CN1497654A - 荧光显示装置和荧光浆料 - Google Patents
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Abstract
在通过用低速电子束轰击形成于阳极上的荧光层而发光的荧光显示装置中,所述荧光层包括一种含W的化合物和/或一种含P、K和/或Na的化合物。所述含P、K和/或Na的化合物可以是一种选自由K3PO4、P2O5和Na2SiO3构成的组的化合物,该化合物以0.01-10.00重量%的比例掺入所述荧光层,以提供比传统的荧光显示装置的亮度剩余比率和高温暴露特性更高的亮度剩余比率和高温暴露特性。
Description
技术领域
本发明涉及荧光显示装置;尤其是涉及包含具有稳定发光特性的荧光层的荧光显示装置。
背景技术
在传统的荧光显示装置中,通过低速电子束轰击荧光层而使荧光层发光。这种情况下,低速电子束从荧光层表面仅深入几个埃的深度。因此,荧光层的表面状态对荧光显示装置的发光特性有很大影响。
荧光显示装置的典型制造工艺包括如下步骤:在350℃-550℃的温度范围内,对其上配置载有荧光层的阳极导体的阳极基板进行煅烧;在450℃-550℃的温度范围内用外壳对荧光显示装置进行封装;在300℃-400℃的温度范围内对荧光显示装置的内部排气使其内部达到高真空状态。
在显示装置的排气至真空状态步骤之前的每一个步骤中,由于各种环境因素使得荧光层的表面容易损坏,从而使得其表面容易被污染,并且品质下降。另外,还存在一个问题,即当暴露在即使很少的残留在装置中的湿气和/或残留气体时,显示装置的发光特性会变得不稳定。
例如,荧光显示装置中使用的荧光物质可以是氧化物荧光物质(比如:ZnO:Zn)、硫化物或硫氧化物荧光物质(比如:ZnS:Cu、Al)。这类硫化物或硫氧化物荧光物质易受湿气和残留气体的影响,即便是在高度真空下残留在荧光显示装置中的非常少的湿气或残留气体也会导致显示装置的发光特性受到损害。
在上述荧光物质中,就发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质而言,已公开了一种提供高亮度、长寿命的荧光显示装置的方法,该方法通过在荧光物质中以0.05-20.00重量%的比例掺杂WO3以除去荧光物质表面残留的气体。
此外,对于发黄光的混和有ZnGa2O4的(Zn、Mg)O系荧光物质,已公开了一种提供长寿命的发白光的荧光显示装置的方法,其中不采用诸如镉(Cd)等会造成污染的材料。
然而,采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光显示装置有一个缺点,即如果该装置超过一个月不用或不点亮,其亮度就会下降。
为了解决这个问题,有人提出将粒径为0.2-0.34μm的WO3以0.01-10.00重量%的比例掺入粒径为4μm的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质中。混有WO3的荧光物质可用来作为荧光显示装置中的荧光浆料。
表1显示了在室温条件下,在使用1000小时之后,此类荧光显示装置的高温曝露特性和亮度剩余比率。
其中,显示装置的亮度剩余比率含义是:在常规操作条件下,工作1000小时之后,剩余亮度和显示装置初始亮度的比率。亮度剩余比率需要超过或等于70%。
通常,70%的亮度剩余比率等于工作10,000小时之后显示装置的亮度,该亮度大约为初始亮度的50%。
此外,高温曝露特性的含义是:在85℃的空气中曝露72小时后,显示装置的亮度和初始亮度的比率。优选地,高温曝露特性大于或等于80%。
高温曝露特性大于或等于80%的含义是:显示装置在室温下不点亮一个月后,其亮度为初始亮度的80%。
表1
WO3 | ||
掺杂量(重量%) | 亮度剩余比率 | 高温曝露特性 |
0.01 | 82% | 63% |
0.05 | 78% | 65% |
0.1 | 75% | 70% |
0.4 | 70% | 72% |
1 | 62% | 75% |
2 | 52% | 76% |
5 | 43% | 78% |
10 | 20% | 79% |
虽然表1未示出,但是当WO3以0.10重量%的比例掺入荧光物质时,荧光显示装置的亮度为200cd/m2。
参考表1,随着WO3掺杂量的变化,亮度剩余比率与高温曝露特性成反比。也就是,亮度剩余比率随着WO3掺杂量的下降而上升,而高温曝露特性却随着WO3掺杂量的上升而上升。
因此,需要提供一种既具有足够的亮度剩余比率值,又具有所期望的高温曝露特性的荧光显示装置。
发明概述
因此,本发明的一个主要目的是提供一种与传统的荧光显示装置相比,既具有增强的亮度剩余比率,又具有满意的高温曝露特性的荧光显示装置。
尤其是,本发明的一个目的是提供一种采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光显示装置,其亮度剩余比率大于或等于70%,其高温曝露特性大于或等于80%。
更进一步地,本发明的再一个目的是提高采用诸如ZnO:Zn的氧化物荧光物质,或诸如ZnS:Cu、Al的硫化物或硫氧化物荧光物质和其它低速电子束荧光物质的荧光显示装置的亮度剩余比率和高温曝露特性。
根据本发明的一个优选实施例,提供一种荧光显示装置,该装置通过低速电子束轰击形成在阳极上的荧光层而发光,其特征在于,荧光层包括一种包含P、K和/或Na的化合物。
根据本发明的另一个优选实施例,提供一种荧光显示装置,该装置通过低速电子束轰击形成在阳极上的荧光层而发光,其特征在于,荧光层包括一种包含W的化合物和一种包含P、K和/或Na的化合物。
在本发明的优选实施例中,包含P、K和/或Na的化合物可以是一种选自由K3PO4、P2O5和Na2SiO3构成的组的化合物。化合物以0.01-10.00重量%的比率掺入荧光层。
另外,荧光层可以是(Zn、Mg)O系荧光物质,ZnO:Zn、Ln2O2S:Re(其中,Ln为La、Gd或Lu;Re为Eu或Tb)、ZnGa2O4或ZnGa2O4:Mn。
此外,荧光层可以是一种化合物,其包含(Zn、Mg)O系荧光物质、ZnO:Zn、Ln2O2S:Re(其中,Ln为La、Gd或Lu;Re为Eu或Tb)、ZnGa2O4和ZnGa2O4:Mn中的至少一种。
根据本发明的再一个优选实施例,提供一种荧光浆料,其包括:包含(Zn、Mg)O系荧光物质、ZnO:Zn、Ln2O2S:Re(其中,Ln为La、Gd或Lu;Re为Eu或Tb)、ZnGa2O4和ZnGa2O4:Mn中的至少一种的荧光物质;和包含K3PO4、P2O5和Na2SiO3中的至少一种的化合物,其中该化合物以0.01-10.00重量%的比率掺入所述荧光物质。
根据本发明的另一个实施例,提供一种荧光浆料,其包括:包含(Zn、Mg)O系荧光物质、ZnO:Zn、Ln2O2S:Re(其中,Ln为La、Gd或Lu;Re为Eu或Tb)、ZnGa2O4和ZnGa2O4:Mn中的至少一种的荧光物质;包含K3PO4、P2O5和Na2SiO3中的至少一种的第一化合物,其中该第一化合物以0.01-10.00重量%的比例掺入荧光物质;和包含W的第二化合物。
附图说明
本发明的上述和其它目的和特点将通过下述结合附图对优选实施例的说明而变得更加清楚,其中:
图1为当荧光物质中未掺入WO3时,本发明的荧光显示装置的亮度剩余比率曲线图;
图2为当荧光物质中掺入WO3时,本发明的荧光显示装置的亮度剩余比率曲线图。
优选实施例的详细描述
本发明的基本构思在于,将一定的材料掺入荧光显示装置的荧光层,以去除高真空下保持气密封的荧光显示装置中的即使是很少量的湿气和残留气体。这样,提高了荧光显示装置的初始亮度、亮度剩余比率和高温曝露特性。本发明使用的掺杂材料可采用常规的材料,如WO3和CaWO4。
掺杂材料应当具有一个特性,即当装置暴露在低于一个特定温度(如85℃)的大气中时,它吸收荧光显示装置中残留的即使是很少量的气体。而且,即使在装置的阳极发光之后,在低于一个特定温度(如27℃)的大气中,掺杂材料也应当保持对残留气体的吸收。
在一个测试试验中,已经发现在荧光显示装置内部排气至高真空的过程中,在处于300-400℃温度范围的荧光显示装置中,掺杂材料能耗尽从其上形成有荧光层的阳极导体中产生的残留气体。在此之后,进一步还发现,在低于300-400℃的温度范围的真空状态下,掺杂材料也吸收残留气体。
掺杂材料可以包含P、K和/或Na。然而,优选地,掺杂材料包含不是以元素形式存在,而是以化合物形式存在的P、K和/或Na。包含P、K和/或Na的化合物可以是K3PO4,P2O5或Na2SiO3。
可用以下材料之一作为掺杂材料来代替K3PO4:K2CrO4、K2CrO7、K2SO4、K2MoO4、KVO3、K2WO4、K2O·2B2O3、KCr(SO4)2、KBr、KBrO3、K2CO3、K2C2O4、KI、KIO3、KNO3、K2P2O7、KOH和K2S。
而且,可用以下材料之一作为掺杂材料来代替P2O5:H3PO4、PBr3、POBr3、Ca3(PO4)2、Na2HPO4、Fe3(PO4)、KH2PO4和NaH2PO4。
同样,可用以下材料之一作为掺杂材料来代替Na2SiO3:NaAlO2、Na2Al22O34、Na2BO2、Na2CrO4、Na2MoO4、5Na2·12MoO3、Na2SeO3、NaBr、NaBrO3、Na2CO3、NaHCO3、Na2C2O4、NaI、NaNO3、NaPO3、Na2SO4和NaOH。
更进一步地,在测试试验中,已经发现,即使在将显示装置在300-550℃的温度范围内进行煅烧时所进行的氧化/还原处理中,掺杂材料(比如包含P、K和/或Na以及任选的W的化合物)也能够除去在高真空状态下的荧光显示装置中的残留气体。
尤其是,在采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光显示装置中,通过在荧光物质中掺杂K3PO4和/或WO3,显示装置的初始亮度、亮度剩余比率和高温曝露特性都得到了提高。
而且,在采用氧化物荧光物质(比如ZnO:Zn)或硫氧化物系荧光物质(比如La2O2S:Eu)的荧光显示装置中,通过在荧光物质中掺杂K3PO4,显示装置的初始亮度和高温曝露特性都得到了提高。
以下参照在特定条件下进行的测试试验,来详细描述根据本发明的优选实施例的荧光显示装置。在所述试验中采用的荧光显示装置为使用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光显示装置,众所周知,这种荧光物质易受高真空状态下装置中的残留气体的影响;以及采用氧化物荧光物质(比如ZnO:Zn)或硫氧化物荧光物质的荧光显示装置。
在试验中,作为(Zn、Mg)O系荧光物质的一个实例,使用了(Zn、Mg)O:Li荧光物质(由Nichia Corporation或Kasei Optonix Ltd生产)。
实施例1
在本实施例中,使用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质和K3PO4的混和物来制造用于荧光显示装置的荧光浆料。(Zn、Mg)O系荧光物质的粒径大约为4μm。而且K3PO4的粒径为10μm或更低,并以0.01-10.00重量%的比例掺杂以形成混合物。
包含发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质和K3PO4的混和物(以60重量%的量)与将乙基纤维素以2-10%的浓度溶解在丁基卡必醇中所生成的载色体(以40重量%的量)互相混和,以生成荧光浆料。
所述荧光浆料被涂敷在形成于荧光显示装置中的阳极基板上的阳极导体上,接着在450℃的温度下对荧光显示装置进行煅烧。随后,在显示装置中配置控制电极和阴极。接着,将阳极基板和封壳互相挤压,以便阳极基板的外部边缘和封壳互相封接以装配成显示装置的外壳。最后,这样形成的外壳被抽至高真空状态并密封,以完成荧光显示装置的装配。
实施例2
在本实施例中,使用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质、WO3和K3PO4的混和物来制造用于荧光显示装置的荧光浆料。所述(Zn、Mg)O系荧光物质的粒径大约为4μm。此外,WO3的粒径为0.2-0.3μm,以0.05重量%的比例掺杂。K3PO4的粒径为10μm或更低,并以0.01-10.00重量%的比例掺杂。
包含发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质、WO3和K3PO4的混和物(以60重量%的量)与将乙基纤维素以2-10%的浓度溶解在丁基卡必醇中所生成的载色体(以40重量%的量)互相混和,以生成荧光浆料。
荧光浆料被涂敷在形成于荧光显示装置中的阳极基板上的阳极导体上,接着在450℃的温度下对荧光显示装置进行煅烧。随后,在显示装置中配置控制电极和阴极。接着,将阳极基板和封壳互相挤压,以便阳极基板的外部边缘和封壳互相封接以装配成显示装置的外壳。最后,这样形成的外壳被抽至高真空状态并密封,以完成荧光显示装置的装配。
表2
K3PO4 | K3PO4+WO3(0.05重量%) | |||
掺杂比例(重量%) | 亮度剩余比率(1000小时后) | 高温曝露特性(72小时后) | 亮度剩余比率(1000小时后) | 高温曝露特性(72小时后) |
0.01 | ⊙90% | ○68% | ⊙83% | ○72% |
0.05 | ⊙85% | ○75% | ⊙80% | ⊙83% |
0.1 | ⊙78% | ⊙82% | ⊙78% | ⊙95% |
0.4 | ⊙73% | ⊙90% | ⊙70% | ⊙97% |
1 | ⊙70% | ⊙93% | ○65% | ⊙99% |
2 | ○65% | ⊙95% | ○62% | ⊙99% |
5 | ○60% | ⊙95% | ○48% | ⊙102% |
10 | ○50% | ⊙97% | ○48% | ⊙105% |
表2显示了从实施例1和2获得的,采用掺杂K3PO4或K3PO4+WO3的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光显示装置的亮度剩余比率和高温曝露特性数据。
在表2中,符号“⊙”表示的是亮度剩余比率大于或等于70%的情况。符号“○”表示的是以下情况,即当K3PO4或K3PO4+WO3以0.01-10.00重量%的比例掺入荧光物质中时,荧光显示装置的亮度剩余比率虽然低于70%,但是仍然优于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率。
参照表2,在实施例1中,只有当K3PO4以0.01-1.00重量%的比例掺入荧光物质时,亮度剩余比率高于或等于70%,这高于传统的荧光显示装置(表1),以“⊙”表示。
甚至在只将K3PO4以2.00-10.00重量%的比例掺入荧光物质时,亮度剩余比率也高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“○”表示。
而且,在只将K3PO4以0.10-10.00重量%的比例掺入荧光物质时,高温曝露特性高于或等于80%,这也高于传统的荧光显示装置(表1),以“⊙”表示。
即使在仅将K3PO4以0.01-0.05重量%的比例掺入荧光物质时,高温曝露特性也高于传统的荧光显示装置(表1),以“○”表示。
如上所述,与传统的荧光显示装置(表1)相比,包括掺杂有0.01-10.00重量%的K3PO4的荧光层的荧光显示装置,具有更高的亮度剩余比率和高温曝露特性,所述传统的荧光显示装置采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质,其中仅有WO3以0.01-10.00重量%的比率掺杂。
尤其是,仅将K3PO4以0.10-1.00重量%的比例掺入发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质时,相比于传统的荧光显示装置(表1),亮度剩余比率和高温曝露特性都得到了很大的提高。
同时,在实施例2中,当K3PO4以0.01-0.40重量%的比例,WO3以0.05重量%的比例掺入发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质时,亮度剩余比率高于或等于70%,这高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“⊙”表示。
即使在K3PO4以1.00-10.00重量%的比例掺入带有0.05重量%的WO3的荧光物质时,其亮度剩余比率也高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“○”表示。
而且,当K3PO4以0.05-10.00重量%的比例掺入带有0.05重量%的WO3的荧光物质时,高温曝露特性高于80%,这高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“⊙”表示。
即使在K3PO4以0.01重量%的比例掺入带有0.05重量%的WO3的荧光物质时,其高温曝露特性也高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“○”表示。
如上所述,所述荧光显示装置包括一荧光层,该荧光层含有掺有0.05重量%的WO3和0.01-10.00重量%的K3PO4的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质,与传统的荧光显示装置(表1)相比,所述荧光显示装置具有更高的亮度剩余比率和高温曝露特性,此处所述的传统的荧光显示装置采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质,其中仅掺有0.01-10.00重量%的WO3。
尤其是,当K3PO4以0.05-1.00重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的(Zn、Mg)O系荧光物质时,相比于传统的荧光显示装置(表1),其亮度剩余比率和高温曝露特性都得到了很大的提高。
此外,当K3PO4以0.05重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的(Zn、Mg)O系荧光物质时,荧光显示装置的初始亮度为300cd/m2,比传统的荧光显示装置的初始亮度(200cd/m2)高50%,在传统的荧光显示装置中,WO3以0.10重量%的比例掺入荧光物质。
虽然实施例1和2采用K3PO4作为掺入荧光物质的化合物,但是下列化合物的其中之一也可作为掺杂材料:K2CrO4、K2CrO7、K2SO4、K2MoO4、KVO3、K2WO4、K2O·2B2O3、KCr(SO4)2、KBr、KBrO3、K2CO3、K2C2O4、KI、KIO3、KNO3、K2P2O7、KOH和K2S。
实施例3
在本实施例中,使用ZnO:Zn系荧光物质和K3PO4或K3PO4+WO3的混和物来制造用于荧光显示装置的荧光浆料。K3PO4的粒径为10μm或更低,并以0.01-10.00重量%的比例掺杂。此外,WO3以0.1重量%的比例掺入化合物。
所述混和物(60重量%)与将乙基纤维素以2-10%的浓度溶解在丁基卡必醇中生成的载色体(40重量%)互相混和,以生成荧光浆料。
采用该荧光浆料的荧光显示装置以与实施例1中描述的相同的方式制成。
表3显示实施例3中,使用掺杂K3PO4或K3PO4+WO3的ZnO:Zn系荧光物质的荧光显示装置的亮度剩余比率和高温曝露特性数据。
表3
K3PO4 | K3PO4+WO3(0.1重量%) | |||
掺杂比例(重量%) | 初始亮度(cd/m2) | 高温曝露特性(72小时后) | 初始亮度(cd/m2) | 高温曝露特性(72小时后) |
0 | 100 | 54 | 200 | 75 |
0.01 | 130 | 75 | 220 | 88 |
0.02 | 150 | 88 | 220 | 89 |
0.05 | 158 | 90 | 230 | 89 |
0.1 | 145 | 91 | 210 | 90 |
0.2 | 133 | 90 | 210 | 89 |
0.5 | 122 | 90 | 205 | 91 |
1 | 110 | 91 | 202 | 90 |
2 | 100 | 92 | 190 | 92 |
5 | 80 | 90 | 175 | 91 |
10 | 62 | 92 | 165 | 92 |
如表3所示,在荧光显示装置中,通过采用掺杂K3PO4或K3PO4+WO3的ZnO:Zn系荧光物质,至少当掺杂量在大约1.00重量%的范围时,装置的初始亮度和高温曝露特性都高于传统的荧光显示装置。
另外,在将荧光显示装置拆散之后,对显示装置的荧光物质的表面进行了分析。分析结果表明,所述荧光物质中含有少量的Zn、O、K和P,这意味着K和P可能有助于所述显示装置的初始亮度和高温曝露特性的改进。
实施例4
在本实施例中,提供了一种包括包含有Ln2O2S:Re(其中,Ln为La、Gd或Lu;Re为Eu或Tb)荧光物质的荧光层的荧光显示装置,其中掺杂有作为导电介质的ZnO。此外,K3PO4以0.05重量%的比例掺入荧光物质。
表4提供了本实施例中荧光显示装置的初始亮度与未将K3PO4掺入荧光物质的荧光显示装置的初始亮度的比率。
表4
K3PO4的掺杂数量 | ||
0重量% | 0.05重量% | |
La2O2S:Tb | 100% | 150% |
Gd2O2S:Eu | 100% | 170% |
Gd2O2S:Tb | 100% | 172% |
Lu2O2S:Eu | 100% | 142% |
Lu2O2S:Tb | 100% | 135% |
如表4所示,通过将0.05重量%的K3PO4掺入包含Ln2O2S:Re(其中,Ln为La、Gd或Lu;Re为Eu或Tb)荧光物质的荧光层中,该荧光层中掺杂有作为导电介质的ZnO,该荧光显示装置的初始亮度得到了显著的提高。
表5显示了一种荧光显示装置的初始亮度,该荧光显示装置具有包含有La2O2S:Eu荧光物质的荧光层,该荧光物质中有作为导电介质的以10重量%的比例掺杂的ZnO和粒径为10μm或更低的以0.005-10.00重量%的比例掺杂的K3PO4。
所述荧光物质(60重量%)与将乙基纤维素以2-10%的浓度溶解在丁基卡必醇中生成的载色体(40重量%)互相分散融合,以生成荧光浆料。
采用该荧光浆料的荧光显示装置以与实施例1中描述的相同的方式制成。
表5
K3PO4 | |
掺杂比例(重量%) | 初始亮度(cd/m2) |
0(参考) | 100 |
0.005 | 105 |
0.01 | 145 |
0.02 | 170 |
0.05 | 220 |
0.1 | 165 |
0.2 | 150 |
0.5 | 125 |
1 | 108 |
2 | 102 |
5 | 93 |
10 | 66 |
如表5所示,当K3PO4以0.005-2.00重量%的比例掺杂时,荧光显示装置的初始亮度提高了。然而,当K3PO4的掺杂比例大于5.00重量%时,初始亮度反而比参考值低了。
如表4所示,采用掺杂有0.05重量%的K3PO4的Lu2O2S:Eu荧光物质的荧光显示装置,其初始亮度提高了142%,与之相比,当K3PO4以0.05重量%的比例掺杂时,采用La2O2S:Eu荧光物质的荧光显示装置的初始亮度与表5所示的参考初始亮度相比提高了120%。
而且,使用ESCA(化学分析用电子能谱法)方法对荧光物质的表面分析显示,当在荧光物质中不掺杂K3PO4时,Ln2O2S:Re(其中,Ln为La、Gd或Lu;Re为Eu或Tb)荧光物质中包含的S信号与SO4中包含的S信号的比率为35.00%,该比率表示荧光物质表面的氧化程度。然而,当在荧光物质中掺杂K3PO4时,该比率下降至10.00%。
基于上述分析,可以相信,K3PO4阻止了具有包含La2O2S:Eu荧光物质的荧光层的荧光显示装置的发光特性的劣化,该荧光物质中掺杂有作为导电介质的ZnO。
实施例5
在本实施例中,荧光显示装置具有包含有La2O2S:Tb、Lu2O2S:Eu、Cd2O2S:Eu、Lu2O2S:Tb或Gd2O2S:Tb荧光物质的荧光层,该荧光物质中以0.02重量%的比例掺杂了K3PO4,并对该荧光显示装置以与实施例1相同的方式进行测试。
在本实施例中,通过在荧光物质中掺杂K3PO4,显示装置的初始亮度高于传统的荧光显示装置的初始亮度。
实施例6
在本实施例的荧光显示装置中采用了由发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质和P2O5的混和物生成的荧光浆料。
除了以P2O5代替K3PO4掺入荧光物质外,根据本实施例的荧光显示装置以与实施例1所描述的相同的方式制成。
实施例7
在本实施例的荧光显示装置中采用了由发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质和P2O5+WO3的混和物生成的荧光浆料。
除了以P2O5+WO3代替K3PO4+WO3掺入荧光物质外,根据本实施例的荧光显示装置以与实施例2所描述的相同的方式制成。
表6显示了实施例6和7中,采用掺杂有P2O5或P2O5+WO3的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光显示装置的亮度剩余比率和高温曝露特性数据。
表6
P2O5 | P2O5+WO3(0.05重量%) | |||
掺杂比例(重量%) | 亮度剩余比率(1000小时后) | 高温曝露特性(72小时后) | 亮度剩余比率(1000小时后) | 高温曝露特性(72小时后) |
0.01 | ⊙88% | ○63% | ⊙84% | ○69% |
0.05 | ⊙85% | ○73% | ⊙80% | ○77% |
0.1 | ⊙83% | ○78% | ⊙76% | ⊙83% |
0.4 | ⊙80% | ⊙80% | ⊙71% | ⊙87% |
1 | ⊙75% | ⊙83% | ○65% | ⊙91% |
2 | ⊙70% | ⊙87% | ○60% | ⊙93% |
5 | ○65% | ⊙90% | ○57% | ⊙95% |
10 | ○55% | ⊙94% | ○48% | ⊙95% |
参照表6,在实施例6中在仅将P2O5以0.01-2.00重量%的比例掺入荧光物质时,亮度剩余比率高于或等于70%,这与传统的荧光显示装置的亮度剩余比率相比有了巨大的提高,以“⊙”表示。
即使在将P2O5以5.00-10.00重量%的比例掺入荧光物质时,亮度剩余比率也高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“○”表示。
而且,当P2O5以0.40-10.00重量%的比例掺入荧光物质时,高温曝露特性高于或等于80%,这也比传统的荧光显示装置(表1)有了提高,以“⊙”表示。
即便在将P2O5以0.01-0.10重量%的比例掺入荧光物质时,高温曝露特性仍高于传统的荧光显示装置(表1),以“○”表示。
如上所述,所述荧光显示装置包括掺有0.01-10.00重量%的P2O5的荧光层,与传统的荧光显示装置(表1)相比,其具有更高的亮度剩余比率和高温曝露特性,所述传统的荧光显示装置采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质,其中仅掺杂有0.01-10.00重量%的WO3。
尤其是,当P2O5以0.40-1.00重量%的比例掺入荧光物质时,相比于传统的荧光显示装置(表1),亮度剩余比率和高温曝露特性都得到了很大的提高。
同时,在实施例7中,当P2O5以0.01-0.40重量%的比例,WO3以0.05重量%的比例掺入荧光物质时,亮度剩余比率高于70%,这高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“⊙”表示。
即便在将P2O5以0.40-10.00重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的荧光物质时,亮度剩余比率也高于传统的荧光显示装置(表1)的亮度剩余比率,以“○”表示。
而且,当P2O5以0.10-10.00重量%的比例,WO3以0.05重量%的比例掺入荧光物质时,高温曝露特性高于80%,这高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“⊙”表示。
即便在P2O5以0.01-0.05重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的荧光物质时,高温曝露特性也高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“○”表示。
如上所述,所述荧光显示装置包括含有掺有0.05重量%的WO3和0.01-10.00重量%的P2O5的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光层,与传统的荧光显示装置(表1)相比,其具有更高的亮度剩余比率和高温曝露特性,所述传统的荧光显示装置采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质,其中仅掺杂有0.01-10.00重量%的WO3。
尤其是,当P2O5以0.10-0.40重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的荧光物质时,相比于传统的荧光显示装置(表1),亮度剩余比率和高温曝露特性都得到了很大的提高。
而且,当P2O5以0.10重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的荧光物质时,荧光显示装置的初始亮度为200cd/m2,等于传统的荧光显示装置的初始亮度,在所述传统的荧光显示装置中WO3以0.10重量%的比例掺入荧光物质。
虽然本发明的实施例6和7采用P2O5作为掺入荧光物质的掺杂材料,但是下列化合物的任何一种均可作为掺杂材料:H3PO4、PBr3、POBr3、Ca3(PO4)2、Na2HPO4、Fe3(PO4)、KH2PO4和NaH2PO4。
实施例8
在本实施例中,采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质和Na2SiO3的混和物来生成用于荧光显示装置的荧光浆料。
除了以Na2SiO3代替K3PO4掺入荧光物质外,根据本实施例的荧光显示装置以与实施例1所描述的相同的方式制成。
实施例9
在本实施例中,采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质和Na2SiO3+WO3的混和物来生成用于荧光显示装置的荧光浆料。
除了以Na2SiO3+WO3代替K3PO4+WO3掺入荧光物质外,根据本实施例的荧光显示装置以与实施例2所描述的相同的方式制成。
表7显示了实施例8和9中采用掺杂有Na2SiO3或Na2SiO3+WO3的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光显示装置的亮度剩余比率和高温曝露特性数据。
表7
Na2SiO3 | Na2SiO3+WO3(0.05重量%) | |||
掺杂比例(重量%) | 亮度剩余比率(1000小时后) | 高温曝露特性(72小时后) | 亮度剩余比率(1000小时后) | 高温曝露特性(72小时后) |
0.01 | ⊙84% | ○63% | ⊙80% | ○67% |
0.05 | ⊙78% | ○70% | ⊙76% | ○77% |
0.1 | ⊙75% | ⊙80% | ⊙70% | ⊙88% |
0.4 | ⊙70% | ⊙83% | ○63% | ⊙97% |
1 | ○68% | ⊙87% | ○60% | ⊙101% |
2 | ○50% | ⊙90% | ○45% | ⊙103% |
5 | ○45% | ⊙92% | ○37% | ⊙105% |
10 | ○35% | ⊙94% | ○30% | ⊙107% |
参照表7,在实施例8中,当Na2SiO3以0.01-0.40重量%的比例掺入荧光物质时,亮度剩余比率高于或等于70%,高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“⊙”表示。
即便在Na2SiO3以1.00-10.00重量%的比例掺入荧光物质时,亮度剩余比率也高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“○”表示。
而且,当Na2SiO3以0.10-10.00重量%的比例掺入荧光物质时,高温曝露特性高于或等于80%,这高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“⊙”表示。
即便在Na2SiO3以0.01-0.05重量%的比例掺入荧光物质时,高温曝露特性也高于传统的荧光显示装置(表1),以“○”表示。
如上所述,所述荧光显示装置包括仅掺有0.01-10.00重量%的Na2SiO3的荧光层,与传统的荧光显示装置(表1)相比,其具有更高的亮度剩余比率和高温曝露特性,所述传统的荧光显示装置采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质,其中仅掺杂有0.01-10.00重量%的WO3。
尤其是,在仅将Na2SiO3以0.10-0.40重量%的比例掺入荧光物质时,相比于传统的荧光显示装置(表1),亮度剩余比率和高温曝露特性都得到了很大的提高。
另一方面,在实施例9中,当Na2SiO3以0.01-0.40重量%的比例,WO3以0.05重量%的比例掺入发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质时,亮度剩余比率高于或等于70%,这高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“⊙”表示。
即便在Na2SiO3以1.00-10.00重量%的比例掺入带有0.05重量%的WO3的荧光物质时,亮度剩余比率也高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“○”表示。
而且,当Na2SiO3以0.10-10.00重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的荧光物质时,高温曝露特性高于88%,这高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“⊙”表示。
即便在Na2SiO3以0.01-0.05重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的荧光物质时,高温曝露特性也高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“○”表示。
如上所述,所述荧光显示装置包括含有掺有0.05重量%的WO3和0.01-10.00重量%的Na2SiO3的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光层,与传统的荧光显示装置(表1)相比,其具有更高的亮度剩余比率和高温曝露特性,所述传统的荧光显示装置采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质,其中仅掺杂有0.01-10.00重量%的WO3。
尤其是,当Na2SiO3以0.10重量%的比例掺入带有0.05重量%的WO3的荧光物质时,相比于传统的荧光显示装置(表1),亮度剩余比率和高温曝露特性都得到了很大的提高。
而且,当Na2SiO3以0.05重量%的比例掺入带有0.05重量%的WO3的荧光物质时,荧光显示装置的初始亮度为200cd/m2,等于传统的荧光显示装置的初始亮度,在所述传统的荧光显示装置中,WO3以0.10重量%的比例掺入荧光物质。
实施例10
在本实施例中,采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质和K2CO3的混和物来生成用于荧光显示装置的荧光浆料。
除了以K2CO3代替K3PO4掺入荧光物质外,根据本实施例的荧光显示装置以与实施例1所描述的相同的方式制成。
实施例11
在本实施例中,采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质和K2CO3+WO3的混和物来生成用于荧光显示装置的荧光浆料。
除了以K2CO3+WO3代替K3PO4+WO3掺入荧光物质外,根据本实施例的荧光显示装置以与实施例2所描述的相同的方式制成。
表8显示了实施例10和11中采用掺有K2CO3或K2CO3+WO3的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光显示装置的亮度剩余比率和高温曝露特性数据。
表8
K2CO3 | K2CO3+WO3(0.05重量%) | |||
掺杂比例(重量%) | 亮度剩余比率(1000小时后) | 高温曝露特性(72小时后) | 亮度剩余比率(1000小时后) | 高温曝露特性(72小时后) |
0.01 | ⊙87% | ○64% | ⊙81% | ○71% |
0.05 | ⊙82% | ○73% | ⊙75% | ○78% |
0.1 | ⊙80% | ⊙85% | ⊙73% | ⊙90% |
0.4 | ⊙75% | ⊙95% | ○68% | ⊙96% |
1 | ⊙70% | ⊙96% | ○65% | ⊙97% |
2 | ○53% | ⊙97% | ○48% | ⊙97% |
5 | ○46% | ⊙98.7% | ○40% | ⊙99% |
10 | ○23% | ⊙98% | ○20% | ⊙100% |
参照表8,在实施例10中,在仅将K2CO3以0.01-1.00重量%的比例掺入荧光物质时,亮度剩余比率高于或等于70%,这高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“⊙”表示。
即便在仅将K2CO3以2.00-10.00重量%的比例掺入荧光物质时,亮度剩余比率也高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“○”表示。
而且,在仅将K2CO3以0.10-10.00重量%的比例掺入荧光物质时,高温曝露特性高于或等于85%,这高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“⊙”表示。
即便在仅将K2CO3以0.01-0.05重量%的比例掺入荧光物质时,高温曝露特性也高于传统的荧光显示装置(表1),以“○”表示。
如上所述,所述荧光显示装置包括含有仅掺有0.01-10.00重量%的K2CO3的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光层,与传统的荧光显示装置(表1)相比,其具有更高的亮度剩余比率和高温曝露特性,传统的荧光显示装置采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质,其中仅掺杂有0.01-10.00重量%的WO3。
尤其是,在仅将K2CO3以0.05-10.00重量%的比例掺入荧光物质时,相比于传统的荧光显示装置(表1),亮度剩余比率和高温曝露特性都得到了很大的提高。
在实施例11中,当K2CO3以0.01-0.10重量%的比例,WO3以0.05重量%的比例掺入发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质时,亮度剩余比率高于或等于70%,这高于传统的荧光显示装置的亮度剩余比率(表1),以“⊙”表示。
即便在K2CO3以0.40-10.00重量%的比例掺入带有0.05重量%的WO3的荧光物质时,亮度剩余比率也高于传统的荧光显示装置(表1)的亮度剩余比率,以“○”表示。
而且,当K2CO3以0.01-0.40重量%的比例掺入带有0.05重量%的WO3的荧光物质时,高温曝露特性高于或等于80%,这高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“⊙”表示。
即便在K2CO3以0.01重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的荧光物质时,高温曝露特性也高于传统的荧光显示装置的高温曝露特性(表1),以“○”表示。
如上所述,所述荧光显示装置包括含有掺有0.05重量%的WO3和0.01-10.00重量%的K2CO3的发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质的荧光层,与传统的荧光显示装置(表1)相比,其具有更高的亮度剩余比率和高温曝露特性,所述传统的荧光显示装置采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质,其中仅掺杂有0.01-10.00重量%的WO3。
尤其是,当K2CO3以0.10重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的荧光物质时,相比于传统的荧光显示装置(表1),亮度剩余比率和高温曝露特性都得到了很大的提高。
而且,当K2CO3以0.05重量%的比例掺入带有0.05重量%WO3的荧光物质时,荧光显示装置的初始亮度为200cd/m2,等于传统的荧光显示装置的初始亮度,在所述传统的荧光显示装置中,WO3以0.10重量%的比例掺入荧光物质。
图1显示当WO3未掺入荧光物质时,根据本发明的实施例1、2和6-11的荧光显示装置的亮度剩余比率,其中亮度剩余比率的值大于或等于70%。
如图1所示,与采用仅掺杂了WO3的荧光物质的传统荧光显示装置相比,本发明的荧光显示装置具有更高的亮度剩余比率。
图2显示当WO3掺入荧光物质时,根据本发明的实施例1至6的荧光显示装置的亮度剩余比率,其中亮度剩余比率的值大于或等于70%。
如图2所示,与采用仅掺杂了WO3的荧光物质的传统荧光显示装置相比,本发明的荧光显示装置具有更高的亮度剩余比率。
实施例12
在本实施例中,采用发黄光的(Zn、Mg)O系荧光物质和P2O5的混和物来生成用于荧光显示装置的荧光浆料。
除了以0.02重量%的P2O5代替K3PO4掺入荧光物质外,根据本实施例的荧光显示装置以与实施例1所描述的相同的方式制成。
在这种情况下,荧光显示装置的初始亮度为在荧光物质中未掺入任何化合物的显示装置的初始亮度(或参考亮度)的175%。此外,显示装置的高温曝露特性为90%,与传统荧光显示装置的高温曝露特性(53%)相比取得了很大的提高。
实施例13
在本实施例中,采用发蓝光的ZnGa2O4荧光物质和K3PO4的混和物来生成用于荧光显示装置的荧光浆料。此外,还采用Zn(Ga、Al)2O4:Mn荧光物质和K3PO4的混和物来生成另一种用于荧光显示装置的荧光浆料。
除了将K3PO4以0.001重量%的比例掺入荧光物质外,根据本实施例的荧光显示装置以与实施例1所描述的相同的方式制成。
在这种情况下,采用ZnGa2O4荧光物质的显示装置的高温曝露特性为95%,这一特性与传统的荧光显示装置的高温曝露特性(85%)相比有了很大的提高。采用Zn(Ga、Al)2O4:Mn荧光物质的显示装置的高温曝露特性也为95%,这一特性与传统的荧光显示装置的高温曝露特性(70%)相比有了很大的提高。
上述包含P、K和/或Na的化合物可掺入用于荧光显示装置的ZnMgO系荧光物质、ZnO:Zn系荧光物质、Ln2O2S系荧光物质、Ga2O2S系荧光物质、SrTiO3系荧光物质或ZnS:Zn系荧光物质中。在这些情况下,荧光显示装置可以获得比传统的荧光显示装置更高的亮度剩余比率和高温曝露特性。
例如,通过将包含P、K和/或Na的化合物以0.005-10.00重量%的比例掺入荧光物质中,可得到不含镉、具有稳定发光特性和长寿命的发白光的荧光显示装置,其中所述荧光物质通过将(Zn、Mg)O系荧光物质和ZnGa2O4荧光物质混和而制得。
虽然本发明是参照优选实施例来展示和说明的,但本领域技术人员可以理解的是在不脱离由下述权利要求书确定的本发明的精神和范围的情况下,可以进行各种变化和改进。
Claims (7)
1.一种荧光显示装置,其通过用低速电子束轰击形成于阳极上的荧光层而发光,其中所述荧光层包括一种至少含有P、K和Na之一的化合物。
2.一种荧光显示装置,其通过用低速电子束轰击形成于阳极上的荧光层而发光,其中所述荧光层包括一种至少含有P、K和Na之一的化合物和一种含W的化合物。
3.一种荧光显示装置,其通过用低速电子束轰击形成于阳极上的荧光层而发光,其中所述荧光层包括一种选自由K3PO4、P2O5和Na2SiO3构成的组的化合物,该化合物以0.01-10.00重量%的比例掺入荧光层。
4.一种荧光显示装置,其通过用低速电子束轰击形成于阳极上的荧光层而发光,其中所述荧光层包括一种选自由K3PO4、P2O5和Na2SiO3构成的组的化合物,该化合物以0.01-10.00重量%的比例掺入荧光层,和一种含W的化合物。
5.根据权利要求1-4之一的装置,其中所述荧光层为一种化合物,其包含(Zn、Mg)O系荧光物质、ZnO:Zn荧光物质、Ln2O2S:Re、ZnGa2O4和ZnGa2O4:Mn中的至少一种;其中Ln为La、Gd或Lu,Re为Eu或Tb。
6.一种荧光浆料,其包括:
一种荧光物质,其包含(Zn、Mg)O系荧光物质、ZnO:Zn、Ln2O2S:Re、ZnGa2O4和ZnGa2O4:Mn中的至少一种,其中Ln为La、Gd或Lu,Re为Eu或Tb;和
一种化合物,其包含K3PO4、P2O5和Na2SiO3中的至少一种,
其中所述化合物以0.01-10.00重量%的比例掺入所述荧光物质中。
7.一种荧光浆料,其包括:
一种荧光物质,其包含(Zn、Mg)O系荧光物质、ZnO:Zn、Ln2O2S:Re、ZnGa2O4和ZnGa2O4:Mn中的至少一种,其中Ln为La、Gd或Lu,Re为Eu或Tb;
一种化合物,其包含K3PO4、P2O5和Na2SiO3中的至少一种,其中所述化合物以0.01-10.00重量%的比例掺入所述荧光物质中;和
另一种含W的化合物。
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