CN1400331A - 固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法 - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229950003143 basic zinc acetate Drugs 0.000 claims description 4
- JCPDISNOORFYFA-UHFFFAOYSA-H tetrazinc;oxygen(2-);hexaacetate Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JCPDISNOORFYFA-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 4
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RGQUGJPUBKIZMP-UHFFFAOYSA-L zinc;2-ethylpentanoate Chemical compound [Zn+2].CCCC(CC)C([O-])=O.CCCC(CC)C([O-])=O RGQUGJPUBKIZMP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 abstract 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- GGPNCAKKSOSCSV-UHFFFAOYSA-M C(CCCC)(=O)[O-].CC[Zn+] Chemical compound C(CCCC)(=O)[O-].CC[Zn+] GGPNCAKKSOSCSV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ICMAFTSLXCXHRK-UHFFFAOYSA-N Ethyl pentanoate Chemical compound CCCCC(=O)OCC ICMAFTSLXCXHRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000255 optical extinction spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提供的固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法包括以下步骤：将衬底置于气相沉积反应室中，加热至150～700℃；以Zn的固态金属有机物作为原材料，置于反应室的石英管中，在100～400℃下升华或蒸发，成气态，并在压强为101～103Pa的生长气氛中发生分解或反应，在衬底上形成ZnO薄膜。本发明的优点是：1)采用固态源，排除了溶剂蒸气对ZnO薄膜的影响；2)真空度要求低，设备简单；3)薄膜的沉积速率快，生长效率高，适于批量生产；4)沉积得到的ZnO薄膜，显示出一种新的结晶学取向和结构特性。
Description
技术领域
本发明涉及固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法。
背景技术
化学气相沉积(CVD)是ZnO薄膜的一种重要生长技术，具有沉积速率快，生长效率高、结晶性能优异、薄膜均匀性较好等优点，而且还易于实施掺杂。用于生长ZnO薄膜的CVD有机源主要有：二水醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)、碱式醋酸锌(Zn4O(CH3COO)6)、2-乙基戊酸锌(Zn(C5H7O2)2)以及二乙基锌(Zn(C2H5)2)等。在目前已存在的CVD生长技术中，这些有机源均溶解在水、乙醇等溶液中，存在以下不足：
1)有机源的纯度受到溶剂纯度的限制；
2)溶剂蒸气会对薄膜生长过程中的热力学反应产生影响，而且也会对ZnO薄膜的质量产生影响。
3)有机源溶液及其输送装置与CVD真空室接口较为复杂，不利于密封。
发明内容
本发明的目的是提供一种固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法。该方法包括以下步骤：将衬底置于气相沉积反应室中，加热至150～700℃；以Zn的固态金属有机物作为原材料，置于反应室的石英管中，在100～400℃下升华或蒸发，成气态，并在压强为101～103Pa的生长气氛中发生分解或反应，在衬底上形成ZnO薄膜。
本发明中的Zn的固态金属有机物可以采用二水醋酸锌、碱式醋酸锌、2-乙基戊酸锌或二乙基锌。所说的气氛可以是真空、O2、Ar、N2中的一种或其混合气体，或掺杂气氛。掺杂气氛可以是NH3或N2O。
本发明的优点是：
1)采用固态源，排除了溶剂蒸气对ZnO薄膜的影响；
2)真空度要求低，设备简单；
3)薄膜的沉积速率快，生长效率高，适于批量生产；
4)沉积得到的ZnO薄膜，显示出一种新的结晶学取向和结构特性。
附图说明
图1是固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜装置示意图；
图2是一种ZnO薄膜的XRD图谱；
图3是另一种ZnO薄膜的XRD图谱；
图4是N掺杂ZnO薄膜的光学透射谱。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步描述。
实施例1
将硅衬底1置于气相沉积反应室2中，加热至200℃；以固态二水醋酸锌作为原材料，置于反应室的石英管3中，在275℃下蒸发，成气态，并在100Pa的O2和Ar的混合气氛中，发生如下反应：
这里s和v分别表示固态和气态。在硅衬底1上沉积15min，形成ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构特性如图2所示，它具有很好的(100)取向。
实施例2
将玻璃衬底1置于气相沉积反应室2中，加热至500℃；以固态碱式醋酸锌作为原材料，置于反应室的石英管3中，在230℃下升华，成气态，并在200Pa的O2气氛中，发生反应，在玻璃衬底1上沉积生成ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构特性如图3所示，它具有(100)和(110)的混合取向。
实施例3
将蓝宝石衬底1置于气相沉积反应室2中，加热至500℃；以固态二水醋酸锌作为原材料，置于反应室的石英管3中，在250℃下蒸发，成气态；从反应室的进气口4通入NH3和O2为生长气氛，其中NH3为掺杂气体，气氛压强为200Pa；沉积20min，在蓝宝石衬底1上形成N掺杂的ZnO薄膜。N掺杂ZnO薄膜为p型半导体，其载流子浓度为1017cm-3，电阻率为32Ω.cm；在可见光区域透射率为85％，如图4所示。
Claims (4)
1、固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：将衬底置于气相沉积反应室中，加热至150～700℃；以Zn的固态金属有机物作为原材料，置于反应室的石英管中，在100～400℃下升华或蒸发，成气态，并在压强为101～103Pa的生长气氛中发生分解或反应，在衬底上形成ZnO薄膜。
2、根据权利要求1所述的固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法，其特征是所说的Zn的固态金属有机物为二水醋酸锌、碱式醋酸锌、2-乙基戊酸锌或二乙基锌。
3、根据权利要求1或2所述的固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法，其特征是所说的气氛是真空、O2、Ar、N2中的一种或其混合气体，或掺杂气氛。
4、根据权利要求3所述的固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法，其特征在于所说的掺杂气氛是NH3或N2O。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021364400A CN1182273C (zh) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法 |
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| CNB021364400A CN1182273C (zh) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1400331A true CN1400331A (zh) | 2003-03-05 |
| CN1182273C CN1182273C (zh) | 2004-12-29 |
Family
ID=4748648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB021364400A Expired - Fee Related CN1182273C (zh) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法 |
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| CN100428495C (zh) * | 2005-12-01 | 2008-10-22 | 复旦大学 | 一种p型或n型氧化锌薄膜及其制备方法 |
| CN100445422C (zh) * | 2006-03-21 | 2008-12-24 | 电子科技大学 | 一种用于制备氧化锌薄膜的有机锌源及其制备方法 |
| CN101541701B (zh) * | 2006-08-29 | 2013-07-17 | 皮尔金顿集团有限公司 | 制备低电阻率、掺杂氧化锌涂层玻璃物件的方法及由此制成的涂层玻璃物件 |
| CN110286147A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-27 | 浙江大学 | 一种用于丙酮气体传感碳包覆氧化锌材料及其制备方法 |
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