CN1492241A - 曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法 - Google Patents
曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1492241A CN1492241A CNA031348335A CN03134833A CN1492241A CN 1492241 A CN1492241 A CN 1492241A CN A031348335 A CNA031348335 A CN A031348335A CN 03134833 A CN03134833 A CN 03134833A CN 1492241 A CN1492241 A CN 1492241A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- phthalocyanine
- exposure device
- reflection horizon
- compound
- extreme ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 151
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 80
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 99
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 22
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 18
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 claims description 15
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- KMHSUNDEGHRBNV-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichloropyrimidine-5-carbonitrile Chemical compound ClC1=NC=C(C#N)C(Cl)=N1 KMHSUNDEGHRBNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N cobalt phthalocyanine Chemical compound [Co+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 11
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 10
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910021594 Copper(II) fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004410 anthocyanin Substances 0.000 claims description 9
- 229930002877 anthocyanin Natural products 0.000 claims description 9
- 235000010208 anthocyanin Nutrition 0.000 claims description 9
- 150000004636 anthocyanins Chemical class 0.000 claims description 9
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- ODWXUNBKCRECNW-UHFFFAOYSA-M bromocopper(1+) Chemical compound Br[Cu+] ODWXUNBKCRECNW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L copper(ii) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Cu+2] GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 9
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical group CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 9
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 9
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 9
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical class OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHIAEZJOVSXCRX-UHFFFAOYSA-N C(CCC)S(=O)(=O)O.[F] Chemical compound C(CCC)S(=O)(=O)O.[F] NHIAEZJOVSXCRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 2
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016509 CuF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical group [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
一种曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法。所述曝光装置具备,反射型掩模(20)和第一反射镜(30a)、第二反射镜(30b)、第三反射镜(30c)以及第四反射镜(30d)。反射型掩模(20)具有,选择性地形成在掩模基板上且反射极紫外线的反射层、形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域的红外线吸收层。反射镜具有形成在镜面基板上并反射极紫外线的反射层和形成在反射层上并吸收红外线的吸收层。根据本发明,向抗蚀膜选择性地照射极紫外线之后,通过显影而得到的抗蚀图的形状不会劣化。
Description
技术领域
本发明涉及在半导体装置的制造过程中使用的曝光装置、该曝光装置中的反射镜和反射型掩模、以及图案形成方法。
背景技术
随着半导体集成电路的高度集成化和半导体元件的小型化,要求刻蚀技术的快速发展。
目前,在平版印刷技术中,以汞灯、KrF受激准分子激光器或ArF受激准分子激光器等作为曝光用光进行图案的形成。并且,为了形成图案宽度为0.1μm以下特别是70nm以下的微细的图案,正在探讨波长比所述曝光用光更短的F2激光(波长:157nm区域)等真空紫外线或极紫外线(EUV:波长1nm~30nm区域)的应用,以及电子射线(EB)投射曝光等的EB的应用。
在这些曝光用光中,因极紫外线有可望形成图案宽度为50nm以下的图案,所以特别有发展前景。
下面,参照图4来说明例如记载于H.Kinoshita et al.,“Recent advanceof three-aspherical-mirror system for EUVL”,Proc.SPIE,vol.3997,70(2000).[2000.7月发行]中的极紫外线曝光装置(EUV曝光装置)的整体结构。
如图4所示,由激光等离子体或SOR等EUV光源10射出的EUV在反射型掩模20被选择性反射之后,依次经第一反射镜30a、第二反射镜30b、第三反射镜30c和第四反射镜30d的反射,最后照射到形成在半导体晶片40上的抗蚀膜。
下面,参照图5(a)~(d)说明使用所述的EUV曝光装置进行的以往的图案形成方法。
首先,准备具有以下组成的化学增幅型抗蚀剂材料。聚((对-叔丁氧基羰氧基苯乙烯)-(羟基苯乙烯))(其中,对-叔丁氧基羰氧基苯乙烯∶羟基苯乙烯=40mol%∶60mol%)(基本树脂)……………………………………………………………………… 4.0g三苯基锍九氟丁烷磺酸(酸发生剂)……………………………………0.12g丙二醇单甲醚乙酸酯(溶剂)……………………………………………20g
然后,如图5(a)所示,在基板1上涂布上述的化学增幅型抗蚀剂材料,形成膜厚为0.15μm的抗蚀膜2。
接着,如图5(b)所示,对抗蚀膜2照射从数值孔径NA:0.10的EUV曝光装置射出后由反射型掩模反射而来的极紫外线(波长:13.5nm区域)3,进行图案的曝光。
接着,如图5(c)所示,对图案曝光的抗蚀膜2,利用电热板在100℃的温度下加热60秒而进行曝光后的烘焙。这时,由于抗蚀膜2的曝光部2a中,从酸发生剂产生酸,所以变得对碱性显影液可溶,同时因抗蚀膜2的未曝光部2b中不会从酸发生剂产生酸,所以仍难于溶解在碱性显影液中。
接着,用2.38wt%的四甲基氢氧化铵显影液(碱性显影液)对预烘焙过的抗蚀膜2进行显影,则如图5(d)所示,可得到由抗蚀膜2的未曝光部2b构成的抗蚀图4。
但是,如图5(d)所示,抗蚀图4的图案形状变差,同时图案尺寸大致为72nm,大致比掩模尺寸(90nm)缩小了20%。
如果使用图案形状差的抗蚀图4作为掩模对被蚀刻膜进行蚀刻,则所得到的图案的形状变差,从而成为半导体元件的制造工序中的一个大问题。
发明内容
鉴于以上,本发明的目的在于不使对抗蚀膜选择性地照射极紫外线之后进行显影而得到的抗蚀图案的形状变差。
为了达到所述目的,本发明人等对抗蚀图形状变差的原因进行各种研究的结果,得到了以下见解。即,向抗蚀膜照射的曝光光中包含有极紫外线以外的光,具体地包含有红外光,并且该红外光在抗蚀膜的曝光部局部地被热吸收。从而局部地热吸收红外光的抗蚀膜发生变形,使抗蚀膜的尺寸控制性下降。下面,详细说明局部热吸收红外光的抗蚀膜的尺寸控制性下降的机理。
由入射到抗蚀膜2的曝光部2a的红外光所产生的高热将瞬间地传递到抗蚀膜2的未曝光部2b,所以在未曝光部2b,基本聚合物达到软化点以上的温度。因此认为,由显影后的未曝光部2b构成的抗蚀图4产生变形,使图案尺寸控制性下降。另外,在抗蚀膜2的曝光部2a,按照通常方式进行基础聚合物和极紫外线3之间的反应,难以受到由红外光带来的热的影响,所以显影后以通常方式被除去。
另外,关于从EUV光源1射出的EUV中所含有的红外光被抗蚀膜2的未曝光部2b吸收的现象,也已公开在H.Meiling et al.,“EXTATIC,ASML’s alpha-tool development for EUVL“Proc.SPIE,vol.4688,52(2002).”[2002.7月发行]。
本发明人等发现了,由显影后的抗蚀膜的未曝光部所构成的抗蚀图的变形是由抗蚀膜曝光部的局部所吸收的高温热量而引起的。
本发明是鉴于上述的见解而完成的,下面具体说明如下。
本发明的曝光装置用的反射镜具备:形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的、反射极紫外线的反射层和形成在反射层的上面且由吸收紫外线的化合物构成的吸收层。
根据本发明的曝光装置用的反射镜,由于在反射层的上面形成有由吸收紫外线的化合物构成的吸收层,所以包含在由极紫外线构成的曝光光中的红外光在由反射镜反射时被吸收层吸收,从而照射抗蚀膜的曝光光中所含有的红外线将减弱。因此,抗蚀膜的局部吸收热量的情况得到缓解,从而由抗蚀膜的显影而得到的抗蚀图的形状不会变差。
在本发明的曝光装置用的反射镜中,作为化合物优选的是酞菁。
由于酞菁的红外线吸收性良好,所以照射在抗蚀膜上的曝光光中几乎不含红外线,从而能够可靠地防止抗蚀膜局部吸收热的情形,且能够可靠地防止抗蚀图的形状劣化。另外,由于酞菁几乎不吸收极紫外线,所以照射在抗蚀膜上的极紫外线不会减弱,从而所得抗蚀图的感度和析像度几乎不会劣化。并且,酞菁在被照射极紫外线的高真空气氛中也非常稳定。
这时,作为酞菁,可以使用铜酞菁、一氧化钛酞菁、钛酞菁、氢酞菁、铝酞菁、铁酞菁、钴酞菁、锡酞菁、氟化铜酞菁、氯化铜酞菁、溴化铜酞菁或碘化铜酞菁等。
在本发明的曝光装置用的反射镜中,作为化合物优选的是花青苷系、方鎓(squalilium)系、甲亚胺系、咕吨系、氧杂菁系、偶氮系、蒽醌系、三苯甲烷系、、吩噻嗪系或吩噁噻系。
在本发明的曝光装置用的反射镜中,优选的是,化合物由溅射法、真空蒸镀法或离子电镀法成膜。
这时,作为溅射法,可以举出磁控管法、反应性溅射法、2极法、离子束法、对置靶法、ECR法、3极法或同轴型溅射法。作为真空蒸镀法,可以例举分子束外延法、反应性真空蒸镀法、电子束法、激光法、电弧法、电阻加热法或高频加热法;作为离子电镀法,可以例举反应性离子电镀法、离子束法或空心阴极法。
本发明的曝光装置用的反射型掩模具备:形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层。
根据本发明的曝光装置用的反射型掩模,由于在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域上形成有由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层,所以由极紫外线构成的曝光光中所含有的红外光在被反射型掩模反射时被红外线吸收层所吸收,从而照射在抗蚀膜上的曝光光中所含有的红外线减弱。因此,抗蚀膜的局部吸收热量的情况得到缓解,从而由抗蚀膜的显影而得到的抗蚀图的形状不会变差。
在本发明的曝光装置用的反射型掩模中,作为化合物优选的是酞菁。
如上所述,由于酞菁的红外线吸收性良好,同时又几乎不吸收极紫外线,所以能够可靠地防止抗蚀图的形状劣化,并且所得抗蚀图的感度和析像度几乎不会劣化。
这时,作为酞菁,可以使用铜酞菁、一氧化钛酞菁、钛酞菁、氢酞菁、铝酞菁、铁酞菁、钴酞菁、锡酞菁、氟化铜酞菁、氯化铜酞菁、溴化铜酞菁或碘化铜酞菁等。
在本发明的曝光装置用的反射型掩模中,作为化合物优选的是花青苷系、方鎓系、甲亚胺系、咕吨系、氧杂菁系、偶氮系、蒽醌系、三苯甲烷系、吩噻嗪系或吩噁噻系。
在本发明的曝光装置用的反射型掩模中,优选的是,化合物由溅射法、真空蒸镀法或离子电镀法成膜。
这时,作为溅射法,可以例举磁控管法、反应性溅射法、2极法、离子束法、对置靶法、ECR法、3极法或同轴型溅射法。作为真空蒸镀法,可以例举分子束外延法、反应性真空蒸镀法、电子束法、激光法、电弧法、电阻加热法或高频加热法;作为离子电镀法,可以例举反应性离子电镀法、离子束法或空心阴极法。
本发明的第1曝光装置具备:具有形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的、反射极紫外线的反射层和形成在反射层的上面且由吸收红外线的化合物构成的吸收层的反射镜。
根据本发明的第1曝光装置,由于在反射镜的反射层上面形成有由吸收红外线的化合物构成的吸收层,所以包含在由极紫外线构成的曝光光中的红外光在被反射镜反射时被吸收层所吸收,从而照射抗蚀膜的曝光光中所含有的红外线将减弱。因此,抗蚀膜的局部吸收热量的情况得到缓解,从而由抗蚀膜的显影而得到的抗蚀图的形状不会变差。
本发明的第2曝光装置具备:具有形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层的反射型掩模。
根据本发明的第2曝光装置,由于在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域上形成有由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层,所以由极紫外线构成的曝光光中所含有的红外光在被反射型掩模反射时被红外线吸收层所吸收,从而照射在抗蚀膜上的曝光光中所含有的红外线减弱。因此,抗蚀膜的局部吸收热量的情况得到缓解,从而由抗蚀膜的显影而得到的抗蚀图的形状不会变差。
本发明的第3曝光装置具备:具有形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层和形成在反射层的上面且由吸收红外线的化合物构成的吸收层的反射镜;具有形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层的反射型掩模。
根据本发明的第3曝光装置,由于在反射镜的反射层上面形成有由吸收红外线的化合物构成的吸收层,同时在反射型掩模的反射层上面的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域上形成有由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层,所以照射在抗蚀膜上的曝光光中所含有的红外线将大大减弱,从而能够可靠地防止由抗蚀膜的显影而得到的抗蚀图的形状劣化。
在本发明的第1~第3曝光装置中,作为化合物,优选使用化学式1所示的酞菁。另外,在化学式1中,R表示取代基。
化学式1
如上所述,酞菁的红外线吸收性良好且几乎不吸收极紫外线,所以能够可靠地防止抗蚀图的形状劣化,同时所得抗蚀图的感度和析像度几乎不会劣化。
这时,作为酞菁,可以使用铜酞菁(R=Cu)、一氧化钛酞菁(R=TiO)、钛酞菁(R=Ti)、氢酞菁(R=H)、铝酞菁(R=Al)、铁酞菁(R=Fe)、钴酞菁(R=Co)、锡酞菁(R=Sn)、氟化铜酞菁(R=CuF2)、氯化铜酞菁(R=CuCl2)、溴化铜酞菁(R=CuBr)或碘化铜酞菁(R=CuI)等。另外,在上述的酞菁中,R表示化学式1中的取代基。
在本发明的第1~第3曝光装置中,作为化合物优选的是花青苷系、方鎓系、甲亚胺系、咕吨系、氧杂菁系、偶氮系、蒽醌系、三苯甲烷系、吩噻嗪系或吩噁噻系。
在本发明的第1~第3曝光装置用的反射型掩模中,优选的是,化合物由溅射法、真空蒸镀法或离子电镀法成膜。
这时,作为溅射法,可以例举磁控管法、反应性溅射法、2极法、离子束法、对置靶法、ECR法、3极法或同轴型溅射法。作为真空蒸镀法,可以例举分子束外延法、反应性真空蒸镀法、电子束法、激光法、电弧法、电阻加热法或高频加热法;作为离子电镀法,可以例举反应性离子电镀法、离子束法或空心阴极法。
本发明的第1图案形成方法具有:向在基板上形成的抗蚀膜上照射由反射型掩模和反射镜反射而来的极紫外线而进行图案曝光的工序;显影被图案曝光的抗蚀膜,而形成由抗蚀膜的未曝光部构成的抗蚀图的工序;且反射镜具有:形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层和形成在反射层的上面且由吸收红外线的化合物构成的吸收层。
根据本发明的第1图案形成方法,由于在反射镜的反射层上面形成有由吸收红外线的化合物构成的吸收层,所以在由极紫外线构成的曝光光中所含有的红外光被反射镜反射时被吸收层所吸收,从而照射抗蚀膜的曝光光中所含有的红外线将减弱。因此,抗蚀膜的局部吸收热量的情况得到缓解,从而由抗蚀膜的显影而得到的抗蚀图的形状不会变差。
本发明的第2图案形成方法具有:向在基板上形成的抗蚀膜照射由反射型掩模和反射镜反射而来的极紫外线而进行图案曝光的工序;显影被图案曝光的抗蚀膜,而形成由抗蚀膜的未曝光部构成的抗蚀图的工序;且反射型掩模具有,形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在反射层上且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层。
根据本发明的第2图案形成方法,由于在反射型掩模的反射层上的至少是没有形成有极紫外线吸收层的区域上形成有由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层,所以由极紫外线构成的曝光光中所含有的红外光被反射型掩模反射时被红外线吸收层所吸收,从而照射在抗蚀膜上的曝光光中所含有的红外线减弱。因此,抗蚀膜的局部吸收热量的情况得到缓解,从而由抗蚀膜的未曝光部构成的抗蚀图的形状不会变差。
本发明的第3图案形成方法具有:向在基板上形成的抗蚀膜照射由反射型掩模和反射镜反射而来的极紫外线而进行图案曝光的工序;显影被图案曝光的抗蚀膜,而形成由抗蚀膜的未曝光部构成的抗蚀图的工序;且反射型掩模具有,形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在反射层上且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层;且反射镜具有:形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层和形成在反射层的上面且由吸收红外线的化合物构成的吸收层。
根据本发明的第3图案形成方法,由于在反射镜的反射层上形成有由吸收红外线的化合物构成的吸收层,同时在反射型掩模的反射层上的至少是没有形成有极紫外线吸收层的区域上形成有由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层,所以照射在抗蚀膜上的曝光光中所含有的红外线将大大减弱,从而能够可靠地防止由抗蚀膜的未曝光部构成的抗蚀图的形状的劣化。
在本发明的第1~第3的图案形成方法中,抗蚀膜优选由化学增幅型抗蚀材料构成。
在本发明的第1~第3的图案形成方法中,作为化合物优选的是酞菁。
如上所述,由于酞菁的红外线吸收性良好,同时又几乎不吸收极紫外线,所以能够可靠地防止抗蚀图的形状劣化,并且所得抗蚀图的感度和析像度几乎不会劣化。
这时,作为酞菁,可以使用铜酞菁、一氧化钛酞菁、钛酞菁、氢酞菁、铝酞菁、铁酞菁、钴酞菁、锡酞菁、氟化铜酞菁、氯化铜酞菁、溴化铜酞菁或碘化铜酞菁等。
在本发明的第1~第3的图案形成方法中,作为化合物优选的是花青苷系、方鎓系、甲亚胺系、咕吨系、氧杂菁系、偶氮系、蒽醌系、三苯甲烷系、吩噻嗪系或吩噁噻系。
在本发明的第1~第3的图案形成方法中,优选的是,化合物由溅射法、真空蒸镀法或离子电镀法成膜。
这时,作为溅射法,可以例举磁控管法、反应性溅射法、2极法、离子束法、对置靶法、ECR法、3极法或同轴型溅射法。作为真空蒸镀法,可以例举分子束外延法、反应性真空蒸镀法、电子束法、激光法、电弧法、电阻加热法或高频加热法;作为离子电镀法,可以例举反应性离子电镀法、离子束法或空心阴极法。
附图说明
图1是本发明实施例1的反射型掩模的截面图。
图2是本发明实施例1的反射镜的截面图。
图3(a)~(d)是表示本发明实施例1的图案形成方法的各工序的截面图。
图4是表示本发明的实施例1和以往例的曝光装置的全体构成的示意图。
图5(a)~(d)是表示以往例的图案形成方法的各工序的截面图。
图6(a)表示氢酞菁的吸收特性,图6(b)表示铝酞菁的吸收特性,图6(c)表示钛酞菁的吸收特性,图6(d)表示铁酞菁的吸收特性,图6(e)表示钴酞菁的吸收特性,图6(f)表示铜酞菁的吸收特性。
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的实施例1。
在本发明的实施例1中,如图4所示,由激光等离子体或SOR等EUV光源10射出的EUV在反射型掩模20被选择性反射之后,依次经第一反射镜30a、第二反射镜30b、第三反射镜30c和第四反射镜30d的反射,最后照射在形成在半导体晶片40上的抗蚀膜。
作为本发明实施例1的特征,如图1所示,反射型掩模20具有:由铂等构成的镜面基板21、形成在该镜面基板21上面且由钼和硅交替层叠的多层膜所构成的反射极紫外线的反射层22、形成在该反射层22的上方且由吸收红外线的化合物构成的吸收层23。关于吸收层23的结构将在后面详述。
另外,作为本发明的实施例1,如图2所示,第一反射镜30a、第二反射镜30b、第3反射镜30c和第四反射镜30d具备:由硅或玻璃基板等构成的掩模基板31;形成在该掩模基板31的上面且由钼和硅交替层叠的多层膜所构成的、反射极紫外线的反射层32;选择性地形成在该反射层32的上面且由SiO2或Ru等构成的缓冲层33;形成在该缓冲层33的上面且由Cr或TaN等构成的、吸收极紫外线的极紫外线吸收层34;形成在反射层32上的至少是没有形成有极紫外线吸收层34的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层35。另外,在图2中,红外线吸收层35形成在反射层32和极紫外线吸收层34的整个面上,但也可以形成在反射层32上的至少是没有形成有极紫外线吸收层34的区域。另外,在图2中,红外线吸收层35形成在反射层32和极紫外线吸收层34的上方,但也可以形成在反射层32和缓冲层33之间。
另外,在本发明的实施例1中,第一反射镜30a、第二反射镜30b、第三反射镜30c、第四反射镜30d全都具有红外线吸收层35,但也可以是第一、第二、第三、第四反射镜30a、30b、30c、30d中的至少一个具有红外线吸收层35。
另外,在本发明的实施例1中,反射型掩模和反射镜均具有由吸收红外线的化合物构成的吸收层,但也可以是反射型掩模或反射镜具有由吸收红外线的化合物构成的吸收层。
在这里,对构成反射型掩模20的吸收层23和第一~第四反射镜30a~30d的红外线吸收层35的、吸收红外线的化合物进行说明。
作为吸收红外线的化合物,优选使用铜酞菁、一氧化钛酞菁、钛酞菁、氢酞菁、铝酞菁、铁酞菁、钴酞菁、锡酞菁、氟化铜酞菁、氯化铜酞菁、溴化铜酞菁或碘化铜酞菁等酞菁。
由于酞菁对红外线的吸收性良好,所以照射到抗蚀膜上的曝光光中几乎不含红外线,从而能够可靠地避免抗蚀膜局部地吸收热量的情形,且可靠地防止抗蚀图的形状劣化。另外,由于酞菁几乎不吸收极紫外线,所以照射在抗蚀膜上的极紫外线不会减弱,得到的抗蚀图的感度和析像度几乎不会劣化。并且,酞菁在可照射极紫外线的高真空气氛中也非常稳定。
图6(a)表示氢酞菁的吸收特性,图6(b)表示铝酞菁的吸收特性,图6(c)表示钛酞菁的吸收特性,图6(d)表示铁酞菁的吸收特性,图6(e)表示钴酞菁的吸收特性,图6(f)表示铜酞菁的吸收特性。在图6(a)~(f)中,实线表示将各化合物溶解在氯萘溶液中时的吸收光谱,虚线表示在各化合物成为分散相时的吸收光谱。
如图6(a)~(f)所示,波长为650nm~750nm带的红外线区域中的吸收特性特别大,由此可知酞菁化合物对红外线的吸收特性优异。
此外,对吸收红外线的化合物的量没有特别的限定,由于酞菁可有效地吸收红外光,所以10μm以下的膜厚也无妨。
另外,作为吸收红外线的化合物,除了酞菁之外,还可以使用花青苷系、方鎓系、甲亚胺系、咕吨系、氧杂菁系、偶氮系、蒽醌系、三苯甲烷系、吩噻嗪系或吩噁噻系的物质。
还有,作为吸收红外线的化合物,可以利用磁控管法、反应性溅射法、2极法、离子束法、对置靶法、ECR法、3极法或同轴型溅射法等溅射法;分子束外延法、反应性真空蒸镀法、电子束法、激光法、电弧法、电阻加热法或高频加热法等真空蒸镀法或反应性离子电镀法、离子束法或空心阴极法等离子电镀法成膜。
下面,参照图3说明使用所述的具有反射型掩模20或第一~第四的反射镜30a~30d的曝光装置形成抗蚀图的方法。
首先准备具有以下组成的化学增幅型抗蚀材料。
聚((对-叔丁氧基羰氧基苯乙烯)-(羟基苯乙烯))(其中,对-叔丁氧基羰氧基苯乙烯∶羟基苯乙烯=40mol%∶60mol%)(基础树脂)……………………………………………………………… 4.0g
三苯基锍九氟丁烷磺酸(酸发生剂)………………………… 0.12g
丙二醇单甲醚乙酸酯(溶剂)………………………………… 20g
然后,如图3(a)所示,在基板100上涂布上述的化学增幅型抗蚀剂材料,形成膜厚为0.15μm的抗蚀膜101。
接着,如图3(b)所示,对抗蚀膜101照射从数值孔径NA:0.10的EUV曝光装置射出后由反射型掩模20和第一~第四反射镜30a~30d反射而来的极紫外线(波长:13.5nm区域)102,进行图案的曝光。
接着,如图3(c)所示,对图案曝光的抗蚀膜101,利用加热板在100℃的温度下加热60秒而进行预烘焙。这时,由于抗蚀膜101的曝光部101a中从酸发生剂产生酸,所以变得对碱性显影液可溶,同时因抗蚀膜101的未曝光部101b中不会从酸发生剂产生酸,所以仍难于溶解在碱性显影液中。
接着,用2.38wt%的四甲基氢氧化铵显影液(碱性显影液)对预烘焙过的抗蚀膜101进行显影,则如图3(d)所示,得到由抗蚀膜101的未曝光部101b构成且具有良好的截面形状的抗蚀图103。
下面,说明为了评价本发明的实施例1而进行的试验例。
使用具备具有由利用分子束外延法蒸镀的铜酞菁(吸收红外线的化合物)构成的吸收层23的反射型掩模20且第一~第四反射镜30a~30d中的3个反射镜具有由用分子束外延法蒸镀的铜酞菁(吸收红外线的化合物)构成的红外线吸收层35的曝光装置,根据图3(a)~(d)所示的工序形成了抗蚀图103。
根据本试验例,由于在曝光光中所含有的红外线更有效地被反射型掩模和反射镜所吸收,所以抗蚀图103的截面形状是矩形状,且相对于反射型掩模的反射区域的图案宽度为90nm,而抗蚀图103的图案宽度为87.3nm。即,抗蚀图案103的图案宽度相对于反射型掩模的图案宽度的缩小率为3%,极其良好。
根据本发明的曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、第1~第3的曝光装置或第1~第3的图案形成方法,抗蚀膜的局部吸收热量的情况得到缓解,从而可防止由抗蚀膜的显影而得到的抗蚀图形状的劣化。
Claims (41)
1、一种曝光装置用的反射镜,其特征在于具备形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的、反射极紫外线的反射层和形成在所述反射层的上面且由吸收红外线的化合物构成的吸收层。
2、根据权利要求1所述的曝光装置用的反射镜,其特征在于所述化合物是酞菁。
3、根据权利要求2所述的曝光装置用的反射镜,其特征在于所述酞菁是铜酞菁。
4、根据权利要求2所述的曝光装置用的反射镜,其特征在于所述酞菁是一氧化钛酞菁、钛酞菁、氢酞菁、铝酞菁、铁酞菁、钴酞菁、锡酞菁、氟化铜酞菁、氯化铜酞菁、溴化铜酞菁或碘化铜酞菁。
5、根据权利要求1所述的曝光装置用的反射镜,其特征在于所述化合物是花青苷系、方鎓系、甲亚胺系、咕吨系、氧杂菁系、偶氮系、蒽醌系、三苯甲烷系、吩噻嗪系或吩噁噻系。
6、根据权利要求1所述的曝光装置用的反射镜,其特征在于所述化合物是由溅射法、真空蒸镀法或离子电镀法成膜。
7、根据权利要求1所述的曝光装置用的反射镜,其特征在于所述化合物是通过磁控管法、反应性溅射法、2极法、离子束法、对置靶法、ECR法、3极法或同轴型溅射法成膜的。
8、根据权利要求1所述的曝光装置用的反射镜,其特征在于所述化合物是通过分子束外延法、反应性真空蒸镀法、电子束法、激光法、电弧法、电阻加热法或高频加热法成膜的。
9、根据权利要求1所述的曝光装置用的反射镜,其特征在于所述化合物是通过反应性离子电镀法、离子束法或空心阴极法成膜的。
10、一种曝光装置用的反射型掩模,其特征在于具备:形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在所述反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在所述反射层上的至少是没有形成所述极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层。
11、根据权利要求10所述的曝光装置用的反射型掩模,其特征在于所述化合物是酞菁。
12、根据权利要求11所述的曝光装置用的反射型掩模,其特征在于所述酞菁是铜酞菁。
13、根据权利要求11所述的曝光装置用的反射型掩模,其特征在于所述酞菁是一氧化钛酞菁、钛酞菁、氢酞菁、铝酞菁、铁酞菁、钴酞菁、锡酞菁、氟化铜酞菁、氯化铜酞菁、溴化铜酞菁或碘化铜酞菁。
14、根据权利要求10所述的曝光装置用的反射型掩模,其特征在于所述化合物是花青苷系、方鎓系、甲亚胺系、咕吨系、氧杂菁系、偶氮系、蒽醌系、三苯甲烷系、吩噻嗪系或吩噁噻系。
15、根据权利要求10所述的曝光装置用的反射型掩模,其特征在于所述化合物是由溅射法、真空蒸镀法或离子电镀法成膜的。
16、根据权利要求10所述的曝光装置用的反射型掩模,其特征在于所述化合物是通过磁控管法、反应性溅射法、2极法、离子束法、对置靶法、ECR法、3极法或同轴型溅射法成膜的。
17、根据权利要求10所述的曝光装置用的反射型掩模,其特征在于所述化合物是通过分子束外延法、反应性真空蒸镀法、电子束法、激光法、电弧法、电阻加热法或高频加热法成膜的。
18、根据权利要求10所述的曝光装置用的反射型掩模,其特征在于所述化合物是通过反应性离子电镀法、离子束法或空心阴极法成膜的。
19、一种曝光装置,其特征在于具备:具有形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的、反射极紫外线的反射层和形成在所述反射层的上面且由吸收紫外线的化合物构成的吸收层的反射镜。
20、一种曝光装置,其特征在于具备:具有形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在所述反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在所述反射层上的至少是没有形成所述极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层的反射型掩模。
21、一种曝光装置,其特征在于具备:具有形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层和形成在所述反射层的上面且由吸收红外线的化合物构成的吸收层的反射镜;和具有形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在所述反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在所述反射层上的至少是没有形成所述极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层的反射型掩模。
22、根据权利要求19~21中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于所述化合物是酞菁。
23、根据权利要求22所述的曝光装置,其特征在于所述酞菁是铜酞菁。
24、根据权利要求22所述的曝光装置,其特征在于所述酞菁是一氧化钛酞菁、钛酞菁、氢酞菁、铝酞菁、铁酞菁、钴酞菁、锡酞菁、氟化铜酞菁、氯化铜酞菁、溴化铜酞菁或碘化铜酞菁。
25、根据权利要求19~21中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于所述化合物是花青苷系、方鎓系、甲亚胺系、咕吨系、氧杂菁系、偶氮系、蒽醌系、三苯甲烷系、吩噻嗪系或吩噁噻系。
26、根据权利要求19~21中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于所述化合物是由溅射法、真空蒸镀法或离子电镀法成膜的。
27、根据权利要求19~21中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于所述化合物是通过磁控管法、反应性溅射法、2极法、离子束法、对置靶法、ECR法、3极法或同轴型溅射法成膜的。
28、根据权利要求19~21中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于所述化合物是通过分子束外延法、反应性真空蒸镀法、电子束法、激光法、电弧法、电阻加热法或高频加热法成膜的。
29、根据权利要求19~21中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于所述化合物是通过反应性离子电镀法、离子束法或空心阴极法成膜的。
30、一种图案形成方法,其特征在于具有:向在基板上形成的抗蚀膜上照射由反射型掩模和反射镜反射而来的极紫外线而进行图案曝光的工序;显影被图案曝光的所述抗蚀膜,而形成由所述抗蚀膜的未曝光部构成的抗蚀图的工序;且所述反射镜具有:形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层和形成在所述反射层的上面且由吸收红外线的化合物构成的吸收层。
31、一种图案形成方法,其特征在于具有:向在基板上形成的抗蚀膜照射由反射型掩模和反射镜反射而来的极紫外线而进行图案曝光的工序;显影被图案曝光的所述抗蚀膜,而形成由所述抗蚀膜的未曝光部构成的抗蚀图的工序;且所述反射型掩模具有,形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在所述反射层上且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在所述反射层上的至少是没有形成所述极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层。
32、一种图案形成方法,其特征在于具有:向在基板上形成的抗蚀膜照射由反射型掩模和反射镜反射而来的极紫外线而进行图案曝光的工序;显影被图案曝光的所述抗蚀膜,而形成由所述抗蚀膜的未曝光部构成的抗蚀图的工序;且所述反射型掩模具有,形成在掩模基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层、选择性地形成在所述反射层上且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在所述反射层上的至少是没有形成所述极紫外线吸收层的区域且由吸收红外线的化合物构成的红外线吸收层;且所述反射镜具有:形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的反射极紫外线的反射层和形成在所述反射层的上面且由吸收红外线的化合物构成的吸收层。
33、根据权利要求30~32中的任意一项所述的图案形成方法,其特征在于所述抗蚀膜是由化学增幅型抗蚀材料构成。
34、根据权利要求30~32中的任意一项所述的图案形成方法,其特征在于所述化合物是酞菁。
35、根据权利要求34所述的图案形成方法,其特征在于所述酞菁是铜酞菁。
36、根据权利要求34所述的图案形成方法,其特征在于所述酞菁是一氧化钛酞菁、钛酞菁、氢酞菁、铝酞菁、铁酞菁、钴酞菁、锡酞菁、氟化铜酞菁、氯化铜酞菁、溴化铜酞菁或碘化铜酞菁。
37、根据权利要求30~32中的任意一项所述的图案形成方法,其特征在于所述化合物是花青苷系、方鎓系、甲亚胺系、咕吨系、氧杂菁系、偶氮系、蒽醌系、三苯甲烷系、吩噻嗪系或吩噁噻系。
38、根据权利要求30~32中的任意一项所述的图案形成方法,其特征在于所述化合物是由溅射法、真空蒸镀法或离子电镀法成膜的。
39、根据权利要求30~32中的任意一项所述的图案形成方法,其特征在于所述化合物是通过磁控管法、反应性溅射法、2极法、离子束法、对置靶法、ECR法、3极法或同轴型溅射法成膜的。
40、根据权利要求30~32中的任意一项所述的图案形成方法,其特征在于所述化合物是通过分子束外延法、反应性真空蒸镀法、电子束法、激光法、电弧法、电阻加热法或高频加热法成膜的。
41、根据权利要求30~32中的任意一项所述的图案形成方法,其特征在于所述化合物是通过反应性离子电镀法、离子束法或空心阴极法成膜的。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002278489A JP3647834B2 (ja) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | 露光装置用のミラー、露光装置用の反射型マスク、露光装置及びパターン形成方法 |
JP2002278489 | 2002-09-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1492241A true CN1492241A (zh) | 2004-04-28 |
CN1308707C CN1308707C (zh) | 2007-04-04 |
Family
ID=31987071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031348335A Expired - Fee Related CN1308707C (zh) | 2002-09-25 | 2003-09-25 | 曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20040058253A1 (zh) |
JP (1) | JP3647834B2 (zh) |
CN (1) | CN1308707C (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101907732A (zh) * | 2009-03-19 | 2010-12-08 | Jds尤尼弗思公司 | 干涉滤光片的分隔层的图案化方法 |
CN102084297A (zh) * | 2008-06-12 | 2011-06-01 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于制造多层膜的方法、光学元件和光学布置 |
CN104662452A (zh) * | 2012-05-04 | 2015-05-27 | 玻璃与陶瓷研究有限公司卢森堡中心 | 具选择性保护涂层的反射镜和/或制备其的方法 |
CN105093852A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-11-25 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 | 紫外光刻机曝光系统用精密介质膜反射镜及其镀制方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4591686B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2010-12-01 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡 |
JP2007088237A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡及びeuv露光装置 |
EP3264444A1 (en) * | 2006-03-10 | 2018-01-03 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus and method for manufacuring semiconductor device |
US7736820B2 (en) * | 2006-05-05 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Anti-reflection coating for an EUV mask |
JP2008152037A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Nikon Corp | 光学素子、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US20080266651A1 (en) * | 2007-04-24 | 2008-10-30 | Katsuhiko Murakami | Optical apparatus, multilayer-film reflective mirror, exposure apparatus, and device |
JP4129841B1 (ja) * | 2007-08-09 | 2008-08-06 | 健治 吉田 | 情報入力補助シート、情報入力補助シートを用いた情報処理システムおよび情報入力補助シートを用いた印刷関連情報出力システム |
CN102998893B (zh) * | 2012-11-19 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 使用反射式掩膜版的曝光装置及曝光方法 |
DE102018208710A1 (de) | 2018-06-04 | 2019-12-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Blende zur Anordnung in einer Engstelle eines EUV-Beleuchtungsbündels |
US11782337B2 (en) * | 2021-09-09 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflectors |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1454905A (en) * | 1973-08-09 | 1976-11-10 | Thorn Electrical Ind Ltd | Cold-light mirror |
US4617192A (en) * | 1982-12-21 | 1986-10-14 | At&T Bell Laboratories | Process for making optical INP devices |
US4853098A (en) * | 1984-09-27 | 1989-08-01 | Itt Electro Optical Products, A Division Of Itt Corporation | Method of making image intensifier tube |
DE69032232T2 (de) * | 1989-02-03 | 1998-08-06 | Jujo Paper Co Ltd | Optisches Aufzeichnungsmaterial, optisches Aufzeichnungsverfahren und optische Aufzeichnungsvorrichtung für dieses Verfahren |
US6251467B1 (en) * | 1994-03-01 | 2001-06-26 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Isolation of cellular material under microscopic visualization |
US6007963A (en) * | 1995-09-21 | 1999-12-28 | Sandia Corporation | Method for extreme ultraviolet lithography |
US6207260B1 (en) * | 1998-01-13 | 2001-03-27 | 3M Innovative Properties Company | Multicomponent optical body |
DE19810455C2 (de) * | 1998-03-11 | 2000-02-24 | Michael Bisges | Kaltlicht-UV-Bestrahlungsvorrichtung |
US6134049A (en) * | 1998-09-25 | 2000-10-17 | The Regents Of The University Of California | Method to adjust multilayer film stress induced deformation of optics |
FR2797060B1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-09-14 | Commissariat Energie Atomique | Structure pour masque de lithographie en reflexion et procede pour sa realisation |
US6521901B1 (en) * | 1999-09-20 | 2003-02-18 | Applied Materials, Inc. | System to reduce heat-induced distortion of photomasks during lithography |
US6291135B1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-09-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ionization technique to reduce defects on next generation lithography mask during exposure |
TWI240151B (en) * | 2000-10-10 | 2005-09-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US6664554B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-12-16 | Euv Llc | Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography |
US6825988B2 (en) * | 2002-09-04 | 2004-11-30 | Intel Corporation | Etched silicon diffraction gratings for use as EUV spectral purity filters |
-
2002
- 2002-09-25 JP JP2002278489A patent/JP3647834B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-15 US US10/641,114 patent/US20040058253A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-25 CN CNB031348335A patent/CN1308707C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-01 US US11/216,007 patent/US20060008711A1/en not_active Abandoned
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102084297A (zh) * | 2008-06-12 | 2011-06-01 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于制造多层膜的方法、光学元件和光学布置 |
CN102084297B (zh) * | 2008-06-12 | 2013-06-12 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于制造多层膜的方法、光学元件和光学布置 |
CN101907732A (zh) * | 2009-03-19 | 2010-12-08 | Jds尤尼弗思公司 | 干涉滤光片的分隔层的图案化方法 |
CN101907732B (zh) * | 2009-03-19 | 2015-08-19 | Jds尤尼弗思公司 | 干涉滤光片的分隔层的图案化方法 |
CN104662452A (zh) * | 2012-05-04 | 2015-05-27 | 玻璃与陶瓷研究有限公司卢森堡中心 | 具选择性保护涂层的反射镜和/或制备其的方法 |
CN105093852A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-11-25 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 | 紫外光刻机曝光系统用精密介质膜反射镜及其镀制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3647834B2 (ja) | 2005-05-18 |
JP2004119541A (ja) | 2004-04-15 |
CN1308707C (zh) | 2007-04-04 |
US20040058253A1 (en) | 2004-03-25 |
US20060008711A1 (en) | 2006-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2953562B2 (ja) | リソグラフィー用下地材及びそれを用いた多層レジスト材料 | |
CN1308707C (zh) | 曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法 | |
US5989776A (en) | Photoresist composition for extreme ultraviolet lithography | |
CN1230715C (zh) | 用于深紫外线的光刻胶组合物及其方法 | |
JP3408415B2 (ja) | 光酸発生剤をしてなる反射防止コーティング組成物 | |
JP5705103B2 (ja) | パターン形成方法 | |
CN1677233A (zh) | 抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法 | |
CN100335972C (zh) | 用于深紫外光刻术的光刻胶组合物 | |
US20050202351A1 (en) | Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof | |
JP2006503331A5 (zh) | ||
CN1573541A (zh) | 用于涂布euv平板印刷术基底的方法和具有光刻胶层的基底 | |
CN1961260A (zh) | 感光化合物 | |
CN1609715A (zh) | 在光刻装置中的反射镜应用顶层,用于光刻装置中的反射镜,包括这种反射镜的光刻装置以及器件制造方法 | |
CN115362414A (zh) | 用于增强euv光刻性能的暴露前光致抗蚀剂固化 | |
US7459260B2 (en) | Method of reducing sensitivity of EUV photoresists to out-of-band radiation and EUV photoresists formed according to the method | |
TWI278013B (en) | Self-aligned pattern formation using dual wavelengths | |
CN1656424A (zh) | 光刻掩模制造 | |
CN1280316C (zh) | 用于抗反射涂层的有机聚合物和其制备方法 | |
CN109521648A (zh) | Euv光刻中的湿度控制 | |
CN1619420A (zh) | 带有环状缩酮保护基的含硅光刻胶体系 | |
CN1542555A (zh) | 照明器控制的影调反转印刷 | |
CN1735655A (zh) | 有机底层抗反射组合物及采用该组合物的构图方法 | |
CN1846174A (zh) | 光掩模及保护其光学性能的方法 | |
US20230259024A1 (en) | Photoresist, method of manufacturing a semiconductor device and method of extreme ultraviolet lithography | |
US6875552B2 (en) | Photoresist composition and method of making |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070404 Termination date: 20120925 |