CN1453642A - 投影光学系统、其制造方法、曝光装置及曝光方法 - Google Patents

投影光学系统、其制造方法、曝光装置及曝光方法 Download PDF

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Abstract

一种投影光学系统，将第一面(R)的影像形成在第二面(W)上。投影光学系统具备以属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材。至少两个结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]以及结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏差设定在1度以下。萤石透镜的光轴与预定结晶轴之间的角度偏差抑止在预定的容许范围内，投影光学系统在实质上便不会受到萤石双折射的影响，并且可以确保良好的光学性能。

Description

投影光学系统、其制造方法、曝光装置及曝光方法
技术领域
本发明是有关于一种投影光学系统、其制造方法、曝光装置及曝光方法。且特别是有关于一种以微影工艺，制造半导体元件等的微电子元件时使用的曝光装置所适用的反射折射型投影光学系统。
背景技术
近年来，半导体元件的制造与半导体晶片封装基板的制造，已经迈入细微化。在光转印图案的曝光装置中，不断要求更高分辨率的投影光学系统。为了满足高分辨率的要求，必须将曝光光的波长缩短且将数值孔镜(numerical aperture，NA)加大。但是，若加曝光光的波长缩短，因光吸收而在实用上耐用的光学材料种类会受到限制。
例如，波长在200nm以下的真空紫外线区域，特别是以F2激光作为曝光光的情形，构成投影光学系统的光穿透性光学材料必须多半使用氟化钙(萤石：CaF2)或氟化钡(BaF2)等的氟化物结晶。实际上，在使用F2激光作为曝光光的曝光装置中，基本上是假定仅以萤石来形成投影光学系统。萤石是属于立方晶系(等轴晶系)的结晶，在光学上是等方性的，因此实质上并无双折射。此外，在从前的可见光范围的实验中，萤石只观察到很小的双折射(起因于内部应力的随机产物)。
然而，在2001年5月15日所招开的关于微影技术(lithography)的研讨会(2nd International Symposium on 157nm Lithography)中，美国NIST的John H.Burnett发表的论文中，从实验与理论两方面可以确认萤石具备固有的双折射(intrinsic birefringence)。
根据此发表论文的话，萤石的双折射在结晶轴[111]方向和与此等价的结晶轴[-111]、结晶轴[1-11]、结晶轴[11-1]方向，以及在结晶轴[100]方向和与此等价的结晶轴[010]、结晶轴[001]方向，几乎为零。但是实质上，在其它方向上，双折射具有不是零的值。特别是，在结晶轴[110]、[-110]、[101]、[-101]、[011]、[01-1]的六个方向，相对于波长157nm，双折射有最大的11.2nm，而相对于波长193nm，双折射有最大的3.4nm。
如上所述，在投影光学系统中使用具有固有双折射的萤石所形成的透镜(一般，穿透部材)的情形下，萤石的双折射对成像性能的影响很大，特别是显著地表现在表面线宽误差(ΔCD：critical dimension)。在此，Burnett在上述的发表中，提出降低双折射效应的影响，其利用使萤石透镜对(以萤石所形成的透镜对)的光轴与结晶轴[111]一致，并且以光轴为中心，使萤石透镜对相对地旋转60度。
一般而言，让萤石透镜的光轴与结晶轴[111]精确地且优良地一致，组装到投影光学系统中并不容易。此外，要在一对萤石透镜相对于光轴旋转预定角度的状态下，组装到投影光学系统中也很不容易。但是，在投影光学系统中，为了在实质上不受到双折射的影响且确保良好的光学性能，将萤石透镜的光轴与结晶轴[111]的角度偏差以及萤石透镜对的相对于光轴的旋转角度偏差控制在预定的容许量之下是非常重要的。
此外，在萤石结晶中，具有异端结晶轴方位的偏移的区域明显地有局部存在的可能性(所谓的粒界(grain boundary))。为确保期望的光学性能，最好是使用存在有结晶轴方位偏移区域的萤石结晶(以下称为异端萤石结晶)。从生产性或成本的观点来看，也必须使用异端萤石结晶来实施。在此情形之投影光学系统中，为了在实质上不受到双折射的影响且确保良好的光学性能，将结晶轴方位的相对角度偏移控制在预定的容许量以下是很重要的。
发明内容
因此，有鉴于上述的说明，本发明的目的是提出一种投影光学系统以及其制造方法，其中例如将萤石透镜的光轴与预定结晶轴间的角度偏移以及萤石透镜对的相对于光轴的旋转角度偏移控制在预定的容许量以下，故可以在实质上不受到萤石双折射的影响且确保良好的光学性能。
本发明的另一目的是提出一种投影光学系统，其例如将使用于形成萤石透镜的异端萤石结晶的结晶轴方位的相对角度偏移控制在预定的容许量以下，故可以在实质上不受到萤石双折射的影响且确保良好的光学性能。
本发明的另一目的是提出一种曝光装置与曝光方法，其使用在实质上不受到萤石双折射的影响且确保良好的光学性能的投影光学系统，来进行高分辨率且高精确度的投影曝光。
为达成上述与其它目的，本发明的第一发明为提出一种投影光学系统，用以将第一面的像形成于第二面上。投影光学系统包括：以属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材，该至少两个结晶穿透部材之结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，以及该至少两个结晶穿透部材的预定结晶轴的光轴旋转的相对旋转角度的预定值的角度偏移，两者中的任何一个设定在1度以下。
以据上述第一发明的话，该至少两个结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。在此情形下，更具备配置在最靠近前述第二面的结晶穿透部材，此备配置在最靠近前述第二面的结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，最好设定在1度以下。
依据上述第一发明的话，更包括凹面镜以及配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材，该配置在凹面镜附近的结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。前述投影光学系统为将前述第一面的中间像形成于前述第一面与前述第二面间的光路的反射折射型再成像光学系统。
再者，依据上述第一发明的话，投影光学系统更包括：第一成像光学系统，用以形成前述第一面的一第一中间像；第二成像光学系统，至少包括凹反反射镜与结晶穿透部材，用以依据来自第一中间像的光束，形成第二中间像；第三成像光学系统，用以依据自第二中间像的光束，形成最终像；第一偏向镜，配置在第一成像光学系统与第二成像光学系统之间的光路；以及第二偏向镜，配置在第二成像光学系统与第三成像光学系统之间的光路。第一成像光学系统的光轴与第三成像光学系统的光轴设定成大致一致，并且配置在该第二成像光学系统的光路的前述结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。
依据上述第一发明的话，该投影光学系统所包含的所有结晶穿透部材中的15％以上的结晶穿透部材中，结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。此外，投影光学系统所包含的所有结晶穿透部材中，结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在2度以下。
本发明的第二发明提供一种投影光学系统，用以将第一面的像形成于第二面上。投影光学系统包括：以属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材，在该至少两个结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。
依据上述第二发明的话，投影光学系统更具备配置在最靠近前述第二面之结晶穿透部材，在该备配置在最靠近前述第二面的结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。此外，投影光学系统也可更包括凹面镜以及配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材，在该配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。在此情形，投影光学系统为将前述第一面的中间像形成于前述第一面与前述第二面间的光路的反射折射型再成像光学系统。
依据上述第二发明的话，投影光学系统更包括：第一成像光学系统，用以形成前述第一面的第一中间像；第二成像光学系统，至少包括凹反反射镜与结晶穿透部材，用以依据来自第一中间像的光束，形成第二中间像；第三成像光学系统，用以依据自第二中间像的光束，形成最终像；第一偏向镜，配置在第一成像光学系统与第二成像光学系统之间的光路；以及第二偏向镜，配置在第二成像光学系统与第三成像光学系统之间的光路。第一成像光学系统的光轴与第三成像光学系统的光轴设定成大致一致，并且配置在第二成像光学系统的光路的前述结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。
依据上述第二发明的话，投影光学系统所包含的所有结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。此外，在第一与第二发明中，前述立方晶系所属的结晶材料为氟化钙或氟化钡。
本发明的第三发明提供一种曝光装置，包括：照设系统，用以照明设定于前述第一面的光罩；投影光学系统，为前述第一或第二发明所述的投影光学系统，用以将该光罩上所形成的一图案像，形成于设定在该第二面上的感旋光性基板。
本发明的第四发明提供一种曝光方法，包括：照明设定于前述第一面的一光罩；经由前述第一或第二发明所述的该投影光学系统，将光罩上所形成的图案像，形成于设定在第二面上的感旋光性基板。
本发明的第五发明提供一种投影光学系统制造方法，具有属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材，用以将第一面的像形成于第二面上。投影光学系统的制造方法包括：设计工程，将该至少两个结晶穿透部材的光轴，设计成与结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴的一预定结晶轴一致；以及制造工程，制造该至少两个结晶穿透部材，使得预定结晶轴的该光轴之间的角度偏移在1度以下。
依据上述第五发明的话，前述制造工程更包括调整从单晶的圆盘状材料的切割的工程，以及调整圆盘状材料的研磨的工程。此外，前述至少两个结晶穿透部材包括第一结晶穿透部材与第二结晶穿透部材，并且在制造工程中，第一结晶穿透部材的预定结晶轴与第二结晶穿透部材的预定结晶轴的光轴旋转的相对旋转角度，与预定设定值的角度偏差，最好设定在5度以下。
本发明的第六发明提供一种曝光装置，包括：照明系统，用以照明设定在第一面的光罩上；以及投影光学系统，以前述第五发明的投影光学系统制造方法来制造，用以透过投影光学系统，将形成在光罩上的图案像，形成于设定在前述第二面的感旋光性基板上。
本发明的第七发明提供一种曝光方法，包括：照明设定在第一面的光罩上；以及经前述第五发明的投影光学系统制造方法来制造的投影光学系统，将形成在光罩上的图案像，形成于设定在前述第二面的感旋光性基板上。
附图说明
图1为萤石结晶轴方位的说明图；
图2A至图2C为Burnett方法的说明图，并且绘出相对于光线入射角的双折射的分布图；
图3A至图3C为本发明所提的第一方法的说明图，并且绘出相对于光线入射角的双折射的分布图；
图4A至图4C为本发明所提的第二方法的说明图，并且绘出相对于光线入射角的双折射的分布图；
图5绘示具备本发明实施例的投影光学系统的曝光装置的构造示意图；
图6绘示晶圆上形成的矩形曝光区域(亦即有效曝光区域)与基准光轴之间的位置关系图。
图7绘示第一实施例的投影光学系统的透镜构成示意图；
图8绘示第一实施例的横向像差图；
图9绘示第一实施例的投影光学系统的透镜构成示意图；
图10绘示第二实施例的横向像差图；
图11绘示在第一实施例中，当各萤石透镜的结晶轴与光轴间产生1度的角度偏移时，表面线宽的变化量；
图12绘示在第二实施例中，当各萤石透镜的结晶轴与光轴间产生1度的角度偏移时，表面线宽的变化量；
图13绘示本发明实施例的投影光学系统的制造方法的流程示意图；
图14绘示准备对投影光学系统所使用的波长具有光穿透性的等轴晶系的结晶材料的结晶材料准备工程的详细流程图；
图15绘示劳厄摄影机的示意图；
图16绘示双折射测量机的结构示意图；
图17绘示微电子元件为半导体元件时的制作流程图；以及
图18绘示微电子元件为液晶显示元件时的制作流程图。
100：X射线源         101：X射线101
102：准直器102       103：结晶材料
104：绕射X射线       105：X射线感光材料
110：光源            111：偏光器
112：光弹性调变器    113：结晶材料样本
114：光检测器        115：光检测器
RIF：干涉计          RM：十字标记移动镜
IL：照明光           R：十字标记
RH：十字标记保持器   RS：十字标记载置台
AX：基准光轴         PL：投影光学系统
WIF：干涉计          WM：晶圆移动镜
W：晶圆              WT：晶圆台
WS：晶圆载置台       IF：影像圈
A：偏轴量             B：影像圈的半径
ER：有效曝光区域      LX X：方向长度
LYY：方向长度         G1：第一成像光学系统
G2：第二成像光学系统  G3：第三成像光学系统
L11～L110：透镜       L21～L22：透镜
L31～L313：透镜       M1：反射镜
M2：反射镜            CM：凹面反射镜
AS：光圈
具体实施方式
图1用来说明萤石的结晶轴方位的示意图请参考图1，萤石的结晶轴是依据立方晶系的XYZ坐标系统来决定。换句话说，沿着+X轴是定义为结晶轴[100]，沿着+Y轴是定义成[010]，而沿着+Z轴则定义成结晶轴[001]。
此外，在XZ平面上，与结晶轴[100]和结晶轴[001]成45度角方向是定义成结晶轴[101]。在XY平面上，与结晶轴[100]和结晶轴[010]成45度角方向是定义成结晶轴[110]。在YZ平面上，与结晶轴[010]和结晶轴[001]成45度角方向是定义成结晶轴[011]。此外，在相对于+X轴、+Y轴与+Z轴为一锐角方向则定义为结晶轴[111]。
图1中，仅仅画出以+X轴、+Y轴与+z轴所为出来的空间。但是，在其它空间中，也同样地可以规定出结晶轴。对于萤石，在图1以实线所示的结晶轴[111]方向以及与此方向等同但没有绘出的结晶轴[-111]、[1-11]与[11-1]方向的双折射几乎为零(最小)。同样地，在图1以实线绘示的结晶轴[100]、[010]与[001]方向，双折射也几乎为零(最小)。另一方面，在图1以虚线所示的结晶轴[110]、[101]与[011]方向以及与此些等同但未绘出的结晶轴[-110]、[-101]与[01-1]方向上，双折射率为最大。
Burnett在前述的发表中，提出了降低双折射率影响的方法。图2A至图2C标用来说明Burnett的方法，并且绘出相对于光线入射角(光线与光轴所成的角度)的双折射率分布图。在图2A至图2C中，图中以虚线表示的五个同心圆中，每一刻度表示10度。因此，最内侧的圆是表示对光轴的入射角为10度的范围，而最外侧圆则表示对光轴的入射角为50度的范围。
此外，黑圈表示具有较大折射率的无双折射区域，白圈表示具有较小折射率的无双折射区域。另一方面，粗线圆圈以及长双箭符号表示在有双折射区域中，有较大折射率的方向；细线圆圈以及短双箭符号表示在有双折射区域中，有较小折射率的方向。在后续图3中，也以相同的标示来表示。
在Burnett的方法是让一对萤石透镜(以萤石所形成的透镜)的光轴与结晶轴[111](或与此结晶轴[111]光学等价的结晶轴)一致，并且以光轴为中心，使该对萤石透镜相对地旋转60度。因此，其中的一萤石透镜的双折射率分布呈现如图2A所示一般，而另一萤石透镜的双折射率分布呈现如图2B所示一般。最后，整对萤石透镜的双折射分布为如图2C所示。
在此情形，参考图2A与图2B，与光轴一致的结晶轴[111]所对应的区域为具有较小折射率的无双折射区域。此外，对应结晶轴[100]、[010]与[001]的区域为具有较大折射率的无双折射区域。其次，对应结晶轴[110]、[101]与[011]的区域为双折射区域，其在对周缘方向偏光的折射率较小，而在对径向偏光的折射率较大。如此，对于每个萤石透镜，在从光轴到35.26度(结晶轴[111]与结晶轴[110]所成的角度)的区域，受到双折射的影响是最大的。
请参考图2C，利用将一对萤石透镜相对地旋转60度，整体萤石透镜对受到双折射最大的结晶轴[110]、[101]与[011]的影响可以降低。在从光轴至35.26度的区域，仅留下对周缘方向偏光的折射率比对径向偏光的折射率小的双折射区域。换言之，利用Burnett的方法，仅留下对光轴的旋转对称分布，但双折射影响可以大为降低。
此外，在本发明所提出的第一方法中，使萤石透镜对(一般为萤石所形成的穿透部材)的光轴与结晶轴[100](或与该结晶轴[100]光学等价的结晶轴)一致，并且以光轴为中心，将萤石透镜对相对地旋转45度。在此与结晶轴[100]光学等价的结晶轴为结晶轴[010]与[001]
图3A至图3C用来说明本发明所提的第一方法，其绘示相对于光线入射角(光线与光轴所成的角)的双折射率分布图。在本发明所提的第一方法中，其中的一萤石透镜的双折射率分布呈现如图3A所示一般，而另一萤石透镜的双折射率分布呈现如图3B所示一般。最后，整个萤石透镜对的双折射分布为如图3C所示。
参考图3A与图3B，在本发明所提的第一方法中，与光轴一致的结晶轴[100]所对应的区域为具有较大折射率的无双折射区域。此外，对应结晶轴[111]、[1-11]、[-11-1]与[11-1]的区域为具有较大折射率的无双折射区域。其次，对应结晶轴[101]、[10-1]、[110]与[0-10]的区域为双折射区域，其在对周缘方向偏光的折射率较大，而在对径向偏光的折射率较小。如此，对于每个萤石透镜，在从光轴到45度(结晶轴[100]与结晶轴[101]所成的角度)的区域，受到双折射的影响是最大的。
请参考图3C，利用将萤石透镜对相对地旋转45度，整体萤石透镜对受到双折射最大的结晶轴[101]、[10-1]、[110]与[0-10]的影响可以降低。在从光轴至45度的区域，仅留下对周缘方向偏光的折射率比对径向偏光的折射率大的双折射区域。换言之，利用本发明所提的第一方法，仅留下对光轴的旋转对称分布，但双折射影响可以大为降低。
此外，在本发明所提的第一方法中，以光轴为中心将其中一萤石透镜与另一萤石透镜相对地旋转45度的意义是指：与其中的一萤石透镜与另一萤石透镜的光轴不同方向的预定结晶轴(例如，结晶轴[010]、[001]、[011]或[01-1])的光轴为中心，相对的角度为约45度。具体而言，例如其中的一萤石透镜的结晶轴[010]与另一萤石透镜结晶轴[010]的光轴为中心的相对角度为约45度。
此外，从图3A与图3B可以了解，当以结晶轴[100]为光轴时，以光轴为中心的双折射影响的旋转非对称性呈现出90度的周期。因此，在本发明所提的第一方法中，以光轴为中心相对地旋转45度意指以光轴为中心，相对地旋转45度+(n×90度)；亦即与相对地旋转45度、135度、225度或315度…等是相同的意思(在此n为整数)。
另一方面，在Burnett的方法中，将一萤石透镜与另一萤石透镜，以光轴为中心相对地旋转约60度系指：与其中的一萤石透镜与另一萤石透镜的光轴不同方向的预定结晶轴(例如，结晶轴[-111]、[11-1]或[1-11])的光轴为中心，相对的角度为约60度。具体而言，例如其中的一萤石透镜的结晶轴[-111]与另一萤石透镜结晶轴[-111]的光轴为中心的相对角度为约60度。
此外，从图2A与第2图可以明白，当以结晶轴[111]为光轴时，以光轴为中心的双折射影响的旋转非对称性呈现出120度的周期。因此，在Burnett的方法中，以光轴为中心相对地旋转60度意指以光轴为中心，相对地旋转60度+(n×120度)；亦即与相对地旋转60度、180度、或300度…等是相同的意思(在此n为整数)。
此外，在本发明所提出的第二方法中，是使萤石透镜对(一般为萤石所形成的穿透部材)的光轴与结晶轴[110](或与该结晶轴[110]光学等价的结晶轴)一致，并且以光轴为中心，将萤石透镜对相对地旋转90度。在此与结晶轴[110]光学等价的结晶轴为结晶轴[-110]、[101]、[-101]、[011]与[01-1]。
图4A至图4C用来说明本发明所提的第二方法，其绘示相对于光线入射角(光线与光轴所成的角)的双折射率分布图。在本发明所提的第二方法中，其中的一萤石透镜的双折射率分布呈现如图4A所示一般，而另一萤石透镜的双折射率分布呈现如图4B所示一般。最后，整个萤石透镜对的双折射分布为如图4C所示。
参考图4A与图4B，在本发明所提的第2方法中，与光轴一致的结晶轴[110]所对应的区域为一双折射区域，在对于其中的一方向的偏光具有较大的折射率，而对于另外一方向(与前一方向互相垂直)的偏光有较小的折射率。结晶轴[100]与[010]所对应的区域为为具有较大折射率的无双折射区域。其次，结晶轴[111]与[11-1]所对应区域为折射率较小的无双折射区域。
请参考图4C，利用将萤石透镜对相对地旋转90度，双折射最大的结晶轴[110]的影响几乎为没有，且光轴附近为具有中间折射率的无双折射区域。亦即，利用本发明所提的第2方法，在实质上不会受到双折射效应的影响，并且可以确保良好的成像品质。
此外，在本发明所提的第二方法中，以光轴为中心将其中一萤石透镜与另一萤石透镜相对地旋转90度的意义是指：与其中的一萤石透镜与另一萤石透镜的光轴不同方向的预定结晶轴(例如，结晶轴[001]、[-111]、[-110]或[1-11])的光轴为中心，相对的角度为约90度。具体而言，例如其中的一萤石透镜的结晶轴[001]与另一萤石透镜结晶轴[001]的光轴为中心的相对角度为约90度。
此外，从图4A与图4B可以了解，当以结晶轴[110]为光轴时，以光轴为中心的双折射影响的旋转非对称性呈现出180度的周期。因此，在本发明所提的第二方法中，以光轴为中心相对地旋转90度意指以光轴为中心，相对地旋转90度+(n×180度)；亦即与相对地旋转90度、270度…等是相同的意思(在此n为整数)。
如上述的说明，利用使萤石透镜对光轴与结晶轴[111]一致，且以光轴为中心将萤石透镜对相对地旋转60度，或者利用使萤石透镜对光轴与结晶轴[100]一致，且以光轴为中心将萤石透镜对相对地旋转45度，亦或利用使萤石透镜对光轴与结晶轴[110]一致，且以光轴为中心将萤石透镜对相对地旋转90度，双折射效应的影响可以大为降低。
如前所述，在投影光学系统中，在实质上不受到萤石双折射效应的影响并且可以确保良好的光学性能方面，将萤石透镜光轴与预定结晶轴(结晶轴[111]、结晶轴[100]或结晶轴[110])的角度偏差抑制在预定的容许量以下是很重要的。依据本发明，在以属于如萤石般的立方晶系的结晶材料所形成的结晶穿透部材中，如结晶轴[111]、结晶轴[100]或结晶轴[110]等的预定结晶轴与光轴间的角度偏差是设定在1度以下。
如在后述的各实施例中的数值检验一般，通过将作为结晶穿透部材的萤石透镜光轴与预定的结晶轴间的角度偏差设定在1度以下，在实质上可以不受萤石的双折射效应影响，并且可以确保良好的光学性能。此外，对于在实质上可以不受萤石的双折射效应影响并且可以确保良好的光学性能的这一方面上，必须将包含在投影光学系统中的至少两种结晶穿透部材的角度偏差设定在1度以下。较佳而言，必须将包含在投影光学系统中的所有结晶穿透部材的角度偏差设定在2度以下。
此外，如在后述的各实施例中的数值检验一般，在数值孔径(开口数)较大的投影光学系统中，穿透配置在成像面附近的透镜成分(元件)的光线的透镜内角度差较大，即使选择了应与光轴一致作为预定结晶轴，如双折射较小的结晶轴[111]或结晶轴[100]，在穿透光束中也有大受双折射影响的光线存在，因此在配置于成像面附近的透镜成分(元件)，设计成使特定结晶轴与透镜光轴一致是非常重要的。换言之，在有效地降低双折射效应影响方面，特别是在最靠近成像面(第2面)的结晶穿透部材，最好将预定的结晶轴与光轴的角度偏差设定在1度以下。
此外，在反射折射型投影光学系统的情形时，为了色差与像面弯曲的补正，通常会在凹面反射镜附近配置透镜成分(元件)。但是，穿透此透镜成分(元件)的光线的透镜内角度差较大，而且因为在穿透光束中也有大受双折射影响的光线存在以及这些光线会在凹面反射镜所形成的往复光路径中往复行进，故配置在凹面反射镜所形成的往复光路径上的透镜成分中，特别是将预定的结晶轴设计成与光轴一致是非常重要的。换言之，在有效地降低双折射效应影响方面，特别是对于在凹面反射镜附近所配置的结晶穿透部材，最好将预定的结晶轴与光轴的角度偏差设定在1度以下。
其次，对于在物体面与成像面间形成中间像的反射折射型并且为再成像型的投影光学系统的情形时，因为凹面反射镜的放大率(power)很强而导致穿透配置在凹面反射镜附近的透镜成分(元件)的光线的透镜内角度差变得很显著，且由于在穿透光束中也有大受双折射影响的光线存在，故特别是对于在凹面反射镜附近所配置的透镜成分(元件)，最好将预定的结晶轴与透镜光轴的角度偏差设定在1度以下。
此外，对于在物体面与成像面间形成两个中间像的反射折射型并且为三次成像型的投影光学系统的情形时也是相同的。因为在搭载凹面反射镜的第二成像光学系统的光路上所配置的结晶穿透部材特别容易受到双折射效应的影响，最好将预定的结晶轴与光轴间的角度偏差设定在1度以下。此外，假设构成投影光学系统的所有透镜成分(元件)是例如由萤石所形成的话，约有15％左右的透镜成分会成为对表面线宽误差ΔCD有影响的明显成分。因此，在投影光学系统所包含的所有结晶穿透部材中，对于15％以上的结晶穿透部材，最好将预定的结晶轴与光轴间的角度偏差设定在1度以下。
此外如前所述一般，在投影光学系统中，对于实质上不受双折射效应影响并且可以确保良好的光学性能方面，将萤石透镜对的光轴旋转的相对旋转角度偏差抑制在预定的容许量以下是非常重要的。依据本发明，对于结晶穿透部材对，其从在预定结晶轴(与结晶轴[111]、结晶轴[100]或结晶轴[110]垂直的结晶轴)的光轴旋转相对旋转角度预定值(如60度、45度获90度)的角度偏差系设定在1度以下。因此，通过将萤石透镜对的光轴旋转的相对旋转角度偏差设定在1度以下，实质上便可不受双折射效应影响并且可以确保良好的光学性能。
再者如前所述一般，在萤石结晶中，具有异端结晶轴方位偏差的区域也有可能会局部地存在。因此，在投影光学系统中，为了在实质上不受双折射效应影响并且可以确保良好的光学性能，在异端萤石结晶中，将结晶轴方位的相对角度偏差抑制在预定的容许量以下是非常重要的。依据本发明，在以属于如萤石般的立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材中，当有结晶轴方位偏差的区域存在时，将其相对角度偏差设定在2度以下。
因此，例如用在形成作为结晶穿透部材的萤石透镜的异端萤石结晶中，通过将其结晶轴方位的角度偏差抑制在2度以下，在实质上便可不受双折射效应影响，并且可以确保良好的光学性能。在结晶轴方位的角度偏差情形下，也与预定结晶轴与光轴间的角度偏差相同，为了有效地降低双折射效应的影响，特别是对于配置在最靠近成像面(第2面)的结晶穿透部材以及配置在凹面反射镜附近的结晶穿透部材，最好将结晶轴方位的相对角度偏差设定在2度以下。
同样地，在反射折射型且再成像型的投影光学系统的场合中，为了有效地降低双折射效应的影响，对于配置在凹面反射镜附近的结晶穿透部材，最好将结晶轴方位的相对角度偏差设定在2度以下。此外，在物体面与成像面间形成两个中间像的反射折射型并且为三次成像型的投影光学系统的场合中，为了有效地降低双折射效应的影响，对于搭载凹面反射镜的第二成像光学系统的光路上所配置的结晶穿透部材，最好将结晶轴方位的相对角度偏差设定在2度以下。其次，为了有效地降低双折射效应的影响，在投影光学系统中所含的所有结晶穿透部材中，最好将结晶轴方位的相对角度偏差设定在2度以下。
此外，在本发明中，当在决定结晶穿透部材的预定结晶轴与光轴间的角度偏差的容许值，结晶穿透部材对的预定结晶轴的相对旋转角预定值算起的角度偏差的容许值，以及结晶轴方位的相对角度偏差等等时，使用目前双折射影响最显著的相移式十字标记(phase shiftingreticle)，将在投影曝光栅图案(gate pattern)等细线时的表面线宽误差ΔCD作为指针。通过满足本发明上述的容许值，线宽误差可以抑制在分辨率线宽的2％以下。假设超分辨率技术更进步以及投影光学系统的大NA值化的话，各容许值希望可以缩小至70％左右。
接着依据附加图式来说明本发明的实施例。
图5绘示具备本发明实施例的投影光学系统的曝光装置的概略示意图。此外，在图5中，将与投影光学系统PL的基准光轴AX平行的轴设定为Z轴，将在与基准光轴AX垂直的平面上且与图5图面平行的轴设定为Y轴，与图5图面垂直的轴设定成X轴。
图所示之曝光装置具备光源100，其用来提供紫外线区域照明光，此光源可例如F2激光源(中心振荡波长为157.6244nm)。从光源100所发出的光，经过照明光学系统IL，被均匀地照明到已形成预定图案的十字标记R上。此外，光源100与照明光学系统IL间的光路以机壳(casing)加以密封，从光源100到照明光学系统IL内最靠近十字标记R侧的光源元件的空间，可以置换成对曝光光束吸收率低的气体，例如氦气或氮气等惰性气体，或者是保持在真空状态。
十字标记R经由十字标记保持器RH，被保持在十字标记载置台RS上并且平行于XY平面。应转印的图案则形成在十字标记R上，而在图案区域整体中，沿着X方向为长边并且沿着Y方向为短边的矩形(缝状)的图案区域被照明。十字标记载置台RS可以利用图式未标出的驱动系统，沿着十字标记面(亦即XY平面)进行二维的移动，并且通过使用十字标记移动镜RM的干涉计RIF，其坐标位置可被量测与位置控制。
来自形成于十字标记R上的图案的光，经由反射折射型投影光学系统PL，在感旋光性基板的晶圆W上形成十字标记图案像。晶圆W经由晶圆台(wafer table或晶圆保持器)WT，以平行于XY平面方向，被保持在晶圆载置台WS上。接着，以光学地对应至十字标记R的矩形照明区域的方式，将图案像形成于在晶圆W上的沿着X方向为长边且沿着方向为短边的矩形照明区域上。晶圆载置台WS利用图式省略的驱动系统的动作，可以沿着晶圆面上(亦即XY平面)做二维的移动，其坐标位置是使用晶圆移动镜WM以干涉计WIF来测量，并且做位置控制。
图6绘示晶圆上所形成的矩形曝光区域(亦即有效曝光区域)与基准光轴间的位置关系。在本发明的各个实施例中，如图6所示，在以基准光轴AX为中心的半径B的圆形区域(影像圈)IF内，在从基准光轴AX的-Y方向离开偏轴量A的位置上，设定具有期望大小的矩形有效曝光区域ER。在此，有效曝光区域ER的X方向长度为LX，且Y方向长度为LY。
换言之，在各实施例，在从基准光轴AX离开偏轴量A的位置上，设定具有期望大小的矩形有效曝光区域ER，并且定出圆形影像圈的半径B，使其以基准光轴AX为中心并包含有效曝光区域ER。因此，虽然图式中省略，但是对应于此，对应于在从基准光轴AX离开偏轴量A的位置上的有效曝光区域ER的大小与形状的矩形照明区域(亦即有效照明区域)形成在十字标记R上。
此外，如图标的曝光装置，在构成投影光学系统PL的光学部材中，配置在最靠近十字标记侧的光学部材(在各实施例为透镜L11)与配置在最靠近晶圆侧的光学部材(各实施例为透镜L313)之间的投影光学系统PL内部，被保持在气密状态。投影光学系统PL内部的气体可以置换氦气或氮气等的非活性气体，或者可以大致保持在真空状态。
再者，十字标记R与十字标记载置台RS等是配置在照明光学系统IL与投影光学系统PL间的狭窄光路上。但是，将十字标记R与十字标记载置台RS等密封包围住的机壳(未绘出)之内部可以填入氮气或氦气等的非活性气体，或者可以大致保持在真空状态。
此外，晶圆W与晶圆载置台WS等是配置投影光学系统PL与晶圆W间的狭窄光路上。但是，将晶圆W与晶圆载置台WS等密封包围住的机壳(未绘出)之内部可以填入氮气或氦气等的非活性气体，或者可以大致保持在真空状态。如此，从光源100到晶圆W的整个光路，可以形成一种环境使得曝光光束可已几乎不被吸收。
如上所述，以投影光学系统PL所规定出的十字标记R上的照明区域以及晶圆W上的曝光区域，是沿着Y方向具有短边的矩形。因此，一边使用驱动系统与干涉计(RIF、WIF)等来进行十字标记R与晶圆之位置控制，一边沿着矩形曝光区域及照明区域的点边方向(亦即沿着Y方向)，使十字标记载置台RS与晶圆载置台WS在朝向与十字标R与晶圆W相同方向上同步移动(扫描)。借此，在晶圆上，对于具有与曝光区域长边相等的宽度并且具有对应晶圆W的扫描量(移动量)的长度的区域，十字标记图案被扫描曝光于晶圆上。
在本发明各实施例中，投影光学系统PL包括折射型第一成像光学系统G1，用以形成配置在第一面之时字标记R的第一中间像；第二成像光学系统G2，由凹面反射镜CM与两个负透镜所构成，用以形成约略与第一中间像等倍率的第二中间像(第一中间像的约略等倍率像，十字标记图案的二次像)；以及折射型第三成像光学系统G3，依据来自第二中间像的光，将十字标记图像的最终影像(十字标记图案的缩小像)形成在配置于第二面的晶圆W上。
此外在各实施例，第一成像光学系统G1与第二成像光学系统G2间的光路中，将从第一成像光学系统G1的光束偏向第二成像光学系统G2的第一光路弯曲反射镜M1系配置在在第一中间像的形成位置附近。此外，第二成像光学系统G2与第三成像光学系统G3间的光路中，将从第二成像光学系统G2的光束偏向第三成像光学系统G3的第二光路弯曲反射镜M2系配置在在第二中间像的形成位置附近。
此外在各实施例，第一成像光学系统G1具有直线延伸的光轴AX1，第三成像光学系统G3具有直线延伸的光轴AX3，光轴AX1与光轴AX3系设定成与共同单一光轴的基准光轴AX一致。此外，基准光轴AX系沿着重力方向(亦即铅直方向)来做定位。因此，十字标记R与晶圆W会沿着与重力方向垂直之面所构成的水平面，彼此互相平行配置。除此之外，构成第一成像光学系统G1的所有透镜以及构成第三成像光学系统G3的所有透镜，也沿着水平面，配置在基准光轴AX上。
另一方面，第二成像光学系统G2也具有直线延伸的光轴AX2，此光轴AX2设定成与基准光轴AX垂直。再者，第一光路弯曲反射镜M1与第二光路弯曲反射镜均具有平面状的反射面，并且一体构成具有两个反射面的光学部材(一个光路弯曲反射镜)。此两反射面的交线(严格来说是假想延长面的交线)系设定成与第一成像光学系统G1的光轴AX1、第二成像光学系统G2的光轴AX2和第三成像光学系统G3的光轴AX3等相交于一点。在各实施例，第一光路弯曲反射镜M1与第二光路弯曲反射镜均构成为表面反射镜。
在各实施例中，构成投影光学系统PL的所有折射光学部材(透镜成分)为使用萤石(CaF2结晶)。此外，曝光光束的F2激光的振荡中心波长为157.6244nm。在157.6244nm附近，每+1pm的波长变化，CaF2结晶的折射率以-2.6×10-6的比例变化。换言之，在157.6244nm附近，CaF2的折射率分散(d/dλ)为-2.6×10-6/pm。
因此，在各实施例，相对于中心波长157.6244nm的CaF2的折射率为1.55930666，相对于中心波长157.6244nm+1pm＝157.6254的CaF2的折射率为1.55930406，相对于中心波长157.6244nm-1pm＝157.6243的CaF2的折射率为1.55930926。
此外，在各实施例中，当垂直于光轴方向的高度为y，从非球面顶点之切面到高度y的非球面上位置的光轴方向延伸的距离(下垂量(sag))为z，顶点的区率半径为r，圆锥系数为κ以及n次非球面系数为Cn时，非球面以下面数式(a)来表示。
Z＝(y2/r)/[1+{1-(1+κ)·y2/r2}1/2+]
  +C4·y4+C6·y6+C8·y8+C10·y10+C12·y12+C14·y14  (a)[第一实施例]
图7为依据本发明的第一实施例所绘示的投影光学系统的透镜构成图。参考图7，在第一实施例所述的投影光学系统PL，第一成像光学系统G1的构成为从十字标记R侧开始依序为：双凸透镜L11、非球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜(meniscus lens)L12、凸面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L13、凸面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L14、凹面朝向十字标记侧的负凹凸透镜L15、凹面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L16、非球面状的凹面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L17、凹面朝向十字标记侧的正凸透镜L18、双凸透镜L19、非球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L110。
此外，第二成像光学系统G2的构成为从十字标记R侧(亦即入射侧)开始依序为：非球面状的凸面朝向十字标记R侧的负凹凸透镜L21、凹面朝向十字标记R侧的负凹凸透镜L22与凹面反射镜CM。
第三成像光学系统G3的构成为从十字标记R侧开始依序为：凹面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L31、双凸透镜L32、非球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L33、双凹透镜L34、非球面状的凹面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L35、球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L36、光圈AS、双凸透镜L37、凹面朝向十字标记侧的负凹凸透镜L38、双凸透镜L39、凸面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L310、非球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L311、凸面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L312、平面朝向晶圆侧的平凸透镜L313。
在下列表1中，面编号为沿着从物体面(第一面)的十字标记面到影像面(第二面)的晶圆面的光线行进方向，从十字标记侧开始的面顺序。r为各面的曲率半径(非球面时为顶点的曲率半径：nm)。d为各面的轴上间隔(也就是面间隔mm)。(C·D)为在各萤石中，与其光轴一致的结晶轴C与其它特定结晶轴的角度位置D。ED为各面的有效直径(mm)。n为相对于中心波长的折射率。
此外，面间隔d在被反射之际，其符号会改变。因此，面间隔的符号d在从第一光路弯曲反射镜M1至凹面反射镜CM的光路中，以及在从第二光路弯曲反射镜M2的反射面至影像面为止的光路中为负，但在其它光路中为正。之后，在第一光学系统G1中，面向十字标记侧，凸面的曲率半径为正而凹面的曲率半径为负。另一方面，在第三光学系统G3中，面向十字标记侧，凹面的曲率半径为正而凸面的曲率半径为负。其次，在在第二光学系统G2中，沿着光行进方向且面向十字标记侧(亦即入射侧)，凹面的曲率半径为正而凸面的曲率半径为负。
当结晶轴C为结晶轴[111]时，角度位置D为例如相对于结晶轴[-111]的基准方位的角度，当结晶轴C为结晶轴[100]时则为例如相对于结晶轴[010]的基准方位的角度。在此，例如在十字标记面上，相对于通过光轴AX1任意设定的方位，且光学地对应的方式来设定基准方位。具体来说，在十字标记面上，当基准方位设定在+Y方向时，第一成像光学系统G1的基准方位为+Y方向，第二成像光学系统G2的基准方位为+Z方向(光学对应于十字标记面的+Y方向的方向)，第三成像光学系统G3的基准方位为-Y方向(光学对应于十字标记面的+Y方向的方向)。
因此，例如(C·D)＝(100·0)表示在光轴与结晶轴[100]一致的萤石透镜中，其结晶轴[010]为沿着基准方位配置。此外，(C·D)＝(100·45)表示在光轴与结晶轴[100]一致的萤石透镜中，其结晶轴[010]配置成与基准方位成45度角度位置。亦即，(C·D)＝(100·0)的萤石透镜与(C·D)＝(100·45)的萤石透镜为构成结晶轴[100]的透镜对。
此外，例如(C·D)＝(111·0)表示在光轴与结晶轴[111]一致的萤石透镜中，其结晶轴[-111]为沿着基准方位配置。此外，(C·D)＝(111·60)表示在光轴与结晶轴[111]一致的萤石透镜中，其结晶轴[-111]配置成与基准方位成60度角度位置。亦即，(C·D)＝(111·0)的萤石透镜与(C·D)＝(111·60)的萤石透镜为构成结晶轴[111]的透镜对。
此外，在上述角度位置说明中，基准方位的设定并不需要将所有的透镜均设成共通。例如，在各透镜对的单位为共通就可以了。此外，作为相对于基准方位的角度测量的对象的特定结晶轴，在结晶轴[100]的透镜对情形时，并不必限定于结晶轴[010]，而在结晶轴[111]的透镜对情形时，也不必限定于结晶轴[-111]。例如，可以各透镜对为单位，做适当的设定。此外，表1中的标记与后述的表2相同。
                        表1主要规格λ＝157.6244nm    β＝-0.25NA＝0.85B＝14.4mm         A＝3mmLX＝25mm          LY＝4mm光学部材规格
面编号     r     d (C·D)  ED     n
十字标记面 103.3533
    1 374.9539 27.7555 (100·45) 163.8 1.559307 (L11)
    2 -511.3218 2.0000 165.0
    3 129.8511 41.0924 (100·0) 164.3 1.559307 (L12)
    4* 611.8828 20.1917 154.3
    5 93.6033 29.7405 (100·45) 128.2 (L13)
    6 121.8341 16.0140 110.0
    7 83.6739 21.7064 (111·0) 92.3 1.559307 (L14)
    8 86.7924 42.9146 73.8
    9 -112.0225 15.4381 (100·0) 71.1 1.559307 (L15)
    10 -183.1783 9.7278 86.8
    11 -103.9725 24.6160 (110·0) 92.2 1.559307 (L16)
    12 -79.4102 26.3046 108.7
    13* -166.4447 35.1025 (111·60) 137.8 1.559307 (L17)
    14 -112.7568 1.0007 154.4
    15 -230.1701 28.4723 (111·60) 161.5 1.559307 (L18)
    16 -132.8952 1.0000 168.4
    17 268.5193 29.4927 (100·45) 167.1 1.559307 (L19)
    18 -678.1883 1.0000 164.3
    19 155.2435 26.5993 (100·45) 150.3 1.559307 (L110)
    20* 454.2151 61.5885 139.9
    21 ∞ -238.9300 (M1)
    22* 140.0521 -22.7399 (111·60) 124.5 1.559307 (L21)
    23 760.9298 -44.1777 146.1
    24 109.3587 -16.0831 (111·0) 159.6 1.559007 (L22)
    25 269.5002 -22.7995 207.8
    26 159.8269 22.7995 213.7 (CM)
    27 269.5002 16.0831 (111·0) 209.4 1559307 (L22)
    28 109.3587 44.1777 168.2
    29 760.9298 22.7399 (111·60) 162.0 1.559307 (L21)
    30* 140.0521 238.9300 143.2
    31 ∞ -67.1481 (M2)
    32 2064.4076 -20.4539 (100·0) 154.9 1.559307 (L31)
    33 264.1465 -1.114 160.0
    34 -236.9696 -36.6315 (111·0) 174.4 1.559309 (L32)
    35 548.0272 -14.7708 174.4
    36 -261.5738 -23.7365 (111·60) 167.9 1.559307 (L33)
    37* -844.5946 -108.7700 162.5
    38 192.9241 -16.1495 (111·0) 127.7 1.559307 (L34)
    39 -139.0423 -71.8678 128.7
    40* 1250.0000 -43.1622 (100·45) 165.7 1.559307 (L35)
    41 185.8787 -1.0000 180.1
    42 -206.0962 -27.6761 (111·0) 195.0 1.559307 (L36)
    43* -429.3688 -30.3562 191.8
    44 ∞ -4.0000 196.8 (AS)
    45 -1246.9477 -40.5346 (111·60) 199.6 1.559307 (L37)
    46 229.5046 -19.2328 202.5
    47 153.1781 -18.0000 (100·0) 201.4 1.559307 (L38)
    48 200.0000 -1.0000 213.1
    49 -1605.7826 -25.8430 (111·0) 215.0 1.559307 (L39)
    50 497.7325 -1.0000 214.9
    51 -232.1186 -31.8757 (111·0) 204.9 1.559307 (L310)
    52 -993.7015 -1.0000 198.1
    53 -142.9632 -44.5398 (100·45) 178.7 1.559307 (L311)
    54* -3039.5137 -3.0947 162.7
    55 -139.2455 -27.2564 (111·60) 1.559307 (L312)
    56 -553.1425 -4.2798 116.2
    57 -1957.7823 -37.0461 (100·0) 110.3 1559307 (L313)
    58 ∞ -11.0000 63.6
(晶圆面)非球面数据4面κ＝0C4＝4.21666×10-8  C6＝-1.01888×10-13C8＝5.29072×10-17    C10＝-3.39570×10-21C12＝13.2134×10-26   C14＝7.93780×10-3013面κ＝0C4＝4.18420×10-8  C6＝-4.00795×10-12C8＝-2.47055×10-16   C10＝4.90976×10-20C12＝-3.51046×10-24    C14＝1.02968×10-2820面κ＝0C4＝6.37212×10-8    C6＝-1.22343×10-12C8＝3.90077×10-17    C10＝2.04618×10-21C12＝-5.11335×10-25  C14＝3.76884×10-2922面以及30面(同一面)κ＝0C4＝-6.69423×10-8    C6＝-1.77134×10-14C8＝2.85906×10-17    C10＝8.86068×10-21C12＝1.42191×10-26   C14＝6.35242×10-2937面κ＝0C4＝-2.34854×10-8    C6＝-3.60542×10-13C8＝-1.45752×10-18   C10＝-1.33699×10-21C12＝1.94350×10-25   C14＝-1.21690×10-2940面κ＝0C4＝5.39302×10-8    C6＝-7.58468×10-13C8＝-1.47196×10-18    C10＝-1.32017×10-21C12＝0             C14＝043面κ＝0C4＝-2.36659×10-8    C6＝-4.34705×10-13C8＝2.16318×10-18    C10＝9.11326×10-22C12＝-1.95020×10-25  C14＝054面κ＝0C4＝-3.78066×10-8    C6＝-3.03038×10-13C8＝3.38936×10-18    C10＝-6.41494×10-21C12＝4.14101×10-25   C14＝-1.40129×10-29
图8绘示第一实施例的横向像差图。在像差图中，Y为像高，实线为中心波长157.6244nm，虚线为157.6244+1pm＝157.6254nm，破折线为157.6244nm-1pm＝157.6234nm。此外，在图8的标记与后述的图10中的标记相同从图8的像差图可以明白，在第一实施例，不管较大的成像侧数值孔径(NA＝0.85)以及投影视野(有效直径＝28.8mm)，对于波长宽度157.6244nm±1pm的曝光光，色差也可以有良好的补正。[第二实施例]
图9为依据本发明第二实施例所绘示的投影光学系统的透镜构成图。参考图9，在第二实施例所述的投影光学系统PL，第一成像光学系统G1的构成为从十字标记R侧开始依序为：双凸透镜L11、非球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L12、凸面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L13、凸面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L14、凹面朝向十字标记侧的负凹凸透镜L15、凹面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L16、非球面状的凹面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L17、凹面朝向十字标记侧的正凸透镜L18、凸面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L19、非球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L110。
此外，第二成像光学系统G2的构成为，延着光行进路线，从十字标记R侧(亦即入射侧)开始依序为：非球面状的凸面朝向晶圆W侧(射出侧)的负凹凸透镜L21、凹面朝向十字标记R侧的负凹凸透镜L22与凹面反射镜CM。
第三成像光学系统G3的构成为：延着光行进路线，从十字标记R侧开始依序为：凹面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L31、凸面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L32、非球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L33、双凹透镜L34、非球面状的凹面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L35、球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L36、光圈AS、双凸透镜L37、凹面朝向十字标记侧的负凹凸透镜L38、平面朝向十字标记侧的平凸透镜L39、非球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L310、非球面状的凹面朝向晶圆侧的正凹凸透镜L311、凸面朝向十字标记侧的正凹凸透镜L312、平面朝向晶圆侧的平凸透镜L313。
在下面表2中，记述第二实施例的投影光学系统PL的各个规格值
                         表2主要规格λ＝157.6244nm    β＝-0.25NA＝0.85B＝14.4mm         A＝3mmLX＝25mm          LY＝4mm光学部材规格
面编号     r     d   (C·D)   ED     n
十字标记面 64.8428
    1 183.9939 26.4947 (100·45) 150.2 1.559307 (L11)
    2 -3090.3604 74.3108 149.6
    3 168.6161 21.2848 (100·45) 138.4 1.559307 (L12)
    4* 630.6761 41.2206 134.6
    5 78.6721 17.8201 (100·45) 104.9 1.559307 (L13)
    6 104.6154 6.3217 96.2
    7 61.9289 28.1473 (111·0) 86.0 1.559307 (L14)
    8 71.5027 31.3308 64.2
    9 -62.9418 14.1300 (111·60) 60.6 1.559307 (L15)
    10 -108.5396 4.2959 74.5
    11 -87.0095 32.7851  (100·0) 76.6 1.559307 (L16)
    12 -74.4464 51.3253 99.3
    13* -187.4766 24.0651 (111·60) 136.3 1.559307 (L17)
    14 -108.3982 1.0000 142.6
    15 -377.3605 23.5413 (111·60) 145.7 1.559307 (L18)
    16 -140.1956 1.0164 148.0
    17 160.9494 18.0355 (100·45) 135.5 1.559307 (L19)
    18 331.3044 1.0260 130.4
    19 201.2009 17.3139 (111·60) 127.3 1.559307 (L110)
    20* 1155.1346 61.5885 121.3
    21 ∞ -240.7562 (M1)
    22 116.6324 -19.2385 (111·60) 137.5 1.559307 (L21)
    23* 765.4623 -38.0668 169.7
    24 116.0112 -16.0000 (111·0) 174.7 1.559307 (L22)
    25 208.8611 -16.2875 217.3
    26 159.0966 16.2875 221.6 (CM)
    27 208.8611 16.0000 (111·0) 218.2 1.559307 (L22)
    28 116.0112 38.0668 178.5
    29* 765.4623 19.2385 (111·60) 176.3 1.559307 (L21)
    30 116.6324 240.7562 146.6
    31 ∞ -73.9823 (M2)
    32 15952.4351 -21.9279 (100·90) 141.9 1.559307 (L31)
    33 221.6147 -1.6265 146.7
    34 -170.0000 -28.2387 (111·60) 160.5 1.559307 (L32)
    35 -2153.8066 -1.1124 159.1
    36 -160.8559 -28.5266 (111·0) 155.6 1.559307 (L33)
    37* -834.7245 -45.2078 148.5
    38 1304.0831 -14.2927 (111·0) 128.0 1.559307 (L34)
    39 -93.4135 -146.1958 117.0
    40* 175.1344 -22.0000 (100·45) 165.4 1.559307 (L35)
    41 145.1494 -1.0000 174.1
    42 -232.7162 -21.0326 (100·45) 186.2 1.559307 (L36)
    43* -962.4639 -32.8327 184.5
    44 ∞ -4.0000 192.0 (AS)
    45 -293.0118 -42.6744 (100·0) 202.2 1.559307 (L37)
    46 344.3350 -21.8736 202.3
    47 162.4390 -17.9036 (111·60) 201.06 1.559307 (L38)
    48 206.7120 -1.0000 210.1
    49 ∞ -23.2771 (100·45) 207.3 1.559307 (L39)
    50 394.6389 -1.0000 206.7
    51 -364.5931 -25.4575 (100·0) 195.0 1.559307 (L310)
    52 1695.8753 -1.0000 190.6
    53 -151.9499 -29.0060 (111·60) 166.5 1.559307 (L311)
    54* -800.0000 -1.0000 157.0
    55 -101.8836 -29.0009 (100·45) 129.3 1.559307 (L312)
    56 -220.0926 -6.7987 109.7
    57 -637.4367 -33.9854 (100·0) 104.6 1.559307 (L313)
    58 ∞ -11.0000 63.6
(晶圆面)非球面数据4面κ＝0C4＝-5.82127×10-8    C6＝7.43324×10-12C8＝1.66683×10-16    C10＝-6.92313×10-20C12＝7.59553×10-24   C14＝-2.90130×10-2813面κ＝0C4＝4.61119×10-8    C6＝-2.94123×10-12C8＝-3.08971×10-16    C10＝3.40062×10-20C12＝-7.92879×10-24   C14＝-3.73655×10-2920面κ＝0C4＝7.74732×10-8  C6＝-1.87264×10-12C8＝5.25870×10-18    C10＝7.64495×10-21C12＝-1.54608×10-24  C14＝1.16429×10-2823面以及29面(同一面)κ＝0C4＝1.71787×10-8  C6＝-1.00831×10-12C8＝6.81668×10-17    C10＝-4.54274×10-21C12＝2.14951×10-25   C14＝-5.27655×10-3037面κ＝0C4＝-8.55990×10-8    C6＝2.03164×10-12C8＝-1.01068×10-16    C10＝4.37342×10-21C12＝-5.20851×10-25   C14＝3.52294×10-2940面κ＝0C4＝-2.65087×10-8    C6＝3.08588×10-12C8＝-1.60002×10-16   C10＝4.28442×10-21C12＝-1.49471×10-25  C14＝1.52838×10-2943面κ＝0C4＝-8.13827×10-8    C6＝2.93566×10-12C8＝-1.87648×10-16   C10＝1.16989×10-20C12＝-3.92008×10-25  C14＝1.10470×10-2954面κ＝0C4＝-3.31812×10-8    C6＝-1.41360×10-12C8＝1.50076×10-16    C10＝-1.60509×10-20C12＝8.20119×10-25   C14＝-2.18053×10-29
图10绘示第二实施例的横向像差图。在第二实施例也与第一实施例相同，不管较大的成像侧数值孔径(NA＝0.85)以及投影视野(有效直径＝28.8mm)，对于波长宽度157.6244nm±1pm的曝光光，色差也可以有良好的补正。
如以上所述，在各实施例中，对于中心波长为157.6244nm的F2激光，0.85的成像侧NA可以确保，并且在晶圆W上的色差，可以确保开始色差的各像差均被足够补正的有效直径为28.8m的影像圈。因此，可以确保如25mm×4mm的足够大的矩形有效曝光区域，并且可以达成0.1μm以下的高分辨率。
图11绘示在第一实施例中，各萤石透镜的结晶轴与光轴间产生1度的角偏移时，表面线宽的变化量。此外，图12绘示在第二实施例中，各萤石透镜的结晶轴与光轴间产生1度的角偏移时，表面线宽的变化量。在图11与图12中，横轴表示构成投影光学系统PL的各萤石透镜的参照符号。此外，纵轴系表示当应与光轴一致的各萤石的结晶轴C与光轴间产生1度角偏移时的表面线宽变化量，并且将整个系统的线宽变化量容许值正规化为1。
参考图11与图12，在各实施例中，特别是在配置在晶圆W所设置的成像面(第二面)附近的L313与L312，当其结晶轴C与光轴产生角度偏移时，因为受到双折射率影响，表面线宽很容易产生变化。此外，当结晶轴C与光轴产生角度偏移时，配置在凹面反射镜CM形成的往返光路中的L21与L22也会受到双折射率影响，而使表面线宽很容易产生变化。
此外，上述仿真结果中，在构成投影光学系统PL的全部萤石透镜中，若将结晶轴C与光轴间的角度偏移抑止在1度以内，表面线宽的变化量可以抑止在容许值的65％以内，并确定可以获得良好的成像性能。如以上所述的各实施例，在投影光学系统PL所包含的至少两个萤石透镜中，将其光轴与结晶轴C间的角度偏移设定在1度以下，而最好是在投影光学系统PL所包含的所有萤石透镜中，将其光轴与结晶轴C间的角度偏移设定在2度以下，借此在实质上，便可以不受到萤石双折射效应的影响，并且可以确保良好的成像性能。
图13绘示本发明实施例的投影光学系统制造方法的概略流程示意图。如图13所示，在本实施方法中，包含设计工程S1、结晶材料准备工程S2、结晶轴测量工程S3、折射部材形成工程S4以及组装工程S5。在设计工程S1，当使用光迹软件(light tracing software)来进行投影光学系统之设计时，使用多个偏光成分的光线，来进行投影光学系统的光线追踪，并且分别计算出各个偏光成分下的像差，而最好事每一个偏光成分的波面像差。
之后，对于各个偏光成分的像差以及多个偏光成分像差的合成纯量成分的纯量像差，进行投影光学系统的评估，并且将构成投影光学系统的多个光学部材(折射部材、反射部材与绕射部材等)的参数做最佳化，以获得由该些参数所构成的设计数据。该些参数可以是光学部材的表面形状、光学部材的表面间距、光学部材的折射率等的公知参数外，当光学部材为结晶材料时，其结晶轴方位也作为参数。
在结晶材料准备工程S2，准备对于投影光学系统所使用的波长(在本实施例为曝光光)具有光透性的等轴结晶系(结晶轴的单位长度互相相等，且在各个结晶轴交点的各结晶轴所成的角度均为90度的结晶系)的结晶材料(在本实施例为萤石)。在结晶轴测量工程S3中，对结晶材料准备工程S2中所准备的结晶材料进行结晶轴的测量。此时，例如进行劳厄(Laue)测量，来直接测量结晶轴方位的方法，或者测量结晶材料的双折射，在依据已知的结晶轴方位与双折射量的关系，再从测量到的双折射来订出结晶轴方位的方法等，均可以适用。
在折射部材形成工程S4中，对结晶材料准备工程S2中所准备的结晶材料进行加工(研磨)，使折射部材具备以设计工程所得到的参数(设计数据)。此外，在本实施例，结晶轴测量工程S3与折射部材形成工程S4的顺序可以其中任何一个先处理。例如，当先执行折射部材形成工程S4时，可以对加工成折射部材形状的结晶材料进行结晶轴的测量，而当先执行结晶轴测量工程S3时，以折射部材形成后所测量的结晶轴为已知的方式，可以让折射部材或者用来保持该折射部材的保持部材持有结晶轴方位的信息。
在组装工程S5中，依据在设计工程所得到的设计数据，将已加工的折射部材组装到投影光学系统的镜简内。此时，以做成设计工程所得的设计数据中的结晶轴方位的方式，来定位由等轴结晶系的结晶材料所构成的折射部材的结晶轴。
图14绘示结晶材料准备工程的详细流程图，其用来准备对使用于投影光学系统的波长具有光透性的等轴晶系的结晶材料。此外，该等轴晶系的结晶材料是以萤石(氟化钙，CaF2)或氟化钡(BaF2)等作为例子。在以下的说明，等轴晶系的结晶材料是以萤石作为适用材料的情形来说明。
参考图14，在结晶材料准备工程S21的步骤S21中，进行前处理，使粉末原料进行去氧化反应。当以布里吉曼法(Bridgeman method)来成长萤石单晶时，一般是使用人工合成的高纯度原料。再者，仅融解原料来结晶化时，会产生白浊化而呈现失去透光性的倾向，因此利用添加清除剂(scavenger)进行加热，做防止白浊化的处置。在萤石单晶的前处理或成长中所使用的代表清除剂可以例如是氟化铅(PbF2)。
此外，具有与原料中所含的杂质产生化学反应并且将其去除的作用的添加物值，一般称为清除剂。在本实施例之前处理中，首先，将清除剂添加到高纯度粉末原料，并将其好好地混合。之后，加热升温至清除剂的融点以上但不到萤石融点的温度，来进行去氧化反应。之后，可以降温至室温做成烧结体，或者也可以再让温度上升，在使原料融解后，在降温到室温做成烧结体。依据上述方式，去氧化的烧结体或多晶体称为前处理品。
接着，在步骤S22，使用该前处理品，继续使结晶成长，以获得单晶铸块(ingot)。在广为知悉的结晶成长方法中，一般区分为融液固化、从溶液中析出、从气体中析出与固体粒子的成长等。但是，在本实施例则利用垂直布里吉曼法使结晶成长。首先，将前处理收容在容器中，并设置在垂直布里吉曼装置(结晶成长炉)的预定位置。之后，使收容在容器内的前处理品加热融解。在到达前处理品的融点后，经过预定的时间后便开始结晶化。在所有融液结晶化，慢慢冷却至室温，在取出作为铸块。
在步骤S23，将铸块切断，以获得与如后述折射部材形成工程S4所得的光学部材的大小与形状相同的圆盘材料。当折射部材形成工程S4所得的光学部材为透镜时，圆盘材料的形状最好是薄的圆柱状。圆柱状圆盘材料的口径与厚度最好配合透镜的有效直径(外径)与光轴方向的厚度来决定。在步骤S24，对从萤石单晶铸块所财切出来的圆盘状材料进行回火处理。通过执行步骤S21～S24，可以获得由萤石单晶所构成的结晶材料。
接着，说明结晶轴测量工程S3。在结晶轴测量工程S3中，测量结晶材料准备工程S2所准备的结晶材料的结晶轴。此时，可以考虑直接测量结晶轴方位的第一测量方法，以及测量结晶材料的双折射，间接地决定出结晶轴方位的第二测量方法。首先，说明直接测量结晶轴方位的第一测量方法。在第一种方法中，使用X射线结晶分析方法，来直接地测量结晶材料的结晶构造，乃至于结晶轴等。此种测量方法，可以例如是劳厄(Laue)法等。
接着，以适合第一测量方法的劳厄法的情形，参考图15来做简单说明。图15劳厄摄影机的示意图。如图15所示，为了实施劳厄法的结晶轴测量的劳厄摄影机包括X射线源100、经X射线源100的X射线101导向作为样本的结晶材料103的准直器102，以及被从结晶材料103绕射的绕射X射线104所曝光的X射线感光材料105。此外，虽然图15没有绘出，在贯通X射线感光材料105之准直器102的内部，设置一对相对的狭缝。
在第一测量方法中，首先，将X射线101照明到结晶材料准备工程S2所准备的结晶材料103，使从结晶材料103产生绕射X射线104。之后，以此绕射X射线104，使配置在结晶材料103的X射线入射侧的X射线底片或影像板等的X射线感光材料105曝光，而在X射线感光材料105上，产生对应结晶结构的图样的可见光影像(绕射影像)。当结晶材料为单晶时，此绕射影像(劳厄影像)为斑点状，此斑点称为劳厄斑点。因为本实施例所使用的结晶材料营石，其结晶结构为已知，因此通过分析劳厄斑点便可以知道结晶轴方位。
此外，作为直接测量结晶轴的第一测量方法并布局限于劳厄法。一边使结晶旋转或震动，一边照明X射线的旋转法或振动法、Weissenerg法与进动(Precession)法等的其它X射线结晶分析方法；或者是利用结晶材料之劈开性的方法、利用提供结晶材料的塑性变形，以观察结晶材料表面所呈现出来的特有形状的压力像(pressure figure)或敲击像(percussion figure)的方法等的机械性方法。
接着，简单地说明测量结晶材料的双折射，来间接地决定结晶轴方位的第二测量方法。在第二测量方法中，首先进行结晶材料的结晶轴方位与在此方位之双折射量的对应关系。此时，以上述第一测量方法来测量结晶材料的样本的结晶轴方位。之后，测量结晶材料样本的各个结晶轴的双折射。
图16绘示双折射测量机的概略示意图。在图16中，将从光源110所放出的光，以偏光器111，改变成线偏极光，具有从水平方向(X方向)倾斜π/4的振动面。之后，此偏极光利用光弹性调变器112做相位调变，在照明到结晶材料样本113上。换句话说，将相位变化的线偏极光入射至结晶材料样本113。穿透结晶材料样本113的光，被导入光检测器114，只有在水平方(X方向)具有振动面的偏极光会穿过光检测器114，而被光检测器115检测出来。
当利用光弹性调变器112产生预定的相位延迟时，哪一个[どれだけ]的光量被光检测器115所检测出的，以改变相位延迟的量来测定，可以求得相位延迟轴方向及其折射率以及相位超前轴的折射率。此外双折射存在于样本中时，利用折射率差，与通过样本的振动面(偏光面)垂直的两个线偏极光的光相位会产生变化。亦即，相对于其中的一偏极光，另外的偏极光的相位会超前延迟。相位超前的一方的偏极光方向称为相位超前轴，而相位落后的一方的偏极光方向称为相位延迟轴。
在本实施例中，以上述第一测量方法，对结晶轴方位为已知的结晶材料样本，测量每个结晶轴的双折射，并且进行结晶材料的结晶轴方位与在该方位的双折射的对应。此时，作为测量结晶材料的结晶轴，除了代表性的[100]、[110]以及[111]等结晶轴外，也可以使用[112]、[210]与[211]等结晶轴。此外，结晶轴[011]、[001]为与上述结晶轴[100]同等的结晶轴，结晶轴[011]、[101]为与上述结晶轴[110]同等的结晶轴。此外，位在测量的结晶轴的中间的结晶轴，可以使用预定的补插演算式来进行补插。
在第二测量方法适用的结晶轴测量工程S3中，使用图16所示的双折射率测量机，来测量在结晶材料准备工程S2所准备的结晶材料的双折射。之后，因为结晶轴方位与双折射的对应关系已经事先得到，利用此对应关系，从测量到的双折射计算出结晶轴方位。如上所述，利用地二测量方法的话，不必直接测量结晶轴方位，就可以求得结晶材料的结晶轴方位。
接着说明折射部材形成工程S4。在折射部材形成工程S4，将结晶材料准备工程S2所准备的结晶材料加工，以形成预定形状的光学部材(透镜等)。此时，结晶轴测量工程S3与折射部材形成工程S4的顺序可以任何一个为先。例如，可以考虑下述的顺序：在结晶轴测量工程S3后进行折射部材形成工程S4的第一部材形成方法，在折射部材形成工程S4后进行结晶轴测量工程S3的第二部材形成方法，以及结晶轴测量工程S3与折射部材形成工程S4同时进行的第二部材形成方法。
首先，说明第一部材形成方法。在第一部材形成方法中，对结晶材料准备工程S2所准备的结晶材料进行研磨、切削等的加工，使光学部材具有关于设计工程S1所得的结晶轴方位的参数。此时，在加工的光学部材上，设置预定的标记，以了解光学部材的结晶轴方位。具体来说，在结晶材料准备工程S2中，从结晶轴方位被测量的结晶材料(一般为圆盘状材料)，依据所需使用研磨切削的材料，来制造构成投影光学系统的折射部材。
亦即，在众知的研磨工程中，以设计数据中的表面形状与表面间隔为目标，对各透镜表面进行加工，以制造出具有预定形状的透镜面的折射部材。此时，一边以干涉计测量各透镜的表面形状的误差，一边反复地研磨，来使各透镜表面形状接近目标表面形状(最适的球面形状)。因此，在各透镜的表面形状误差到达预定范围内后，利用如一般皆知的精密干涉计装置，来测量各透镜的表面形状的误差。
以上，关于本实施例的投影光学系统的制造方法，说明基本的事项。在本实施例，在设计工程S1中，作为结晶穿透部材的萤石透镜的光轴系设计成结晶轴[111]、结晶轴[100]或结晶轴[110]与预定的结晶轴一致。接着，在制造工程S2～S4，制造出萤石透镜，使得应与光轴一致的预定结晶轴以及光轴之间的角度偏移在1度以下。
此外，在制造工程S2～S4中，在从单晶铸块切出圆盘状材料时，最好要将预定光轴与光轴调整为一致，并且在圆盘状材料的研磨中，也最好要将预定光轴与光轴调整为一致。此外，如在更降低萤石的双折射的影响方面，在结晶轴[111]的透镜对、结晶轴[100]的透镜对或者结晶轴[111]的透镜对等所构成的萤石透镜对中，最好将相对于光轴旋转的相对旋转角度的预定设计值(60度、45度或90度)的角度偏差设定在1度以下。
在上述实施例的曝光装置中，通过以照明装置照明光罩(照明工程)，以及使用投影光学系统，将光罩上所形成的转印图案曝光到感旋光性基板，便可以制造出微电子元件(半导体元件、摄影元件、液晶显示元件与薄膜磁头等)。接着，参考图17的流程图来说明使用本实施例的曝光元件，将预定的电路图案形成于作为感旋光性基板的晶圆等上，借以获得作为微电子元件的半导体元件时的一个范例方法。
首先，在图17的步骤301中，将金属膜蒸镀在一批的晶圆上。接着在步骤302中，将光阻涂布在一批的晶圆的金属膜上。之后，在步骤303，使用本发明的曝光装置，通过其中的投影光学系统，将光罩上的图案像依序曝光转印到该一批的晶圆上的各景域。之后，在步骤304，对该一批的晶圆上的光阻进行显影后，步骤305以该一批的晶圆上的光阻图案为罩幕，进行蚀刻。借此，对应于光罩上图案的电路图案变形成于各晶圆上的各景域。
之后，利用形成更上层的电路图案，来制造出半导体元件等的元件。依据上述的半导体元件制造方法的话，具有极细微的电路图案的半导体元件也可以获得优良的产率。此外，在步骤301～305中，将金属蒸镀于晶圆上，在金属膜上涂上光阻，接着在进行曝光、显影与蚀刻等的各项工艺。但在此些工艺前，也可以在晶圆上形成氧化硅层，之后在氧化硅层上涂上光阻，接着在进行曝光、显影与蚀刻等的各项工艺。
此外，在本实施例的曝光装置中，利用在板材(玻璃基板)，形成预定的图案(电路图案、电极图案等)，可以得到作为微电子元件的液晶显示元件。以下，参考图18的流程，来说明此方法的例子。如图18所示，在图案形成工程401中，使用本发明的曝光装置，将光罩的图案转印曝光到感旋光性基板(如涂上光阻之玻璃基板等)上，并进行所谓的微影工程(工艺)。利用此微影工艺，将包含多个电极等的预定图案形成在感旋光性基板上。之后，利用显影工程、蚀刻工程与光阻剥离工程等各项工程，将预定的图案形成在曝光的基板上。之后，便进行彩色滤镜形成工程402。
接着，在彩色滤镜形成工程402中，将对应于R(Red)、G(Green)、B(Blue)的三点一组，以多个排列成矩阵型态，或者将R、G、B三条滤镜组排列在多个水平扫描线方向，以形成彩色滤镜。在彩色滤镜形成工程402后，进行元件(cell)组装工程403。在元件组装工程403，使用具有在图案形成工程401所得的预定图案的基板以及具有在彩色滤镜形成工程402所得的彩色滤镜等，组装成液晶面板(液晶元件)。在元件组装工程403，例如将液晶注入到具有在图案形成工程401所得的预定图案的基板以及具有在彩色滤镜形成工程402所得的彩色滤镜之间，来制造出液晶面板(液晶元件)。
之后，在模块组装工程404，将使组装好的液晶面板(液晶元件)进行显示动作的电路、背光元件等各个部品加以组装，完成液晶显示元件。依据上述的液晶元件制造方法的话，具有极细微的电路图案的液晶显示元件也可以获得优良的产率。
此外，在上述实施例中，曝光装置所搭载的投影光学系统为适用本发明，但并不局限于此。其它一般的投影光学系统也可以适用于本发明。此外，在上述实施例中，虽然使用F2激光源，但并局限于此。例如，也可以使用提供波长200nm以下的其它合适的光源。
此外，在本实施例中，本发明是使用一边使光罩与基板相对于投影光学系统移动，一边对基板的各曝光区域进行图案的扫描曝光的步进与扫描方式的曝光装置。但是并不局限于此。本发明也可以使用在使基板与光罩静止的状态下，将光罩的图案一起转印到基板上，使基板依序步进移动，将光罩图案逐次曝光于各曝光区域的步进与重复方式的曝光装置。
再者，在上述实施例中，光圈配置在第三成像光学系统中，但也可以将光圈配置在第一成像光学系统中。此外，第一成像光学系统与第二成像光学系统之间的中间成像位置以及第二成像光学系统与第三成像光学系统之间的中间成像位置两者中的至少其中之一，可以配置视野光圈。
如以上的说明，在本发明的投影光学系统中，例如通过将作为结晶穿透步材的萤石透镜的光轴与预定的结晶轴之间的角度偏差设定在1度以下，在实质上可以不受到萤石双折射的影响，并且可以确保良好的光学性能。此外，在本发明的投影光学系统中，例如对于形成结晶穿透步材的萤石透镜所用的异端萤石结晶，将其结晶轴方位的相对角度偏差抑制在2度以下，在实质上可以不受到萤石双折射的影响，并且可以确保良好的光学性能。
因此，在使用本发明的投影光学系统的曝光装置与曝光方法中，投影光学系统在实质上可以不受到萤石双折射的影响并且可以确保良好的光学性能，故而可以进行高分辨率且高精确度的投影曝光。此外，使用搭载本发明的投影曝光系统的曝光装置，通过透过高分辨率的投影光学系统，可以制造出良好的微电子元件。

Claims (31)

1.一种投影光学系统，用以将第一面的像形成于第二面上，其特征是，该投影光学系统包括：以属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材，该至少两个结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，以及该至少两个结晶穿透部材的预定结晶轴的光轴旋转的相对旋转角度的预定值的角度偏移，两者中的任何一个设定在1度以下。
2.如权利要求1所述的投影光学系统，其特征是，该至少两个结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。
3.如权利要求2所述的投影光学系统，其特征是，更具备配置在最靠近前述第二面的结晶穿透部材，该备配置在最靠近前述第二面的结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。
4.如权利要求3所述的投影光学系统，其特征是，更包括一凹面镜以及配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材，该配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。
5.如权利要求4所述的投影光学系统，其特征是，该投影光学系统为将前述第一面的中间像形成于前述第一面与前述第二面间的光路的反射折射型再成像光学系统。
6.如权利要求2所述的投影光学系统，其特征是，更包括一凹面镜以及配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材，该配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。
7.如权利要求2至6中任一所述的投影光学系统，其特征是，更包括：
一第一成像光学系统，用以形成前述第一面的一第一中间像；
一第二成像光学系统，至少包括一凹反反射镜与结晶穿透部材，用以依据来自该第一中间像的光束，形成一第二中间像；
一第三成像光学系统，用以依据自该第二中间像的光束，形成一最终像；
一第一偏向镜，配置在该第一成像光学系统与该第二成像光学系统之间的光路；以及
一第二偏向镜，配置在该第二成像光学系统与该第三成像光学系统之间的光路；
其中该第一成像光学系统的光轴与该第三成像光学系统的光轴设定成大致一致，
其中配置在该第二成像光学系统的光路的前述结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。
8.如权利要求2至6中任一所述的投影光学系统，其特征是，该投影光学系统所包含的所有结晶穿透部材中的15％以上的结晶穿透部材中，结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在1度以下。
9.如权利要求2至6中任一所述的投影光学系统，其特征是，该投影光学系统所包含的所有结晶穿透部材中，结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，设定在2度以下。
10.如权利要求至1至6中任一所述的投影光学系统，其特征是，前述立方晶系所属的结晶材料为氟化钙或氟化钡。
11.一种投影光学系统，用以将第一面的像形成于第二面上，其特征是，该投影光学系统包括：以属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材，在该至少两个结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。
12.如权利要求11所述的投影光学系统，其特征是，更具备配置在最靠近前述第二面的结晶穿透部材，在该备配置在最靠近前述第二面的结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。
13.如权利要求12所述的投影光学系统，其特征是，更包括一凹面镜以及配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材，在该配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。
14.如权利要求13所述的投影光学系统，其特征是，该投影光学系统为将前述第一面的中间像形成于前述第一面与前述第二面间的光路的反射折射型再成像光学系统。
15.如权利要求11所述的投影光学系统，其特征是，更包括一凹面镜以及配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材，在该配置在该凹面镜附近的结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。
16.如权利要求11至15中任一所述的投影光学系统，其特征是，更包括：
一第一成像光学系统，其形成前述第一面的一第一中间像；
一第二成像光学系统，至少包括一凹反反射镜与结晶穿透部材，用以依据来自该第一中间像的光束，形成一第二中间像；
一第三成像光学系统，其依据自该第二中间像的光束，形成一最终像；
一第一偏向镜，配置在该第一成像光学系统与该第二成像光学系统之间的光路；以及
一第二偏向镜，配置在该第二成像光学系统与该第三成像光学系统之间的光路；
其中该第一成像光学系统的光轴与该第三成像光学系统的光轴设定成大致一致，
其中配置在该第二成像光学系统的光路的前述结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。
17.如权利要求11至15中任一所述的投影光学系统，其特征是，该投影光学系统所包含的所有结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。
18.如权利要求11至15中任一所述的投影光学系统，其特征是，前述立方晶系所属的结晶材料为氟化钙或氟化钡。
19.一种曝光装置，其特征是，包括：
一照设系统，用以照明设定于前述第一面的一光罩；
一投影光学系统，如权利要求所述的该投影光学系统，用以将该光罩上所形成的一图案像，形成于设定在该第二面上的感旋光性基板。
20.一种曝光方法，其特征是，包括：
照明设定于前述第一面的一光罩；
经由权利要求1所述的该投影光学系统，将该光罩上所形成的一图案像，形成于设定在该第二面上的感旋光性基板。
21.一种曝光装置，其特征是，包括：
一照设系统，其照明设定于前述第一面发一光罩；
一投影光学系统，如权利要求11所述的该投影光学系统，用以将该光罩上所形成的一图案像，形成于设定在该第二面上的感旋光性基板。
22.一种曝光方法，其特征是，包括：
照明设定于前述第一面的一光罩；
经由权利要求11所述的该投影光学系统，将该光罩上所形成的一图案像，形成于设定在该第二面上的感旋光性基板。
23.一种投影光学系统制造方法，具有属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材，用以将第一面的像形成于第二面上，其特征是，该投影光学系统的制造方法包括：
一设计工程，将该至少两个结晶穿透部材的一光轴，设计成与结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴的一预定结晶轴一致；
一制造工程，制造该至少两个结晶穿透部材，使得该预定结晶轴的该光轴之间的角度偏移在1度以下。
24.如权利要求23所述的投影光学系统制造方法，其特征是，该制造工程更包括调整从一单晶的圆盘状材料的切割的工程，以及调整该圆盘状材料的研磨的工程。
25.如权利要求24所述的投影光学系统制造方法，其特征是，该至少两个结晶穿透部材包括一第一结晶穿透部材与一第二结晶穿透部材，并且在该制造工程中，该第一结晶穿透部材的预定结晶轴与该第二结晶穿透部材的预定结晶轴的光轴旋转的相对旋转角度，与预定设定值的角度偏差，设定在5度以下。
26.如权利要求23所述的投影光学系统制造方法，其特征是，该至少两个结晶穿透部材包括一第一结晶穿透部材与一第二结晶穿透部材，并且在该制造工程中，该第一结晶穿透部材的预定结晶轴与该第二结晶穿透部材的预定结晶轴的光轴旋转的相对旋转角度，与预定设定值的角度偏差，设定在5度以下。
27.一种曝光装置，其特征是，包括：
一照明系统，其照明设定在第一面的一光罩上；
一投影光学系统，以权利要求23至26中任一所述的该投影光学系统制造方法来制造，用以透过该投影光学系统，将形成在该光罩上的一图案像，形成于设定在前述第二面的感旋光性基板上。
28.一种曝光方法，其特征是，包括：
一照明设定在第一面的一光罩上；
经由以权利要求23至26中任一所述的该投影光学系统制造方法来制造的投影光学系统，将形成在该光罩上的一图案像，形成于设定在前述第二面的感旋光性基板上。
29.一种光学系统，其特征是，包括属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材，该至少两个结晶穿透部材的结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴与光轴间的角度偏移，以及该至少两个结晶穿透部材的预定结晶轴的光轴旋转的相对旋转角度的预定值的角度偏移，两者中的任何一个设定在1度以下。
30.一种光学系统，其特征是，包括属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材，在该两个结晶穿透部材中，当具有结晶轴方位偏移的区域存在时，其相对角度偏移在2度以下。
31.一种投影光学系统制造方法，具有属于立方晶系的结晶材料所形成的至少两个结晶穿透部材，用以将第一面的像形成于第二面上，其特征是，该投影光学系统的制造方法包括：
一设计工程，将该至少两个结晶穿透部材的一光轴，设计成与结晶轴[111]、结晶轴[100]与结晶轴[110]中的任何一个结晶轴的一预定结晶轴一致；
一制造工程，制造该至少两个结晶穿透部材，使得该预定结晶轴的该光轴之间的角度偏移在1度以下。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101452214B (zh) * 2007-12-07 2010-09-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光方法、光刻方法及通孔的制作方法
CN101061409B (zh) * 2004-10-08 2011-06-29 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学投影系统

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10005189A1 (de) 2000-02-05 2001-08-09 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage mit reflektivem Retikel
US7239447B2 (en) * 2001-05-15 2007-07-03 Carl Zeiss Smt Ag Objective with crystal lenses
DE10123725A1 (de) * 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
KR20040015251A (ko) * 2001-05-15 2004-02-18 칼 짜이스 에스엠티 아게 불화물 결정 렌즈들을 포함하는 렌즈 시스템
US6683710B2 (en) * 2001-06-01 2004-01-27 Optical Research Associates Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems
US6995908B2 (en) * 2001-10-30 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Methods for reducing aberration in optical systems
US7453641B2 (en) 2001-10-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in optical systems
US6970232B2 (en) * 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
DE10162796B4 (de) * 2001-12-20 2007-10-31 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie photolithographisches Fertigungsverfahren
JP4292497B2 (ja) * 2002-04-17 2009-07-08 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置および露光方法
US7292388B2 (en) * 2002-05-08 2007-11-06 Carl Zeiss Smt Ag Lens made of a crystalline material
US7072102B2 (en) 2002-08-22 2006-07-04 Asml Netherlands B.V. Methods for reducing polarization aberration in optical systems
AU2003229692A1 (en) * 2003-04-17 2004-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Optical system, method of altering retardances therein and photolithography tool
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US7466489B2 (en) * 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7463422B2 (en) * 2004-01-14 2008-12-09 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure apparatus
US7239450B2 (en) 2004-11-22 2007-07-03 Carl Zeiss Smt Ag Method of determining lens materials for a projection exposure apparatus
US20080151364A1 (en) * 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
US7712905B2 (en) 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
KR101213831B1 (ko) 2004-05-17 2012-12-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
EP1771771B1 (en) 2004-07-14 2009-12-30 Carl Zeiss SMT AG Catadioptric projection objective
US20090128896A1 (en) * 2005-02-03 2009-05-21 Carl Zeiss Smt Ag, Catadioptric projection objective with intermediate image
US20060238735A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Vladimir Kamenov Optical system of a projection exposure apparatus
WO2006131242A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Carl Zeiss Smt Ag Multiple-use projection system
US7738188B2 (en) 2006-03-28 2010-06-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective and projection exposure apparatus including the same
US7920338B2 (en) * 2006-03-28 2011-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Reduction projection objective and projection exposure apparatus including the same
EP1852745A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-07 Carl Zeiss SMT AG High-NA projection objective
DE102012212852A1 (de) * 2012-07-23 2013-09-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
KR20150141820A (ko) * 2014-06-10 2015-12-21 삼성전자주식회사 카타디옵트릭 그룹을 포함하는 대물 렌즈 조립체

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4014716B2 (ja) * 1997-06-24 2007-11-28 オリンパス株式会社 偏光補償光学系を有する光学系
US6201634B1 (en) * 1998-03-12 2001-03-13 Nikon Corporation Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element
WO2000041226A1 (fr) * 1999-01-06 2000-07-13 Nikon Corporation Systeme optique de projection, procede de fabrication associe et appareil d'exposition par projection utilisant ce systeme
DE10010485C2 (de) * 2000-03-03 2002-10-02 Schott Glas Verfahren zur Herstellung von hochhomogenen, grossformatigen Einkristallen aus Calciumfluorid sowie deren Verwendung
US6683710B2 (en) * 2001-06-01 2004-01-27 Optical Research Associates Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems
US20030011893A1 (en) * 2001-06-20 2003-01-16 Nikon Corporation Optical system and exposure apparatus equipped with the optical system
JP3639807B2 (ja) * 2001-06-27 2005-04-20 キヤノン株式会社 光学素子及び製造方法
US6831731B2 (en) * 2001-06-28 2004-12-14 Nikon Corporation Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system
WO2003006367A1 (en) * 2001-07-09 2003-01-23 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Minimizing spatial-dispersion-induced birefringence
US6788389B2 (en) * 2001-07-10 2004-09-07 Nikon Corporation Production method of projection optical system
US6775063B2 (en) * 2001-07-10 2004-08-10 Nikon Corporation Optical system and exposure apparatus having the optical system
US6785051B2 (en) * 2001-07-18 2004-08-31 Corning Incorporated Intrinsic birefringence compensation for below 200 nanometer wavelength optical lithography components with cubic crystalline structures
US6844915B2 (en) * 2001-08-01 2005-01-18 Nikon Corporation Optical system and exposure apparatus provided with the optical system
US6844972B2 (en) * 2001-10-30 2005-01-18 Mcguire, Jr. James P. Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101061409B (zh) * 2004-10-08 2011-06-29 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学投影系统
CN101452214B (zh) * 2007-12-07 2010-09-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光方法、光刻方法及通孔的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
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