CN103368376A - 降噪滤波器及使用该滤波器的功率转换装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种降噪滤波器及使用该滤波器的功率转换装置,其有效地抑制在噪声源附近产生的辐射噪声。将Y电容器(28a)和Y电容器(28b)作为滤波器电路要素而构成,其中,Y电容器(28a)是在P导体(23)和搭载模块(21)的接地导体(25)的延伸设置部之间夹持绝缘体(26a)而形成的,Y电容器(28b)以接地导体(25)的延伸设置部为基准,配置在P导体(23)的相反侧,是在N导体(24)和接地导体(25)的延伸设置部之间夹持绝缘体(26b)而形成的。
Description
技术领域
本发明涉及一种降噪滤波器及使用该滤波器的功率转换装置。
背景技术
当前,作为公开了降低由功率转换单元产生的噪声这一技术的文献,例如有下述专利文献1等。在该专利文献1中,作为从电池向功率转换单元供给直流电力的电力配线,公开了如下电力配线的构造,其具有:多个导体,该多个导体具有宽幅形状且在厚度方向上以规定间隔相对;以及电介体,其至少隔在导体之间,以在导体之间产生静电电容。
专利文献1:日本特开平05-236611号公报
发明内容
但是,在上述现有文献中设想的电力配线是电源电缆。在功率转换装置的情况下,电源电缆是与整流电路等交流直流变换电路(下面,称为“转换器电路”)连接的电缆。此外,在功率转换装置中,在搭载作为噪声源的开关元件的直流交流变换电路(下面,称为“逆变器电路”)和电源电缆之间,存在转换器电路、存储直流电力的平滑电路、以及将转换器电路和平滑电路电连接的直流母线等。因此,在现有技术中,存在下述问题,即,无法有效地抑制在噪声源附近产生的辐射噪声。
另外,现有技术是利用在电源电缆的一侧电缆与另一侧电缆之间产生的静电电容(所谓的“X电容器”)的特性的技术。X电容器虽然对正常模式的噪声有效,但对辐射噪声中占主导地位的共模噪声无效。即,在现有技术中,存在下述问题,即,无法有效地抑制共模噪声。
本发明就是鉴于上述问题而提出的,其目的在于,得到一种降噪滤波器及使用该滤波器的功率转换装置,其可以有效地抑制在噪声源附近产生的辐射噪声,并且可以有效地抑制辐射噪声中占主导地位的共模噪声。
为了解决上述课题,实现目的,本发明所涉及的降噪滤波器,其构成为可以减少功率转换部产生的噪声电流,其特征在于,将第1Y电容器和第2Y电容器作为滤波器电路要素而构成,其中,该第1Y电容器是在正极导体和第1导体部之间夹持第1绝缘体而形成的,该正极导体形成与所述功率转换部连接的正极侧的直流母线,该第1导体部是将接地导体延伸设置而形成的,在该接地导体上搭载所述功率转换部中具有的开关元件模块,以所述第1导体部为基准,将该第2Y电容器配置在所述正极导体的相反侧,该第2Y电容器是在负极导体和所述第1导体部之间夹持第2绝缘体而形成的,该负极导体形成与所述功率转换部连接的负极侧的直流母线。
发明的效果
根据本发明,可获得下述效果,即,可以有效地抑制在噪声源附近产生的辐射噪声。另外,根据本发明,可获得下述效果,即,可以有效地抑制辐射噪声中占主导地位的共模噪声。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的功率转换装置的一个结构例的图。
图2是示意地表示实施方式1所涉及的配线构造的图。
图3是示意地表示使用图2所示的配线构造时的等效电路的图。
图4是示意地表示实施方式2所涉及的配线构造的图。
图5是示意地表示使用图4所示的配线构造时的等效电路的图。
图6是示意地表示实施方式3所涉及的配线构造的图。
图7是示意地表示使用图6所示的配线构造时的等效电路的图。
图8是示意地表示使用实施方式4所涉及的配线构造时的等效电路的图。
图9是示意地表示实施方式5所涉及的配线构造的图。
图10是示意地表示使用实施方式6所涉及的配线构造时的等效电路的图。
图11是示意地表示实施方式7所涉及的配线构造的图。
图12是示意地表示实施方式7所涉及的其他配线构造的图。
图13是示意地表示实施方式8所涉及的配线构造的图。
图14是示意地表示实施方式8所涉及的其他配线构造的图。
图15是示意地表示实施方式8所涉及的另外的配线构造的图。
具体实施方式
下面,参照附图,说明本发明的实施方式所涉及的降噪滤波器及具有降噪滤波器的功率转换装置。另外,本发明并不受下面所示的实施方式限定。
实施方式1
图1是表示本发明实施方式1所涉及的功率转换装置的一个结构例的图。实施方式1所涉及的功率转换装置11具有下述部分而构成,即:作为第1功率转换部的转换器电路12,其将从交流电源2供给的交流电压变换为期望的直流电压;平滑电路13,其具有电容器(平滑电容器)13a,该电容器使通过转换器电路12变换后的直流电压平滑化;以及作为第2功率转换部的逆变器电路14,其通过开关控制将平滑后的直流电压变换为期望的交流电压,并向负载3供给。另外,作为转换器电路12,使用整流电路或再生转换器电路、PWM转换器电路等。
交流电源2和转换器电路12通过输入配线16连接,逆变器电路14和负载3通过输出配线18连接。另外,还存在输入配线16和输出配线18在功率转换器内部和外部分别构成并连接的情况。转换器电路12和逆变器电路14,通过形成正极侧直流母线的正极配线(下面,简称为“P配线”)17a及形成负极侧直流母线的负极配线(下面,简称为“N配线”)17b连接。平滑电容器13a连接在P配线17a与N配线17b之间,以与转换器电路12及逆变器电路14成为并联的关系。
逆变器电路14具有如下串联电路(电路臂(leg)),该串联电路是将由开关元件UPI、VPI、WPI构成的正侧分路(例如,在U相中是UPI)与由开关元件UNI、VNI、WNI构成的负侧分路(例如,在U相中是UNI)分别串联连接而形成的。即,在逆变器电路14中,构成具有3组(U相、V相、W相)电路臂的3相电桥电路。
逆变器电路14通过对开关元件UPI、VPI、WPI、UNI、VNI、WNI进行PWM控制,从而将输入的直流电压变换为期望的交流电压,并向负载3施加。
将开关元件UPI、VPI、WPI、UNI、VNI、WNI模块化,搭载在导体基板上。进行模块化的单位有多种,既有将全部开关元件进行模块化的情况,也有以电路臂为单位进行模块化的情况。另外,在以电路臂为单位进行模块化的情况下,在模块化后的开关元件模块(下面,简称为“模块”)上设置有:用于实现与P配线17a的电连接的端子、用于实现与N配线17b的电连接的端子、以及用于实现与输出配线18的电连接的端子。
图2是示意地表示适合在例如图1所示的功率转换装置11中使用的实施方式1所涉及的配线构造的图。在图2中,将模块21设想为构成逆变器电路14的模块。在该模块21中,在规定的各端子上连接输出导体22、P导体23及N导体24。输出导体22是在图1的电路结构中形成输出配线18的、例如平板状的导体。下面相同地,P导体23是形成P配线17a的、例如平板状的导体,N导体24是形成N配线17b的、例如平板状的导体。
在实施方式1所涉及的配线构造中,这些输出导体22、P导体23、N导体24的构成方式如下,即,首先,将配置在模块搭载面侧的接地导体25延长,并且隔着还具有作为电介体的性质的绝缘体26a,在模块21的附近构成P导体23,并且,在接地导体25的相反侧,隔着同样的绝缘体26b,在模块21的附近构成N导体24。该结构的等效电路如图2的右侧所示。
如在图2的等效电路所示,在P导体23和接地导体25的延伸设置部(第1导体部)之间形成一个Y电容器(P导体Y电容器)28a,在N导体24和接地导体25的延伸设置部之间形成另一个Y电容器(N导体Y电容器)28b。对于这些Y电容器28a、28b,由于隔着绝缘体26a、26b,所以绝缘体26a、26b的相对介电常数越大,其电容值也越大。另外,对于这些Y电容器28a、28b,绝缘体26a、26b的厚度越薄,其电容值也越大。并且,对于这些Y电容器28a、28b,各导体之间的相对面积越大,其电容值也越大。因此,可以通过对相对介电常数、绝缘体的厚度及各导体之间的相对面积的值中的至少一个进行调整,从而得到期望的电容值。
图3是示意地表示作为功率转换装置使用图2所示的配线构造时的等效电路的图。在没有采用图2所示的配线构造的情况下,在逆变器电路14和接地电位之间,仅等效地存在杂散电容32。与此相对,在采用如图2所示的配线构造的情况下,在P配线17a和接地电位之间形成多个P导体Y电容器28a,在N配线17b和接地电位之间形成多个N导体Y电容器28b,这些Y电容器28a、28b与杂散电容32叠加。由此,在与接地电位之间形成的电容值变大,由开关元件产生的噪声电流,在作为噪声源的开关元件的附近向接地电位侧流出,噪声电流以极短的距离回到模块侧,从而抑制噪声向外部流出。
如上述说明所述,在实施方式1中,将Y电容器28a和Y电容器28b作为滤波器电路要素而构成,因此可以有效地抑制在噪声源附近产生的辐射噪声,另外,可以有效地抑制辐射噪声中占主导地位的共模噪声,其中,上述Y电容器28a是在P导体23和搭载模块21的接地导体25的延伸设置部之间夹持绝缘体26a而形成的,上述Y电容器28b以接地导体25的延伸设置部为基准配置在P导体23的相反侧,在N导体24和接地导体25的延伸设置部之间夹持绝缘体26b而形成。
实施方式2
图4是示意地表示实施方式2所涉及的配线构造的图。在图2所示的实施方式1的配线构造中,针对P导体23及N导体24采用将绝缘体26a、26b夹在中间的构造,但如图4所示,在实施方式2的配线构造中,采用将绝缘体26c夹在输出导体22和接地导体25之间的构造。
图5是示意地表示作为功率转换装置使用图4所示的配线构造时的等效电路的图。在采用如图4所示的配线构造的情况下,在输出配线18和接地电位之间形成多个输出导体Y电容器28c。在由开关元件产生的噪声中试图向输出配线侧流出的噪声电流,在作为噪声源的开关元件的附件向接地电位侧流出,因此抑制向外部的流出。特别地,输出配线18是用于实现与负载3的电连接的电力配线,在功率转换装置的外侧向外部露出,因此,向输出配线18侧的噪声电流的减少对于辐射噪声的抑制是有效的。
如上所述,在实施方式2中,将Y电容器28c作为滤波器电路要素而构成,因此可以有效地抑制在噪声源附近产生的辐射噪声,另外,可以有效地抑制辐射噪声中占主导地位的共模噪声,其中,上述Y电容器28c是在输出导体22和搭载模块21的接地导体25的延伸设置部之间夹持绝缘体26c而形成的。
实施方式3
图6是示意地表示实施方式3所涉及的配线构造的图,图7是示意地表示作为功率转换装置使用图6所示的配线构造时的等效电路的图。本实施方式所涉及的配线构造,是采用如图2所示的实施方式1所涉及的配线构造和如图4所示的实施方式2所涉及的配线构造这两者的配线构造。具体地说,如图6所示,构成为,P导体23与接地导体25的延伸设置部(第1导体部)相对,在中间夹持绝缘体26a,N导体24与接地导体25的延伸设置部相对,在中间夹持绝缘体26b,输出导体22与接地导体25的不同于第1导体部的延伸设置部(第2导体部)相对,在中间夹持绝缘体26c。
另外,在图6中,在由开关元件产生的噪声中,在功率转换装置的内部试图流向转换器电路12侧的噪声电流,可以通过Y电容器28a、28b的作用而被抑制。另外,在由开关元件产生的噪声中,试图流向功率转换装置外部的噪声电流,可以通过Y电容器28c的作用而被抑制。因此,在采用实施方式3所涉及的配线构造的情况下,可以有效地使噪声电流的去向朝向接地电位侧。
实施方式4
图8是示意地表示使用实施方式4所涉及的配线构造时的等效电路的图。在实施方式4中,在图6所示的实施方式3所涉及的配线构造中,将P配线17a、N配线17b及输出配线18的导体表面,利用电阻率比形成各配线的材料高的材料进行包覆。另外,如图8所示,在此时的等效电路中,多个高电阻成分36或37串联连接,构成由这些高电阻成分36或37和P导体Y电容器28a、N导体Y电容器28b及输出导体Y电容器28c中的任意一个电容成分并联而成的分布常数式RC滤波器电路。
本发明中的功率转换装置,实现例如大于或等于30MHz的频带中的辐射噪声的降低,但上述频带的电流具有在导体表面流动的性质(表皮效应)。因此,如果在高频带的噪声电流流动的导体表面,包覆比该导体的电阻高的材质,则不会影响用于传递功率的低频带电流,可以通过高电阻材料的包覆,减少由于表皮效应而试图在导体表面流动的高频带的噪声电流。并且,可以与上述导体之间的电容器一起,在模块附近构成RC滤波器,因此与实施方式1~3的功率转换装置相比,可以进一步提高抑制辐射噪声的效果。
另外,在图8中,说明了在P配线17a及N配线17b、和输出配线18这两者上包覆高电阻率材料的情况,但也可以在任何一个上进行包覆,提高辐射噪声的抑制效果。
实施方式5
图9是示意地表示实施方式5所涉及的配线构造的图,在图6所示的实施方式3的配线构造中,以接地导体25为中央,分别在其两侧(上部侧及下部侧)以之间隔着绝缘体26a、26b的方式设置P导体23及N导体24,但在实施方式5的配线构造中,如图9所示,形成为下述构造,即,以绝缘体26d为中央,在其两侧设置P导体23及N导体24,在它们的各外侧(上部侧及下部侧),分别以之间隔着绝缘体26a、26b的方式设置接地导体25的延伸设置部。另外,在实施方式5的构造中,在P导体23的上部侧也设置有接地导体25的延伸设置部,因此利用该构造,使输出导体22在中间隔着绝缘体26c与接地导体25的延伸设置部相对。
在图9的配线构造的情况下,如右侧所示的等效电路所示,除了Y电容器28a、28b之外,还构成X电容器29。在图6的配线构造中,也可以将Y电容器28a、28b的串联连接电路,视为配置在P导体23和N导体24之间的X电容器,但由于是串联连接,所以电容值成为Y电容器的电容值1/2。另一方面,在图9的情况下,在P导体23和N导体24之间,仅配置X电容器29,因此如果条件相同,则该X电容器29的电容值与Y电容器28a(28b)的值相同,即,成为图6的情况的2倍。
对于在P导体23和N导体24之间往复的噪声电流,X电容器29成为通向模块21最近的路径。因此,可以形成与Y电容器28a(28b)相同容量的X电容器29的实施方式5的配线构造,与图6所示的实施方式3所涉及的配线构造相比,可以进一步提高辐射噪声的抑制效果。
此外,在图9中,利用设置在P导体23的上部侧的接地导体25的延伸设置部,使输出导体22以在中间隔着绝缘体26c的方式与接地导体25的延伸设置部相对,但也可以在接地导体25的下部侧,隔着绝缘体而设置输出导体22,从而得到与图9所示的结构相同的效果。
实施方式6
图10是示意地表示使用实施方式6所涉及的配线构造时的等效电路的图。在实施方式4中,如图8所示,将P配线17a、N配线17b及输出配线18的各导体表面,利用电阻率高的导体进行包覆,但在实施方式6中,进一步将输入配线16的导体表面、P配线17a及N配线17b中的转换器电路12和平滑电路(平滑电容器13a)之间的部分,利用电阻率较高的导体进行包覆。
在将输入配线16的导体表面、P配线17a及N配线17b中的转换器电路12和平滑电路之间的部分,利用电阻率较高的导体进行包覆的情况下,从作为噪声源的逆变器电路14观察输入配线16侧时的阻抗,与实施方式4的情况相比变大。因此,可以将试图向输入配线16侧流出的噪声电流,如通过阻抗更低的杂散电容32的噪声电流K1那样,在模块的附近引回至模块侧。由此,可以抑制来自输入配线16的辐射噪声。
另外,由于输入配线16侧的阻抗增大,所以噪声电流试图流向与输入配线16相比位于模块附近的输出配线18侧,但由于输出配线18的导体表面也被电阻率高的导体包覆,所以可以如噪声电流K2那样,被引回至模块侧,可以将成为辐射噪声的产生原因的噪声电流封闭在功率转换装置内。
实施方式7
图11是示意地表示实施方式7所涉及的配线构造的图。在实施方式1~6中,设想了在逆变器电路14中具有的模块,但在实施方式7中,设想转换器电路12例如是PWM转换器电路的情况。即,图11所示的模块41是搭载开关元件的转换器电路12的模块。在该模块41中,在规定的各端子上连接有输入导体42、P导体43及N导体44。输入导体42是在图1的电路结构中形成输入配线16的、例如平板状的导体。下面相同地,P导体43是形成转换器电路12侧的P配线17a的、例如平板状的导体,N导体44是形成转换器电路12侧的N配线17b的、例如平板状的导体。
另外,对于配线构造,除了由输入导体42替代输出导体22这一点之外,与图6所示的配线构造相同。如果具体地说明,则在实施方式7所涉及的配线构造中,将配置在模块搭载面侧的接地导体45延伸设置,并且隔着绝缘体46a而构成P导体43,并且,在接地导体45的相反侧,隔着同样的绝缘体46b而构成N导体44,进一步将接地导体45向输入导体侧延伸设置,在接地导体45的延伸设置部和输入导体42之间夹持绝缘体46c。该结构的等效电路如图11的右侧所示。
在图11中,与图6所示的等效电路相同地,在P导体43和接地导体45之间形成P导体Y电容器48a,在N导体44和接地导体45的延伸设置部之间形成N导体Y电容器48b,在输入导体42和接地导体45的延伸设置部之间形成输入导体Y电容器48c。
在作为功率转换装置采用如图11所示的配线构造的情况下,在输入配线和接地导体之间形成多个输入导体Y电容器48c。在由开关元件产生的噪声中试图向输入配线侧流出的噪声电流,在作为噪声源的开关元件的附近向接地电位侧流出,因此抑制向外部的流出。特别地,由于输入配线16是用于实现与交流电源2的电连接的电力配线,在功率转换装置的外侧向外部露出,因此向输入配线16侧的噪声电流的减少对于辐射噪声的抑制是有效的。因此,在采用实施方式7所涉及的配线构造的情况下,可以有效地抑制来自噪声源的辐射噪声。
在图11中,是将P导体43及N导体44,与输入导体42分离而配线的构造,但如图12所示,也可以构成为将P导体43、N导体44及输入导体42一体化。另外,在此情况下,优选与图9相同地,以绝缘体46d为中央,在其两侧设置P导体43及N导体44,在它们的各外侧(上部侧及下部侧),以分别在之间隔着绝缘体46a、46b的方式设置接地导体45的延伸设置部,并且使输入导体42以在之间隔着绝缘体46c的方式与接地导体45的延伸设置部相对。如果采用这种构造,则可以构成Y电容器48a、48b、48c,并且,可以在Y电容器48a和Y电容器48b之间构成X电容器49,因此可以提高对辐射噪声的抑制效果。
另外,在图12中,利用设置在P导体43的上部侧的接地导体45的延伸设置部,使输入导体42以在之间隔着绝缘体46c的方式与接地导体45的延伸设置部相对,但也可以在接地导体45的下部侧,隔着绝缘体而设置输入导体42,从而得到与图12所示的结构相同的效果。
另外,在实施方式7所涉及的配线构造中,如图10所示,如果将输入配线16、P配线17a、N配线17b及输出配线18的各导体表面,利用电阻率较高的导体进行包覆,则可以进一步提高对辐射噪声的抑制效果。
实施方式8
作为在逆变器电路或再生转换器电路、PWM转换器电路等中使用的开关元件,通常是由Si(Silicon)形成的开关元件(Si元件),但最近,使用由带隙更大的半导体形成的开关元件的情况也较多,具体地说,使用由碳化硅(SiC:Silicon Carbide)或氮化镓(GaN:GalliumNitride)、金刚石等宽带隙半导体形成的开关元件的情况也较多。
由宽带隙半导体形成的开关元件,耐电压性高,容许电流密度也高,因此可以小型化,通过使用这些小型化的开关元件,可以实现安装有这些元件的半导体模块的小型化。另外,由于电力损耗低,因此可以实现开关元件的高效率化,进而可以实现半导体模块的高效率化。另一方面,由于开关速度快而担心辐射噪声增加,因此上述对策是有效的。
上述实施方式1~7是使用Si元件的模块及SiC元件的模块这两者的优选实施方式。
另一方面,如果是SiC元件的模块,则有时不需要对模块进行冷却的散热器,但在Si元件的模块中,通常需要散热器。在这种情况下,例如也可以如图13所示,在接地导体25的下部配置散热器50。另外,例如也可以如图14所示,将模块21配置在散热器50的散热片基座52上,将散热片基座52和接地导体25电连接。并且,例如也可以如图15所示,将散热器50的散热片基座52的端部延长设置,将散热片基座52的一部分用作接地导体25的延伸设置部。另外,散热器50由散热片基座52和散热部54构成。
另外,图13~15所示的实施方式8的配线构造,使用了实施方式1的配线构造,但也可以使用实施方式2~7所示的其他配线构造,可以得到各实施方式固有的效果。
工业实用性
如上所述,本发明适用于降噪滤波器,其可以有效地抑制在功率转换装置中产生的辐射噪声。
Claims (31)
1.一种降噪滤波器,其构成为可以减少功率转换部产生的噪声电流,
其特征在于,
将第1Y电容器和第2Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
其中,
该第1Y电容器是在正极导体和第1导体部之间夹持第1绝缘体而形成的,该正极导体形成与所述功率转换部连接的正极侧的直流母线,该第1导体部是将接地导体延伸设置而形成的,在该接地导体上搭载所述功率转换部中具有的开关元件模块,
以所述第1导体部为基准,将该第2Y电容器配置在所述正极导体的相反侧,该第2Y电容器是在负极导体和所述第1导体部之间夹持第2绝缘体而形成的,该负极导体形成与所述功率转换部连接的负极侧的直流母线。
2.根据权利要求1所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
该第3Y电容器是在输出导体和第2导体部之间夹持第3绝缘体而形成的,该输出导体形成将所述功率转换部和负载之间连接的输出配线,该第2导体部是将接地导体延伸设置而形成的,在该接地导体上搭载所述功率转换部中具有的开关元件模块。
3.根据权利要求2所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述正极导体及所述负极导体的各表面,利用与形成这些正极导体及负极导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
4.根据权利要求2所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述输出导体的表面,利用与形成该输出导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
5.根据权利要求2所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述正极导体及所述负极导体的各表面,利用与形成这些正极导体及负极导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成,并且将所述输出导体的表面,利用与形成该输出导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
6.根据权利要求5所述的降噪滤波器,其特征在于,
将形成对所述功率转换部和交流电源之间进行连接的输入配线的输入导体的各表面,利用与形成该输入导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
7.根据权利要求1所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
该第3Y电容器是在输入导体和第2导体部之间夹持第3绝缘体而形成的,该输入导体形成将所述功率转换部和交流电源之间连接的输入配线,该第2导体部是将接地导体延伸设置而形成的,在该接地导体上搭载所述功率转换部中具有的开关元件模块。
8.根据权利要求1所述的降噪滤波器,其特征在于,
将X电容器作为滤波器电路要素而构成,
该X电容器是将所述正极导体及所述负极导体配置在所述第1及第2绝缘体的内侧,并且在这些正极导体及负极导体之间夹持第3绝缘体而形成的,该X电容器串联连接在所述第1Y电容器和所述第2Y电容器之间。
9.根据权利要求8所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述正极导体及所述负极导体的各表面,利用与形成这些正极导体及负极导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
10.根据权利要求8所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述输出导体的表面,利用与形成该输出导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
11.根据权利要求8所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述正极导体及所述负极导体的各表面,利用与形成这些正极导体及负极导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成,并且将所述输出导体的表面,利用与形成该输出导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
12.根据权利要求11所述的降噪滤波器,其特征在于,
将形成对所述功率转换部和交流电源之间进行连接的输入配线的输入导体的各表面,利用与形成该输入导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
13.根据权利要求1所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述正极导体及所述负极导体的各表面,利用与形成这些正极导体及负极导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
14.根据权利要求13所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述输出导体的表面,利用与形成该输出导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
15.一种降噪滤波器,其构成为可以减少功率转换部产生的噪声电流,
其特征在于,
将Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
该Y电容器是在输出导体和第1导体部之间夹持第1绝缘体而形成的,该输出导体形成将所述功率转换部与负载之间连接的输出配线,该第1导体部是将接地导体延伸设置而形成的,在该接地导体上搭载所述功率转换部中具有的开关元件模块。
16.根据权利要求15所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述输出导体的表面,利用与形成该输出导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
17.根据权利要求16所述的降噪滤波器,其特征在于,
将所述正极导体及所述负极导体的各表面,利用与形成这些正极导体及负极导体的材料相比电阻率高的材料进行包覆而构成。
18.根据权利要求8所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
以所述第1导体部为基准,将该第3Y电容器配置在所述正极导体的相反侧,该第3Y电容器是在所述第1导体部和输出导体之间夹持第3绝缘体而形成的,该输出导体形成将所述功率转换部和负载之间连接的输出配线。
19.根据权利要求8所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
以所述第1导体部为基准,将该第3Y电容器配置在所述正极导体的相反侧,该第3Y电容器是在所述第1导体部和输入导体之间夹持第4绝缘体而形成的,该输入导体形成将所述功率转换部和交流电源之间连接的输入配线。
20.根据权利要求8所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
以所述第2导体部为基准,将该第3Y电容器配置在所述负极导体的相反侧,该第3Y电容器是在所述第2导体部和输出导体之间夹持第4绝缘体而形成的,该输出导体形成将所述功率转换部和负载之间连接的输出配线。
21.根据权利要求8所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
以所述第2导体部为基准,将该第3Y电容器配置在所述负极导体的相反侧,该第3Y电容器是在所述第2导体部和输入导体之间夹持第4绝缘体而形成的,该输入导体形成将所述功率转换部和交流电源之间连接的输入配线。
22.根据权利要求9至12中任一项所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
以所述第1导体部为基准,将该第3Y电容器配置在所述正极导体的相反侧,该第3Y电容器是在所述第1导体部和输出导体之间夹持第3绝缘体而形成的,该输出导体形成将所述功率转换部和负载之间连接的输出配线。
23.根据权利要求9至12中任一项所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
以所述第1导体部为基准,将该第3Y电容器配置在所述正极导体的相反侧,该第3Y电容器是在所述第1导体部和输入导体之间夹持第4绝缘体而形成的,该输入导体形成将所述功率转换部和交流电源之间连接的输入配线。
24.根据权利要求9至12中任一项所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
以所述第2导体部为基准,将该第3Y电容器配置在所述负极导体的相反侧,该第3Y电容器是在所述第2导体部和输出导体之间夹持第4绝缘体而形成的,该输出导体形成将所述功率转换部和负载之间连接的输出配线。
25.根据权利要求9至12中任一项所述的降噪滤波器,其特征在于,
将第3Y电容器作为滤波器电路要素而构成,
以所述第2导体部为基准,将该第3Y电容器配置在所述负极导体的相反侧,该第3Y电容器是在所述第2导体部和输入导体之间夹持第4绝缘体而形成的,该输入导体形成将所述功率转换部和交流电源之间连接的输入配线。
26.根据权利要求1至21中任一项所述的降噪滤波器,其特征在于,
所述接地导体配置在所述开关元件模块和对该开关元件模块进行冷却的冷却器之间。
27.根据权利要求1至21中任一项所述的降噪滤波器,其特征在于,
所述开关元件模块搭载于对该开关元件模块进行冷却的冷却器的散热片基座上,所述接地导体与所述散热片基座电连接而引出。
28.根据权利要求1至21中任一项所述的降噪滤波器,其特征在于,
所述开关元件模块搭载于对该开关元件模块进行冷却的冷却器的散热片基座上,将所述散热片基座的端部延伸设置而构成所述接地导体。
29.根据权利要求1至21中任一项所述的降噪滤波器,其特征在于,
搭载于所述开关元件模块中的开关元件,是由宽带隙半导体形成的开关元件。
30.根据权利要求1至21中任一项所述的降噪滤波器,其特征在于,
所述宽带隙半导体是使用碳化硅、氮化镓类材料、或者金刚石形成的半导体。
31.一种功率转换装置,其特征在于,构成为,
作为所述功率转换部,设置有:第1功率转换部,其将交流电压变换为期望的直流电压;以及第2功率转换部,其将该第1功率转换部变换后的直流电压变换为期望的交流电压,
将权利要求1至21中任一项所述的降噪滤波器的结构,应用于所述第1及第2功率转换部中的至少一个功率转换部中。
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