接地侧线圈图形，其一部分在厚度方向上通过电介质层后相互重叠，相互电容耦合。
16.根据权利要求14或15所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
所述配置在上部的噪声滤波器和所述配置在下部的噪声滤波器，通过接地电位的分隔导体膜进行分隔。
17.根据权利要求16所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
所述配置在上部的噪声滤波器的接地侧线圈的一端以及配置在下部的噪声滤波器的接地侧线圈的一端，通过所述分隔导体膜与接地端子电极连接。
18.根据权利要求14～17中任一权利要求所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
配置在所述上部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯和配置在下部的噪声滤波器的接地侧线圈的线圈轴芯实质上同轴，并且配置在上部的噪声滤波器的接地侧线圈的线圈轴芯和配置在下部的噪声滤波器的信号侧线圈的线圈轴芯实质上同轴。
19.根据权利要求14～18中任一权利要求所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
在由分隔导体膜分隔的所述积层体的上部侧以及/或者下部侧上，在所述积层体的横方向上并排设置多个噪声滤波器元件。
20.根据权利要求19所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
在所述积层体的横方向上相邻噪声滤波器元件的信号侧线圈的线圈轴芯之间，配置在所述相邻噪声滤波器元件的形成区域的大致对角线上。
21.根据权利要求14～20中任一权利要求所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
所述接地侧线圈，直接与所述接地端子电极连接。
22.根据权利要求14～20中任一权利要求所述的多联噪声滤波器，其特征在于：
所述接地侧线圈，通过电容与所述接地端子电极连接。
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