CN1490889A - 高密度数据存储介质及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高密度数据存储介质及其制造方法，一种高密度存储装置及使用其写入、读取及擦除数据的方法。数据存储介质包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上并具有多个突出部(由于其和光子的碰撞而从其中发射光电子)的光电发射层，和沉积在光电发射层上并存储从光电发射层发射的光电子的电介质层。数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并包括与数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入和擦除信号施加到扫描器和探针并检测数据读取信号的电路单元，把光照射到数据存储介质的光源。

Description

高密度数据存储介质及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种使用由光子引起电子发射的高密度数据存储介质及其制造方法，还涉及一种数据存储装置，以及把数据写入数据存储介质和从数据存储介质读取及擦除数据的方法。
背景技术
随着对小型电子装置，比如移动通信终端或者电子记事本需求的增加，超小型高密度数据存储介质和装置的发展变得更有必要。然而，制造小型硬盘以及增加闪存的集成密度不是很容易。所以，已经开展了使用扫描探针把数据写入到数据存储介质的各种方法的研究。此处，扫描探针是用于扫描探针显微镜(SPM)的一种探针，比如扫描隧道显微镜(STM)或者原子力显微镜(atomatic force microscope，AFM)。
在其上使用该扫描探针能够写入数据的数据存储介质可由铁电材料、铁磁材料、热塑性树脂或者热固性树脂形成。特别地，很大注意力已经投向由铁电材料形成的数据存储介质，因为它的小型畴和能够快速改变极化方向。
通过使用加到下电极和探针的电压而产生的电场，数据能够被写入到使用铁电材料的现有数据存储介质中，因此仅仅电介质极化已经产生电场处的数据存储介质的一部分。然而，由于老化现象和疲劳现象，对于在数据存储介质中稳定地存储数据存在一定的限制。此时，老化现象指的是随着时间的流逝，此种介质极化继续减弱直到最终消失，疲劳现象指的是随着把数据写入到数据存储介质和从数据存储介质读取数据的次数的增加，数据存储介质的存储容量继续显著减小。
另外，在使用与数据存储介质接触的扫描探针把数据写入到数据存储介质和从数据存储介质读取数据的期间，扫描探针和数据存储介质可能彼此损耗。为了使用与数据存储介质不接触的扫描探针把数据写入到数据存储介质和从数据存储介质读取数据，数据存储装置必须真空包装，并且真空包装工艺可能使整个数据写入和读取过程变得复杂化。
发明内容
本发明提供一种高密度数据存储介质，通过应用低电场可把数据写入其中或者从其中读取和擦除数据，而数据存储介质接触或者不接触扫描探针，本发明还提供一种数据存储介质的制造方法，一种数据存储装置，和一种把数据写入数据存储介质和从数据存储介质读取及擦除数据的方法。
根据本发明的一个方面，提供一种使用光电子的数据存储介质。数据存储介质包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层，和沉积在光电发射层上并且存储从光电发射层发射的光电子的电介质层。其中由于该突出部和光子的碰撞而从该突出部发射出光电子。
优选地，光电发射层由金属形成。
优选地，电介质层由非晶电介质材料形成。
优选地，电介质层由矾土或者氮化硅形成。
根据本发明的另一方面，提供一种数据存储介质的制造方法。该方法包括把金属层沉积在虚电极(dummy electrode)上，并且在其上形成通过阳极化金属层而设置有多个孔洞的电介质层，然后在电介质层上顺序地沉积光电发射层、绝缘层、和下电极，并且把最终结构颠倒过来以致使光电发射层朝上，并且去除虚电极。
优选地，光电发射层由金属形成。
优选地，电介质层由非晶电介质材料形成。
优选地，电介质层由矾土或者氮化硅形成。
根据本发明的另一方面，提供一种使用光电子的数据存储装置。数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台(stage)，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并且包括和数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端之间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入信号、和数据擦除信号施加到扫描器和探针并且检测数据读取信号的电路单元，以及把光照射到数据存储介质的光源。其中该数据存储介质包括下电极、沉积在下电极上的绝缘层、沉积在绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层(由于突出部和光子的碰撞而从突出部中发射光电子)、和沉积在光电发射层上并且存储从光电发射层发射的光电子的电介质层。
优选地，尖端接触或者不接触数据存储介质。
优选地，尖端包括被掺入杂质的主体，和被掺入高浓度杂质并且互相对称地分开预定距离的源极电极和漏极电极。
优选地，尖端包括被掺入第一杂质的主体，位于尖端顶点并且掺入低浓度第二杂质的阻挡区(resistive region)，和沿着尖端侧面设置并且掺入高浓度第二杂质且把阻挡区电连接到外部电极的源极电极和漏极电极。
优选地，第一杂质是n型杂质，并且第二杂质是P型杂质。
优选地，第一杂质是P型杂质，并且第二杂质是n型杂质。
优选地，光电发射层由金属形成。
优选地，电介质层由非晶电介质材料形成。
优选地，电介质材料是矾土或者氮化硅。
根据本发明的另一方面，提供一种使用光电子把数据写入数据存储介质的方法，其中此数据存储介质包括下电极、沉积在下电极上的绝缘层、沉积在绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层(由于突出部和光子的碰撞而从突出部中发射光电子)、和沉积在光电发射层上并且通过使用数据存储装置存储从光电发射层发射的光电子的电介质层，其中此数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并且包括和数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端之间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入信号、和数据擦除信号施加到扫描器和探针并且检测数据读取信号的电路单元，以及把光照射到数据存储介质的光源。使用光电子把数据写入到数据存储介质的方法包括把探针设置在数据存储介质的上方，和通过把电压施加到数据存储介质的下电极和尖端以形成电场，和通过把光照射到已经形成电场处的数据存储介质的表面以致使光子与光电发射层相撞，以及将由于突出部和光子之间的碰撞而从突出部发射的光电子存储在电介质层中。
优选地，尖端接触或者不接触数据存储介质。
优选地，尖端包括被掺入杂质的主体，和被掺入高浓度杂质并且互相对称地分开预定距离的源极电极和漏极电极。
优选地，尖端包括被掺入第一杂质的主体，位于尖端顶点并且掺入低浓度第二杂质的阻挡区，和沿着尖端侧面设置并且掺入高浓度第二杂质且把阻挡区电连接到外部电极的源极电极和漏极电极。
优选地，第一杂质是n型杂质，并且第二杂质是P型杂质。
优选地，第一杂质是P型杂质，并且第二杂质是n型杂质。
优选地，在形成电场中，相同大小的电压被分别地施加到尖端的主体、源极电极和漏极电极。
优选地，光电发射层由金属形成。
优选地，电介质层由非晶电介质材料形成。
优选地，电介质材料是矾土或者氮化硅。
根据本发明的另一方面，提供一种读取被写入到数据存储介质的数据的方法，其中此数据存储介质包括下电极、沉积在下电极上的绝缘层、沉积在绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层(由于突出部和光子的碰撞而从突出部中发射光电子)、和沉积在光电发射层上并且通过使用数据存储装置存储从光电发射层发射的光电子的电介质层，其中此数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并且包括和数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端之间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入信号、和数据擦除信号施加到扫描器和探针并且检测数据读取信号的电路单元，把光照射到数据存储介质的光源。读取被写入到数据存储介质的数据的方法包括把探针设置在数据存储介质的上方，和通过检测由存储在数据存储介质的电介质层中的光电子所引起的尖端电流的变化而从数据存储介质读取数据。
优选地，尖端接触或者不接触数据存储介质。
优选地，尖端包括被掺入杂质的主体，和被掺入高浓度杂质并且互相对称地分开预定距离的源极电极和漏极电极。
优选地，尖端包括被掺入第一杂质的主体，位于尖端顶点并且掺入低浓度第二杂质的阻挡区，和沿着尖端侧面设置并且掺入高浓度第二杂质且把阻挡区电连接到外部电极的源极电极和漏极电极。
优选地，第一杂质是n型杂质，并且第二杂质是P型杂质。
优选地，第一杂质是P型杂质，并且第二杂质是n型杂质。
优选地，光电发射层由金属形成。
优选地，电介质层由非晶电介质材料形成。
优选地，电介质材料是矾土或者氮化硅。
根据本发明的另一方面，提供一种擦除被写入到数据存储介质的数据的方法，其中此数据存储介质包括下电极、沉积在下电极上的绝缘层、沉积在绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层(由于突出部和光子的碰撞而从突出部中发射光电子)、和沉积在光电发射层上并且通过使用数据存储装置存储从光电发射层发射的光电子的电介质层，其中此数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并且包括和数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端之间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入信号、和数据擦除信号施加到扫描器和探针并且检测数据读取信号的电路单元，以及把光照射到数据存储介质的光源。擦除被写入到数据存储介质的数据的方法包括把探针设置在数据存储介质的上方，和通过沿相反方向把与在数据存储介质上写入数据时施加的相同大小的电压施加到尖端而从数据存储介质擦除数据。
优选地，尖端接触或者不接触数据存储介质。
优选地，尖端包括被掺入杂质的主体，和被掺入高浓度杂质并且互相对称地分开预定距离的源极电极和漏极电极。
优选地，尖端包括被掺入第一杂质的主体，位于尖端顶点并且掺入低浓度第二杂质的阻挡区，和沿着尖端侧面设置并且掺入高浓度第二杂质且把阻挡区电连接到外部电极的源极电极和漏极电极。
优选地，第一杂质是n型杂质，并且第二杂质是P型杂质。
优选地，第一杂质是P型杂质，并且第二杂质是n型杂质。
优选地，光电发射层由金属形成。
优选地，电介质层由非晶电介质材料形成。
优选地，电介质材料是矾土或者氮化硅。
本发明提供一种能够使光电子暂时保持在非晶电介质层一部分中的数据存储介质，一种数据存储介质的制造方法，一种包括使用场效应晶体管(FET)的探针的数据存储装置，和一种把数据写入数据存储介质和从数据存储介质读取及擦除数据的方法。所以，可以以更高密度把数据写入到数据存储介质而数据存储介质接触或者不接触探针，并且当使用接触或者不接触数据存储介质的尖端把数据写入到数据存储介质时，可以通过防止数据存储介质磨损而增加数据存储介质的寿命。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的具体实施例，本发明的上述特征和优点将会变得更加清楚，其中：
图1是根据本发明优选实施例的数据存储介质的剖视图；
图2A～2G是表示根据本发明优选实施例的数据存储介质的制造方法的横剖面图；
图3表示根据本发明优选实施例的数据存储装置的示意图；
图4A是包括在根据本发明优选实施例的数据存储装置之中的、根据本发明第一实施例的探针的透视图；
图4B是包括在根据本发明优选实施例的数据存储装置之中的、根据本发明第二实施例的探针的透视图；
图5A是表示根据本发明优选实施例把数据写入数据存储介质的方法的剖视图；
图5B是根据本发明优选实施例在其上已写入数据的数据存储介质的剖视图；
图6是表示根据本发明优选实施例从数据存储介质中读取数据的方法的剖视图；
图7是表示根据本发明优选实施例从数据存储介质上擦除数据的方法的剖视图；
图8A是静电力显微(EFM)照片，表示通过存储在具有形成在铝电极上的矾土电介质层的数据存储介质中的电子而产生的电力(electric force)的大小；和
图8B是EFM照片，表示通过存储在具有形成在铝电极上的矾土电介质层的数据存储介质中的电子而产生的电力的方向。
具体实施方式
在下文中，将参考其中表示了本发明优选实施例的附图，更详细描述本发明。
图1是根据本发明一优选实施例的数据存储介质的剖视图。参见图1，数据存储介质10包括下电极11，沉积在下电极11之上的绝缘层13，沉积在绝缘层13之上并且具有多个设置在上表面上的突出部19的光电发射层15，和沉积在光电发射层15之上的电介质层17。
下电极11和光电发射层15由金属形成。特别地，光电发射层15优选地由具有低工作性能的金属比如铝形成。当具有预定电势的电场被施加到光电发射层15时，光电发射层15发射光电子，并且从光电发射层15发射的光电子被存储在电介质层17中。
电介质层17是由非晶电介质材料例如矾土Al2O3或者氮化硅Si3N4形成，并且通过将光电子俘获在产生缺陷的电介质层17的预定区域中来防止从光电发射层15发射的光电子在空气中放电。同其相邻区域相比较，俘获光电子的预定区域具有反转相位和提高的振幅。所以，通过使用包括FET的半导体探针检测相位和振幅，可以从预定区域读取数据。
绝缘层13位于下电极11和光电发射层15之间，并且防止从光电发射层15发射的光电子漏泄到下电极11。绝缘层13可以由氧化硅SiO2层形成。
数据存储介质10可以被形成为一薄膜类型。例如，下电极11和绝缘层13可以形成为具有1-500毫微米的厚度，光电发射层15可以形成为具有1至几微米的厚度，并且电介质层17可以形成为具有大约1至几微米的厚度。
图2A～2G是表示根据本发明优选实施例的数据存储介质的制造方法的横剖面图。
如图2A所示，制备虚电极21，然后如图2B所示，一金属层23，例如铝层被沉积在虚电极21之上。此后，如图2C所示，金属层23通过使用阳极氧化工艺而被氧化，因此电介质层17例如矾土(Al2O3)被形成为具有多个孔洞。
此时，阳极氧化技术是一种氧化方法，它包括把电流施加到金属并使用另一金属作为阳极以致使阳极产生氧，并且使用氧在金属的表面上形成金属氧化膜。通常，阳极氧化技术通过在铝表面上形成矾土薄膜被用于氧化铝。
在用于本实施例的阳极氧化工艺中，由虚电极21和金属层23组成的结构被放进具有0.1-1M浓度的硫酸(H2SO4)溶液或者磷酸(H3PO4)溶液中。然后，通过把电压施加到虚电极21，硫酸溶液或者磷酸被分解。在电解期间，金属层23被氧化，并且最终，金属层23被转变为具有多个孔洞的电介质层17。例如当铝变成矾土时，如图2C所示，多个孔洞被形成在矾土表面上。通常，阳极化工艺产生排列成蜂窝形状的孔洞。然而，在通过使用掩模的阳极氧化工艺中，可以使孔洞形成为除了蜂窝形图案以外的特定图案。
如图2D所示，由金属形成的光电发射层15被沉积在电介质层17之上，使得形成在电介质层17上的孔洞能够被完全装满光电发射层15。如图2E所示，绝缘层13和下电极11被顺序地沉积在光电发射层15上。
在沉积之后，虚电极21、电介质层17、光电发射层15、绝缘层13和下电极11顺序堆叠的结构被翻转过来，如图2F所示，使得虚电极21和孔洞能够朝上。因此，光电发射层15提供突出部19。最终，如图2G所示，虚电极21被去除，因此完成了一数据存储介质的制作。虚电极21能够通过化学或者物理蚀刻被去除。
在下文中，将参考图3更加完全地描述根据本发明优选实施例的数据存储装置。数据存储装置被用于把数据写入图1所示的根据本发明的数据存储介质和从图1所示的根据本发明的数据存储介质读取和擦除数据。
图3表示根据本发明优选实施例的数据存储装置的示意图。参见图3，数据存储装置包括图1所示根据本发明的数据存储介质10，支撑数据存储介质10的平台32，驱动平台32的扫描器34，用于把数据写入数据存储介质10和从数据存储介质10读取及擦除数据并且接触或者不接触数据存储介质10的上表面的探针33，把驱动信号施加到扫描器34、把数据写入信号和数据擦除信号施加到探针33、检测数据读出信号、并且把电压施加到下电极11使得在数据存储介质10和尖端40之间产生电场的电路单元38，和把光照射到数据存储介质10的整个表面上或者在尖端40之下的多个突出部19的部分上的光源39。
数据存储介质10被形成为使得以蜂窝形图案设置在数据存储介质表面上的突出部19形成多个轨道。通过阳极氧化方法，突出部被自然地以蜂窝形的图案设置在数据存储介质的表面上。然而，突出部19的排列图案并不限制于在此处阐述的蜂窝形图案。换句话说，突出部19可以具有除了蜂窝形图案之外的不同的排列图案。光电子可以被存储在对应于突出部19的电介质层17的预定区域中，并且存储在特定轨道特定位置处的突出部19的上部分中的光电子可以被用于存储特定信息。特定信息可以包括有关数据存储介质10的信息和用户信息。
根据本发明的数据存储介质10被形成为包括具有几十毫微米直径的突出部19，并且存储在每一突出部19的上部分中的、用来存储信息的光电子占据几个毫微米的区域。所以，数据存储介质10能够以高于现有高密度数据存储介质几十至几百倍的密度存储数据，例如光数据存储器比如数字多煤体光盘，或者磁数据存储器比如硬盘。
平台32支承数据存储介质10，并且依靠扫描器34的驱动方向，能够沿轨道方向或者垂直于轨道方向的径向方向被驱动，使得数据能够被写入数据存储介质10和从数据存储介质10被读取及擦除。
探针33包括通过与数据存储介质10形成电场来用于把数据写入数据存储介质10和从数据存储介质10读取及擦除数据的尖端40，和支撑尖端40的悬臂36。在悬臂36由压电材料形成并且在不接触数据存储介质10的时候把数据写入数据存储介质10或者从数据存储介质10读取和擦除数据的情况下，电路单元38优选检测尖端40和数据存储介质10的表面之间距离的变化，并且控制悬臂36和数据存储介质10，使得在尖端40和数据存储介质10之间的距离能够被维持在预定水平。
尖端40被形成为具有圆锥形状或者棱锥形状，使得在朝数据存储介质10的向下方向上尖端40具有渐减的宽度。尖端40被制造使得能够在尖端40顶点和面对尖端40的突出部19′之间有效地产生一强电场，并且借助于从光源39发射的光子，光电子能够轻易地从突出部19′发射。参考图4A和4B，将非常详细地描述尖端40的形状和结构。
光源39能够把光照射到数据存储介质10的整个表面或者仅仅照射在尖端40正下方的突出部19′之上。激光照射器或者紫外线照射器能够被用作光源39。依靠期望形成在尖端40和数据存储介质10之间的电场能，从光源39发射的光强度能够适当地被调整。
而在使用FET尖端的现有数据存储装置中，需要强电压被施加在尖端和数据存储介质以便电介质极化数据存储介质的电介质层，在根据本发明的数据存储装置中，从光源39发出并且照射到数据存储介质10上使得光电子从光电发射层15被发射的光的能量，和被施加到数据存储介质10的下电极11和尖端40的电能，仅仅需要比光电发射层15的工作功能更大。换句话说，不同于现有数据存储装置，根据本发明的数据存储装置不需要许多电能来电介质极化数据存储介质10的电介质层17。所以，在使用现有FET尖端把数据写入数据存储介质10的情况下，与现有技术相比较，被施加到下电极11的电压值可显著减小，因此可以防止数据存储介质10的损害和电介质层17的电介质极化的干扰，这是现有技术中由于强电场所引起的问题。
电路单元38控制扫描器34和悬臂36，并且把电压施加到下电极11。换句话说，电路单元38把驱动信号施加到扫描器34使得扫描器34能够沿轨道方向或者径向被驱动。另外，电路单元38检测从悬臂36输入的信号，然后把控制信号施加到悬臂36，使得当输入信号的值超过预定临界值时，使尖端40维持与数据存储介质10的一预定距离。在从数据存储介质10读取或者擦除数据的情况下，电路单元38把一预定电压施加到下电极11和探针33，使得在尖端40和数据存储介质10之间能够产生电场。
图4A和4B是分别根据本发明第一和第二实施例、包括在根据本发明优选实施例的数据存储装置之中的探针的透视图。
参见图4A，根据本发明第一实施例的探针33a具有一种结构，其中绝缘层47分别地被沉积在衬底41表面上的预定区域上，并且电极49被分别地形成在绝缘层47上以便被分别地连接至源极电极和漏极电极42和44。悬臂43从衬底41表面的硅层伸出，并且锥形的尖端40a被形成在悬臂43的表面上，使得尖端40a垂直于悬臂43的表面。悬臂43被掺入与源极电极和漏极电极42及44相同的杂质，并且提供经源极电极和漏极电极42和44连接至电极49的载流子路径46。参考数字46是源极电极和漏极电极42和44之间的一通道。
随后将描述被包括在根据本发明优选实施例的数据存储装置中的、根据本发明第二实施例的探针33b。
图5A表示使用根据本发明数据存储装置把数据写入到根据本发明的数据存储介质上的方法的示意图。在下面段落中将被提及的探针与图4A中所示的探针33a相同。
参见图5A，探针33a的尖端40a被设置在数据存储介质10之上，以便接触或者不接触数据存储介质10的表面。此后，相同大小的电压被分别施加到源极电极42，漏极电极44和尖端40a，然后由于集中于数据存储介质10的下电极11和尖端40a之间的电场，光电发射层15的光电子被激发。此后，光源39把光照射到数据存储介质10之上，使得光子与直接位于尖端40a下面的突出部19相撞，然后光电子从突出部19发射。从突出部19发射的光电子被俘获在电介质层17中，使得数据能够被写入数据存储介质10。
图5B是表示被写在数据存储介质10中的数据的示意图，其中通过使用根据本发明的数据存储装置在电介质层17中俘获光电子。在对应于突出部19的顶端和由于晶格结构而缺乏电子的预定区域60中，光电子彼此结合。因此，预定区域60与它的邻近区域具有不同的相位和振幅。
图6是表示通过使用根据本发明的数据存储装置，读取被写在如图5B中所示的根据本发明数据存储介质中的数据的方法的示意图。参见图6，尖端40a被设置在数据存储介质10上方，以致接触或者不接触数据存储介质10的表面。然后，在预定区域59中的光电子产生一局部电场，以致在尖端40a的顶点处产生一电子通道，并且电流在源极电极42和漏极电极44之间流动。所以，能够检测存储在预定区域60中的光电子。
图7是表示通过使用根据本发明的数据存储装置，擦除被写在如图5B中所示的根据本发明数据存储介质中的数据的方法的示意图。参见图7，沿相反方向将电压施加到探针33a和下电极11，该电压与当把数据写入到数据存储介质10时施加到探针33a和下电极11的电压的大小相同。然后，由于在探针33a和下电极11之间产生电场，被存储在电介质层17中的光电子被吸收到光电发射层15中去，使得被写入数据存储介质10中的数据能够被擦除。
当数据写入根据本发明的数据存储介质和从数据存储介质读取及擦除数据时，根据本发明第二实施例的包括探针33b的数据存储装置也能被使用。
参见图4B，根据本发明第二实施例的探针33b具有一种结构，其中绝缘层57被分别地沉积在衬底51表面上的预定区域上，并且电极59被分别地形成在绝缘层57上。悬臂53从衬底51表面的硅层伸出，并且锥形的尖端40b形成在悬臂53的表面上，使得尖端40b垂直于悬臂53的表面。掺入高浓度的第二杂质的源极电极52和漏极电极54沿着尖端40b的侧面而形成，并且掺入低浓度的第二杂质的阻挡区R位于尖端40b的顶点。源极电极52和漏极电极54经悬臂53被分别地连接到电极59。
使用根据本发明第二实施例的包括探针33b的数据存储装置把数据写入数据存储介质和从数据存储介质擦除数据的方法与如上所述的关于图5A的方法相同。然而，使用根据本发明第二实施例的包括探针33b的数据存储装置从数据存储介质读取数据的方法与参考图6描述的方法不同。
假如源极电极区52和漏极电极区54掺入n型高浓度杂质，并且阻挡区R掺入n型低浓度杂质，那么由于存储在尖端40b位置下方的数据存储介质10的预定区域中的光电子产生电场，在尖端40b顶点处的阻挡区R中形成耗尽区。由于耗尽区作为不导电区，阻挡区R的面积减小，因此阻挡区R的电阻增加。所以，可以基于这种阻挡区R的电阻变化来检测光电子。如果尖端40b位于没有存储光电子的位置的上方，不形成耗尽区，因此阻挡区R的电阻几乎不改变。所以，可以检测光电子位于什么地方。因此光电子被检测到的区域被设定为数据值1，并且光电子没有被检测到的区域被设定为数据值0，或者反之亦然。
图8A和8B是静电力显微镜(EFM)照片，分别表示存储在矾土电介质层中的电子的振幅和相位，此时通过使用根据本发明第一实施例的包括探针33a的数据存储装置，把电场施加到矾土电介质层被沉积在具有平面的铝电极的平面上处的数据存储介质。
图8A中的亮区表示与相邻区域中的电子相比较时电子具有更大振幅的区域。图8B中的亮区表示与相邻区域中的电子相比较时电子具有相反相位的区域。具体地，亮区具有正电荷，并且它的相邻区域具有负电荷。由于即使在数据存储介质具有包括光电发射层和电介质层而没有突出部的简单结构的情况下，通过简单地形成一电场，电子能够容易地被俘获在电介质层中，所以通过在尖端和数据存储介质之间形成一电场并且把光照射在数据存储介质上以致使光电子与突出部相撞，期望光电子能够更容易地被存储在根据本发明优选实施例的具有突出部的数据存储介质的电介质层中是合理的。
如上所述，由于具有几个毫微米尺寸并且以任何期望图案设置的突出部的存在，根据本发明的数据存储介质能够容易地发射光电子。根据本发明，通过提供其上沉积了能够存储光电子的电介质层的数据存储介质，可以以高密度存储数据。
另外，根据本发明的数据存储装置，通过使用在数据存储介质和探针之间的电能和由光源提供的光能，光电子从数据存储介质的突出部发射。所以，可以实现具有高能量效率的数据存储装置。在驱动与数据存储器不接触的探针的数据存储装置的情况下，数据存储装置没有必要真空包装，因此很容易制造数据存储装置。
此外，在通过使用根据本发明的数据存储装置，把数据写入根据本发明的数据存储介质和从数据存储介质读取和擦除数据的情况下，可以驱动数据存储装置并使探针接触或者不接触数据存储介质。特别地，当驱动数据存储装置而探针与数据存储介质不接触时，可以减少数据存储介质被损害的可能性并增加数据存储装置的驱动速度。所以，可以以更高的速度把数据写入数据存储介质和从数据存储介质读取以及擦除数据。
当参考本发明的具体实施例具体显示和描述本发明后，本领域的普通技术人员能够知道，在不违背由下面权利要求所定义的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (45)

1.一种使用光电子的高密度数据存储介质，包括：
下电极；
沉积在该下电极上的绝缘层；
沉积在该绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层，由于该突出部和光子的碰撞而从该突出部中发射光电子；和
沉积在该光电发射层上并且存储从该光电发射层发射的光电子的电介质层。
2.根据权利要求1所述的数据存储介质，其中该光电发射层由金属形成。
3.根据权利要求1所述的数据存储介质，其中该电介质层由非晶电介质材料形成。
4.根据权利要求3所述的数据存储介质，其中该电介质层由矾土或者氮化硅形成。
5.一种高密度数据存储介质的制造方法，包括：
把金属层沉积在虚电极上，并且形成电介质层，在该电介质层上通过阳极化该金属层而设置有多个孔洞；
在该电介质层上顺序地沉积光电发射层、绝缘层、和下电极；和
把最终结构颠倒过来以致使该光电发射层朝上，并且去除该虚电极。
6.根据权利要求5所述的方法，其中该光电发射层由金属形成。
7.根据权利要求5所述的方法，其中该电介质层由非晶电介质材料形成。
8.根据权利要求5所述的方法，其中该电介质层由矾土或者氮化硅形成。
9.一种使用光电子的数据存储装置，包括：
支撑数据存储介质的平台，其中该数据存储介质包括下电极、沉积在该下电极上的绝缘层、沉积在该绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层、和沉积在该光电发射层上并且存储从该光电发射层发射的光电子的电介质层，其中由于该突出部和光子的碰撞而从该突出部中发射光电子；
驱动该平台的扫描器；
设置在该数据存储介质上方并且包括与该数据存储介质形成电场的尖端的探针，以及支撑设置在其一端的该尖端以维持该数据存储介质和该尖端之间预定距离的悬臂；
把驱动信号、数据写入信号、和数据擦除信号施加到该扫描器和该探针并且检测数据读取信号的电路单元；和
把光照射到该数据存储介质的光源。
10.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中该尖端接触或者不接触该数据存储介质。
11.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中该尖端包括：
被掺入杂质的主体；和
被掺入高浓度杂质并且互相对称地分开预定距离的源极电极和漏极电极。
12.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中该尖端包括：
被掺入第一杂质的主体；
位于该尖端的顶点并且掺入低浓度第二杂质的阻挡区；和
沿着该尖端侧面设置的、并且掺入高浓度第二杂质、且把该阻挡区电连接到外部电极的源极电极和漏极电极。
13.根据权利要求12所述的数据存储装置，其中该第一杂质是n型杂质，并且该第二杂质是P型杂质。
14.根据权利要求12所述的数据存储装置，其中该第一杂质是P型杂质，并且该第二杂质是n型杂质。
15.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中该光电发射层由金属形成。
16.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中该电介质层由非晶电介质材料形成。
17.根据权利要求16所述的数据存储装置，其中该电介质材料是矾土或者氮化硅。
18.一种使用光电子把数据写入数据存储介质的方法，其中该数据存储介质包括下电极、沉积在该下电极上的绝缘层、沉积在该绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层、和沉积在该光电发射层上并且通过使用数据存储装置存储从该光电发射层发射的光电子的电介质层，其中由于该突出部和光子的碰撞而从该突出部中发射光电子；其中该数据存储装置包括支撑该数据存储介质的平台，驱动该平台的扫描器，设置在该数据存储介质上方并且包括与该数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的该尖端以致维持该数据存储介质和该尖端之间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入信号、和数据擦除信号施加到该扫描器和该探针并且检测数据读取信号的电路单元，把光照射到该数据存储介质的光源，所述方法包括：
把该探针设置在该数据存储介质的上方并且通过把电压施加到该数据存储介质的下电极和该尖端而形成电场；和
通过把光照射到已经形成该电场的该数据存储介质的表面使得光子与该光电发射层相撞，以及将由于该突出部和光子之间的碰撞而从该突出部发射的光电子存储在该电介质层中。
19.根据权利要求18所述的方法，其中该尖端接触或者不接触该数据存储介质。
20.根据权利要求18所述的方法，其中该尖端包括：
被掺入杂质的主体；和
被掺入高浓度杂质并且互相对称地分开预定距离的源极电极和漏极电极。
21.根据权利要求20所述的方法，其中该尖端包括：
被掺入第一杂质的主体；
位于该尖端顶点并且掺入低浓度第二杂质的阻挡区；和
沿着该尖端侧面设置的、并且掺入高浓度第二杂质、且把该阻挡区电连接到外部电极的源极电极和漏极电极。
22.根据权利要求21所述的方法，其中该第一杂质是n型杂质，并且该第二杂质是P型杂质。
23.根据权利要求21所述的方法，其中该第一杂质是P型杂质，并且该第二杂质是n型杂质。
24.根据权利要求20或21所述的方法，其中在形成该电场中，相同大小的电压被分别地施加到该尖端的主体、该源极电极和漏极电极。
25.根据权利要求18所述的方法，其中该光电发射层由金属形成。
26.根据权利要求18所述的方法，其中该电介质层由非晶电介质材料形成。
27.根据权利要求18所述的方法，其中该电介质材料是矾土或者氮化硅。
28.一种读取被写入到数据存储介质的数据的方法，其中该数据存储介质包括下电极、沉积在该下电极上的绝缘层、沉积在该绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层、和沉积在该光电发射层上并且通过使用数据存储装置存储从该光电发射层发射的光电子的电介质层，其中由于该突出部和光子的碰撞而从该突出部中发射光电子；其中该数据存储装置包括支撑该数据存储介质的平台，驱动该平台的扫描器，设置在该数据存储介质上方并且包括与该数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的该尖端以维持该数据存储介质和该尖端之间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入信号、和数据擦除信号施加到该扫描器和该探针并且检测数据读取信号的电路单元，把光照射到该数据存储介质的光源，所述方法包括：
把该探针设置在该数据存储介质的上方，并且通过检测由存储在该数据存储介质的该电介质层中的光电子所引起的该尖端的电流变化而从该数据存储介质中读取数据。
29.根据权利要求28所述的方法，其中该尖端接触或者不接触该数据存储介质。
30.根据权利要求28所述的方法，其中该尖端包括：
被掺入杂质的主体；和
被掺入高浓度杂质并且互相对称地分开预定距离的源极电极和漏极电极。
31.根据权利要求28所述的方法，其中该尖端包括：
被掺入第一杂质的主体；
位于该尖端顶点并且掺入低浓度第二杂质的阻挡区；和
沿着该尖端侧面设置的、并且掺入高浓度第二杂质、且把该阻挡区电连接到外部电极的源极电极和漏极电极。
32.根据权利要求31所述的方法，其中该第一杂质是n型杂质，并且该第二杂质是P型杂质。
33.根据权利要求31所述的方法，其中该第一杂质是P型杂质，并且该第二杂质是n型杂质。
34.根据权利要求28所述的方法，其中该光电发射层由金属形成。
35.根据权利要求28所述的方法，其中该电介质层由非晶电介质材料形成。
36.根据权利要求28所述的方法，其中该电介质材料是矾土或者氮化硅。
37.一种擦除被写入到数据存储介质的数据的方法，其中该数据存储介质包括下电极、沉积在该下电极上的绝缘层、沉积在该绝缘层上并且具有多个突出部的光电发射层、和沉积在该光电发射层上并且通过使用数据存储装置存储从该光电发射层发射的光电子的电介质层，其中由于该突出部和光子的碰撞而从该突出部中发出光电子；其中该数据存储装置包括支撑该数据存储介质的平台，驱动该平台的扫描器，设置在该数据存储介质上方并且包括与该数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的该尖端以维持该数据存储介质和该尖端之间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入信号、和数据擦除信号施加到该扫描器和该探针并且检测数据读取信号的电路单元，把光照射到该数据存储介质的光源，所述方法包括：
把该探针设置在该数据存储介质的上方，和通过以相反方向把与在该数据存储介质上写入数据时施加到该尖端的相同大小的电压施加到该尖端而从该数据存储介质擦除数据。
38.根据权利要求37所述的方法，其中该尖端接触或者不接触该数据存储介质。
39.根据权利要求37所述的方法，其中该尖端包括：
被掺入杂质的主体；和
被掺入高浓度杂质并且互相对称地分开预定距离的源极电极和漏极电极。
40.根据权利要求37所述的方法，其中该尖端包括：
被掺入第一杂质的主体；
位于该尖端顶点并且掺入低浓度第二杂质的阻挡区；和
沿着该尖端侧面设置的、并且掺入高浓度第二杂质、且把该阻挡区电连接到外部电极的源极电极和漏极电极。
41.根据权利要求40所述的方法，其中该第一杂质是n型杂质，并且该第二杂质是P型杂质。
42.根据权利要求40所述的方法，其中该第一杂质是P型杂质，并且该第二杂质是n型杂质。
43.根据权利要求37所述的方法，其中该光电发射层由金属形成。
44.根据权利要求37所述的方法，其中该电介质层由非晶电介质材料形成。
45.根据权利要求37所述的方法，其中该电介质材料是矾土或者氮化硅。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101188130B (zh) * 2006-11-23 2010-04-21 国际商业机器公司 在基于探针的数据存储设备中记录/再现数据的方法和装置
CN1996470B (zh) * 2006-01-04 2010-05-12 三星电子株式会社 微致动器和使用微致动器的数据存储设备

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4098689B2 (ja) * 2002-09-11 2008-06-11 康雄 長 誘電体再生装置、誘電体記録装置及び誘電体記録再生装置
KR100492762B1 (ko) * 2002-09-13 2005-06-07 엘지전자 주식회사 나노 정보 저장 장치
JP4102280B2 (ja) * 2002-10-14 2008-06-18 三星電子株式会社 スピン分極電子を用いた磁性媒体及び磁性媒体への情報記録装置及び記録方法
JP2004239704A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Renesas Technology Corp カンチレバーおよびその製造方法
US7002820B2 (en) * 2004-06-17 2006-02-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor storage device
JP4405451B2 (ja) * 2005-09-05 2010-01-27 株式会社東芝 情報記録装置
KR100682956B1 (ko) * 2006-01-09 2007-02-15 삼성전자주식회사 반도체 탐침을 이용한 정보 재생 방법 및 이를 적용한 장치
KR101334178B1 (ko) 2007-02-16 2013-11-28 삼성전자주식회사 데이터 기록매체 및 이를 이용한 데이터의 기록방법
US8374071B2 (en) * 2007-05-23 2013-02-12 International Business Machines Corporation Data storage device

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276139A (ja) * 1985-04-27 1986-12-06 Oki Electric Ind Co Ltd 熱可塑性光メモリ媒体
US4916688A (en) * 1988-03-31 1990-04-10 International Business Machines Corporation Data storage method using state transformable materials
JP3095801B2 (ja) * 1991-03-25 2000-10-10 浜松ホトニクス株式会社 表面電荷分布測定装置
JPH0644618A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 記録再生装置
JP3060143B2 (ja) * 1992-07-31 2000-07-10 キヤノン株式会社 記録媒体及びそれを用いた情報処理装置
JP3162883B2 (ja) * 1993-09-29 2001-05-08 キヤノン株式会社 情報記録再生装置
JPH08212604A (ja) * 1994-01-31 1996-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録再生装置及び情報記録再生方法
JPH08161778A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Canon Inc 情報処理装置
US5626687A (en) * 1995-03-29 1997-05-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Thermophotovoltaic in-situ mirror cell
JPH1040599A (ja) * 1996-07-25 1998-02-13 Tdk Corp 記録媒体および記録再生方法
JP3477024B2 (ja) * 1997-02-25 2003-12-10 株式会社東芝 記録媒体、記録方法、消去方法、再生方法、記録・再生方法、再生装置および記録・再生装置
US6238763B1 (en) * 1998-01-06 2001-05-29 Imation Corp. Rewritable optical data storage disk having enhanced flatness
US6243348B1 (en) * 1998-06-05 2001-06-05 Massachusetts Institute Of Technology Very-high-density memory device utilizing a scintillating data-storage medium
JP3688530B2 (ja) * 1999-09-29 2005-08-31 株式会社東芝 記録媒体、記録装置および記録方法
US6975575B2 (en) * 2001-10-31 2005-12-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Data storage media and methods utilizing a layer adjacent the storage layer
KR100438832B1 (ko) * 2001-11-23 2004-07-05 삼성전자주식회사 반도체 탐침을 이용한 정보 저장 장치
MXPA04005040A (es) * 2001-12-04 2005-07-25 Landauer Inc Material de oxido de aluminio para almacenamiento optico de datos.
KR100468850B1 (ko) * 2002-05-08 2005-01-29 삼성전자주식회사 저항성 팁을 구비하는 반도체 탐침 및 그 제조방법 및 이를 구비하는 정보 기록장치, 정보재생장치 및 정보측정장치
US7149155B2 (en) * 2002-09-20 2006-12-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Channeled dielectric re-recordable data storage medium

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1996470B (zh) * 2006-01-04 2010-05-12 三星电子株式会社 微致动器和使用微致动器的数据存储设备
CN101188130B (zh) * 2006-11-23 2010-04-21 国际商业机器公司 在基于探针的数据存储设备中记录/再现数据的方法和装置

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