CN1469290B - 产品管理方法、执行产品管理的程序及已记录程序的介质 - Google Patents
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Abstract
产品管理方法、执行产品管理的程序及已记录程序的介质提供了一种产品管理方法，该方法用于确保知识产权的合法请求人的利益。该产品管理方法是一种用于显示器模块的产品管理方法，该显示器模块包括通过集成利用在绝缘衬底上的薄膜半导体形成的晶体管而形成的电路，在晶体管的制造过程中，在构成晶体管的任意一个薄膜上形成字符、图形、符号、或数字、或它们的组合，根据这些字符、图形、符号、或数字、或它们的组合表明属于显示器模块的知识产权的归属，并确保知识产权的合法请求人的利益。
Description
技术领域
本发明涉及一种管理产品的方法，该产品受知识产权(包括专利权、实用新型权、设计权、商标权、版权或电路布图使用权；这些权利还应用于以下的描述中)保护。
背景技术
近年来，电子领域中的半导体技术取得了飞速发展，甚至在非常广泛的便携装置中包括了集成电路(IC)或大规模集成电路(LSI)。因此，不仅对于IC和LSI，而且对于其中功能性集成了IC和LSI的混合集成电路的需要不断增长。此外，由于可以预见家用电气化产品将从此进一步发展，因此潜在需求将非常大。
然而，利用IC等的常规的便携电子装置(例如，蜂窝电话、PDA等)的寿命较短，产品的型号在两年到三年之内或在某些情况下在大约一年之内改变也很普遍。短寿命产品的制造受托人就被迫降低产品开发的周期并缩短交货周期，并在其开发成本最终不能收回上承担更多的负担，而且资本投资的负担也很沉重。特别地，在商业形式中，例如一家大公司进行所有研究和开发、掩模设计和所有的制造，公司自身将承受所有上述负担并无法分担风险。
因此，近来，商业形式不断增加，其中掩模设计公司(称为设计室)根据公司的设计制造光掩模并将光掩模和制造承销产品的许可证一起传送到受委托的半导体制造公司(代工厂(foundry))。代工厂是一个公司，其具体进行制造、拥有大规模生产线、根据作为他的生意伙伴的委托公司的要求制造并交付产品。生产线的特征在于，生产线能够处理来自委托公司的各种规格和需要，并拥有处理小批量多品种产品的生产的制造能力。
受委托的公司主要是一个不拥有其自己的工厂的公司，称为无制造厂的公司(fabless)，由于这种公司通过利用代工厂能够避免由于资本投资的负担带来的风险，并能将它自己的资本投入到研究和开发中。此外，即使是大公司也通过将制造部分委托给代工厂以便避免如 无力收回开发成本的问题的风险，来区分开发负担和资本投资负担。如上所述，事实上就增加了公司的数量，其通过分摊每个公司的风险以及对短寿命电子产品需求的增加来避免风险，并以此为目的利用芯片代工厂。
然而，在代工厂中制造的一些产品不具有零件号码的印记等，也不包含制造者、委托人等的信息。尽管这些产品由某些委托人委托给一些代工厂来制造，但不能指定其制造者和委托人。此处，最突出的问题是知识产权的问题。也就是，即使如果侵犯知识产权的产品包含在代工厂制造的产品中，由于无法确定应当行使权利的对象，显然就侵害了法定请求人的利益。
发明内容
根据上述问题提出了本发明，本发明的一个目的是确保知识产权的合法权利请求人的利益并提供一种用于清楚地确认权利归属的产品管理方法。
应当注意，本发明中的代表性产品的实例包括液晶显示器模块、电致发光(EL)显示器模块和其它显示器模块(在本说明书中其假定表示为显示器板，该显示器板附带一个接线端而模块化)、或半导体集成电路例如逻辑IC和特殊应用的IC(ASIC)。
本发明是一种包含下列结构的产品管理方法。就是说，本发明是一种产品管理方法，该方法用于显示器模块或包含由集成晶体管构成的电路的半导体集成电路，利用衬底上的薄膜半导体形成该晶体管，其特征在于，构成晶体管的至少一个薄膜形成标明特定主体的信息并明确特定主体，该主体与晶体管制造工艺中的显示器模块或半导体集成电路相关。此处，与显示器模块或半导体集成电路相关的特定主体标明参与显示器模块或半导体集成电路的制造、销售、设计或其它相关义务的人。本发明还具有一个目的，即明确显示器模块或半导体集成电路的知识产权的归属。
此外，通过利用构成晶体管的至少一个薄膜形成字符、图形、符号、或数字、或它们的组合来获得形成标明特定主体的信息。即，根据标明的字符、图形、符号、或数字、或它们的组合(此后称为标记)来明确与显示器模块或半导体集成电路相关的特定主体。应当注意，“人”不仅包括个人而且包括具有法人的企业或组织，以及国家、市 政公司、或独立行政机构。
就是说，本发明的特征在于，在将形成作为显示器模块或半导体集成电路的元件的晶体管制造工艺中，通过利用作为制造工艺中一部分的光刻步骤、腐蚀步骤等构图薄膜来形成字符、图形、符号、或数字、或它们的组合，由此明确知识产权的归属，即知识产权的合法请求人、许可使用知识产权的人、或对知识产权负有责任的人。
在本发明中，除了根据字符、图形、符号、或数字、或它们的组合的标记来标明用于显示器模块或半导体集成电路的知识产权的合法请求人之外，可以标明显示器模块或半导体集成电路的制造受托人(制造定单接受者)、制造委托人、产品接收者(指等同于制造的显示器模块或半导体集成电路的装运目的地或交货目的地的人；这将应用在下面的描述中)、或产品编号(指部件编号、产品型号、型号编号或附着用于说明产品的其它字符、数字、符号或它们的组合；这将应用在下面的描述中)。此外，可以标明构成显示器模块或半导体集成电路的电路的设计者(包括系统设计者、电路设计者和掩模设计者；这将应用于下面的描述中)，或标明掩模制造的日期。不用说，这些将写在一起。应当注意，产品接收者不总是制造委托人，并且不同于制造委托人的第三方可以是产品接收者。
此外，在本发明中，不仅通过知识产权的合法请求人(许可人)自身来进行标注知识产权的合法请求人、或制造受托人、制造委托人、产品接收者、或显示器模块或半导体集成电路的产品编号、或构成显示器模块或半导体集成电路的电路的设计者、或掩模制造的日期，而且被许可人必须做，他被许可使用知识产权。这一义务通过在合法请求人和被许可人之间达成一致来实现。此外，在被许可人将制造委托给转包的制造受托人的情况下，也可能要求被许可人将标记展示给制造受托人。
应当注意，本发明是一种涉及液晶显示器模块、EL显示器模块和能够根据电信号显示图像的其它显示器模块、或逻辑IC、特殊应用的IC和其它半导体集成电路的产品管理方法。然而，在“人”之间的关系例如包含在本发明的结构中的合法请求人、被许可人和制造受托人并不限制于属于同一国家的人们，而具有扩展至两个国家或许多国家的关系的那些人也包含在本发明中。
应当注意，尽管是本发明特征的标记方法只在知识产权的合法请求人、被许可人和制造受托人中商定，优选采用第三方(侵权人)无法伪造标记的方法。这是因为如果第三方伪造标记，就难于实现本发明。
因此，通过利用特有的技术或众所周知的技术形成标记，本发明将变得更加有效，特有技术属于知识产权的合法请求人，公知的技术除了知识产权的合法请求人之外不被常常实施。此外，如果特有技术本身具有知识产权，标记的价值就可以获得增进的效果。
此外，为了防止由第三方伪造标记方法，作为此目的的方法，例如，尽管每个领域的制造业中存在不同，也能足以提出了一种在半导体领域中、利用在衬底上的薄膜形成标记的方法。作为更加具体的方法，足以有意地使特殊的元件或物质包含在部分或所有的构成标记薄膜的字符、图形、符号、或数字、或它们的组合。
因此，知识产权的合法请求人可以辨析形成标记的薄膜的特征，通过使用例如以采用SIMS(二次离子质谱仪)作为读取标记的装置为特征的程序来辨别产品是否侵犯知识产权。此外，可以通过使用程序的计算机共同管理侵权产品的数量。
此外，作为防止由第三方伪造的其它方法，构成标记的薄膜的特征可以周期性地改变。作为特殊方法，足以改变构成标记的薄膜中的字符、图形、符号、或数字、或它们的组合的选择或改变其排列。此外，在如上所述特殊元件或物质有意包含在部分或所有构成标记的薄膜中的情况下，足以改变其含量。如果采用这些变化装置，由于存在无数的形成标记方法，通常就难以管理标记方法。因此，通过利用作为管理方法的服务器(计算机)管理构成标记的薄膜的改变的图形，可以变得易于精确地管理该方法。这里，管理服务器的人可以是知识产权的管理者或被许可人(制造受托人)。
通过利用这种标记方法，标记就可以防止被第三方伪造。
附图说明
图1是显示提供有电子器件例如晶体管的有源矩阵衬底的视图；
图2A和2B是示出施加标记的有源矩阵衬底的视图；
图3A和3B是示出施加标记的有源矩阵衬底的视图；
图4A和4B是示出施加标记的有源矩阵衬底的视图；
图5示出实施本发明的一种商业形式；
图6示出实施本发明的一种商业形式；
图7示出实施本发明的一种商业形式；
图8示出实施本发明的一种商业形式；
图9示出实施本发明的一种商业形式；
图10示出实施本发明的一种商业形式；
图11示出实施本发明的一种商业形式；
图12示出实施本发明的一种商业形式；
图13示出实施本发明的一种商业形式；
图14示出实施本发明的一种商业形式；
图15示出实施本发明的一种商业形式；
图16A和16B示出实施本发明的EL显示器模块的视图；
图17A和17B示出实施本发明的液晶显示器模块的视图；
图18示出提供有电子器件例如晶体管的逻辑衬底的视图；
图19A和19B示出施加标记的逻辑衬底的视图；
图20A和20B示出施加标记的逻辑衬底的视图；
图21A和21B示出施加标记的逻辑衬底的视图；
图22A和22B示出实施本发明的半导体集成电路的视图。
具体实施方式
此后将参照附图描述本发明的实施例。
本发明的特征在于：在显示器模块或半导体集成电路的制造工艺中，采用形成电子器件例如晶体管的薄膜材料作为标明知识产权归属的表示(标记)。电子器件可以形成在显示器模块或半导体集成电路的任何部分中，只要那部分的电路布局没有被破坏。
图1显示了在显示器模块中提供有电子器件例如晶体管(其称为有源矩阵衬底；这将应用于下面的描述中)的衬底。本实施例模式的有源矩阵衬底包括衬底101上的象素部分102、扫描侧驱动电路103、信号侧驱动电路104和预充电电路105，但并不限制于这种结构。此外，可以采用玻璃衬底、塑料衬底、石英衬底、陶瓷衬底、硅衬底等作为衬底101。就是说，不仅可以在玻璃衬底上形成利用称为多晶硅膜的晶体管的情况下实施本发明，也可以在硅衬底上形成晶体管的情况下实施本发明。
本发明的特征是在衬底101上提供的标记部分106。在由虚线包围的区域的放大图中，参考数字106表示标记部分，通过构图薄膜形成并显示该标记部分，以致由字符、图形、符号、或数字、或它们的组合明确表示显示器模块的权利归属。此外，参考数字107表示用于将信号传输到扫描侧驱动电路103和信号侧驱动电路104的一组布线，以及参考数字108表示形成信号侧驱动电路104的一部分的一组晶体管。
标记部分106中表示的内容仅仅必须由进行表示的人适当地确定，但不限于图1表示的内容。就是说，内容不是目的，只要可以确认进行表示以便明确标记部分106中的“人”。此处，在标记部分106中显示的字符等由构成布线组107和晶体管组108的薄膜形成。它的实例示出在图2A-4B中。
图2A和2B示出其中利用半导体膜作为晶体管的有源层形成标记部分的实例，并分别对应于沿图1的A-A`和B-B`切割的剖面图。在图2A中，在衬底201(对应于图1的衬底101)上提供基底膜202，并在其上提供晶体管203。此外，在图2A的左侧提供布线组204。在此结构中，晶体管203包括作为有源层的半导体膜205、作为栅电极的第一金属膜206和作为源电极或漏电极的第二金属膜207。还采用第一金属膜206和第二金属膜207作为布线组204中的布线。如图2B所示，标记部分106由半导体膜205形成。
接着，图3A和3B示出其中利用作为晶体管的栅电极的第一金属膜来形成标记部分的实例，并分别对应于沿图1的A-A`和B-B`切割的剖面图。应当注意，由于图3A的结构与图2A的结构相同，因此将忽略此结构的描述。如图3B所示，标记部分106由第一金属膜206形成。
接着，图4A和4B示出其中利用作为晶体管的源电极或晶体管的漏电极的第二金属膜来形成标记部分的实例，并分别对应于沿图1的A-A`和B-B`切割的剖面图。应当注意，由于图4A的结构与图2A的结构相同，因此将忽略此结构的描述。如图4B所示，标记部分106由第二金属膜207形成。
如上所述，在标记部分106上显示的字符等可以由构成布线组107或晶体管组108的薄膜形成。不用说，标记部分106可以通过组合半 导体膜205、第一金属膜206或第二金属膜207形成。
图18示出在半导体集成电路中提供有电子器件例如晶体管的衬底(此后称为逻辑衬底；这将应用于以下的描述)。本实施模式的逻辑衬底包括衬底1801上的CPU核1802、I/O端口1803、高速缓存存储器1804、高速缓存控制器1805、时钟控制器1806、快速存储器1807和串行接口1808，但不限于这种结构。此外，可以采用玻璃衬底、塑料衬底、石英衬底、陶瓷衬底、硅衬底等作为衬底1801。就是说，不仅可以在玻璃衬底上形成利用称为多晶硅膜的晶体管的情况下实施本发明，也可以在硅衬底上形成晶体管的情况下实施本发明。
本发明的特征是在衬底1801上提供的标记部分1809。在由虚线包围的区域的放大图中，参考数字1809表示标记部分，通过构图薄膜形成并显示该标记部分，以致由字符、图形、符号、或数字、或它们的组合来明确与半导体集成电路有关的特定主体上的信息(包括作为半导体集成电路的权利归属)。此外，参考数字1810表示形成高速缓存控制器1805的一部分的一组晶体管。
标记部分1809中表示的内容仅仅必须由进行表示的人适当地确定，但不限于图18表示的内容。就是说，内容不是目的，只要可以确认地进行表示以便明确标记部分1809中的“人”。此处，在标记部分1809中显示的字符等由构成晶体管组1810的薄膜形成。它的实例示出在图19-21中。
图19A和19B示出其中利用半导体膜作为晶体管的有源层形成标记部分的实例，并分别对应于沿图18的A-A`和B-B`切割的剖面图。在图19A中，在衬底1901(对应于图18的衬底1801)上提供基底膜1902，并在其上提供晶体管1903。在此结构中，晶体管1903包括作为有源层的半导体膜1904、作为栅电极的第一金属膜1905和作为源电极或漏电极的第二金属膜1906。还采用第一金属膜1905和第二金属膜1906作为布线。如图19B所示，标记部分1809由半导体膜1904形成。
接着，图20A和20B示出其中利用作为晶体管的栅电极的第一金属膜来形成标记部分的实例，并分别对应于沿图18的A-A`和B-B`切割的剖面图。应当注意，由于图20A的结构与图19A的结构相同，因此将忽略此结构的描述。如图20B所示，标记部分1809由第一金属 膜1905形成。
接着，图21A和21B示出利用作为晶体管的源电极或漏电流的第二金属膜来形成标记部分的实例，并分别对应于沿图18的A-A`和B-B`切割的剖面图。应当注意，由于图21A的结构与图19A的结构相同，因此将忽略此结构的描述。如图21B所示，标记部分1809由第二金属膜1906形成。
如上所述，在标记部分1809上显示的字符等可以由构成晶体管组1801的薄膜形成。不用说，标记部分1809可以通过组合半导体膜1904、第一金属膜1905或第二金属膜1906形成。
如上所述的实施本发明中，由于施加标记的主体和假定有义务施加标记的主体依据其进行的商业模式而不同，此后将能够实施本发明的具体形式作为一个实例进行描述。不用说，应当注意，本发明不限于如下所述的实施例。
第一实施例
如图5所示，本实施例是其中知识产权的合法请求人将标记应用到它自己的产品的一种形式。知识产权的合法请求人自己制造并出售产品并将标记施加到制造的显示器模块或半导体集成电路。就是说，合法请求人可以行使权利，认为市场中经销的不具有该标记的产品就侵犯了它自己的知识产权。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第二实施例
如图6所示，本实施例是其中知识产权的合法请求人授权给第三方(被许可人)使用属于其自己的知识产权的权利、并且被许可人将标记施加到被许可人出售的产品的一种形式。知识产权的被许可人自己制造并出售产品并将标记施加到制造的显示器模块或半导体集成电路。就是说，被许可人可以行使权利，认为市场中经销的不具有该标记的产品就侵犯了知识产权合法请求人的知识产权。应当注意，知识产权的合法请求人仅仅必须要求被许可人根据合法请求人和被许可人之间的协议将标记施加到产品上。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第三实施例
如图7所示，本实施例是其中知识产权的合法请求人授权给第三方(被许可人)使用属于其自己的知识产权的权利、并且被许可人将标记施加到被许可人出售的产品的一种形式。在此情况下，知识产权的被许可人将显示器模块或半导体集成电路的制造委托给制造受托人，制造受托人将标记施加到产品上并进一步将它交付给被许可人(制造委托人)。制造受托人包括代工厂。此外，在此情况下产品接收者为被许可人。
知识产权的被许可人将自己要销售的产品的制造委托给制造受托人，同时，必须要求制造受托人将标记施加到产品上。此外，如果必要，知识产权的合法请求人可以授权制造受托人使用权利。知识产权的被许可人至少必须遵守知识产权的合法请求人来“必须要求制造受托人将标记施加到产品上”。结果，被许可人可以行使权利，认为在市场中经销的不具有该标记的所有产品就侵犯了知识产权的合法请求人的知识产权。应当注意，根据合法请求人和被许可人之间的协议，知识产权的合法请求人仅仅必须要求被许可人将标记(包括必须进一步要求制造受托人将标记施加到产品上)施加到产品上。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第四实施例
如图8所示，本实施例是其中知识产权的合法请求人授权给第三方(被许可人)使用属于其自己的知识产权的权利、并且被许可人将标记施加到被许可人自己出售的产品上的一种形式。在此情况下，知识产权的被许可人将显示器模块或半导体集成电路的制造委托给制造受托人，制造受托人将标记施加到产品上并进一步将它交付给被许可人(制造委托人)。然后，由被许可人进一步加工并销售交付的产品。制造受托人包括代工厂。此外，在此情况下产品接收者为被许可人。
知识产权的被许可人将自己要销售的产品的制造委托给制造受托人，同时，必须要求制造受托人将标记施加到产品上。此外，如果必要，知识产权的合法请求人可以授权制造受托人使用权利。知识产权的被许可人至少必须遵守知识产权的合法请求人来“必须要求制造受 托人将标记施加到产品上”。结果，被许可人就可以行使权利，认为在市场中经销的不具有该标记的所有产品就侵犯了知识产权的合法请求人的知识产权。应当注意，知识产权的合法请求人仅仅必须要求被许可人根据合法请求人和被许可人之间的协议将标记(包括必须进一步要求制造受托人将标记施加到产品上)施加到产品上。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第五实施例
如图9所示，本实施例是其中知识产权的合法请求人授权给第三方(被许可人A、B)使用属于其自己的知识产权的权利、并且由许可人A委托的制造受托人将标记施加到显示器模块或半导体集成电路上的一种形式。在此情况下，知识产权的被许可人A将显示器模块或半导体集成电路的制造委托给制造受托人，制造受托人将标记施加到产品上并进一步将它交付给知识产权的被许可人B。然后，由被许可人B进一步加工并销售交付的产品。制造受托人包括代工厂。此外，在此情况下制造委托者为被许可人A且产品接收者为被许可人B。
在本实施例的情况下，产品(显示器模块或半导体集成电路)是以知识产权的被许可人A的名称或被许可人B的名称销售都是无关紧要的。此外，对于知识产权的合法请求人来说，授权给知识产权的被许可人A或被许可人B中的至少一个已经足够。
在本实施例中，将产品的制造委托给制造受托人的知识产权的被许可人A需要要求制造受托人将标记施加到产品上。此外，如果必要，知识产权的合法请求人可以授权制造受托人使用权利。知识产权的被许可人至少必须遵守知识产权的合法请求人来“必须要求制造受托人将标记施加到产品上”。结果，被许可人就可以行使权利，认为在市场中经销的不具有该标记的所有产品就侵犯了知识产权的合法请求人的知识产权。应当注意，知识产权的合法请求人仅仅必须要求被许可人根据合法请求人和被许可人之间的协议将标记(包括必须进一步要求制造受托人将标记施加到产品上)施加到产品上。
第六实施例
如图10所示，本实施例是其中知识产权的合法请求人是进行系 统设计、电路设计、掩模设计或其它电路的设计作为职业的人(此后称为电路设计者)、并且将标记施加到他出售的自己的产品中的显示器模块或半导体集成电路上的一种形式。在此情况下，电路设计者(知识产权的合法请求人)将显示器模块或半导体集成电路的制造委托给制造受托人，制造受托人将标记施加到产品上并进一步将它交付给电路设计者。制造受托人包括芯片代工厂。此外，在此情况下产品接收者为电路设计者并包括不拥有自己的生产线的人(此后称为无制造厂的公司)。
在上述商业形式中，电路设计者可以行使权利，认为在市场中经销的不具有该标记的所有产品就侵犯了作为知识产权的合法请求人的电路设计者的知识产权。应当注意，电路设计者仅仅必须要求制造受托人根据电路设计者和制造受托人之间的协议将标记施加到产品上。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第七实施例
如图11所示，本实施例是其中知识产权的合法请求人是进行系统设计作为职业的人(此后称为系统设计者)、并且将标记施加到他出售的自己的产品中的显示器模块或半导体集成电路上的一种形式。在此情况下，系统设计者(知识产权的合法请求人)首先将掩模设计委托给进行掩模设计作为职业的人(此后称为掩模设计者)，将交付的掩模设计数据传送给制造受托人以便将显示器模块或半导体集成电路的制造委托给制造受托人，制造受托人将标记施加到产品上并进一步将它交付给系统设计者(制造委托人)。制造受托人包括代工厂。此外，在此情况下产品接收者为系统设计者并包括无制造厂的公司。
在上述商业形式中，系统设计者可以行使权利，认为在市场中经销的不具有该标记的所有产品就侵犯了作为知识产权的合法请求人的系统设计者的知识产权。应当注意，系统设计者仅仅必须要求制造受托人根据系统设计者和制造受托人之间的协议将标记施加到产品上。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第八实施例
如图12所示，本实施例是其中知识产权的合法请求人是进行系统设计作为职业的人(此后称为系统设计者)、并且将标记施加到他出售的自己的产品中的显示器模块或半导体集成电路上的一种形式。在此情况下，系统设计者(知识产权的合法请求人)将从掩模设计到制造的工作委托给进行掩模设计作为职业的制造受托人，制造受托人将标记施加到产品上并进一步将它交付给系统设计者(制造委托人)。制造受托人包括代工厂。此外，在此情况下产品接收者为系统设计者并包括无制造厂的公司。
在上述商业形式中，系统设计者可以行使权利，认为在市场中经销的不具有该标记的所有产品就侵犯了作为知识产权的合法请求人的系统设计者的知识产权。应当注意，系统设计者仅仅必须要求制造受托人根据系统设计者和制造受托人之间的协议将标记施加到产品上。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第九实施例
如图13所示，本实施例是一种形式，其中知识产权的合法请求人联同参股者一起进行投资以成立制造受托人，同时投资并授权由联合投资成立的制造受托人使用权利，并且在显示器模块或半导体集成电路的委托制造中将标记施加到显示器模块或半导体集成电路上。
知识产权的合法请求人和参股者可以是无制造厂的公司或拥有自己的生产线的人。此外，尽管在本实施例中描述了一个实例，其中由联合投资成立的制造受托人出售产品，但产品可以由知识产权的合法请求人出售或可以售给参股者。在这种情况下，知识产权的合法请求人或参股者将显示器模块或半导体集成电路的制造委托给制造受托人，制造受托人将标记施加到产品上并将它出售。制造受托人包括代工厂。
在上述商业形式中，知识产权的合法请求人可以行使权利，认为在市场中经销的不具有明确标记的所有产品就侵犯了知识产权的合法请求人的知识产权。应当注意，知识产权的合法请求人仅仅必须要求制造受托人根据合法请求人和由联合投资成立的制造受托人之间的协 议将标记施加到产品上。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第十实施例
如图14所示，本实施例是一种形式，其中知识产权的合法请求人A联同知识产权的合法请求人B一起进行投资以成立制造受托人、同时投资并授权由联合投资成立的制造受托人使用权利，并且在显示器模块或半导体集成电路的委托制造中将标记施加到显示器模块或半导体集成电路上。应当注意，除了投资之外，知识产权的合法请求人B可以将属于其自己的知识产权授权制造受托人使用权利。
知识产权的合法请求人A和合法请求人B可以是无制造厂的公司或拥有自己的生产线的人。在此情况下，知识产权的合法请求人A或合法请求人B将显示器模块或半导体集成电路的制造委托给制造受托人，制造受托人将标记施加到产品上并将它交付给知识产权的合法请求人B(制造委托人)。应当注意，尽管在本实施例中示出了一个实例，其中知识产权的合法请求人B出售产品，但产品可以由知识产权的合法请求人A出售或由制造受托人出售。制造受托人包括代工厂。
在上述商业形式中，知识产权的合法请求人可以行使权利，认为在市场中经销的不具有该标记的所有产品就侵犯了知识产权的合法请求人的知识产权。应当注意，知识产权的合法请求人仅仅必须要求制造受托人根据合法请求人和由联合投资成立的制造受托人之间的协议将标记施加到产品上。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第十一实施例
如图15所示，本实施例是一种形式，其中知识产权的合法请求人联同制造受托人一起进行投资以成立制造受托人的生产线、并且在制造显示器模块或半导体集成电路中将标记施加到显示器模块或半导体集成电路上。知识产权的合法请求人投资并授权由联合投资成立的制造受托人使用属于知识产权的权利。
知识产权的合法请求人可以是无制造厂的公司或拥有自己的生产线的人。在此情况下，知识产权的合法请求人将显示器模块或半导体 集成电路的制造委托给由联合投资成立的制造受托人，制造受托人将标记施加到产品上并将它交付给知识产权的合法请求人(制造委托人)。应当注意，尽管在本实施例中示出了一个实例，其中产品由知识产权的合法请求人出售，但产品可以由制造受托人出售。制造受托人包括代工厂。
在上述商业形式中，知识产权的合法请求人可以行使权利，认为在市场中经销的不具有该标记的所有产品就侵犯了知识产权的合法请求人的知识产权。应当注意，知识产权的合法请求人仅仅必须要求制造受托人根据合法请求人和由联合投资成立的制造受托人之间的协议将标记施加到产品上。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第十二实施例
在图16A和16B中，本实施例示出一个实例，其中的EL显示器模块作为可以实现本发明的一种显示器模块形式来实现本发明。图16A是已完成作为产品的EL显示器模块的平面图，图16B是沿A-A`切割的平面图的剖面图。应当注意，在图16A和16B中所示的EL显示器模块或半导体集成电路中，用和图1中相同的参考数字表示的部分，完全可以参考图1的说明。此处，需要描述的部分由新的参考数字表示并进行描述。
首先，制备图1中所示的有源矩阵衬底。有源矩阵衬底由知识产权的合法请求人、知识产权的被许可人或制造受托人制造。然后，作为产品的有源矩阵衬底的接收者在象素部分102上提供发光元件12。发光元件是用于根据电致发光现象获得发光的元件，由用于注入空穴的电极(此后称为阳极)和用于注入发光体和电子的电极(此后称为阴极)构成。发光体是由层叠的发光层、载流子注入层、载流子输运层、载流子阻挡层和发光所需的其它有机化合物或无机化合物形成的叠层体。发光体的结构可以是任何公知的结构。
就是说，由知识产权的合法请求人、知识产权的被许可人或制造受托人制造的有源矩阵衬底的接收者进一步将制造工艺应用到有源矩阵衬底，完成图16A和16B所示的EL显示器模块并出售它。接收者可以应用的制造工艺的具体实例包括在形成发光元件12之后，提供 氮化硅膜作为第一保护膜20，进一步提供紫外线固化树脂膜、环氧树脂膜或其它树脂膜作为第二保护膜21并在其上提供塑料膜作为覆盖材料22。应当注意，需要用无机绝缘膜例如氮化硅膜覆盖塑料膜的表面以防止水汽或氧从外界透过塑料膜进入。此外，利用各向异性导电膜23充分地粘结柔性印刷电路板(FPC)以便制造外围端子。不用说，在此描述的具体实例仅仅是一个例子，并不限制其中实施本发明的EL显示器模块的结构。
在本实施例描述的EL显示器模块中，在第一至第十一实施例中描述的以任何商业形式制造时，通过实施本发明的产品管理方法以将标记施加到每个EL显示器模块上，明确属于EL显示器模块的知识产权的归属，就能确保知识产权的合法请求人的利益例如通过行使权利的特许收入。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第十三实施例
在本实施例中，图17A和17B中示出了一个实例，其中以液晶显示器模块作为实施本发明的一种显示器模块形式来实施本发明。图17A是已完成作为产品的液晶模块的平面图，图17B是沿A-A`切割的平面图的剖面图。应当注意，在图17A和17B中所示的液晶显示器模块中，用和图1中相同的参考数字表示的部分完全可以参考图1的说明。此处，需要描述的部分由新的参考数字表示并进行描述。
首先，制备图1中所示的有源矩阵衬底。有源矩阵衬底由知识产权的合法请求人、知识产权的被许可人或制造受托人制造。然后，作为产品的有源矩阵衬底的接收者至少在象素部分102上提供液晶元件。液晶元件是用于根据液晶的光调制作用控制光的透过或不透过的元件，由一对电极和夹在该对电极之间的液晶构成。
就是说，由知识产权的权利请求人、知识产权的被许可人或制造受托人制造的有源矩阵衬底的接收者进一步将制造工艺应用到有源矩阵衬底，完成图17A和17B所示的液晶显示器模块并出售它。接收者可以应用的制造工艺的具体实例包括在有源矩阵衬底上提供取向膜30，在预先制备的相对衬底31上提供相对电极32，在利用密封材料33将相对衬底31和有源矩阵衬底粘结在一起之后，在两个衬底之间 注入液晶34以形成液晶单元。此外，利用各向异性导电膜35充分地粘结柔性印刷电路板(FPC)以制造外围端子。不用说，在此描述的具体实例仅仅是一个例子，并不限制其中实施本发明的液晶显示器模块的结构。
在本实施例描述的液晶显示器模块中，在第一至第十一实施例中描述的以任何商业形式制造时，通过实施本发明的产品管理方法以将标记施加到每个液晶显示器模块上，明确属于液晶显示器模块的知识产权的归属，就能确保知识产权的合法请求人的利益例如通过行使权利的特许收入。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
第十四实施例
在本实施例中，在图22A和22B中示出了一个实例，其中以EL半导体集成电路作为实施本发明的一种半导体集成电路形式来实施本发明。图22A是已完成作为产品的EL半导体集成电路的平面图，图22B是沿A-A`切割的平面图的剖面图。应当注意，在图22A和22B中所示的EL半导体集成电路中，用和图18中相同的参考数字表示的部分完全可以参考图18的说明。此处，需要描述的部分由新的参考数字表示并进行描述。
首先，制备图18中所示的逻辑衬底。逻辑衬底由知识产权的合法请求人、知识产权的被许可人或制造受托人制造。然后，逻辑衬底的制造者或逻辑衬底的接收者仅仅必须在逻辑衬底上提供第一保护膜2220、第二保护膜2221和覆盖材料2222，进一步利用各向异性导电膜2223粘结柔性印刷电路板(FPC)2224以便制造外围端子。不用说，在此描述的具体实例仅仅是一个例子，并不限制其中实施本发明的EL半导体集成电路的结构。
就是说，由知识产权的合法请求人、知识产权的被许可人或制造受托人制造的逻辑衬底最终作为图22A和22B所示的半导体集成电路进行销售。应当注意，作为第一保护膜2220，可以充分利用具有对水汽和氧气具有高阻挡特性的氮化硅膜等的无机绝缘膜。此外，作为第二保护膜2221，优选提供紫外线固化的树脂膜、环氧树脂膜或其它树脂膜。以此方式，第二保护膜2221可以用做其上提供的覆盖材料2222的粘 结剂。作为第二保护膜2221，可以提供具有柔性的塑料膜或简单地提供陶瓷材料。应当注意，需要用无机绝缘膜例如氮化硅膜覆盖塑料膜的表面以防止水汽和氧从外界透过塑料膜进入。
在本实施例描述的半导体集成电路中，在第一至第十一实施例中描述的以任何商业形式制造时，通过实施本发明的产品管理方法以将标记施加到每个半导体集成电路上，明确属于半导体集成电路的知识产权的归属，就能确保知识产权的合法请求人的利益例如通过行使权利的特许收入。
本发明的效果是在构成显示器模块或半导体集成电路的晶体管的制造工艺中，由构成晶体管的任何一个薄膜形成字符、图形、符号、或数字、或它们的组合，并且通过字符、图形、符号、或数字、或它们的组合的表示来明确属于显示器模块或半导体集成电路的知识产权的归属。就是说，本发明的效果是明确知识产权的合法请求人、被许可使用知识产权的人或对知识产权负责的人。进一步地，通过明确知识产权的归属，就能确保知识产权的合法请求人的利益。计算机可以利用记录在记录介质上的程序来控制形成、记录、读取并判定标记。
Claims (20)
1.一种用于形成与读取标记的方法，包括以下步骤：
在显示器模块的制造过程期间利用构成该显示器模块的薄膜形成标记；以及
在所述显示器模块在市场上经销之后，读取该标记以明确与该显示器模块相关的特定主体，
其中所述特定主体是选自属于显示器模块的知识产权的合法请求人、制造受托人、制造委托人、产品接收者、显示器模块的设计者和显示器模块的序列号组成的组中的一种主体。
2.根据权利要求1的用于形成与读取标记的方法，
其中显示器模块是液晶显示器模块。
3.根据权利要求1的用于形成与读取标记的方法，
其中显示器模块是EL显示器模块。
4.根据权利要求1的用于形成与读取标记的方法，
其中显示器模块形成在具有绝缘表面的衬底之上。
5.根据权利要求1的用于形成与读取标记的方法，
其中标记包括字符、图形和数字中的至少一种。
6.根据权利要求1的用于形成与读取标记的方法，
其中特定物质有意地包含在薄膜的一部分内，以使所述标记能够被读取。
7.一种用于形成与读取标记的方法，包括以下步骤：
在显示器模块的制造过程期间利用构成该显示器模块的薄膜形成标记；以及
在所述显示器模块在市场上经销之后，读取该标记以明确与该显示器模块相关的特定主体，
其中由标记显示的信息存储在计算机中，
其中特定主体是选自属于显示器模块的知识产权的合法请求人、制造受托人、制造委托人、产品接收者、电路设计者和显示器模块的序列号组成的组中的一种主体。
8.根据权利要求7的用于形成与读取标记的方法，
其中显示器模块是液晶显示器模块。
9.根据权利要求7的用于形成与读取标记的方法，
其中显示器模块是EL显示器模块。
10.根据权利要求7的用于形成与读取标记的方法，
其中显示器模块形成在具有绝缘表面的衬底之上。
11.根据权利要求7的用于形成与读取标记的方法，
其中标记包括字符、图形和数字中的至少一种。
12.根据权利要求7的用于形成与读取标记的方法，
其中特定物质有意地包含在薄膜的一部分内，以使所述标记能够被读取。
13.一种用于形成与读取标记的方法，包括以下步骤：
在半导体集成电路的制造过程期间利用构成该半导体集成电路的薄膜形成标记；以及
在所述半导体集成电路在市场上经销之后，读取该标记以明确与该半导体集成电路相关的特定主体，
其中特定主体是选自属于显示器模块的知识产权的合法请求人、制造受托人、制造委托人、产品接收者、电路的设计者和显示器模块的序列号组成的组中的一种。
14.根据权利要求13的用于形成与读取标记的方法，
其中半导体集成电路形成在具有绝缘表面的衬底之上。
15.根据权利要求13的用于形成与读取标记的方法，
其中标记包括字符、图形和数字中的至少一种。
16.根据权利要求13的用于形成与读取标记的方法，
其中特定物质有意地包含在薄膜的一部分内，以使所述标记能够被读取。
17.一种用于形成与读取标记的方法，包括以下步骤：
在半导体集成电路的制造过程期间利用构成该半导体集成电路的薄膜形成标记；以及
在所述半导体集成电路在市场上经销之后，读取该标记以明确与该半导体集成电路相关的特定主体，
其中由标记显示的信息存储在计算机中，
其中特定主体是选自属于显示器模块的知识产权的合法请求人、制造受托人、制造委托人、产品接收者、电路的设计者和显示器模块的序列号组成的组中的一种主体。
18.根据权利要求17的用于形成与读取标记的方法，
其中半导体集成电路形成在具有绝缘表面的衬底之上。
19.根据权利要求17的用于形成与读取标记的方法，
其中标记包括字符、图形和数字中的至少一种。
20.根据权利要求17的用于形成与读取标记的方法，
其中特定物质有意地包含在薄膜的一部分内，以使所述标记能够被读取。
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| JP2004119016A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2004119015A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US20040099926A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same |
| US7268498B2 (en) | 2004-04-28 | 2007-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7202504B2 (en) | 2004-05-20 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| EP1770610A3 (en) * | 2005-09-29 | 2010-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5208591B2 (ja) | 2007-06-28 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及び照明装置 |
| WO2010125847A1 (ja) | 2009-04-30 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 液晶パネルの製造方法、液晶パネル用ガラス基板およびこれを備えた液晶パネル |
| JP5146490B2 (ja) | 2010-06-07 | 2013-02-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子 |
| KR102079188B1 (ko) | 2012-05-09 | 2020-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
| DE102012217539A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-05-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils |
| KR102282998B1 (ko) | 2014-09-19 | 2021-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 디스플레이 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조방법 |
| KR102636192B1 (ko) * | 2016-10-19 | 2024-02-16 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 표시 장치 |
| US11922549B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Object-to-text conversion method and system |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1187405A (zh) * | 1996-12-27 | 1998-07-15 | 欧姆龙株式会社 | 利用激光束作标记的方法 |
| CN1295314A (zh) * | 1999-10-29 | 2001-05-16 | 精工爱普生株式会社 | 电光学面板及其制造方法以及电光学装置和电子机器 |
| US6305716B1 (en) * | 1990-03-30 | 2001-10-23 | Vanguard Identification Systems, Inc. | Printed sheet products and methods of making |
| US6400037B1 (en) * | 1997-11-28 | 2002-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of marking on metallic layer, metallic layer with marks thereon and semiconductor device having the metallic layer |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2734183B2 (ja) * | 1990-07-19 | 1998-03-30 | 日本電気株式会社 | 液晶表示素子 |
| US6332962B1 (en) * | 1997-06-13 | 2001-12-25 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacture using selective imaging |
| CA2309643A1 (en) * | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Rohm Co., Ltd. | Thermal print head |
| KR100394069B1 (ko) * | 1999-09-01 | 2003-08-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시패널의 고유번호 표시부의 구조 및 그 제조방법 |
| CA2298181C (en) * | 2000-02-02 | 2006-09-19 | Dayan Burke Goodnough | Non-targeted complex sample analysis |
| KR100603842B1 (ko) * | 2000-02-18 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 확인용 인식마크를 포함하는 컬러필터 |
| JP2001274269A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3876120B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2007-01-31 | 株式会社日立製作所 | 製品管理方法 |
| US6395151B1 (en) * | 2000-10-26 | 2002-05-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Vacuum ARC vapor deposition method and apparatus for applying identification symbols to substrates |
| KR100752547B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-08-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 및 그의 형성방법 |
-
2003
- 2003-05-20 US US10/441,014 patent/US6792333B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-22 TW TW092113879A patent/TWI355616B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-06-04 CN CN031386555A patent/CN1469290B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-04 CN CN2005100558625A patent/CN1664841A/zh active Pending
-
2004
- 2004-05-04 US US10/837,683 patent/US20040228569A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6305716B1 (en) * | 1990-03-30 | 2001-10-23 | Vanguard Identification Systems, Inc. | Printed sheet products and methods of making |
| CN1187405A (zh) * | 1996-12-27 | 1998-07-15 | 欧姆龙株式会社 | 利用激光束作标记的方法 |
| US6400037B1 (en) * | 1997-11-28 | 2002-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of marking on metallic layer, metallic layer with marks thereon and semiconductor device having the metallic layer |
| CN1295314A (zh) * | 1999-10-29 | 2001-05-16 | 精工爱普生株式会社 | 电光学面板及其制造方法以及电光学装置和电子机器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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