CN1453645A - 投影光学系统、具备该系统的曝光装置以及曝光方法 - Google Patents

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Abstract

一种投影光学系统及该投影光学系统的曝光装置，在包括多个透射构件，并将第一面的图像投影到第二面的投影光学系统中，包括由结晶材料构成的结晶透射构件，当以该结晶透射构件的有效直径为ED，以前述结晶透射构件的外径为LD时，前述结晶透射构件中的至少一个，满足以下关系：0.3＜ED/LD＜0.95。尽管使用诸如萤石般的具有固有双折射的光学材料，但实质上却不受双折射的影响，并确保良好的光学性质。

Description

投影光学系统、具备该系统的曝光装置以及曝光方法
技术领域
本发明是涉及具备投影光学系统及该投影光学系统的曝光装置，特别是涉及在光刻法工序制造半导体元件等微型器件时，适用于曝光装置的投影光学系统。
背景技术
近年来，在半导体元件的制造、半导体芯片封装基板的制造过程中，微细化日益发展，并在转写图形的曝光装置上，要求有晰像度更高的投影光学系统。为了满足此高晰像要求，在将曝光光线进行短波化的同时，必须加大NA(投影光学系统的数值孔径)。但是，若曝光光线变短，则由于光的吸收缘故，导致耐用光学玻璃的种类受到限制。
例如，波长为200nm以下的真空紫外线区域的光，特别是将F2激光(波长157nm)作为曝光光线使用时，作为构成投影光学系统的光透射性光学材料，只能多用氟化钙(萤石：CaF2)、氟化钡(BaF2)等氟化物结晶。实际上，以曝光光线来看，采用F2激光光线的曝光装置，可想像出原则上是只采用萤石来形成光学系统的设计。萤石是立方晶系的结晶，在光学方面，为等向的，一般认为双折射是没有实质性的。另外，在原来的可视光区域实验中，对萤石只观测到了较小的双折射(起因于内部应力的无规则性的性质)。
所以，在2001年5月15日召开的关于光刻法的讨论会上(2ndInternational no 157nm Lithography)上，由美国NIST的John H.Burnett等各位，发表了从实验及理论两方面确认了萤石中存在固有双折射(intrinsicbirefringence)。
根据该发表，萤石的双折射在结晶轴[111]方向及与其等效的结晶轴[-111]、[1-11]、[11-1]方向、结晶轴[100]方向及与其等效的结晶轴[010]、[001]方向上，则大致为零，但在其它方向上，拥有实际上不为零的值。特别是结晶轴[110]、[-110]、[101]、[-101]、[011]、[01-1]的6个方向上，对波长157nm拥有最大6.5nm/cm，对波长193nm拥有最大3.6nm/cm的双折射值。
这些双折射值，实际上是比定为不规则的双折射允许值1nm/cm还大的值，而且仅通过非不规则部分的多个透镜，双折射影响才有可能会产生积蓄。在先前的技术中，由于在投影光学系统的设计上未考虑萤石的双折射性，一般从容易加工的观点出发，将结晶轴[111]和光轴做成一致。此时在投影光学系统中，由于NA(值孔径)较大，一定程度的倾斜光线也会从结晶轴[111]通过透镜，故因双折射的影响，有可能使成像性能恶化。
发明内容
本发明是鉴于前述课题的发明，目的在于，例如，尽管使用像萤石那样具有固有双折射的光学材料，而提供实际上并未受双折射的影响、并具有良好光学性能的投影光学系统。另外，本发明中，目的是采用实际并未受双折射的影响，且具有良好光学性能的本发明的投影光学系统，提供能以高晰像度进行高精度投影曝光的曝光装置及提供曝光方法。
为实现上述目的，本发明提供一投影光学系统，包括多个透射构件，是将第1面的图像投影到第2面的投影光学系统，其特征在于，包括由结晶材料构成的结晶透射构件，当以由该结晶透射构件的有效直径为ED，以前述结晶透射构件的外径为LD时，前述结晶透射构件中至少有1个满足关系式：
              0.3＜ED/LD＜0.95。
另外，在本发明较佳的形态，是前述结晶透射构件由立方晶系的结晶材料形成，且前述结晶透射构件的光轴和结晶轴[100]或[110]形成为大体一致。
另外，在本发明较佳的形态，是前述结晶透射构件由萤石形成，且前述结晶透射构件的光轴和结晶轴[100]形成为大体一致。
另外，在本发明较佳的形态，是前述结晶透射构件的前述外径边缘厚度为5mm以上。
而且，所提供的本投影光学系统，其特征在于，为实现上述目的，在本发明中，在包括多个透射构件，并将第1面的图像投影到第2面的投影光学系统中，包括由萤石构成，且其光轴和结晶轴[100]形成为大体一致的萤石构件，在前述结晶透射构件中所包括的所有透射构件中，当以拥有最大外径的透射构件的外径为XD，在前述萤石构件中，以拥有最大外径的萤石构件的外径为D1时，满足关系式：
              0.1＜D1/XD＜0.8。
而且，所提供的本投影光学系统，其特征在于，为了实现上述目的，在本发明中，在包括多个透射构件，并将第1面的图像投影到第2面的投影光学系统中，包括由萤石构成，且其光轴和结晶轴[110]形成大体一致的萤石构件，在前述投影光学系统中所含的所有透射构件中，当以拥有最大外径的透射构件的外径为XD，在前述萤石构件中，以拥有最大外径的萤石构件的外径为D2时，满足关系式：
              0.1＜D2/XD＜0.8。
而且，所提供的本投影光学系统，其特征在于，为了实现上述目的，在本发明中，在包括多个透射构件，并将第1面的图像投影到第2面的投影光学系统中，包括由萤石构成，且光轴和结晶轴[100]形成大体一致的萤石构件，该萤石构件中，前述萤石构件的70％以上的萤石构件，配置在前述投影光学系统的瞳光位置傍边。
在本发明较佳的形态中，前述萤石构件，包括与其光轴和结晶轴[100]形成大体一致的第1萤石构件，及光轴和结晶轴[100]形成大体一致的第2萤石构件，前述第1萤石构件、前述第2萤石构件与结晶轴[100]不同的结晶轴，定位成以前述光轴为中心，相对只旋转45度的状态。
而且，所提供的本投影光学系统，其特征在于，为了实现上述目的，在本发明中，在包括多个透射构件，并将第1面的图像投影到第2面的投影光学系统中，包括由萤石构成，且其光轴和结晶轴[110]形成大体一致的萤石构件，该萤石构件中，前述萤石构件的70％以上的萤石构件，配置在前述投影光学系统的瞳光位置傍边。
在本发明较佳的形态中，前述萤石构件，包括与其光轴和结晶轴[110]形成大体一致的第1萤石构件，及光轴和结晶轴[110]形成大体一致的第2萤石构件，前述第1萤石构件、前述第2萤石构件与结晶轴[110]不同的结晶轴，定位成以前述光轴为中心，相对只旋转90度的状态。
在本发明中，所提供的曝光装置，其特征在于，具备为照明设定于前述第1面上的掩膜的照明系统、及将形成于前述掩膜上的图形的像，成形到设定于前述第2面上的感光基板上、即本发明上述的投影光学系统。
而且，在本发明中，所提供的曝光装置，其特征在于，照明设定于前述第1面上掩膜，并通过本发明上述的投影光学系统，将在前述掩膜上形成的图形的像，投影曝光到设定于前述第2面上的感光基板。
另外，在本发明中，结晶透射构件或透射构件的外径，是指保持这些结晶透射构件或透射构件时，也包括所设置部分在内的外径。
例如，在这些结晶透射构件或透射构件的周围，当设有诸如为保持这些结晶透射构件或透射构件的凸缘部时，在考虑外径时，要包括该凸缘部。
附图说明
图1是关于萤石结晶方位的说明图。
图2是说明Burnett各位手法之图，表示对于光线入射角的双折射率分布。
图3是说明本发明的申请人提出的第1手法的图，表示对于光线入射角的双折射率分布。
图4是说明本发明的申请人提出的第2手法的图，表示对于光线入射角的双折射率分布。
图5图为表示使结晶轴[111]以外的结晶轴与光轴一致的结晶透射构件相位图。
图6是为说明本发明中外径的图。
图7是为说明本发明中外径的图。
图8是为说明本发明中边缘厚度的图。
图9是为说明本发明中光瞳附近的图。
图10是概略表示具有与本发明相关的投影光学系统的曝光装置结构。
图11表示晶圆上所形成的矩形曝光区域(即实际曝光区域)和基准光轴区域的位置关系的图。
图12表示与本实施形态第1实施例相关的投影光学系统的透镜结构图。
图13表示第1实施例中的横向像差图。
图14得到作为微型装置的半导体装置时的手法流程图。
图15得到作为微型装置的液晶显示元件时的手法流程图。
符号说明
G1第1成像光学系统
G2第2成像光学系统
G1第3成像光学系统
CM凹面反射镜
M1第1光路曲折镜
M2第2光路曲折镜
100光源
IL照明光学系统
R光栅
RS光栅载台
PL投影光学系统
W晶圆
WS晶圆载台
具体实施方式
图1为对萤石结晶轴方位的说明图。若参考图1，萤石的结晶轴是根据立方晶系XYZ坐标进行规定的。即分别规定：结晶轴[100]沿着+X轴，结晶轴[010]沿着+Y轴，结晶轴[001]沿着+Z轴。
另外，分别规定：在XZ平面上，结晶轴[101]在结晶轴[100]与结晶轴[001]成45度方向上，在XY平面上，结晶轴[110]在结晶轴[100]与结晶轴[010]成45度方向上，在YZ平面上，结晶轴[011]在结晶轴[010]与结晶轴[001]成45度方向上。而且规定，结晶轴[111]相对于+X轴、+Y轴、+Z轴，在成相等锐角的方向上。
而且，在图1中，仅图示出了在+X轴、+Y轴及+Z轴所规定空间的结晶轴，但在其它空间也相同地规定了结晶轴。如前述所述，在萤石方面，在图1中用实线所示的结晶轴[111]方向及与此等价的未图示出的结晶轴[-111]、[1-11]、[11-1]方向上，双折射约为零(最小)。
同样，图1中用实线所示的结晶轴[100]、[010]、[001]方向上，也是双折射约为零(最小)。另一方面，图1中用虚线所示的结晶轴[110]、[101]、[011]，及与此等价的未图示出的结晶轴[-110]、[-101]、[01-1]方向上，双折射为最大。
但Burnett各位在前述的发表中，公开了降低双折射影响的手法。图2为说明Burnett各位手法的图示，图中展示了相对于光线入射角(光线和光轴所成的夹角)的双折射率分布。图2中，图中用虚线所示的5个同心圆表示1个刻度为10度。所以，最内侧的圆对光轴，表示入射角10度的区域，最外侧的圆对光轴，表示入射角50度的区域。
而且，黑点表示拥有较大折射率、没有双折射的区域，白点表示拥有较小折射率而没有双折射的区域。另一方面，粗线圆及较长双箭头表示有双折射区域的较大折射率的方向，细线圆及较短双箭头表示有双折射区域的较小折射率的方向。在此后的图3，也与上述记载相同。
在Burnett各位的手法中，使一对萤石透镜(用萤石形成的透镜)的光轴和结晶轴[111]相一致，且以光轴为中心，使一对萤石透镜只在约60度范围内相对旋转。所以，一方萤石透镜的双折射率分布就变成如图2(a)所示，而另一方萤石透镜的双折射率分布就变成如图2(b)所示。其结果，一对萤石透镜整体的双折射率分布就变成如图2(c)所示。
在此情况下，若参照图2(a)及图2(b)，对应与光轴一致的结晶轴[111]的区域，就成为拥有较小折射率、没有双折射的区域。另外，对应结晶轴[100]、[010]、[001]的区域，就成为拥有较大折射率、没有双折射的区域。而且，对应结晶轴[110]、[101]、[011]的区域，就成为对圆周方向偏光的折射率较小、对直径方向偏光折射率较大的双折射区域。这样，可知在每个萤石透镜，从光轴起在35.26(结晶轴[111]和结晶轴[110]所构成的角度)的区域，受双折射的影响最大。
另一方面，若参照图2(c)，通过使一对萤石透镜只在60度范围相对旋转，可知一对萤石透镜整体上，其双折射最大的结晶轴[110]、[101]、[011]的影响可变得淡化。且从光轴起在35.26度的区域内，与对于径向偏光的折射率相比，变成对于圆周方向偏光的折射率，有较小双折射区域残留。换言之，通过采用Bumett各位的手法，虽有涉及光轴的旋转对称分布的残留，但可大大地降低双折射的影响。
那么，本申请的申请人，提出了使一对立方晶系结晶材料形成的结晶透射构件(例如萤石透镜)的光轴与结晶轴[100](或与该结晶轴[100]光学性等价的结晶轴)一致，且以光轴为中心，使一对结晶透射构件只在约45度的范围相对旋转，以降低双折射的影响的第1手法。在此，结晶轴[100]和光学性等价的结晶轴，为结晶轴[010]、[001]。
图3为说明上述第1手法的示图，所示为相对于光线入射角(光线和光轴所成的角度)的双折射率分布。在本发明手法中，一方的萤石透镜双折射率分布如图3(a)所示，另一方的萤石透镜双折射率分布如图3(b)所示。其结果，一对萤石透镜整体的双折射率分布就变成如图3(c)所示。
若参照图3(a)及图3(b)，在第1手法中，对应于与光轴相一致的结晶轴[100]的区域，就成为拥有较大折射率、没有双折射的区域。而且，对应结晶轴[111]、[1-11]、[-11-1]、[11-1]的区域，就成为拥有较小折射率、没有双折射的区域。并且，对应结晶轴[101]、[10-1]、[110]、[1-10]的区域，就成为对圆周方向偏光的折射率较大，对径向偏光折射率较小的双折射区域。这样，可知在各个萤石透镜上，从光轴起在45度(结晶轴[100]和结晶轴[101]所构成的角度)的区域里，受双折射率的影响最大。
另一方面，若参照图3(c)，可知通过使一对萤石透镜只在45度的范围相对旋转，在一对萤石透镜整体上，双折射为最大的结晶轴[101]、[10-1]、[110]、[1-10]的影响会变得相当淡化，与从光轴起在45度的区域内的径向偏光折射率相比，会残留圆周方向偏光折射率较大的双折射区域。换言之，通过采用本发明手法，虽有关于光轴的旋转对称分布的残留，但可大大地降低双折射的影响。
而且，在第1手法中，其意为：以光轴为中心，使一方的萤石透镜和另一方的透镜只在约45度的范围内相对旋转，一方的萤石透镜及另一方的萤石透镜的光轴，以朝着不同方向的所定结晶轴(例如结晶轴[010]、[001]、[011]或[01-1])彼此的光轴为中心的相对角度约为45度。具体来讲，其意为：例如以一方的萤石透镜的结晶轴[010]和另一方萤石透镜的结晶轴[010]的光轴为中心的相对角度约为45度。
另外，由图3(a)及图3(b)也可知，当以结晶轴[100]为光轴时，以光轴为中心的双折射影响的旋转非对称性，以90度的周期出现。故在本发明手法中，以光轴为中心，使其只在约45度的范围内相对旋转，与以光轴为中心，使其只在约45度+(n×90度)的范围内相对旋转，即只在45度、135度、225度或315度……的范围内旋转意思相同(在此，n为整数)。
另一方面，在Bumett各位的手法中，其意为：使一方的萤石透镜与另一方的萤石透镜，在以光轴为中心仅约60度的范围内相对地旋转，一方的萤石透镜及另一方的萤石透镜所在的光轴，以朝着不同方向的所定结晶轴(例如结晶轴[-111]、[11-1]、或[1-11])彼此的光轴为中心、相对角度约为60度的范围。具体来讲，其意为：例如以一方萤石透镜的结晶轴[-111]和另一方的萤石透镜结晶轴[-111]为中心，相对角度约为60度。
另外，由图2(a)及图2(b)也可知，当以结晶轴[111]为光轴时，以光轴为中心的双折射影响的旋转非对称性，以120度的周期出现。故在Burnett各位手法中，以光轴为中心，使其只在约60度的范围内相对旋转，与以光轴为中心，使其只在约60度+(n×120度)的范围内相对旋转，即只在60度、180度或300度……的范围内旋转意思相同(在此，n为整数)。
而本申请的申请人，提出了使一对立方晶系的结晶材料所形成的结晶透射构件(例如萤石透镜)的光轴，与结晶轴[110](或与该结晶轴[110]光学性等价的结晶轴)相一致，且以光轴为中心，使一对结晶透射构件只在约90度的范围相对旋转，以降低双折射影响的第2手法。在此，与结晶轴[110]光学性等价的结晶轴，是结晶轴[-110]、[101]、[-101]、[01-1]。
图4为说明上述第2手法的示图。所示为对于光线入射角的双折射率分布。在第2手法中，一方萤石透镜的双折射率分布如图4(a)所示，另一方萤石透镜的双折射率分布如图4(b)所示。其结果，一对萤石透镜整体的双折射率分布，即呈图4(c)所示。
若参照图4(a)及图4(b)，在第2手法中，对应于与光轴一致的结晶轴[110]的区域，就成为对一方方向上偏光的折射率较大，而对另一方的方向上(正交于一方方向的方向)偏光的折射率较小的双折射区域。对应结晶轴[100]、[010]的区域，就成为拥有较大折射率、没有双折射的区域。而且，对应结晶轴[111]、[11-1]的区域，就成为拥有较小折射率、没有双折射的区域。
另一方面，若参照图4(c)，通过使一对萤石透镜只在90度的范围相对旋转，在一对萤石透镜整体上，双折射最大的结晶轴[110]的影响几乎消失，而光轴附近就成为拥有中间折射率的、没有双折射的区域。即通过采用本发明中第2手法，可做到实质上不受双折射的影响，并确保良好的成像性能。
而且，在第2手法中，其意为：使一方的萤石透镜与另一方的萤石透镜，只在以光轴为中心约90度的范围内相对地旋转，一方的萤石透镜及另一方的萤石透镜所在的光轴，以朝着不同方向的所定结晶轴(例如结晶轴[001]、[-111]、[-110]或[1-11])彼此的光轴为中心、相对角度约为90度的范围。具体来讲，其意为：例如以一方萤石透镜的结晶轴[001]和另一方萤石透镜的结晶轴[001]的光轴为中心，相对角度约为90度。
另外，由图4(a)及图4(b)也可知，当以结晶轴[110]为光轴时，以光轴为中心的双折射影响的旋转非对称性，以180度的周期出现。所以，在本发明提出的第2手法中，以光轴为中心，使其只在约90度的范围内相对旋转，与以光轴为中心，使其只在大体在约90度+(n×180度)的范围内相对旋转，即只在90度、270度…的范围内旋转意思相同(在此，n为整数)。
如上述所述，通过使一对立方晶系结晶材料形成的结晶透射构件的光轴和结晶轴[111]相一致，且以光轴为中心，使一对萤石透镜只在60度范围内相对旋转，或通过使一对立方晶系结晶材料形成的结晶透射构件的光轴和结晶轴[100]相一致，且以光轴为中心，使一对立方晶系透射构件形成的结晶透射构件，只在45度的范围内相对旋转，或通过使一对立方晶系结晶材料形成的结晶透射构件的光轴和结晶轴[110]相一致，且以光轴为中心，使一对立方晶系结晶材料形成的结晶透射构件，在90度的范围内相对旋转，可大大降低双折射的影响。
在此，使一对立方晶系的结晶材料形成的结晶透射构件的光轴和结晶轴[111]相一致，当使其在60度范围相对旋转时所残留的旋转对称分布，与使一对立方晶系的结晶材料形成的结晶透射构件的光轴和结晶轴[110]相一致，当使其在45度范围相对旋转时所残留的旋转对称分布，是相反方向的两个分布。换言之，使光轴和结晶轴[111]相一致，并使其在60度的范围相对旋转且由一对立方晶系结晶材料形成的结晶透射构件(以下称“结晶轴[111]的结晶透射构件对”)的进相轴，与结晶轴[100]相一致，并使其在45度的范围相对旋转的且由一对立方晶系结晶材料形成的结晶透射构件(以下称“结晶轴[100]的结晶透射构件对”)的进相轴，两轴呈正交。
而且，若再说起别的表现，在结晶轴[100]的结晶透射构件对上，在径向上的进相轴的双折射分布有残留，在结晶轴[111]的结晶透射构件对上，圆周方向上有进相轴的双折射分布有残留。并且，当样品中存在双折射时，由于折射率的差，会造成通过该样品振动面(偏光面)的、正交的2个直线偏光面的光相位发生变化。即虽然对一方的偏光来说，另一方的偏光相位会变成有快、有慢，但仍将相位快的一方的偏光方向叫进相轴，相位慢的一方的偏光方向叫滞相轴。
这样，通过使一对结晶透射构件的光轴和结晶轴[111]相一致，并使其在60度范围旋转的结晶轴[111]的结晶透射构件对，及通过使一对结晶透射构件的光轴和结晶轴[100]相一致，并使其在45度范围旋转的结晶轴[100]的结晶透射构件对相组合，可知能进一步有效地降低双折射的影响。
那么，将立方晶系的结晶材料作为透射构件的光学材料使用时，由其内部应力起因的失真(双折射)，会有可能恶化由此透射材料构成的投影光学系统的成像性。特别是可知当采用使(和结晶轴[111]不同的)结晶轴与光轴相一致的透射构件时，由内部应力所造成的失真(双折射)，会显著的被表现出来。
图5所示为结晶轴[100]的结晶透射构件的相位图，图5纸面内的方向与结晶轴[100]的结晶透射构件光轴正交面内方向对应。在图5中，圆的大小表示失真(双折射)的大小，弦表示进相轴的方位。
若参照图5的相位图，可知在拥有结晶轴[100]的结晶透射构件上，最外周的失真(双折射)明显大。而且，虽未图示出，但在结晶轴[110]的结晶透射构件，也是最外周的失真(双折射)明显大。
在此，本发明中，当以结晶透射构件的有效直径为ED，以结晶透射构件的外径为LD时，实现了结晶透射构件中至少一个满足关系式：
              (1)0.3＜ED/LD＜0.95
另外，所谓结晶透射构件的有效直径ED，是指当考虑通过该结晶透射构件的光时，此光所通过区域的直径。而且，所谓结晶透射构件或透射构件的外径，是指当保持这些结晶透射构件或透射构件时，也包括所设部分的外径。
下面将参照图6及图7，进行更详细的说明。且在以下说明中，是对结晶透射构件拥有所定折射率的透镜时进行说明。
图6(a)是从光轴AX方向看透镜10时的俯视图，图6(b)是透镜10的子午断面(含光轴AX的断面)图。图6(a)及图6(b)所示的透镜10，由图中未示出的保持构件，在镜头面以外之处进行保持、固定，故透镜10拥有设置于外周部的隆起部11。如图6(b)所示，此隆起部11拥有相互平行的面11a及11b，这些面11a及11b通过保持构件进行紧固连接，保持透镜10。
在图6(a)中，透镜10的通过光束所占的区域CA用阴影线示出，此区域CA的直径即成为有效直径ED。且当区域CA为非圆形时，考虑到非圆形区域CA的外接圆，即将此外接圆的直径视为有效直径ED。且透镜10的外径LD即成为隆起部11的直径。
而且，图7所示为从光轴AX方向看透镜12时的俯视图，如图所示，透镜12并非经过透镜全周的隆起部，在透镜外周部拥有大体等角地配置的多个隆起部13A～13C时，考虑到多个隆起部13A～13C的外接圆CC，则把此外接圆的直径视为外径LD。
关于拥有这样透镜外周部隆起部的构造，例如，由本申请的申请人提出的已在日本专利早期公开之特开2001-74991号公报、特开2001-76992号公报、特开2001-284226号公报及特开2002-107595号等中揭露。
另外，当采用以保护环等保持透镜周围的手法时，此透镜自身的直径即成为外径LD。
而且，光轴正交断面的透镜形状为非圆形时，考虑到透镜外形的外接圆，将此外接圆直径作为外径LD。
当超过上述条件式(1)的上限时，由于失真(双折射)明显，光会透过较大区域，故由此失真(双折射)引起的投影光学系统成像性能就会显著恶化，故并不理想。且为进一步提高投影光学系统的成像性能，较佳是将此条件式(1)的上限设定成0.9。
当低于上述条件式(1)的下限时，投影光学系统的成像性能会提高，但为确保必要的有效直径，结晶透射构件的外径就会变得过大，导致形成结晶透射构件时成本上升。且为进一步降低结晶透射构件的成本，较佳是将上述条件式(1)的下限设定成0.4。
另外，由立方晶体系统的结晶材料所形成的结晶透射构件，在保持此结晶透射构件时，因在保持部易产生裂纹等缺欠，故正如上述条件式(1)规定的那样，对有效直径而言，在确保外径加大的情况下，要确保结晶透射构件的最外周的边缘厚度(最外周结晶透射构件的光轴方向厚度)为5mm以上。
例如，如图8所示，当透镜14的外周部设有隆起部15时(全周上1个隆起部或多个隆起部)，考虑透镜14的2个透镜面14a或14b的假想延长面16a及16b，将把外径LD位置的延长面16a及16b彼此之间光轴AX方向的距离设为边缘厚度ET。
特别是如图8所示，当在透镜外周部设置隆起部15时，多是通过研磨透镜外周部，使隆起部15和透镜14形成一体。这时，为了防止隆起部15处的开裂，较佳是将隆起部15和透镜14之间的角，进行倒圆的R加工。但边缘厚度ET低于5mm以下而过小时，因不能实施这样的R加工，或不能够充分确保隆起部15自身光轴AX方向的厚度(互相平行的面15a及15b之间的距离)，故在进行保持时，易产生开裂。
另外，即使采用以保护环等来保持透镜外周部的手法，用保护环进行保持之处(透镜外周部)的光轴AX方向厚度因会变得过薄，故由保护环进行的保持易造成开裂。
那么，正如上述第1手法、或第2手法那样，若欲通过使结晶轴[111]以外的结晶轴和光轴一致，来降低双折射的影响时，例如，在使用结晶轴[100]或结晶轴[110]与光轴一致的结晶透射构件时，由于双折射量与结晶透射构件的口径成比例变大，故较佳是应用在投影光学系统中拥有较小口径的透射构件。
即当考虑其光轴和结晶轴[100]大体一致地形成，并包括萤石构件在内的投影光学系统时，在投影光学系统中所含的所有透射构件中，以拥有最大外径的透射构件外径为XD，在萤石构件中，以拥有最大外径的萤石构件外径为D1时，较佳是满足以下条件式：
(2)  0.1＜D1/XD＜0.8
当超过上述条件式(2)的上限时，以结晶轴[100]为光轴的萤石构件所引起的双折射，对投影光学系统成像性能的不良影响会过大，故结果不理想。另外，当低于条件式(2)的下限时，以结晶轴[100]为光轴的萤石构件进行降低双折射影响的效果会过低，故结果不理想。且当低于条件式(2)的下限时，通过以结晶轴[100]为光轴的萤石构件的光能，因过于集中而产生照射变动(由光照射引起的成像性能变动)，故结果也不理想。
而且，当考虑其光轴和结晶轴[110]大体一致地形成，并包括萤石构件在内的投影光学系统时，在前述投影光学系统中所含的所有透射构件中，以拥有最大外径的透射构件的外径为XD，在萤石构件中，以拥有最大外径的萤石构件的外径为D2时，较佳是满足以下条件式：
(3)0.1＜D2/XD＜0.8
当超过条件式(3)的上限时，以结晶轴[110]为光轴的萤石构件所引起的双折射，对投影光学系统成像性能的不良影响就会过大，故结果不理想。另外，当低于条件式(3)的下限时，以结晶轴[110]为光轴的萤石构件进行降低双折射影响的效果会过低，故结果不理想。且当低于条件式(3)的下限时，通过以结晶轴[110]为光轴的萤石构件的光能，因过于集中而产生照射变动(由光照射引起的成像性能变动)，故结果也不理想。
那么，如前所述，由立方晶系构成、并使结晶轴[111]以外的结晶轴和光轴相一致的结晶透射构件(例如，透镜、平行平面板等)的固有双折射，存在对此结晶透射构件的入射角依存性(根据入射角，固有双折射不同)，由上述结晶透射构件的内部应力引起的失真(双折射)，存在此透射构件上的位置依存性(依透射构件光轴正交面内的位置之不同而有不同的失真(双折射))。所以，在位于第1面及与该第1面光学性共轭面(也含第2面)附近，在使结晶轴[111]以外的结晶轴和光轴相一致的结晶透射构件上，同时补正因固有双折射造成的失真(双折射)及因内部应力造成的失真(双折射)是困难的。易导致投影光学系统图像视域(像域)内成像性能的偏差。
因此，在光轴上具结晶轴[111]以外的结晶轴的结晶透射构件，较佳是配置到光瞳附近。且既使在光瞳附近有双折射量的位置依存性，不论在投影光学系统的全部图像视域的任何位置，都会大体一致地影响成像性，故通过其它补正手段，可易于补正对成像性能的整体影响。
在此，当考虑结晶轴[100]与光轴大体一致地形成的、包括萤石构件在内的投影光学系统时，萤石构件总数70％以上数量的萤石构件较佳是配置在前述投影光学系统的光瞳位置附近。
另外，当考虑结晶轴[110]与光轴大体一致地形成的、包括萤石构件在内的投影光学系统时，萤石构件总数70％以上数量的萤石构件较佳是配置在前述投影光学系统的光瞳位置附近。
而且，本发明所说的光瞳附近，如图9所示，是指设当从投影光学系统的第1面起到第2面的距离为L，设曝光区域最外部主光线和光轴相交的位置为光瞳位置(在图9中以X表示)时，从光瞳位置起到±0.12L距离的范围。
在此，上述光瞳位置附近配置的结晶轴[100]或结晶轴[110]与光轴大体一致地形成的萤石构件的数量，当未满萤石构件总数的70％时，因第1面附近，或与第1面共轭的面的附近所配置的结晶轴[111]以外的萤石构件数量过多，故同时补正由固有双折射和内部应力所致的失真(双折射)是困难的，补正投影光学系统的图像视域(像域)内的成像偏差是困难的。
在此，当包括萤石构件其结晶轴[100]与光轴形成大体一致的第1萤石构件，及其光轴和结晶轴[100]形成大体一致的第2萤石构件时，第1萤石构件和第2萤石构件以与结晶轴[100]不同的结晶轴，较佳是定位成以光轴为中心，相对只在45度的范围旋转。
另外，当包括萤石构件其结晶轴[110]及其光轴形成大体一致的第1萤石构件，及其光轴和结晶轴[110]形成大体一致的第2萤石构件时，第1萤石构件和第2萤石构件以与结晶轴[110]不同的结晶轴，较佳是定位成以光轴为中心，相对地只在90度的范围旋转。
正如前述图5所示，可知将结晶轴[100]，或将在光轴上具结晶轴[110]之结晶透射构件内部应力所引起的失真(双折射)，在结晶透射构件内呈4次对称的分布，并依存于其结晶轴方位。所以，与上述说明的固有双折射的补正相同，在光轴上具结晶轴[100]的萤石构件上，通过以光轴为中心，将一对萤石的相对旋转角设定成45度，可将失真(双折射)的分布设成旋转对称的分布，在光轴上具结晶轴[110]的萤石构件上，通过以光轴为中心，将一对萤石相对的旋转角设定成90度，可将失真(双折射)的分布设成旋转对称的分布，据此可减轻投影光学系统的成像性能的恶化。
本发明的实施形态，则根据附加图面进行说明。
图10所示为具有与本发明实施形态相关的投影光学系统的曝光装置构成概略图。且在图10中，分别与投影光学系统PL的基准光轴AX平行地设定Z轴，在与基准光轴AX垂直的面内，与图10的纸面平行地设定Y轴，与图10的纸面垂直地设定X轴。
图示的曝光装置，作为提供紫外区域照明光的光源100，譬如具备有F2激光光源(振荡中心波长157.6244nm)。
从光源100射出的光，通过照明光学系统IL，均匀地照明所定图像所形成的光栅R。且光源100和照明光学系统IL之间光路用壳体(未图示)密封，从光源100到照明光学系统IL中最靠光栅侧的空间，用曝光光线吸收率低的气体氦气或氮气等非活性气体进行置换，或保持成基本真空状态。
光栅R通过光栅支架RH，在光栅载台RS上保持与XY平面平行。在光栅R上形成应该转印的图像，整体图形区域中，有沿X方向的长边且有沿Y方向照明具的短边的矩形(狭缝状)的图形区域被照明。光栅载台RS通过图示中省略的驱动系统作用，沿着光栅面(即XY平面)可进行二维移动，其位置坐标构成由使用光栅移动镜RM的干涉仪RIF进行测试、位置控制。
从形成于光栅R上的图形发出的光，通过投影光学系统PL，在感光基板的晶圆W上形成光栅图形像。晶圆W通过晶圆工作台(晶圆支架)WT，在晶圆载台WS上，保持与XY面平行。且为了对应在光栅R上的矩形照明区域，在晶圆W上，在带有沿着X方向的长边，且带有沿着Y方向的短边的矩形曝光区域中形成图形像。晶圆载台WS其构成是：通过图示中省略的驱动系统的作用，沿着晶圆面(即XY平面)可进行二维移动，其位置坐标由使用晶圆移动镜WM的干涉仪WIF进行测试，且进行位置控制。
图11所示为在晶圆形成的矩形曝光区域(即实效曝光区域)和基准轴的位置关系图。在本实施形态的各实施例中，正如图11所示，在以基准光轴AX为中心的具有半径R的圆形区域(图像圆周)IF内，在从基准光轴AX向-Y方向只离开轴偏量A的位置，设定具有所希望大小的矩形实效曝光区域ER。在此，实效曝光区域ER的X方向长度为LX，其Y方向长度为LY。
换言之，在各实施例中，在从基准光轴AX向-Y方向只离开轴偏量A的位置，设定具有所希望大小的矩形状实效曝光区域ER，为了包括以基准光轴AX为中心的实效曝光区域ER，要规定圆形圆周IF的半径B。所以，虽省略了图示，但与此相对应，在光栅R上，只在对应从基准光轴AX向-Y方向偏的轴偏量A的位置上，形成对应实效曝光区域ER的大小及形状的矩形照明区域(即实效曝光区域)。
另外，在图示曝光装置，在构成投影光学系统PL的光学构件中，配置于最靠光栅的光学构件(在各实施例中为透镜L11)和配置于最靠晶圆侧的光学构件(在各实施例中为透镜L313)之间，投影光学系统PL的内部构成呈保持气密状态，即投影光学系统PL的内部气体或由氦气、氮气等惰性气体置换，或保持大致真空的状态。
进而，在照明光学系统IL和投影光学系统PL之间的狭窄光路中，虽配置有光栅R及光栅载台RS等，但密封包覆光栅R及光栅载台RS等的壳罩(casing)(未图示)的内部，充填有氮气或氦气等惰性气体，或保持大致真空状态。
另外在投影光学系统PL和晶圆W之间的狭窄光路上，虽配置有晶圆W及晶圆载台WS等，但密封包覆晶圆W晶圆载台WS等的壳罩(未图示)的内部，充填有氮气或氦气等惰性气体，或保持大致真空状态。这样，从光源100到晶圆W的整体光路上，形成曝光光线几乎不被吸收的氛围。
通过上述手段，通过投影光学系统PL所定的光栅R上照明区域及晶圆W上曝光区域(即实效曝光区域ER)，是沿着Y方向且有短边的矩形。故使用驱动系统及干涉仪(RIF、WIF)等，一边进行光栅R和晶圆W的位置控制，一边沿着矩形曝光区域及照明区域的短边方向即Y方向，使光栅载台RS和晶圆载台WS，向相同方向(即朝着相同方向)同步移动(扫描)，进而使光栅R和晶圆W向相同方向(即朝着相同方向)同步移动(扫描)，在晶圆W上，对具有与曝光区域长边相等的宽度，且具有对应于晶圆W扫描量(移动量)的长度区域，进行扫描、曝光光栅图形。
在本实施形态的实施例中，投影光学系统PL，具有配置于第1面的、为形成光栅R图形的第1中间像的折射型第1成像光学系统G1，及由凹面反射镜CM和两个负透镜构成，且为形成与第1中间像大体等倍的第2中间像(是第1中间像的大致等倍像，光栅图形的2次像)的第2成像光学系统G2，及根据第2中间像发出的光，在配置于第2面的晶圆W上，为形成光栅图形的最终像(光栅图形的缩小像)的折射型第3成像光学系统G3。
而且，实施例中，在第1成像光学系统G1和第2成像光学系统G2之间的光路中，在第1中间像的形成位置附近，配置有第1光路曲折镜M1，作用是为了把从第1成像光学系统G1发出的光向着第2成像光学系统G2进行偏转。而且，在第2成像光学系统与G2第3成像光学系统G3之间的光路中，在第2中间像的形成位置附近，配置有第2光路曲折镜M2，作用是为了把从第2成像光学系统G2发出的光向着第3成像光学系统G3进行偏转。
另外，在实施例中，第1成像光学系统G1拥有呈直线状延长的光轴AX1，第3成像光学系统G3拥有呈直线状延长的光轴AX3，光轴AX1和光轴AX3与共通单一光轴的基准光轴AX设定成一致。而且，基准光轴AX沿重力方向(即垂直方向)定位。其结果，光栅R及晶圆W沿与重力方向正交的面即水平面呈相互平行地配置。加之，构成第1成像光学系统G1的所有透镜及构成第3成像光学系统G3的所有透镜，也在基准光轴AX上沿水平面配置。
另一方面，第2成像光学系统G2也拥有呈直线状延长的光轴AX2，此光轴AX2设定成与基准光轴AX正交。而且，第1光路曲折镜M1及第2光路曲折镜M2均拥有平面状反射面，一体地构成拥有2个反射面的1个光学构件(1个光路曲折镜)。此2个反射面的交线(严格来讲是此假想延长面的交线)设定成第1成像光学系统G1的AX1、第2成像光学系统G2的AX2、及第3成像光学系统G3的AX3交于一点。在实施例中，第1光路曲折镜M1及第2光路曲折镜M2均构成表面反射镜。
在实施例中，构成投影光学系统PL的所有折射光学构件(透镜成分)中，使用的是萤石(CaF2结晶)。曝光光线的F2激光振荡中心波长为157.6244nm，在157.6244nm附近，CaF2的折射率每+1pm的波长变化按-2.6×10-6的比例变化，每-1pm的波长变化按+2.6×10-6的比例变化。
换言之，在157.6244nm附近，CaF2的折射率分散(dn/dλ)为2.6×10-6/pm。
所以，实施例中，对中心波长157.6244nm的CaF2折射率为1.55930666，对157.6244nm+1pm＝157.6244nm的CaF2折射率为1.55930406，对157.6244nm-1pm＝157.6244nm的CaF2折射率为1.55930926。
而且，在实施例中，非球面当以与光轴垂直方向的高度为y，以沿着从非球面顶点的切平面，到高度y的非球面上位置的光轴距离(下降量)为z，以顶点曲率半径为r，以圆锥系数为k，以n次的非球面系数为Cn时，可用以下数式(a)表示。在实施例中，在形成非球面形状的透镜面上，在面编号右侧打有*印记。
[数1]
z＝(y2/r)/[1+{1-(1+k)·y2/r2}1/2]
+C4·y4+C6·y6+C8·y8+C10·y10+C12·y12+C14·y14    (a)
图12所示为与本实施形态的实施例相关的投影光学系统的透镜构成图。若参考图12，在与实施例相关的投影光学系统PL中，第1成像光学系统G1，从光栅侧起，依次由以下内容构成，即双凸透镜L11，及非球面形状的凹面朝着晶圆侧的正凸凹透镜L12，及凸面朝着光栅侧的正凸凹透镜L13，及凸面朝着光栅侧的正凸凹透镜L14，及凹面朝着光栅侧的负凸凹透镜L15，及凹面朝着光栅侧的正凸凹透镜L16，及非球面形状的凹面朝着光栅侧的正凸凹透镜L17，及凹面朝着光栅侧的正凸凹透镜L18，及双凸透镜L19，及非球面形状的凹面朝着晶圆侧的正凸凹透镜L110。
另外，第2成像光学系统G2，沿着光线的行进路线，从光栅侧起(即入射侧)依次由以下构成，即非球面形状的凸面朝着光栅侧的负凸凹透镜L21，及凹面朝着光栅侧的负凸凹透镜L22，及凹面反射镜CM。
而且，第3成像光学系统G3，沿着光线的行进路线，从光栅侧起(即入射侧)依次由以下构成：即凹面朝着光栅侧的正凸凹透镜L31，及两凸透镜L32，及非球面形状的凹面朝着晶圆侧的正凸凹透镜L33，及两凹透镜L34，及非球面形状的凹面朝着光栅侧的正凸凹透镜L35，及非球面形状的凹面朝着晶圆侧的正凸凹透镜L36，及孔径光阑AS，及两凸透镜L37，及凹面朝着光栅侧的负凸凹透镜L38，及两凸透镜L39，及凸面朝着光栅侧的正凸凹透镜L310，及非球面形状的凹面朝着晶圆侧的正凸凹透镜L311，及凸面朝着光栅侧的正凸凹透镜L312，及平面朝着晶圆侧的平凸透镜L313。
在下表中，列出了与实施例相关的投影光学系统PL的各个单元值。在表(1)中，分别表示内容为：λ表示曝光光线的中心波长，β表示投影倍率(全系统成像倍率)，NA表示像侧(晶圆侧)数值孔径，B表示晶圆W上的像圈IF的半径，A表示实效曝光区域ER的轴偏量，LX表示沿实效曝光区域ER的X方向尺寸(长边尺寸)，LY表示沿实效曝光区域ER的Y方向尺寸(短边尺寸)。
另外，分别表示内容为：面编号是沿着从物体面(第1面)的光栅面往向像面(第2面)晶圆面的光线行进方向的从光栅侧起的面顺序，r为各面曲率半径(非球面时顶点曲率半径：mm)，(C·D)为在各萤石透镜与其光轴一致的结晶轴C及其它特定结晶轴的角度位置D，ED为各面的有效直径(mm)，LD为各面的外径(mm)，ET为各透镜的边缘厚度，n为对中心波长的折射率。
而且，面间隔d在每次反射时改变其符号。所以，面间隔d的符号，在从第1光路曲折镜M1的反射面到凹面反射镜CM的光路及从第2光路曲折镜M2的反射面到像面的光路中，设为负，在其它光路中设为正。且在第1成像光学系统G1，向着光栅侧凸面曲率半径设为正，凹面曲率半径设为负。另一方面，在第3成像光学系统G3，向着光栅侧凹面曲率半径设为正，凸面曲率半径设为负。且在第2成像光学系统G2中，把沿着光线行进线路，向着光栅侧(即入射侧)，凹面曲率半径设为正，凸面曲率半径设为负。
另外，角度位置D，当结晶轴C为结晶轴[111]时，例如是对于结晶轴[-111]基准方位的角度，结晶轴C为结晶轴[100]时，例如是对于结晶轴[010]基准方位的角度。在此，所谓基准方位，要定义成为了在光栅面通过光轴AX1，而对任意设定的方位呈光学性对应。具体来讲，在光栅面当在+Y方向设定了基准方位时，第1成像光学系统G1的基准方位为+Y方向，第2成像光学系统G2的基准方位为+Z方向(与光栅面的+Y方向光学性地对应的方向)，第3成像光学系统G3的基准方位为-Y方向(与光栅面的+Y方向光学性地对应的方向)。
所以，例如(C·D)＝(100.0)，在光轴和结晶轴[100]一致的萤石透镜上，意味着其结晶轴[010]是沿着基准方位配置的。另外，(C·D)＝(100.45)，在光轴和结晶轴[100]一致的萤石透镜上，意味着其结晶轴[010]对基准方位，是成45度配置的。即(C·D)＝(100.0)的萤石透镜和(C·D)＝(100.45)的萤石透镜，构成结晶轴[100]的透镜对。
另外，例如(C·D)＝(111.0)，在光轴和结晶轴[-111]一致的萤石透镜上，意味着其结晶轴[-111]是沿着基准方位配置的。并且，(C·D)＝(111.60)，在光轴和结晶轴[111]一致的萤石透镜上，意味着其结晶轴[-111]对基准方位，是成60度配置的。即(C·D)＝(111.0)的萤石透镜和(C·D)＝(111.60)的萤石透镜，构成结晶轴[111]的透镜对。
另外，在上述角度位置D的说明中，基准方位的设定对所有透镜来说，没有必要是共通的，例如只要各透镜对的单位是共通的即可。并且，对成为基准方位角度测量对象的特定结晶轴，在为结晶轴[100]透镜对的情况下，并不限定于结晶轴[010]，在结晶轴[111]的透镜对的情况下，并不限定于结晶轴[-111]，例如能够以各透镜对的单位适当进行设定。表(1)  (主要要素因子)  λ＝1 57.6244nm  β＝-0.25  NA＝0.85B＝14.4mmA＝3mmLX＝25mmLY＝4mm(光学构件要素因子)
 面编号 r d (C·D) ED LD ET n
(光栅面)103.3533
    1   374.9539   27.7555   (100.45)   163.8   190.0   7.3   1.559307(L11)
    2  -511.3218   2.0000   165.0
    3   129.8511   41.0924   (100.0)   164.3   191.3   10.8   1.559307(L12)
    4*   611.8828   20.1917   154.3
    5   93.6033   29.7405   (100.45)   128.2   153.2   14.9   1.559307(L13)
    6   121.8341   16.0140   110.0
    7   83.6739   21.7064   (111.0)   92.3   117.3   17.3   1.559307(L14)
    8   86.7924   42.9146   73.8
    9  -112.0225   15.4381   (100.0)   71.1   111.8   19.2   1.559307(L15)
    10  -183.1783    9.7278   86.8
    11  -103.9725   24.6160   (111.0)   92.2   133.7   10.3   1.559307(L16)
    12  -79.4102   26.3046   108.7
    13*  -166.4447   35.1025   (111.60)   137.8   179.4   17.3   1.559307(L17)
    14  -112.7568    1.0007   154.4
    15  -230.1701   28.4723   (111.60)   161.5   193.4   7.1   1.559307(L18)
    16  -132.8952    1.0000   168.4
    17   268.5193   29.4927   (100.45)   167.1   192.1   5.7   1.559307(L19)
    18  -678.1883    1.0000   164.3
    19   155.2435   26.5993   (100.45)   150.3   176.9   11.6   1.559307(L110)
    20*   454.2151   61.5885   139.9
    21     ∞ -238.9300     (M1)
    22*   140.0521  -22.7399   (111.60)   124.5   187.0   47.5   1.559307(L21)
    23   760.9298  -44.1777   146.1
    24   109.3587  -16.0831   (111.0)   159.6   234.4   36.0   1.559307(L22)
    25   269.5002  -22.7995   207.8
    26   159.8269   22.7995   213.7     (CM)
    27   269.5002   16.0831   (111.0)   209.4   234.4   36.0   1.559307(L22)
  28    109.3587    44.1777   168.2
  29    760.9298    22.7399   (111.60)   162.0   187.0   47.5   1.559307(L21)
  30*    140.0521    238.9300   143.2
  31     ∞   -67.1481     (M2)
  32    2064.4076   -20.4539   (100.0)   154.9   185.0   6.1   1.559307(L31)
  33    264.1465   -1.1114   160.0
  34   -236.9696   -36.6315   (111.0)   174.4   199.4   6.5   1.559307(L32)
  35    548.0272   -14.7708   174.4
  36   -261.5738   -23.7365   (111.60)   167.9   199.5   13.1   1.559307(L33)
  37*   -844.5946   -108.7700   162.5
  38    192.9421   -16.1495   (111.0)   127.7   153.7   47.4   1.559307(L34)
  39   -139.0423   -71.8678   128.7
  40*    1250.0000   -43.1622   (100.45)   165.7   205.1   21.9   1.559307(L35)
  41    185.8787   -1.0000   180.1
  42   -206.0962   -27.6761   (111.0)   195.0   228.8   13.6   1.559307(L36)
  43*   -429.3688   -30.3562   191.8
  44     ∞   -4.0000   196.8     (AS)
  45   -1246.9477   -40.5346   (111.60)   199.6   227.5    6.2   1.559307(L37)
  46    229.5046   -19.2328   202.5
  47    153.1781   -18.0000   (100.0)   201.4   238.1   22.1   1.559307(L38)
  48    200.0000   -1.0000   213.1
  49   -1605.7826   -25.8430   (111.0)   215.0   240.0    7.1   1.559307(L39)
  50    497.7325   -1.0000   214.9
  51   -232.1186   -31.8757   (111.0)   204.9   229.9    8.3   1.559307(L310)
  52   -993.7015   -1.0000   198.1
  53   -142.9632   -44.5398   (100.45)   178.7   203.7    9.2   1.559307(L311)
  54*   -3039.5137   -3.0947   162.7
  55   -139.2455   -27.2564   (111.60)   134.5   159.5    8.2   1.559307(L312)
  56   -553.1425   -4.2798   116.2
  57   -1957.7823   -37.0461   (100.0)   110.3   135.3   35.9   1.559307(L313)
  58     ∞   -11.0000   63.6
(晶圆面数据)(非球面数据)4面k＝0C4＝4.21666×10-4     C6＝-1.01888×10-12C8＝5.29072×10-17    C10＝-3.39570×10-21C12＝1.32134×10-26   C14＝7.93780×10-1013面k＝0C4＝4.18420×10-4         C6＝-4.00795×10-12C8＝-2.47055×10-16       C10＝4.90976×10-20C12＝-3.51046×10-26      C14＝1.02968×10-2420面k＝0C4＝6.37212×10-4         C6＝-1.22343×10-12C8＝3.90077×10-16        C10＝2.04618×10-21C12＝-5.11335×10-26      C14＝3.76884×10-2922面及30面(同一面)k＝0C4＝-6.69423×10-8        C6＝-1.77134×10-14C8＝2.85906×10-17        C10＝8.86086×10-21C12＝1.42191×10-26       C14＝6.35242×10-2937面k＝0C4＝-2.34854×10-8        C6＝-3.60542×10-13C8＝-1.45752×10-17       C10＝-1.33699×10-21C12＝1.94350×10-26       C14＝-1.21690×10-2940面k＝0C4＝5.39302×10-8         C6＝-7.58468×10-13C8＝-1.47196×10-17     C10＝-1.32017×10-21C12＝0                   C14＝043面k＝0C4＝-2.36659×10-8      C6＝-4.34705×10-13C8＝2.16318×10-18      C10＝9.11326×10-22C12＝-1.95020×10-26    C14＝054面k＝0C4＝-3.78066×10-8      C6＝-3.03038×10-13C8＝3.38936×10-17      C10＝-6.41494×10-21C12＝4.14101×10-25     C14＝-1.40129×10-29
图13所示为上记实施例的横向像差示意图。在像差图中，分别表示内容为：Y为像高，实线为中心波长157.6244nm，虚线为157.6244nm+1pm＝157.6254nm，一点式点划线为157.6244nm-1pm＝157.6234nm。从图13的像差图可知，在本实施例中，尽管是确保较大的像侧数值孔径(NA＝0.85mm)及投影视野(有效直径＝28.8mm)，但可知对波长宽度157.6244nm±1pm的曝光光线，色像差仍得以良好补正。
正如上所述，在本实施例中，对中心波长157.6244nm的F2激光光线，在确保0.85像侧NA的同时，在晶圆W上，以色像差为首的各像差被充分补正的有效直径可确保28.8mm的像圈。故在确保25mm×4mm这样充分够大的矩形实效曝光区域的基础上，可实现0.1μm以下的高晰像度。
另外，在本实施例中，由于将对于投影光学系统中透镜成份外径的有效直径，规定在适当的范围之内，故提高投影光学系统的成像性能及降低成本，此二者目标均可实现。
在上述实施形态的曝光装置中，由照明装置照明(照明工序)光栅(掩模)，通过使用投影光学系统，将形成在掩模上的转写用图像曝光(曝光工序)到感光性基板上，可制造微型装置(半导体元件、摄像元件、液晶显示元件、薄膜磁头等)。以下，通过采用本实施形态的曝光装置，在感光性基板的晶圆等上，形成所定的电路图像，对得到微型装置半导体装置时的一例手法，参照图14的流程图进行说明。
首先，在图14的301步骤中，1个批次(lot)的晶圆上蒸镀有金属膜。在下一步骤302上，在其1个批次晶圆上的金属膜上涂布有光刻胶。之后，在303步骤中，使用本实施形态的曝光装置，掩模上的图形像通过投影光学系统，在1个批次晶圆上的各拍摄区域，依次曝光转写。之后，在步骤304中，1个批次晶圆上的光刻胶进行显影之后，在步骤305中，通过在1个批次的晶圆上，将光刻胶图形作为掩膜进行蚀刻，对应掩模上图形的电路图形，便形成在各晶圆上的各拍摄区域。
之后，再通过形成更上层电路图形等，制造出半导体元件等的装置。根据上述半导体装置的制造方法，可得到良品率高、拥有极细微电路图形的半导体装置。而且，在步骤301～步骤305，虽是在晶圆上蒸镀金属，再在其金属膜上涂布光刻胶，然后进行曝光、显影、蚀刻的各工序，但不用说，也可在这些工序之前，在晶圆上形成硅的氧化膜之后，在氧化膜上涂布光刻胶，然后再进行曝光、显影、蚀刻等各工序。
另外，在本实施形态的曝光装置上，通过在板子(玻璃基板)上形成所定的图形(电路图形、电极图形等)，也可得到是微型装置的液晶显示元件。以下，参照图15的流程，对此时的一例手法进行说明。在图15中，在图形形成工序401，使用本实施形态的曝光装置，将掩模的图形转写、曝光到感光性基板(涂布有光刻胶的玻璃基板)上，实行所谓光刻法。通过此光刻法工序，在感光性基板上，形成包括许多电极等的所定图形。之后，曝过光的基板通过经显影工序、蚀刻工序、光刻胶剥离工序等的工序，在基板上形成所定图形，再移向下一道彩色滤光膜形成工序。
接着，在彩色滤光膜形成工序402，形成对应R(Red)、G(Green)、B(Blue)的三个点组矩阵状的方式配列多个，或将R、G、B三个带式的滤光片(stripefilter)组配列成多个水平扫描方向的彩色滤光膜。且在彩色滤光膜形成工序402之后，实施元件组装工序403。在元件组装工序403，使用在图形形成工序401所得的具有所定图形的基板、及在彩色滤光膜形成工序402所得的彩色滤光膜等，组装液晶面板(液晶元件)，在元件组装工序403，例如，在图形形成工序401所得的具有所定图形的基板、及在彩色滤光膜形成工序402所得的彩色滤光膜之间注入液晶，制造液晶面板(液晶元件)。
之后，在模组组装工序404，安装使已组装成液晶面板(液晶元件)进行显示动作的电气电路、背照灯等，完成液晶显示元件。若根据上述液晶显示元件制造方法，可得到产率高、具有极细微电路的液晶显示元件。
另外，在上述实施形态，对于搭载于曝光装置上的投影光学系统，虽适用本发明，但并不限定于此，对其它一般的投影光学系统(成像光学系统)，也可应用本发明。且此投影(成像)光学系统的倍率，并未限定于缩小倍率，也可是等倍或扩大倍率。
另外，在上述实施形态中，虽然是将本发明应用到反射折射型投影光学系统，但也可将本发明应用到折射型投影光学系统。
而且，在上述实施形态中，虽用的是F2激光光源，但并不限定于此，例如，也可使用提供200nm以下波长光的其它适当的光源。
另外，在上述实施形态中，本发明是适用一边使掩模及基板对投影光学系统进行相对移动，一边对基板的各曝光区域，进行扫描曝光掩模图形的分步扫描方式的曝光装置。不过，并不限定于此，在使掩模及基板静止的状态下，将掩模图形一揽子向基板上转写，再将基板依次分步移动，在各曝光区域上依次对掩模图形进行曝光的分步重复方式的曝光装置，也可应用本发明。
进而，在上述实施形态中，在第3成像光学系统中虽配置了孔径光阑，但也可将孔径光阑配置到第1成像光学系统中。且也可在第1成像光学系统和第2成像光学系统之间的中间像位置，及第2成像光学系统和第3成像光学系统之间的中间像位置的至少一方配置视野光圈。
正如以上所述，在本发明的投影光学系统，例如，尽管使用的是像萤石那样具有固有双折射的光学材料，而实质上并不受双折射的影响，可实现良好的光学性能。且在本发明的曝光装置及方法中，采用实质上不受双折射的影响，且具有良好光学性能的本发明投影光学系统，能够以高晰像度进行高精度的投影曝光。并且，采用搭载本发明投影光学系统的曝光装置，通过介入高晰像的投影光学系统的高精度投影曝光，可以制造优良的微型装置。

Claims (17)

1、一种投影光学系统，包括多个透射构件，并将第1面的图像投影到第2面，其特征在于，包括由结晶材料构成的结晶透射构件，
当以该结晶透射构件的有效直径为ED，以前述结晶透射构件的外径为LD时，前述结晶透射构件中的至少一个，满足以下关系：
              0.3＜ED/LD＜0.95。
2、权利要求1所述的投影光学系统，其特征在于，前述结晶透射构件，以立方晶系的结晶材料形成，且前述结晶透射构件的光轴与结晶轴[100]或[110]大体一致地形成。
3、权利要求2所述的投影光学系统，其特征在于，前述结晶透射构件由萤石形成，且前述结晶透射构件的光轴和结晶轴[100]大体一致地形成。
4、权利要求3所述的投影光学系统，其特征在于，前述结晶透射构件的前述外径边缘厚度为5mm以上。
5、权利要求1所述的投影光学系统，其特征在于，前述结晶透射构件外径的边缘厚度为5mm以上。
6、一种投影光学系统，包括多个透射构件，并将第1面的图像投影到第2面，其特征在于，包括由萤石构成，且其光轴和结晶轴[100]大体一致地形成的萤石构件，
在前述投影光学系统所包含的所有透射构件中，当以具有最大外径的透射构件外径为XD，在前述萤石构件中，以具有最大外径的萤石构件外径为D1时，满足关系式：
              0.1＜D1/XD＜0.8。
7、一种投影光学系统，包括多个透射构件，并将第1面的图像投影到第2面，其特征在于，包括由萤石构成，且其光轴和结晶轴[110]大体一致地形成的萤石构件，
在前述投影光学系统所包含的所有透射构件中，当以具有最大外径的透射构件外径为XD，在前述萤石构件中，以拥有最大外径的萤石构件外径为D2时，满足关系式：
              0.1＜D2/XD＜0.8。
8、一种投影光学系统，包括多个透射构件，并将第1面的图像投影到第2面，其特征在于，包括由萤石构成，且其光轴和结晶轴[100]大体一致地形成的萤石构件，
在萤石构件中，前述萤石构件总数70％以上的萤石构件，配置在前述投影光学系统的光瞳位置附近。
9、权利要求8所述的投影光学系统，其特征在于，前述萤石构件，包括其光轴和结晶轴[100]大体一致地形成的第1萤石构件，及其光轴和结晶轴[100]大体一致地形成的第2萤石构件，
前述第1萤石构件和前述第2萤石构件与结晶轴[100]不相同的结晶轴，以前述光轴为中心，定位成相对只旋转45度。
10、权利要求9所述的投影光学系统，其特征在于，当以前述萤石构件的有效直径为ED，以前述萤石构件外径为LD时，前述萤石构件中至少一个满足关系式：
              0.3＜ED/LD＜0.95。
11、权利要求8所述的投影光学系统，其特征在于，当以前述萤石构件的有效直径为ED，以前述萤石构件的外径为LD时，前述萤石构件中至少一个满足关系式：
              0.3＜ED/LD＜0.95。
12、权利要求11所述的投影光学系统，其特征在于，前述结晶透射构件的前述外径边缘厚度为5mm以上。
13、权利要求8所述的投影光学系统，其特征在于，当在前述投影光学系统中包括的所有透射构件中，以具有最大外径的透射构件外径为XD，在前述萤石构件中，以具有最大外径的萤石构件外径为D1时，满足关系式：
              0.1＜D1/XD＜0.8。
14、一种投影光学系统，包括多个透射构件，并将第1面的图像投影到第2面，其特征在于，包括由萤石构成，且其光轴和结晶轴[110]大体一致地形成的萤石构件，
在该萤石构件中，前述萤石构件总数70％以上的萤石构件，配置在前述投影光学系统的光瞳位置附近。
15、权利要求14所述的投影光学系统，其特征在于，前述萤石构件，包括其光轴和结晶轴[110]大体一致地形成的第1萤石构件，及其光轴和结晶轴[110]大体一致地形成的第2萤石构件，
前述第1萤石构件和前述第2萤石构件与结晶轴[110]不相同的结晶轴，以前述光轴为中心，定位成相对只旋转90度。
16、一种曝光装置，其特征在于，具有为照明前述第1面上所设定的掩模的照明系统，及为将在前述掩模上形成的图形像，再形成到前述第2面上所设定的感旋光性基板上的如权利要求1至15中任一项所述的投影光学系统。
17、一种曝光方法，其特征在于，照明前述第1面上所设定的掩模，通过权利要求1至15中任一项所述的投影光学系统，将前述掩模上形成的图形像，投影曝光到述第2面上所设定的感旋光性基板上。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101685264A (zh) * 2003-11-20 2010-03-31 株式会社尼康 光学照明装置、曝光装置以及曝光方法
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US9140993B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
CN102707550B (zh) * 2007-10-18 2015-10-14 株式会社尼康 摄影装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6683710B2 (en) 2001-06-01 2004-01-27 Optical Research Associates Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems
US6995908B2 (en) * 2001-10-30 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Methods for reducing aberration in optical systems
US6970232B2 (en) * 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
US7453641B2 (en) 2001-10-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in optical systems
US7072102B2 (en) 2002-08-22 2006-07-04 Asml Netherlands B.V. Methods for reducing polarization aberration in optical systems
TWI395068B (zh) * 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
KR20050083468A (ko) * 2004-02-23 2005-08-26 엘지전자 주식회사 마이크로렌즈 어레이 시트가 적용된 조명 기구를 구비한액정 표시 장치 및 마이크로렌즈 어레이 시트의 제조 방법
US7511798B2 (en) * 2004-07-30 2009-03-31 Asml Holding N.V. Off-axis catadioptric projection optical system for lithography
JP2006113533A (ja) 2004-08-03 2006-04-27 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
CN101002127B (zh) * 2004-08-03 2012-07-04 株式会社尼康 投影光学系统、曝光装置以及曝光方法
TWI453796B (zh) * 2005-01-21 2014-09-21 尼康股份有限公司 偏光變更單元以及元件製造方法
DE102005024290A1 (de) * 2005-05-27 2006-11-30 Carl Zeiss Smt Ag Abbildungssystem, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
KR101763092B1 (ko) * 2005-06-02 2017-07-28 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 대물 렌즈
GB2428491A (en) * 2005-07-18 2007-01-31 Zeiss Carl Smt Ag Catadioptric Optical System with Diffractive Optical Element
EP2705809B1 (en) * 2005-08-16 2016-03-23 Benvenue Medical, Inc. Spinal tissue distraction devices
US7934390B2 (en) * 2006-05-17 2011-05-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for manufacturing a lens of synthetic quartz glass with increased H2 content
TWI408489B (zh) * 2008-03-14 2013-09-11 Compal Communications Inc 投影系統及投影方法
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3089955B2 (ja) 1994-10-06 2000-09-18 株式会社ニコン 光リソグラフィー用光学部材及び投影光学系
JP4014716B2 (ja) * 1997-06-24 2007-11-28 オリンパス株式会社 偏光補償光学系を有する光学系
US6097546A (en) * 1997-06-27 2000-08-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Projection optical unit and projection display
JP3413067B2 (ja) 1997-07-29 2003-06-03 キヤノン株式会社 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
US6201634B1 (en) * 1998-03-12 2001-03-13 Nikon Corporation Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element
EP1063684B1 (en) * 1999-01-06 2009-05-13 Nikon Corporation Method for producing a projection optical system
JP2000331927A (ja) 1999-03-12 2000-11-30 Canon Inc 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
EP1114802A4 (en) 1999-04-21 2008-12-31 Nikon Corp SILICA GLASS ELEMENT, PRODUCTION METHOD AND PROJECTION ALIGNER USING THE SAME
JP2001076992A (ja) 1999-08-31 2001-03-23 Nikon Corp 光学部材保持装置及び露光装置
US6239924B1 (en) * 1999-08-31 2001-05-29 Nikon Corporation Kinematic lens mounting with distributed support and radial flexure
EP1094350A3 (en) * 1999-10-21 2001-08-16 Carl Zeiss Optical projection lens system
US6848080B1 (en) * 1999-11-05 2005-01-25 Microsoft Corporation Language input architecture for converting one text form to another text form with tolerance to spelling, typographical, and conversion errors
US7301605B2 (en) * 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001284226A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Nikon Corp 光学部材保持装置及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法。
US6400516B1 (en) * 2000-08-10 2002-06-04 Nikon Corporation Kinematic optical mounting
DE10210782A1 (de) 2002-03-12 2003-10-09 Zeiss Carl Smt Ag Objektiv mit Kristall-Linsen
EP1390783A2 (de) 2001-05-15 2004-02-25 Carl Zeiss Objektiv mit fluorid-kristall-linsen
DE10123725A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
US6683710B2 (en) * 2001-06-01 2004-01-27 Optical Research Associates Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems
US20030011893A1 (en) * 2001-06-20 2003-01-16 Nikon Corporation Optical system and exposure apparatus equipped with the optical system
JP3639807B2 (ja) * 2001-06-27 2005-04-20 キヤノン株式会社 光学素子及び製造方法
US6831731B2 (en) * 2001-06-28 2004-12-14 Nikon Corporation Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system
WO2003006367A1 (en) * 2001-07-09 2003-01-23 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Minimizing spatial-dispersion-induced birefringence
US6788389B2 (en) * 2001-07-10 2004-09-07 Nikon Corporation Production method of projection optical system
US6775063B2 (en) * 2001-07-10 2004-08-10 Nikon Corporation Optical system and exposure apparatus having the optical system
DE10133842A1 (de) * 2001-07-18 2003-02-06 Zeiss Carl Verzögerungsplatte aus kubischem Kristall
US6785051B2 (en) * 2001-07-18 2004-08-31 Corning Incorporated Intrinsic birefringence compensation for below 200 nanometer wavelength optical lithography components with cubic crystalline structures
DE10133841A1 (de) * 2001-07-18 2003-02-06 Zeiss Carl Objektiv mit Kristall-Linsen
US6844915B2 (en) * 2001-08-01 2005-01-18 Nikon Corporation Optical system and exposure apparatus provided with the optical system
US6844972B2 (en) * 2001-10-30 2005-01-18 Mcguire, Jr. James P. Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements
US6970232B2 (en) * 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
US7453641B2 (en) * 2001-10-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in optical systems
US6995908B2 (en) * 2001-10-30 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Methods for reducing aberration in optical systems
AU2002342890A1 (en) 2002-03-14 2003-09-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical system with birefringent optical elements

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9146474B2 (en) 2003-04-09 2015-09-29 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger and different linear polarization states in an on-axis area and a plurality of off-axis areas
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US9164393B2 (en) 2003-04-09 2015-10-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in four areas
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9244359B2 (en) 2003-10-28 2016-01-26 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9146476B2 (en) 2003-10-28 2015-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9140992B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423697B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9140993B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9164209B2 (en) 2003-11-20 2015-10-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction
CN101685264B (zh) * 2003-11-20 2014-03-12 株式会社尼康 光学照明装置、曝光装置以及曝光方法
CN101685264A (zh) * 2003-11-20 2010-03-31 株式会社尼康 光学照明装置、曝光装置以及曝光方法
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9140990B2 (en) 2004-02-06 2015-09-22 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9423694B2 (en) 2004-02-06 2016-08-23 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9429848B2 (en) 2004-02-06 2016-08-30 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
CN102707550B (zh) * 2007-10-18 2015-10-14 株式会社尼康 摄影装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100914370B1 (ko) 2009-08-28
US20040004771A1 (en) 2004-01-08
US6844982B2 (en) 2005-01-18
JP4333078B2 (ja) 2009-09-16
TWI267659B (en) 2006-12-01
TW200305787A (en) 2003-11-01
JP2003318098A (ja) 2003-11-07
KR20030084776A (ko) 2003-11-01

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