CN1407567A - 镇流器铁芯片冲压新工艺 - Google Patents

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Abstract

一种镇流器铁芯片冲压新工艺，其E形芯片和E形芯片采用互相半错开的排列方式，I形芯片采用缝中植排的方法设计使余料部分狭小，冲制时共有10个工步，先冲2个导正孔及余料，再冲4个叠装点，使I形芯片落料后叠装，然后E芯片冲6个叠装点及冲压其余料，用方销定位，接着上下E芯片在先后位置落料叠装，每次冲压共制成E形芯片和I形芯片各两片，本工艺充分使用硅钢片原材料，利用率高，效率高，冲压片质量光滑平整。

Description

镇流器铁芯片冲压新工艺
1、技术领域：
本发明涉及一种镇流器铁芯片冲压新工艺，该工艺方法使IE铁芯无搭边也无废料，可提高冲压件质量，充分利用原材料，属于冲压技术的技术领域。
2、背景技术：
镇流器或小型变压器的铁芯制造工艺通常有2种，其一是采用单工序冲压，这种方法多用于边角料的生产，在单件冲压以后，经二次组装成铁芯，这种方法效率低，加工费用高，其二是连续冲压，冲出单个铁芯片，经二次组装成铁芯，这种方法多用于整体带料的加工，效率较高，但材料成本比使用边角料的成本高，第二种方法是当前冲压生产的趋势。不过，要在材料利用率上下功夫。
当今铁芯件用连续冲压方法生产的芯片有UT型和飞鹰
Figure A0112396800031
T形等，经过计算，UT形芯片材料利用率仅为65％左右，而飞鹰形
Figure A0112396800032
T形芯片的材料利用率也达不到90％。
在图4中飞鹰片1排样时，各片之间有余料2和3。
图5上部由图4(1)飞鹰片经整形成形片4，下部是由图6互相搭接排样冲出的T形芯片5，飞鹰形铁芯芯片，其余料较多，效率较低，成本也高，冲压时需使用两副冲模，两台冲床分别冲压 和T形片， 形片还需整形成形，然后二次叠装才能装成铁芯。
3、发明内容：
本发明的工艺方法是卷料经过精密滚剪成宽度为A的带料，根据“和合几何”的设计原理，对E形芯片采用半错开对排，I件采用缝中植排的排样方法，(图1 IE芯片组合型式如图2所示，冲压时只冲切余料部分而不冲切两侧面，I芯片沿封闭形状一次冲切，叠装成I形铁芯“图2”11由凹模洞口下部排出；E芯片分段冲切，在最后工位切断叠装成E形铁芯“图2”从凹模洞口排出)。
使用本工艺的排样方法，并结合高速冲压自动叠装冲压成的IE形结构的铁芯其质量优于传统工艺及传统结构的铁芯，铁芯外形光滑平整美观，尺寸形状一致，芯片间连接紧密牢固，机械强度高，无短缺，加上输出高和温升低的设计，使镇流器的性能优于传统产品，既无噪音，寿命又长，硅钢片利用率达到95％以上，使材料成本降低，生产效率提高，产品的性价比高。
4、附图说明：
图1：IE型铁芯芯片排样示意图
图2：IE芯片组合示意图
图3：IE芯片冲制过程的工艺图
图4：飞鹰式芯片排样示意图
图5：飞鹰式芯片与T片组合图
图6： T形芯片排样示意图
由图1，E形芯片11-1和E形芯片11-2采用半错开的排列形式，而I形芯片12采用缝中植排的排列方法设计，带料宽度尺寸A的两侧面，在冲压过程中不需要再冲切加工，只要冲切其余料部分13，14，余料部分13是两个E形芯片的一端相互贴合处去掉的余料，余料部分15是两个E形芯片11-1外侧之间的余料，余料部分15是铁芯外形设计考虑的。
由图3，本工艺共分为10个工步：
①先冲2个导正孔a21及余料b、c22、23；
②冲4个叠装点d24，设定芯片叠装片数计量分开(如果是冲压散片，可省去此工序)；
③空步；
④I形芯片落料，叠装(如果是散片，可以不叠装)；
⑤空步；
⑥冲6个叠装点e25，设定芯片叠装片数计量分开，与项“2同”(如果是散片，可无此工序)；
⑦冲压2个余料f26(也可不冲，根据外形设计而定)；
⑧用方销g27开始导正定位；
⑨上部E形芯片落料，叠装(冲散片也不叠装)；
⑩下部E形芯片落料，叠装(冲散片也不叠装)；
以上10个工步在一次冲压过程中同时完成冲压成E形芯片和I形芯片各2个。
5、实施方式：
以13W铁芯为例，效率为每分钟350冲次，每台冲床每个工作日生产近6000套IE铁芯(每58次可制成IE铁芯两套)，如果按传统方式生产，按每分钟冲40片计算，一台冲床需18个工作日才能完成，且生产出来的都是零星散片，还需要二次叠装才能成铁芯。制造芯片时两侧不需再冲切加工，只冲切余料部分，I芯片可沿封闭形状一次冲切，叠装成铁芯后由凹模洞口下部排出，E片需分段逐次冲切，在最后工位切断叠装成铁芯，从凹模洞口排出，每一个冲程可冲制成IE片铁芯两套。

Claims (3)

1、一种镇流器铁芯片冲压新工艺，其特征在于本工艺共分10个工步：①先冲2个导正孔a21及余料b22、余料c23；
②冲4个叠装点d24，设定芯片叠装片数计量分开；
③空步；
④I形芯片落料，后叠装；
⑤空步；
⑥冲6个叠装点e25，；
⑦冲压2个余料f26；
⑧用方销g27开始导正定位；
⑨上部E形芯片落料，叠装；
⑩下部E形芯片落料，叠装；
以上10个工步在一次冲压过程中同时完成。
2、根据要求1所述的冲压新工艺，其特征在于E形芯片11-1和E形芯片11-2采用半错开排列形式，I形芯片(12)采用缝中植排的方法设计。
3、根据权利要求1所述的冲压新工艺，其特征在于：
工步①的b、c(22，23)余料之形状可根据产品设计的要求而改变。工步②和⑥可根据铁芯片叠装或散片结构设计而取舍。工步⑦可根据铁芯外形设计要求而取舍；工步⑨和⑩中的叠装在散装芯片冲压时可以取消。
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