CN1416987A - 复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(sps)的制备方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 54
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 36
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 26
- -1 compound rare-earth Chemical class 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 abstract description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical class [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- BXJPTTGFESFXJU-UHFFFAOYSA-N yttrium(3+);trinitrate Chemical class [Y+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O BXJPTTGFESFXJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- MWFSXYMZCVAQCC-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) nitrate Chemical class [Gd+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MWFSXYMZCVAQCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
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- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
一种复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明所提供的制备复合稀土钼次级发射材料的制备方法其特点在于：在钼的氧化物或钼粉中，以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的稀土氧化物(如：La2O3、Y2O3、Gd2O3)，然后在500－550℃的氢气中处理1－5个小时，经过800－1000℃的还原处理后，得到掺杂稀土氧化物的钼粉，然后利用放电等离子烧结(SPS)的方法制备复合稀土钼的烧结体材料，烧结温度为1450－1700℃，保温时间为3－5分钟。该方法制备的复合稀土钼次级发射材料次级发射系数大(最大次级发射系数为3.84)，材料体内的各元素分布比较均匀，晶粒比较细小，经过1600℃的高温激活后能在材料表面形成一约为5μm的稀土氧化物薄膜。
Description
一、技术领域
一种复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。
二、背景技术
传统的稀土钼阴极烧结制备一般都采用氢气/真空气氛的高温烧结炉进行烧结，不仅烧结温度高(1800-2000℃)，而且保温时间长(4-6个小时)，晶粒粗大，稀土分布不是很均匀，影响了材料的次级发射性能。而现有的SPS技术是放电等离子烧结技术(Spark PlasmaSintering)或脉冲辅助烧结技术的简称，具有烧结温度低、保温时间短、加热均匀、晶粒度可控制等优点。我们在研究用常规方法制备稀土-钼次级发射材料的基础上，研究了用SPS烧结的方法制备复合稀土-钼次级发射材料的发射性能。经过检索，未发现将放电等离子烧结技术应用在复合稀土钼次级发射材料的制备上。
三、发明内容
本发明所要解决的问题是提供一种具有次级发射系数大、能够机加工成一定形状、晶粒比较细小、各元素分布比较均匀、在材料的表面形成一层稀土氧化物的复合稀土钼次级发射材料。
本发明所提供的复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法，其特征在于：它具有较短的制备时间，较低的烧结温度和较高的生产效率等优点。由此发明制备的材料所具有的特征是：次级发射系数大，材料的晶粒细小，各元素在材料体内分布均匀，在高温下具有更高的次级发射系数。
本发明所提供的复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：
(1)在钼的氧化物或钼粉中，以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的稀土氧化物(如：La2O3、Y2O3、和Gd2O3)然后在500-550℃的氢气中处理1-5个小时；
(2)经过800-1000℃的还原处理后，得到掺杂稀土氧化物的钼粉；
(3)采用SPS快速烧结的方法制备复合稀土钼次级发射材料的烧结体，烧结温度为1450℃-1700℃，保温时间为3-5分钟；
(4)采用常规机加工法制备满足要求的筒、片状材料。
由于制备材料的时间较短且烧结温度较低，本发明所制备的稀土钼次级发射材料与用高温烧结炉制备的复合稀土钼次级发射材料相比，用SPS快速烧结制备的复合稀土钼阴极材料体内的元素分布的比较均匀，材料的晶粒也比较细小，见附图1，具有更高的次级发射系数。该种材料经1600℃的高温激活后可在材料的表面形成一稀土氧化物薄膜，见附图2。本发明所提供的复合稀土钼次级发射材料的次级发射系数最大为3.84比用高温烧结炉制备的复合稀土钼材料的最大次级发射系数2.92大30％以上。
实验证明，采用本发明所提供的用SPS方法制备的复合稀土钼次级发射材料，在其表面可形成厚约为5μm的稀土氧化物薄膜，有助于提高材料的次级发射性能。
四、附图说明
图1：实施例1SEM面扫描图像；
图2：实施例1SEM线扫描图像；
图3：实施例1发射系数曲线图；
图4：实施例2发射系数曲线图；
图5：实施例3发射系数曲线图；
图6：实施例4发射系数曲线图。(图3、4、5和6中的RT代表室温，1200、1300、1400、1500和1600分别表示摄氏温度：1200℃、1300℃、1400℃、1500℃和1600℃，以上温度均为测试材料次级发射性能前的热激活温度；SEM是在SN3500扫描电镜上进行的)
五、具体实施方式
实施例：
例1、将9.96克硝酸镧和33.21克硝酸钇分别溶于水中，加入到93.35克粉状MoO2中(其中La2O3占稀土钼总重量的7.95％，Y2O3占稀土钼总重量的23.85％)将掺杂后的MoO2粉末在500℃下保温5小时以使稀土硝酸盐分解为稀土氧化物，然后在700-1000℃的多段氢气炉中将掺杂MoO2粉还原成掺杂La2O3和Y2O3的复合稀土钼粉，利用SPS快速烧结的方法烧结成一定尺寸的稀土钼棒，烧结温度为1500℃，保温时间是3min。经机加工后，制成ф10×1mm的稀土钼片材。然后采用激光焊接法将稀土钼片与钼筒、用于加热的金属钨丝焊接起来，经过排气、激活处理后制成稀土钼阴极实验磁控管。经过不同激活温度处理、在600℃下测试的次级发射系数，见图3。由土3可知材料的最大次级发射系数是3.84，而用常规高温炉制备的材料的次级发射系数是2.92。
例2、将9.96克硝酸镧和33.21克硝酸钇分别溶于水中，加入到93.35克粉状MoO2中(其中La2O3占稀土钼总重量的7.95％，Y2O3占稀土钼总重量的23.85％)将掺杂后的MoO2粉末在520℃下保温1小时以使稀土硝酸盐分解为稀土氧化物，然后在700-1000℃的多段氢气炉中将掺杂MoO2粉还原成掺杂La2O3和Y2O3的复合稀土钼粉，利用SPS快速烧结的方法烧结成一定尺寸的稀土钼棒，烧结温度为1450℃，保温时间是5min。经机加工后，制成ф10×1mm的稀土钼片材。然后采用激光焊接法将稀土钼片与钼筒、用于加热的金属钨丝焊接起来，经过排气、激活处理后制成稀土钼阴极实验磁控管。经过不同激活温度处理、在600℃下测试的次级发射系数，见图4。由图4可知材料的最大次级发射系数是3.10，而用常规高温炉制备的材料的次级发射系数是2.92。
例3、将7.973克硝酸镧、30.524克硝酸钇、7.468克硝酸钆分别溶于水中，加入到80克粉状MoO2中(其中La2O3占稀土钼总重量的4％，Y2O3占稀土钼总重量的12％，Gd2O3占稀土钼总重量的4％)，将掺杂后的MoO2粉末在550℃下保温3小时以使稀土硝酸盐分解为稀土氧化物，然后在700-1000℃的多段氢气炉中将掺杂MoO2粉还原成掺杂La2O3、Y2O3和Gd2O3的复合稀土钼粉，利用SPS快速烧结的方法烧结成一定尺寸的稀土钼棒，烧结温度为1600℃，保温时间是4min。经机加工后，制成ф10×1mm的稀土钼片材。然后采用激光焊接法将稀土钼片与钼筒、用于加热的金属钨丝焊接起来，经过排气、激活处理后制成稀土钼阴极实验磁控管。经过不同激活温度处理、在600℃下测试的次级发射系数，见图5。由图5可知，材料的最大次级发射系数是2.65，用常规高温炉烧结制备的材料的最大次级发射系数是2.45。
例4、将7.973克硝酸镧、30.524克硝酸钇、7.468克硝酸钆分别溶于水中，加入到80克粉状MoO2中(其中La2O3占稀土钼总重量的4％，Y2O3占稀土钼总重量的12％，Gd2O3占稀土钼总重量的4％)，将掺杂后的MoO2粉末在500℃下保温2小时以使稀土硝酸盐分解为稀土氧化物，然后在700-1000℃的多段氢气炉中将掺杂MoO2粉还原成掺杂La2O3、Y2O3和Gd2O3的复合稀土钼粉，利用SPS快速烧结的方法烧结成一定尺寸的稀土钼棒，烧结温度为1700℃，保温时间是4min。经机加工后，制成ф10×1mm的稀土钼片材。然后采用激光焊接法将稀土钼片与钼筒、用于加热的金属钨丝焊接起来，经过排气、激活处理后制成稀土钼阴极实验磁控管。经过不同激活温度处理、在600℃下测试的次级发射系数，见图6。由图6可知材料的次级发射系数是2.60，而用常规高温炉烧结制备的材料的最大次级发射系数是2.45。
Claims (1)
1、一种复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：
(1)在钼的氧化物或钼粉中，以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的稀土氧化物(如：La2O3、Y2O3、和Gd2O3)然后在500-550℃的氢气中处理1-5个小时；
(2)经过800-1000℃的还原处理后，得到掺杂稀土氧化物的钼粉；
(3)采用SPS快速烧结的方法制备复合稀土钼次级发射材料的烧结体，烧结温度为1450℃-1700℃，保温时间为3-5分钟；
(4)采用常规机加工法制备满足要求的筒、片状材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 02156679 CN1416987A (zh) | 2002-12-19 | 2002-12-19 | 复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(sps)的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 02156679 CN1416987A (zh) | 2002-12-19 | 2002-12-19 | 复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(sps)的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1416987A true CN1416987A (zh) | 2003-05-14 |
Family
ID=4752797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100370046C (zh) * | 2005-04-19 | 2008-02-20 | 泰州市万鑫钨钼制品有限公司 | 钇钼材料及生产方法 |
| CN100415910C (zh) * | 2006-09-08 | 2008-09-03 | 北京科技大学 | 用放电等离子烧结技术制备储氢合金的方法 |
| CN100431748C (zh) * | 2005-07-27 | 2008-11-12 | 北京工业大学 | 稀土元素钆的纳米颗粒及纳米晶块体材料的制备方法 |
| CN101097823B (zh) * | 2006-06-30 | 2011-01-05 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 微型场发射电子器件 |
| CN102965538A (zh) * | 2012-11-10 | 2013-03-13 | 清华大学 | 一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料及其制备方法 |
| CN111575566A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-08-25 | 安徽工业大学 | 一种高性能钼钐合金的制备方法及高性能钼钐合金 |
| CN113732504A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-03 | 西安交通大学 | 一种ods强化钨/钼及其合金焊接性能的方法 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100370046C (zh) * | 2005-04-19 | 2008-02-20 | 泰州市万鑫钨钼制品有限公司 | 钇钼材料及生产方法 |
| CN100431748C (zh) * | 2005-07-27 | 2008-11-12 | 北京工业大学 | 稀土元素钆的纳米颗粒及纳米晶块体材料的制备方法 |
| CN101097823B (zh) * | 2006-06-30 | 2011-01-05 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 微型场发射电子器件 |
| CN100415910C (zh) * | 2006-09-08 | 2008-09-03 | 北京科技大学 | 用放电等离子烧结技术制备储氢合金的方法 |
| CN102965538A (zh) * | 2012-11-10 | 2013-03-13 | 清华大学 | 一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料及其制备方法 |
| CN102965538B (zh) * | 2012-11-10 | 2015-02-18 | 清华大学 | 一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料的制备方法 |
| CN111575566A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-08-25 | 安徽工业大学 | 一种高性能钼钐合金的制备方法及高性能钼钐合金 |
| CN113732504A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-03 | 西安交通大学 | 一种ods强化钨/钼及其合金焊接性能的方法 |
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