CN1479683A - 用于制造类金刚石薄膜涂敷的塑料容器的设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于DLC薄膜涂敷的塑料容器的生产装置及其生产方法，能同时在多个塑料容器内表面上形成DLC(类金刚石)薄膜，并减小薄膜厚度的变化。一种用于DLC薄膜涂敷的塑料容器的生产装置，用于同时形成多个DLC薄膜，其特征在于包含其中可以独立地平行放置多个塑料容器(7a－7d)的柱状外部电极(3)、分别位于所述被容纳的容器(7a－7d)内的内部电极(9a－9d)、连接于所述外部电极(3)且与一高频负载阻抗匹配的匹配箱(14)，和连接于所述匹配箱的高频电源(15)。

Description

用于制造类金刚石薄膜涂敷的塑料 容器的设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于制造类金刚石薄膜涂敷的塑料容器的设备及其制造方法，其中DLC薄膜在塑料容器的内表面上形成，本发明尤其涉及一种同时用均匀的DLC薄膜涂敷多个塑料容器的制造设备及其制造方法。
现有技术
日本专利公报平8-53117公开了一种气相沉积设备，该设备使用CVD(化学气相沉积，化学气相生长法)，尤其是等离子CVD方法在塑料容器内表面上气相沉积DLC(类金刚石薄膜)，以提高比如用于碳酸饮料和浓缩果汁饮料等的容器的阻气性。另外，日本专利公报平10-258825公开了一种用于大规模生产DLC薄膜涂敷的塑料容器的制造设备及其制造方法。另外，日本专利公报平10-226884公开了一种可以在具有从外表面向外突出的突起的容器上，涂敷DLC薄膜形成的涂层，且不会形成斑点的制造设备及其制造方法。
DLC薄膜是称为i-碳薄膜或无定形碳氢化物薄膜(a-C：H)的薄膜，还包括固体碳薄膜。而且，DLC薄膜是一种无定形的碳薄膜，且包括SP3键和SP2键。
为了进行大规模生产，日本专利公报平10-258825公开了一种可以用DLC薄膜一次同时涂敷多个塑料容器的制造设备及其制造方法。然而，在这项技术中，由于对每一瓶子设置外部电极，外部电极部件的数目必须与瓶子的数目相同，为此，所使用的部件总数变大，导致成本较高。而且，因为很难对外部电极平均地分配高频输出，所以很难在所述的多个塑料容器上涂敷均匀的DLC薄膜。在这种情况下，为每一塑料容器安排一个匹配箱(阻抗匹配单元)，且通过使用多个匹配箱，最终将DLC薄膜涂敷在所述的多个塑料容器上。
发明内容
当以这种方式排布多个匹配箱时，因为即使紧凑的匹配箱也具有约300mm×300mm×400mm的尺寸，所以等离子源变得非常大，而这成为制造紧凑设备的障碍。因此，大规模生产的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备安装需要较宽的空间，而这样导致空间利用率较差。与此同时，因为匹配箱是昂贵的物品，所以设备的成本增加。
而且，当为容纳塑料容器的每一外部电极提供匹配箱时，因为在所述匹配箱的匹配时间之间会有微小的差异，所以不可能使匹配时间精确地相互匹配。具体而言，在每一匹配箱中，阻抗匹配中会产生0.1～1秒的相对滞后。现在，因为在塑料容器内表面上形成的DLC薄膜的厚度较薄，约30nm，所以薄膜的形成时间3秒足够，为此，需要以较高的精度控制所述形成时间。结果，约0.1～1秒的匹配时间滞后对DLC薄膜的薄膜厚度分散有很大的影响，特别是塑料容器之间的薄膜厚度分散。因此，这会造成DLC薄膜的质量分散。
考虑上述问题，本发明的目的是提供一种用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备及其制造方法，该设备可以同时在多个塑料容器的内表面上形成DLC薄膜，而实现较高的生产率，并且使用多重集成的外部电极，可以减少外部电极结构部件的数目，并通过简化机构而制造出紧凑的设备，实现易维护性，降低设备成本，降低薄膜的厚度分散。
在这点上，本发明的所述多重集成的外部电极具有与复合型外部电极相同的功能，在所述复合型外部电极中，匹配箱和仅容纳一个塑料容器的外部电极的组合结构具有多种排布方式，且本发明的外部电极称为集成的外部电极，该外部电极可以在一个电极内容纳多个塑料容器，其中，对于一个这种集成型的外部电极使用一个匹配箱。
本发明的第二个目的是提供一种用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备及其制造方法，该设备可以进一步提高一次同时形成薄膜的塑料容器的数目。在这一点上，即使当一次同时形成薄膜的塑料容器数目增加时，本发明的另一目的是避免阻碍送入塑料容器和送出DLC薄膜涂敷的塑料容器。而且，另一目的是通过使用可变电容器和仅使用一个匹配箱，使薄膜成形部分更小，并降低用于大规模生产的制造设备的成本。在这一点上，下面描述使用可变电容器的原因。即，在使用多个平行排布的、容纳一个容器的外部电极同时进行薄膜成形的情况下，必须为每一外部电极提供用于实现阻抗匹配的匹配箱。然而，为了避免使用多个匹配箱，通过利用可变电容器调节每一多重集成的外部电极上的电力分配，也可以获得同样的结果。而且，目的也是通过避免匹配时间上的滞后而精确地匹配所述匹配时间，并减小容器之间所形成的DLC薄膜的厚度分散。当然，本发明的目的也是提供一种用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器及其制造方法，其中对于所述多重集成的外部电极而言，不必进行每一外部电极之间的电力分配的调节，而这在为每一容器提供一个外部电极的情况下是基本需求。
本发明的第三目的是提供一种结构简单的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备及其制造方法，其中多重集成的外部电极和匹配箱之间的连接，或当使用可变电容器时多重集成的外部电极和可变电容器之间的连接，是在多个塑料容器容纳空间以相等的距离排布在多重集成的外部电极的同一截面内的同一圆上时，在离每一塑料容器等距离的点处形成的，即，在所述圆的圆心处。例如，在多重集成的外部电极和匹配箱之间形成连接的情况下，因为电力可以在所述多重集成的外部电极内均匀地分配，所以目的是不使用可变电容器而在多个塑料容器内形成均匀的DLC薄膜。另一方面，即使在使用可变电容器的情况下，目的是通过使用与所述多重集成的外部电极数目相同的可变电容器，可以不必提供与一次同时容纳的塑料容器数目相同的可变电容器。
而且，本发明的容器是使用盖子或塞子或密封件的容器，还包括不使用这些部件、以开口状态使用的容器。所述开口的尺寸由内容物确定。所述塑料容器包括具有规定厚度的、中等刚性的塑料容器，以及由没有刚性的片状材料形成的塑料容器。而且，容器的盖子也包括在内。
填充入本发明的塑料容器内的物质可以是饮料，例如碳酸饮料或果汁饮料或软饮料等，也可以是药品、农用化学制品或不宜吸收水分的干燥食品等。
为了解决上述问题，本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备是一种可以在多个塑料容器上同时形成DLC薄膜的、用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，且包括：
柱状外部电极，该电极包括其中可以独立地平行排列多个塑料容器的容纳空间，且是每一容纳空间的内壁表面包围在塑料容器外部附近的柱状外部电极，其中每一容纳空间的中心轴线都与所述柱状外部电极的中心轴线平行，且位于所述柱状外部电极的同一截面的同一圆上，且同类容纳空间等间隔排布；
内部电极，分别位于容纳在所述柱状外部电极的容纳空间内的所述多个塑料容器内；
源气体导入装置，该装置将源气体导入到所述多个塑料容器的每一个内；
匹配箱，用于实现连接于所述柱状外部电极的高频负载的阻抗匹配；
连接于所述匹配箱的高频电源。
本发明的制造设备所使用的外部电极可以使用任何柱状电极，但最好是具有以大致均匀的厚度包围每一容器容纳空间的形状组合形成的圆柱形状或柱状结构的外部电极。
本发明的柱状外部电极包括其中可以独立地平行排列多个塑料容器的容纳空间，并且是每一容纳空间的内壁表面包围在塑料容器外部附近的柱状外部电极，其中每一容纳空间的中心轴线都与所述柱状外部电极的中心轴线平行，且位于所述柱状外部电极的同一截面的同一圆上，且同类容纳空间等间隔排布，即，所述柱状外部电极是具有多重集成结构的多重集成的外部电极。然而，所述多重集成的外部电极不限于出于电极制造等原因而在同一部件上形成多个容纳空间的结构，而包括具有这样的容纳空间的结构，即其中多个部件连接而预先确保导电性。
所述柱状外部电极和所述匹配箱输出端的连接点的位置，可以在使全部容器内均匀地产生等离子体的范围内改变。例如，连接可以分别在所述柱状外部电极内的每一塑料容器底部附近分开。然而，在本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备中，所述匹配箱的输出端最好在所述柱状电极的中轴线处连接。而且，如果在所述中轴线上形成连接，那么连接点可以位于所述柱状外部电极的表面或所述柱状外部电极内部。
在一个柱状外部电极内设置的塑料容器容纳空间数目可以是两个或多个，但考虑到通过容器的输送装置送入和送出的特点，应设2个空间，更可取的是4个空间。在比所述情况更多的容器上同时形成薄膜的情况下，最好设置多个柱状外部电极。
而且，所述源气体优选为烃气或含硅的烃类气体。尤其推荐乙炔、丙烯和乙烯。
而且，本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的另一种设备，是一种同时在多个塑料容器的内表面上形成DLC薄膜的、用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，且包括：
多个柱状外部电极，该电极包括其中可以独立地平行排列多个塑料容器的容纳空间，且是每一容纳空间的内壁表面包围在塑料容器外部附近的柱状外部电极，其中每一容纳空间的中心轴线都与所述柱状外部电极的中心轴线平行，且位于所述柱状外部电极的同一截面的同一圆上，且同类容纳空间等间隔排布；
内部电极，分别位于容纳在所述柱状外部电极的容纳空间内的所述多个塑料容器内；
源气体导入装置，该装置将源气体导入到所述多个塑料容器的每一个内；
连接于每一柱状外部电极的可变电容器；
一个匹配箱，用于实现连接于所述可变电容器的高频负载的阻抗匹配；
连接于所述匹配箱的高频电源；
其中所述匹配箱实现所有的所述多个柱状外部电极的阻抗匹配，所述可变电容器实现由所述高频电源供应到每一柱状外部电极的高频输出的分配。
如上所述，在一次同时在四个以上的容器中形成薄膜的情况下，具有多个柱状外部电极的本发明是优选的。考虑到容器输送装置的送入和送出特性，推荐在每一柱状外部电极内设有四个容器容纳空间，且推荐设置多个这样的柱状外部电极。
所述柱状外部电极和可变电容器的输出端连接的位置，可以在使所有柱状外部电极内的所有容器内均匀地产生等离子体的范围内变化。例如，连接可以分别在所述柱状外部电极内的每一塑料容器底部附近分开。在本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备中，所述可变电容器的输出端最好在所述柱状外部电极的中心轴线处连接。而且，如果在所述中心轴线处形成连接，则连接点可以位于所述柱状外部电极的表面上或所述柱状外部电极内侧。
本发明的制造设备使用的外部电极可以使用任何柱状电极，但最好是具有以大致均匀的厚度包围每一容器容纳空间的形状组合形成的圆柱形状或柱状结构的外部电极。
本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的方法，是一种同时在多个塑料容器内表面上形成DLC薄膜的、制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的方法，包括步骤：
将均匀分配的高频输出供应到位于柱状外部电极内的容纳空间，所述外部电极包括其中可以独立地平行排列多个塑料容器的容纳空间，且是每一容纳空间的内壁表面包围在塑料容器外部附近的柱状外部电极，其中，每一容纳空间的中心轴线都与所述柱状外部电极的中心轴线平行，且位于所述柱状外部电极的同一截面的同一圆上，且其中所述同类容纳空间等间隔排列；
在所述柱状外部电极和分别位于装在所述柱状外部电极容纳空间内的多个塑料容器内的、接地的内部电极之间产生源气体型的等离子体。
在本发明的制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的方法中，最好在所述柱状外部电极的中心轴线处供应高频输出。
而且，本发明的用于制造涂敷塑料容器的DLC薄膜的另一种方法，是一种同时在多个塑料容器内表面上形成DLC薄膜的、制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的方法，包括步骤：
将均匀分配的高频输出供应到多个柱状外部电极的每一个上，所述外部电极包括其中可以独立地平行排列多个塑料容器的容纳空间，且是每一容纳空间的内壁表面包围在塑料容器外部附近的柱状外部电极，其中，每一容纳空间的中心轴线都与所述柱状外部电极的中心轴线平行，且位于所述柱状外部电极的同一截面的同一圆上，且其中所述同类容纳空间等间隔排列；
将均匀分配的高频输出供应到位于每一柱状外部电极内的容纳空间；
在所述柱状外部电极和分别位于装在所述柱状外部电极容纳空间内的多个塑料容器内的、接地的内部电极之间产生源气体型的等离子体。
在本发明的制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的方法中，所述高频输出对每一所述柱状外部电极的供应和分配是通过可变电容器实现的，并且所述高频输出对每一塑料容器容纳空间的供应和分配最好是在所述柱状电极的中轴线上实现的。
通过权利要求1中所述的本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，以及权利要求5中所述的制造方法，可以同时在多个塑料容器的内表面上形成DLC薄膜，可以高生产率地制造DLC薄膜涂敷的塑料容器，通过使所述外部电极具有多重集成的结构，可以减少外部电极的结构部件的数目，通过简化结构可以构成紧凑的设备，实现易维护性，降低设备成本，并减小容器内形成的薄膜的薄膜厚度分散。
通过权利要求3中所述的本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，和权利要求7所述的制造方法，可以进一步增加一次同时形成薄膜的塑料容器的数目。这样，即使当同时形成薄膜的塑料容器的数目增加，也可以避免阻碍塑料容器的送入以及DLC薄膜涂敷的塑料容器的送出。而且，通过使用可变电容器和仅使用一个匹配箱，可以使薄膜形成部分更小，降低用于大规模生产的制造设备的成本。而且，通过防止匹配时间滞后，还可以精确地配合匹配时间，并减小容器之间形成的DLC薄膜的薄膜厚度分散。
通过权利要求2或4中所述的本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，和权利要求6或8所述的制造方法，可以提供一种结构简单的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备及其制造方法，其中多重集成的外部电极和匹配箱之间的连接，或在使用可变电容器的情况下多重集成的外部电极和可变电容器之间的连接，是在所述多个塑料容器容纳空间以相等的距离位于所述多重集成的柱状外部电极的同一剖面的同一圆上，在离每一塑料容器等距离的点处形成的，即在该圆的中心处。当然，通过完成上述连接，可以不必进行所述多重集成的外部电极在每一外部电极之间的电力分配调节，而在为每一容器设置外部电极的情况下，这种调节是基本需求。例如，在多重集成的外部电极和匹配箱之间形成连接时，因为电力可以从连接点均匀地分配，所以可以在多个塑料容器上形成均匀的DLC薄膜，且不使用可变电容器。另一方面，即使在使用可变电容器的情况下，通过使用与多重集成的外部电极的数目相同的可变电容器，也可以不必提供与容纳的塑料容器数目相同的可变电容器。
附图简要说明
图1示意性示出可以同时涂敷四个塑料容器的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备简图。
图2示意性示出了图1中的真空室的多重集成的外部电极的图，其中(a)示出了外部电极封闭的情况，而(b)示出了外部电极打开的情况。
图3是沿所述多重集成的外部电极的线B-B’所作的水平剖面图。
图4示意性示出了在可以在一个多重集成的外部电极中装8个塑料容器的情况下外部电极的结构，其中(a)示出了多重集成的外部电极封闭时的情况，而(b)示出了多重集成的外部电极打开时的情况。
图5示意性示出了在设有两个多重集成的外部电极的情况下，用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备简图，其中每一外部电极可以装四个塑料容器。
图6示意性地示出图5中真空室的外部电极。
下面描述图1-6中示出的附图标记的意义。标记1、51a和51b是容器下部的外部电极，标记2、52a和53b是容器上部的外部电极，标记3、53a和53b是外部电极，标记4、54a和54b是绝缘部件，标记5、55a和55b是盖子部分，标记6、56a和56b是真空室，标记7a、7b、7c、7d、57a、57b、57c、57d、57e、57f、57g和57h是PET瓶，标记8是O形环，标记9a、9b、9c、9d、59a、59b、59e和59是内部电极，标记10、11、12、13、60、61和63是管道，标记14和64是匹配箱，标记15和65是高频电源(RF电源)，标记16、17、18、66、67和68是真空阀，标记19和69是质量流控制器，标记20和70是源产生源，标记21和71是真空泵，标记27和77是泄漏气体(空气)供应源，标记28和78是真空计，标记29和79是排气管，标记30，80a和80b是高频输出供应杆，标记32是高频输出供应杆连接触点，标记41和91是源气体导入装置，标记49a和49b是气体喷出开口，标记81a和81b是可变电容器，标记100是具有一个能同时在四个容器中形成薄膜的多重集成的外部电极的DLC薄膜涂敷的塑料容器制造设备，标记200是具有二个能分别同时在四个容器中形成薄膜的多重集成的外部电极的DLC薄膜涂敷的塑料容器制造设备，标记x1是所述多重集成的外部电极的中心，标记x2、x3和x4是高频输出供应点，标记X是所述多重集成的外部电极的中心轴线，标记7ax、7bx、7cx和7dx是PET瓶7a-7d的容纳空间的中心点。
本发明的优选实施例
现在将参照附图1-6描述本发明的优选实施例。根据本发明的优选实施例的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，是一种使用等离子CVD方法在容器等内侧形成DLC薄膜或含Si的DLC薄膜的设备。本发明不限于下述的优选实施例，而可以在实现本发明效果的范围内进行适当的变化。
第一实施例
现在描述一个多重集成的外部电极的实施例。图1是示出了一种可以同时涂敷四个塑料容器的、用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备100的示意图。图2是示出了外部电极3、绝缘部件4和盖子部分5等构成的图1的真空室6的外部电极的示意图。
本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的容器的设备100装有外部电极3、内部电极9a-9d、源气体导入装置41、匹配箱14和高频电源15。
真空室6由外部电极3以及导电的盖子部分5和绝缘部件4构成。所述绝缘部件4位于盖子部分5的顶部，所述外部电极3位于绝缘部件4的顶部。所述外部电极3由容器上部的外部电极3和容器下部的外部电极1构成，且可以使容器下部的外部电极1的上部经O形环8可拆卸地安装在容器上部的外部电极2的上部。而且，所述外部电极3通过绝缘部件4与盖子部分5绝缘。
而且，图1的外部电极3示为沿图2的真空室6的线A-A’所作的垂直剖面，而所述用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备100是一种能同时在四个塑料容器上形成DLC薄膜的制造设备。
而且，在该实施例中，外部电极3被分成容器下部的外部电极1和容器上部的外部电极2形成的两个电极，但为了使DLC薄膜具有均匀的厚度等，所述外部电极分成三个电极，比如底部电极、干部电极和肩部电极，或分成三个以上的电极，其中每一电极例如通过插入O形环密封，且通过Teflon或聚酰亚胺薄膜实现电绝缘。
该实施例的外部电极是圆柱形外部电极，但也可以使用方柱形的外部电极，或具有以大致均匀的厚度包围每一容器容纳空间的形状组合形成的柱状结构的外部电极。
如图2所示，在所述外部电极3内形成4个空间，从而形成多重集成的结构，且这些空间容纳四个作为涂敷目标的塑料容器，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂制成的PET瓶7a-7d。所述外部电极3内的容纳空间稍大于其中容纳的PET瓶7a-7d的外部形状，且每一空间形成一独立的容纳空间。如图3所示，该图是沿图1的线B-B’所作的水平剖面图，所述独立的容纳空间这样布置，即PET瓶7a-7d的容纳空间的中心轴线7ax-7dx(分别用x示为一点)等间隔地布置在离所述外部电极的中心X1半径为a的圆S上。高频输出传至高频输出供应杆30。这样，如果中心7ax-7dx不等间隔布置，则下述的高频输出不可能均匀地分配到每一容器上。
如图1所示，连接于外部电极3内的空间的开口部分位于绝缘部件4和盖子部分5内。而且，在盖子部分5内设有分隔件，这些分隔件经上述开口部分连接于所述外部电极3的内部。外部电极3内的空间通过位于容器上部的外部电极2和容器下部的外部电极1之间的O形环8与外部密封。
所述外部电极3的容器下部的外部电极1经高频输出供应杆30连接于匹配箱14，其中图2所示的中心轴线X和所述外部电极3的容器下部的外部电极1的底面的交点x2作为高频输出供应点。匹配箱14经同轴电缆连接于高频电源15。在高频输出供应杆30中使用导电电缆和导电金属杆。而且，高频输出供应杆连接触点32，在容器放入和取出时容器下部的外部电极和容器上部的外部电极组装在一起的情况下，作为导电触点。
而且，在该实施例中，高频输出供应点x2位于容器下部的外部电极上，但也可以形成分布在每一塑料容器底面附近、容器下部的外部电极1上的四个位置处的连接点，或者可以在所述外部电极内在中心轴线X处形成连接等。在任何情况下，可以在能使每一塑料容器内产生均匀的等离子体的范围内适当地改变连接点。
如图1所示，内部电极9a-9d位于所述外部电极3内部，且位于PET瓶7a-7d内。即，内部电极9a-9d从盖子部分5经盖子部分5内的空间和盖子部分5的开口部分、以及绝缘部件4插入所述外部电极3内的空间中。即，内部电极9a-9d的底部位于盖子部分5内，且内部电极9a-9d的顶端位于装在所述外部电极3内的PET瓶7a-7d内。内部电极9a-9d具有内部中空的管状形状。喷气开口49a-49d位于所述内部电极9a-9d的顶端。所述内部电极9a-9d是接地的。
而且，在该实施例中，给出了在一个外部电极内装四个塑料容器的情况下的描述，但也可以构成使用能装两个或更多塑料容器的外部电极的实施例，比如图4所示的8个塑料容器。然而，类似于该实施例的四个塑料容器的情况是优选的，因为在形成DLC薄膜之后将PET瓶从用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备100送出，并放在输送装置上的格子形输送箱内时，不必进行重新对准。
源气体导入装置41将从源气体产生源20供应的源气体导至PET瓶7a-7d内。即，管道10一侧连接于内部电极9a-9d的底部，而管道10的另一侧连接于管道11，该管道11连接于真空阀16和质量流控制器19。所述质量流控制器19连接于源气体产生源20。源气体产生源20产生烃气等，比如乙炔。
所述盖子部分内的空间连接于管道12的一侧，而管道12的另一侧处于经真空阀17向外界大气开口的状态。而且，所述盖子部分内的空间连接于管道13的一侧，而管道13的另一侧经真空阀18连接于真空泵21。真空泵21连接于排气管29。而且，在管道13中设有真空计28。
下面描述使用图1所示的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备100制造容器内的DLC薄膜的方法。
首先，打开真空阀17，使真空室6的内部通向空气。这样，空气流经管道12，进入盖子部分5内的空间和外部电极3内的空间，使真空室6的内部达到大气压力。其次，从容器上部的外部电极2取下容器下部的外部电极1，将PET瓶7a-7d插入并排布在容器上部的外部电极2内的空间中。同时，内部电极9a-9d插入PET瓶7a-7d内部。然后，容器下部的外部电极1装到容器上部的外部电极2上，并通过O形环8密封外部电极3。
然后，在关闭真空阀17之后，打开真空阀18，使真空泵21工作。这样，从包含PET瓶7a-7d的内部的真空室(即，外部电极3内的空间和盖子部分5内的空间)内排出空气，而在外部电极3内产生真空。此时，与薄膜成形时间相比，真空室6内的压力足够低，比如5.0×10-3-1.0×10-1乇。
接着，打开真空阀16，在源气体产生源20中产生乙炔气体，乙炔气导入管道11内，然后经过质量流控制器19进行流速控制的乙炔气流经管道10和内部电极9a-9d，且从喷气开口49a-49d喷出。这样，乙炔气导入到PET瓶7a-7d的内。然后，通过平衡受控的气体流速和排气性能，真空室6内部和PET瓶7a-7d内部保持适于形成DLC薄膜的压力(例如，约0.05-0.50乇)。
然后，经匹配箱14和连接于所述外部电极3的高频输出供应杆30从高频输出电源15供应高频输出(例如，13.56MHz)。高频输出例如为300-3000W。这样，在外部电极3和内部电极9a-9d之间产生等离子体。同时，在离高频输出供应点距离相等的内部电极9a-9d和所述外部电极内的每一PET瓶的容纳空间之间产生均匀的乙炔型等离子体，从而在每一PET瓶7a-7d的内表面上形成均匀的DLC薄膜。而且，匹配箱14通过电感L和电容C匹配外部电极和内部电极的阻抗。此时，薄膜成形时间变短，约需数秒。
然后，停止高频电源15的高频输出，关闭真空阀16，停止供应源气体。然后打开真空阀18，通过真空泵21排出真空室6内和PET瓶7a-7d内的乙炔气。接着，关闭真空阀18。此时真空室内的真空为5.0×10-3-5.0×10-2乇。然后，打开真空阀17，使真空室6的内部通向外界大气，通过重复上述的薄膜成形方法，可以在许多PET瓶内形成DLC薄膜。
第二实施例
现在描述两个多重集成的外部电极的实施例。而且，在本发明中，可以构成以相同的方式平行扩大这种排布的实施例，例如三个或更多的多重集成的外部电极的情况。
图5是示出了在设有两个多重集成的外部电极的情况下用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备200的示意图，其中每一个外部电极中可以装四个塑料容器。图6是示出了图1中的真空室的外部电极的示意图。
根据本发明的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备200装有外部电极53a、53b，内部电极59a-59h，源气体导入装置91，可变电容器81a、81b，匹配箱64，和高频电源65。
而且，图5的外部电极示为沿图6的真空室56a的线C-C’所作的垂直剖面和沿真空室56b的线D-D’的垂直剖面，且用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备200是一种能同时在8个塑料容器上形成DLC薄膜的制造设备。
每一外部电极53a、53b与第一实施例中描述的外部电极3相同。在该实施例中的外部电极是一种圆柱形外部电极，但也可以使用方柱形的外部电极，或具有以大致均匀的厚度包围每一容器容纳空间的形状组合形成的柱状结构的外部电极。现在，因为PET瓶57a-57h是每一外部电极内装4个，所以可通过所述的薄膜成形过程在总计8个容器中形成薄膜。
所述外部电极53a、53b的容器下部的外部电极51a、51b与第一实施例的情况相同，经在相应的高频输出供应点x3、x4处的高频输出供应杆80a、80b连接于相应的可变电容器81a、81b，所述可变电容器81a、81b连接于一个匹配箱64，所述匹配箱64经同轴电缆连接于高频电源65。而且，在该实施例中，高频输出供应点x3、x4连接于每一个容器下部的外部电极，但可以以与第一实施例相同的方式作出变化，比如形成分布于每一塑料容器底面附近的四个位置处的连接，或在每一外部电极内等形成连接。
所述可变电容器81a、81b起用于对每一外部电极平均地分配高频输出的调节机构的作用。
内部电极59a-59h、源气体导入装置91、匹配箱66、高频电源67和其他元件与第一实施例中的相同。
下面描述使用图5所示的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备200在容器内形成DLC薄膜的方法，但因为与第一实施例相比，该实施例具有两个外部电极，且具有装备可变电容器的特定特征，下面给出利用这些特征形成薄膜的所述方法的差别。
真空形成过程和源材料导入过程与第一实施例相同，且在这些过程完成之后，进行等离子体产生过程，即DLC薄膜成形过程。即，经匹配箱64和连接于所述外部电极53a、53b的高频输出供应杆80a、80b从高频输出电源65供应高频输出(例如，13.56MHz)。高频输出例如为300-3000W。这样，在外部电极53a、53b和内部电极59a-59h之间产生等离子体。此时，在每一外部电极53a、53b处，在离高频输出供应点距离相等的内部电极和所述外部电极内的PET瓶的容纳空间之间产生均匀的乙炔型等离子体，并调节可变电容器81a、81b，使得在两外部电极之间的等离子体产生上没有差别。即，进行调节，而在所述8个容器内产生均匀的等离子体。通过这种操作，在PET瓶57a-57h的每一内表面上形成均匀的DLC薄膜。
然后，通过重复进行高频输出停止过程、塑料容器取出过程和上述的所有过程，可以与第一实施例相同的方式连续进行薄膜成形操作。
本发明不限于上述的第一和第二实施例，可以对其作出各种变化。例如，源气体产生源不限于烃气产生源，可以使用各种产生源，例如可以使用含硅的烃类气体。
而且，在第一和第二实施例中，高频输出供应杆经过所述外部电极内部，但因为仅利用高频输出供应点形成连接，所以高频输出供应杆可以位于所述外部电极外部。而且，在真空室内的容器以开口向下的方式放置，但也可以采用开口向上的制造设备结构。
而且，在第一和第二实施例中，内部形成薄膜的PET瓶用作饮料容器，但也可以使用用于其他用途的容器。
而且，在第一和第二实施例中，DLC薄膜或含Si的DLC薄膜形成薄膜，但也可以使用根据本发明的DLC薄膜涂敷的塑料容器制造设备，在容器内部形成其他的薄膜。

Claims (8)

1.一种同时在多个塑料容器内表面上形成DLC(类金刚石)薄膜的、用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，包含：
柱状外部电极，该电极包括其中可以独立地平行排列多个塑料容器的容纳空间，且是每一容纳空间的内壁表面包围在塑料容器外部附近的柱状外部电极，其中每一容纳空间的中心轴线都与所述柱状外部电极的中心轴线平行，且位于所述柱状外部电极的同一截面的同一圆上，且同类容纳空间等间隔排布；
内部电极，分别位于容纳在所述柱状外部电极的容纳空间内的所述多个塑料容器内；
源气体导入装置，该装置将源气体导入到所述多个塑料容器的每一个内；
匹配箱，用于实现连接于所述柱状外部电极的高频负载的阻抗匹配；
连接于所述匹配箱的高频电源。
2.如权利要求1所述的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，其特征在于所述匹配箱的输出端在所述柱状外部电极的中心线处连接。
3.一种同时在多个塑料容器内表面上形成DLC薄膜的、用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，包含：
多个柱状外部电极，该电极包括其中可以独立地平行排列多个塑料容器的容纳空间，且是每一容纳空间的内壁表面包围在塑料容器外部附近的柱状外部电极，其中每一容纳空间的中心轴线都与所述柱状外部电极的中心轴线平行，且位于所述柱状外部电极的同一截面的同一圆上，且同类容纳空间等间隔排布；
内部电极，分别位于容纳在所述柱状外部电极的容纳空间内的所述多个塑料容器内；
源气体导入装置，该装置将源气体导入到所述多个塑料容器的每一个内；
连接于每一柱状外部电极的可变电容器；
一个匹配箱，用于实现连接于所述可变电容器的高频负载的阻抗匹配；
连接于所述匹配箱的高频电源；
其中所述匹配箱实现所有的所述多个柱状外部电极的阻抗匹配，所述可变电容器实现由所述高频电源供应到每一柱状外部电极的高频输出的分配。
4.如权利要求3所述的用于制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的设备，其特征在于所述可变电容器的输出端在所述柱状外部电极的中心轴线处连接。
5.一种同时在多个塑料容器内表面上形成DLC薄膜的、制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的方法，包含步骤：
将均匀分配的高频输出供应到位于柱状外部电极内的容纳空间，所述外部电极包括其中可以独立地平行排列多个塑料容器的容纳空间，且是每一容纳空间的内壁表面包围在塑料容器外部附近的柱状外部电极，其中，每一容纳空间的中心轴线都与所述柱状外部电极的中心轴线平行，且位于所述柱状外部电极的同一截面的同一圆上，且其中所述同类容纳空间等间隔排列；
在所述柱状外部电极和分别位于装在所述柱状外部电极容纳空间内的多个塑料容器内的、接地的内部电极之间产生源气体型的等离子体。
6.如权利要求5所述的制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的方法，其特征在于所述高频输出是在所述柱状外部电极的中心轴线处供应的。
7.一种同时在多个塑料容器内表面上形成DLC薄膜的一制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的方法，包括步骤：
将均匀分配的高频输出供应到多个柱状外部电极的每一个上，所述外部电极包括其中可以独立地平行排列多个塑料容器的容纳空间，且是每一容纳空间的内壁表面包围在塑料容器外部附近的柱状外部电极，其中，每一容纳空间的中心轴线都与所述柱状外部电极的中心轴线平行，且位于所述柱状外部电极的同一截面的同一圆上，且其中所述同类容纳空间等间隔排列；
将均匀分配的高频输出供应到位于每一柱状外部电极内的容纳空间；
在每一所述柱状外部电极和分别位于装在所述柱状外部电极容纳空间内的多个塑料容器内的、接地的内部电极之间产生源气体型的等离子体。
8.如权利要求7所述的制造DLC薄膜涂敷的塑料容器的方法，其特征在于所述高频输出对每一所述柱状外部电极的供应和分配是通过可变电容器实现的，并且所述高频输出对每一塑料容器容纳空间的供应和分配是在所述柱状电极的中轴线处实现的。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010095011A1 (en) 2009-02-18 2010-08-26 Council Of Scientific & Industrial Research Process to deposit diamond like carbon as protective coating on inner surface of a shaped object.
CN105228330A (zh) * 2015-09-01 2016-01-06 沈阳拓荆科技有限公司 一种射频等离子体设备匹配器

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60031544T2 (de) * 1999-05-19 2007-08-02 Mitsubishi Shoji Plastics Corp. Dlc-film, dlc-beschichteter plastikbehälter und verfahren und vorrichtung zur herstellung solcher behälter
JP3679067B2 (ja) * 2002-04-17 2005-08-03 三菱商事プラスチック株式会社 ロータリー型量産用ｃｖｄ成膜装置及びプラスチック容器内表面へのｃｖｄ膜成膜方法
WO2003100121A2 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Schott Ag Mehrplatz-beschichtungsvorrichtung und verfahren zur plasmabeschichtung
AU2003229286A1 (en) * 2002-05-24 2003-12-12 Sig Technology Ltd. Method and device for the plasma treatment of workpieces
JP3595334B2 (ja) * 2002-06-05 2004-12-02 三菱商事プラスチック株式会社 Ｃｖｄ成膜装置に使用する原料ガス導入管の清掃方法及びその装置
JP4149748B2 (ja) * 2002-06-24 2008-09-17 三菱商事プラスチック株式会社 ロータリー型量産用ｃｖｄ成膜装置及びプラスチック容器内表面へのｃｖｄ膜成膜方法
JP4604541B2 (ja) * 2004-04-16 2011-01-05 凸版印刷株式会社 成膜装置及び成膜方法
FR2889204B1 (fr) * 2005-07-26 2007-11-30 Sidel Sas Appareil pour le depot pecvd d'une couche barriere interne sur un recipient, comprenant une ligne de gaz isolee par electrovanne
FR2907351B1 (fr) * 2006-10-18 2009-02-06 Sidel Participations Machine de traitement de recipients par plasma,comprenant des circuits de depressurisation et de pressurisation decales
WO2010129783A1 (en) * 2009-05-06 2010-11-11 3M Innovative Properties Company Apparatus and method for plasma treatment of containers
US10081864B2 (en) * 2011-03-10 2018-09-25 Kaiatech, Inc Method and apparatus for treating containers
JP6047308B2 (ja) * 2012-05-28 2016-12-21 日精エー・エス・ビー機械株式会社 樹脂容器用コーティング装置
JP6093552B2 (ja) * 2012-11-08 2017-03-08 日精エー・エス・ビー機械株式会社 樹脂容器用コーティング装置
JP6352816B2 (ja) * 2013-01-18 2018-07-04 日精エー・エス・ビー機械株式会社 樹脂容器用コーティング装置および樹脂容器製造システム
US11326254B2 (en) * 2014-03-03 2022-05-10 Picosun Oy Protecting an interior of a gas container with an ALD coating
CN114540788A (zh) * 2022-04-02 2022-05-27 等离子体装备科技(广州)有限公司 密封件镀膜装置及密封件镀膜方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3616458A (en) * 1969-12-31 1971-10-26 Yosimaro Moriya Apparatus for activating internal surfaces of plastic hollow articles
JPH0719750B2 (ja) 1984-06-22 1995-03-06 鐘淵化学工業株式会社 グロ−放電型成膜装置
FR2592874B1 (fr) * 1986-01-14 1990-08-03 Centre Nat Rech Scient Procede pour tremper un objet en verre ou vitreux et objet ainsi trempe
JPH0719750A (ja) * 1993-07-02 1995-01-20 Okamoto:Kk 金属溶解用シャフト炉の燃焼制御方法
US5565248A (en) * 1994-02-09 1996-10-15 The Coca-Cola Company Method and apparatus for coating hollow containers through plasma-assisted deposition of an inorganic substance
JP2788412B2 (ja) 1994-08-11 1998-08-20 麒麟麦酒株式会社 炭素膜コーティングプラスチック容器の製造装置および製造方法
JP3495488B2 (ja) * 1995-01-27 2004-02-09 株式会社ボッシュオートモーティブシステム プラズマｃｖｄ装置
JP3072269B2 (ja) 1997-02-19 2000-07-31 麒麟麦酒株式会社 炭素膜コーティングプラスチック容器の製造装置および製造方法
JP3115252B2 (ja) 1997-03-14 2000-12-04 麒麟麦酒株式会社 炭素膜コーティングプラスチック容器の製造装置および製造方法
EP1010773A4 (en) * 1997-02-19 2004-08-25 Kirin Brewery METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING PLASTIC CONTAINER COATED WITH CARBON FILM
CN1196168C (zh) * 1997-09-30 2005-04-06 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司 利用等离子增强法处理塑料瓶内表面的方法及设备

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010095011A1 (en) 2009-02-18 2010-08-26 Council Of Scientific & Industrial Research Process to deposit diamond like carbon as protective coating on inner surface of a shaped object.
EP2589680A1 (en) 2009-02-18 2013-05-08 Council of Scientific & Industrial Research Apparatus for the deposition of diamondlike carbon as protective coating on an inner surface of a shaped object
CN105228330A (zh) * 2015-09-01 2016-01-06 沈阳拓荆科技有限公司 一种射频等离子体设备匹配器
CN105228330B (zh) * 2015-09-01 2018-09-14 沈阳拓荆科技有限公司 一种射频等离子体设备匹配器

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Publication number Publication date
US20040099214A1 (en) 2004-05-27
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