CN1399164A - 液晶显示器 - Google Patents

Abstract

一种液晶显示器，象素TFT(沟道201)沿栅极线61构成，致使沟道201的中心定位于在两个相邻数据线81之间的穿过中间位置的A－A线上。象素TFT的栅极侧LDD区41和象素侧LDD区42绕A－A线对称地构成，而且绕A－A线对称地形成存储电容器。用这种构造，可以使液晶显示器的每一个象素TFT的两个LDD区的漏电流彼此相等。

Description

液晶显示器

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器，特别是涉及一种用于液晶投影仪光阀的液晶显示器。

背景技术

液晶显示器含包括象素衬底，与象素衬底对置的对置衬底及密封在象素衬底和对置衬底之间的液晶层的基础结构。在象素衬底上分别构成多个开关元件如TFT(薄膜晶体管)及多个象素电极等。在对置衬底上构成公共电极，而且对置衬底以彼此间的预定间隙对象素衬底布置成对立关系。

图1是在传统液晶显示器中使用的象素衬底的象素之一及围绕象素布置的有关元件的平面图。

如图1所示，在传统液晶显示器中，每一个象素TFT(沟道区201)设置在栅极线61和数据线81的交点上。象素TFT的沟道区沿数据线81垂直于附图页布置。另外，在传统液晶显示器中，大体矩形的存储电容器204沿栅极线排列。

具有最高光灵敏度的象素TFT的一部分是LDD(轻掺杂的漏极)。即在图1中，在数据线81一侧连接到象素电极的触点204的LDD区42以及数据线81一侧连接到触点202的LDD区41是对光最敏感的。

当入射到数据线侧LDD区41的光数量不同于入射到象素电极侧LDD区42上的光数量时，在LDD区之间存在漏电流的差异。此外，由于液晶显示器通常是AC(交流)驱动的，数据线侧LDD区41及象素电极侧LDD区42的电场在每一帧中成为高度交变的。因此，如果在数据线侧LDD区41及象素电极侧LDD区42之间存在漏电流差异时，在每一帧中象素的亮度不同，使显示屏上产生闪烁。

为了防止发生这种闪烁，在传统液晶显示器中通常采用一种结构，其中LDD区41和42由上遮光层和下遮光层进行光屏蔽，它们设置在这些区的上面和下面。

传统液晶显示器的光屏蔽结构的典型实例有点阵型的上和下遮光层设置用于覆盖数据线，栅极线和象素TFT，从而防止光照射LDD区。在一种情况下，那里光垂直地照在液晶显示器上时，这种光屏蔽结构是有效的。即，按照这种光屏蔽结构，上、下遮光层可阻挡光进入数据传输线侧LDD区和象素线侧LDD区，只要光垂直进入液晶显示器就成。

可是，入射到液晶显示器上的光不仅包含相对于液晶显示器的垂直分量，还包括具有某种角分布的各种分量。因此，入射到上遮光层端部的光可包含由下遮光层等重复地反射并引向LDD区的光。因为，在传统液晶显示器的光屏蔽结构中，引向数据线侧LDD区及其附近的光量不同于那些引向象素电极侧LDD区及其附近的光量，存在一种问题，即不可能使数据线侧LDD区和象素侧LDD区的漏电流彼此相等。该问题可参照图2和图3详细说明。

图2是在图1中沿I-I线截取的剖面，即包括数据线侧LDD区41的剖面，而图3是在图1中沿J-J线截取的剖面，即包括象素线侧LDD区42的区域的剖面。

参照图2，在玻璃衬底1的上表面构成下遮光层2，并且构成第一层间膜3以覆盖下遮光层2。在第一层间膜3上形成数据线侧LDD区，以及在数据线侧LDD区41上成栅绝缘膜5。在栅绝缘膜5上，构成第二层间膜7来覆盖栅绝缘膜。在第二层间膜7的上表面构成数据线81，并且构成第三层间膜9来覆盖数据线81。第三层间膜上构成上遮光层10。因为下遮光层2和上遮光层10是沿数据线构成的，构成的遮光层2及遮光层10比数据线81略宽。

另一方面，参照图3，在多晶硅层4上形成用做存储电容器线62的金属膜，以及在象素电极侧LDD区42两侧形成栅绝缘膜5，而且构成下遮光层2及上遮光层10以覆盖金属膜6。就是说，因为下遮光层2和上遮光层10在该区域中沿栅极线61形成，在该区域中下遮光层2和上遮光层10的侧部和数据线81的宽度无关地向外延伸。

如上所述，在包括数据线侧LDD区41的区域中，下遮光层2及上遮光层10的宽度不同于包括象素电极侧LDD区42的区域中的那些遮光层的宽度。因此，在各LDD区41和42之间存在入射光量的差别。

例如，在相对法线成一定角度入射的围绕数据线侧LDD区41的光线如图2中的箭头所示，指向上遮光层10边缘附近的下屏蔽层2。该光是由金属材料构成的下屏蔽层2、金属材料构成的数据线81及下遮光层2再次反射并达到数据线侧LDD区41。反之，入射在象素电极侧LDD区42附近的光被上遮光层10阻挡并不能到达下遮光层2，即使光的入射角和图2中所示的相同亦是如此，如图3所示。

如上所述，在传统液晶显示器中，在数据线侧LDD区41中的光屏蔽结构和象素电极侧LDD区42中的不同。因此，存在数据线侧LDD区和象素侧LDD区漏电流不同的问题。此外，存在另一种问题，即由于漏电流差异产生的图象质量降级，如显示屏上的闪烁。

当液晶显示器用做液晶投影器的光阀时，这些问题变得特别重要。就是说，按照投影器外壳小型化和液晶面板小型化的最近的趋势，为了在增加屏幕亮度的同时降低成本，要增加入射到液晶显示器上的光量，因此即使漏电流的小的差异也会导致图象质量降级。

发明内容

本发明的目的之一是提供能在栅极线侧LDD区和其各象素TFT的象素电极侧LDD区平衡漏电流的液晶显示器。

为了要防止因诸如闪烁引起的图象质量降级，使栅极线侧LDD区和象素电极侧LDD区的光屏蔽结构完全相同，致使在那里的漏电流彼此相等。可是，为了使在传统液晶显示器中的数据线侧LDD区和象素电极侧LDD区的光屏蔽区全同，其中象素TFT是沿数据线排列的，各象素区的孔径比必须做出显著的牺牲。

鉴于当代工艺水平，本发明通过沿栅极线排列TFT、并在数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42使用全同的光屏蔽结构、使数据线侧LDD区和象素电极侧LDD区中的漏电流数量相等，来限制闪烁的发生。

就是说，根据本发明的液晶显示器，包括在透明绝缘衬底上形成的多个并行栅极线，在透明绝缘衬底上形成的多个并行数据线，所述数据线与栅极线正交并与之电绝缘，以及对应于在矩阵中由栅极线及数传传输线分开的各象素区在透明绝缘衬底上设置的多个晶体管，其中每一个晶体管包括一个数据线侧LDD区及沿数据线设置的象素侧LDD区，并且相对于数据线有一个间隙，致使数据线侧LDD区的光屏蔽特性与象素侧LDD区的基本上相同。

在上述液晶显示器中，各晶体管可以等距离地安排在远离数据线中的相邻数据线的位置上，即在数据线之间的中间线上。

另外，当各晶体管按预定距离从相邻的数据线分开时，该晶体管可以安排在相邻数据线之一的侧面，且该传输线连接同一晶体管。

在液晶显示器中，其中每一种晶体管安排在相邻数据线之一的侧面，传输线连接同一晶体管，它还包括沿栅极线形成的存储电容器，致使晶体管定位在各象素区中的栅极线之间，该存储电容器可含突出部，在沿栅极线并在栅极线一侧的晶体管的象素侧LDD区的一侧部分地突出。在后一种情况中，象素电极的触点设置在这种突出部中。

在任何上述液晶显示器中，反射光衰减层可设置在栅极线下面定位的栅绝缘膜下面。

附图说明

图1是一个平面图，表示在传统液晶显示器中使用的象素衬底的一部分；

图2是在图1中沿I-I线截取的剖面图；

图3是在图1中沿J-J线截取的剖面图；

图4是一个平面图，表示在根据本发明的第一实施例的液晶显示器中采用的象素衬底的一部分；

图5A至图5O是图4中所示象素衬底的剖面图，表示其加工步骤；

图6是图4中沿B-B线截取的剖面图；

图7是图4中沿C-C线截取的剖面图；

图8是图4中沿箭头301方向的剖面图，表示光通路；

图9是一个平面图，表示根据本发明的第二实施例的液晶显示器中采用的象素衬底的一部分；

图10是图9中沿箭头303方向的剖面图，表示光通路；

图11是一个平面图，表示根据本发明第三实施例的液晶显示器采用的象素衬底的一部分；

图12是图11所示的象素衬底使用的象素TFT的放大平面视图；

图13是图12中沿线F-F截取的剖面图；

图14是一个平面图，表示根据本发明第四实施例的液晶显示器中使用的象素衬底的一部分；

图15是图14中所示象素衬底中所用象素衬底的放大平面视图；

图16是图15中沿线H-H截取的剖面图。

具体实施方式

参照附图，详细说明本发明的实施例。

本发明的液晶显示器包含：象素衬底，其上形成多个象素电极；对置衬底，在对置衬底上形成公共电极等；以及液晶层，设置在象素衬底和以预定距离按和象素衬底的对置关系布置的对置衬底之间的间隙中。因为本发明涉及的是象素电极衬底结构，今后只对其象素衬底进行叙述。

图4表示根据本发明第一实施例的液晶显示器的象素衬底。顺便说明，图4表示液晶显示器象素衬底的一部分，它包括多个象素之一及其周边部分。各象素以矩阵形式布置在象素衬底上。

如图4所示，在象素衬底上形成多个平行栅极线61和与栅极线垂直的多个平行数据线81。一个象素区由两个相邻的栅极线61和两种相邻的数据线81限定。具体说，图4中左侧部所示的数据线81和图4中上侧所示的栅极线61限定了图4中心的象素区。右侧部所示的数据线81和上栅极线限定一个象素区，它并未示于并定位于中心象素区的右侧，下侧的栅极线61和左侧数据线限定一个象素区，并未示于并定位于低于图面上中心象素区的地方。

根据本实施例的象素衬底中，构成沟道区201的象素TFT是沿栅极线61布置的，不是在数据线81上，而是在两条相邻数据线81之间的中心位置上。沟道区201的中心在两条数据线之间的中心线A-A上。

象素TFT包括通过数据线触点202连接到数据线81的数据线侧LDD区41，以及通过象素电极触点203连接到象素电极的象素电极侧LDD区42。数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42是绕A-A线对称分布的。

此外，在示于图4的象素衬底中，象素电极触点203的中心也在A-A线上，而且由多晶硅层和栅金属层构成的存储电容器204以及栅金属层是绕线A-A对称地形成的。

将参照图5A至图5O说明图4所示的象素衬底制造方法。顺便说明，应当指出，图5A至图5O只是说明象素衬底的加工步骤，其中表示的剖面图并未规定图4中所示象素衬底的任何具体部分。

首先，如图5A所示，在透明绝缘衬底1，如玻璃衬底上形成下遮光层2。最好是下遮光层2具有优越的光屏蔽特性和耐热性，使得在下面说明的形成多晶硅期间，不受退火的影响。有鉴于此，下遮光层2是由WSi(硅化钨)等构成的。

其次，如图5B所示，第一层间膜3是用SiO₂等在下遮光层2上形成的。选择第一层间膜的厚度，致使下遮光层2不起象素TFT的背栅的作用。

此后，如图5C所示，在第一层间膜3上形成多晶硅层4。多晶硅层4是这样形成的，先在第一层间膜3上形成非晶硅层，然后使非晶硅层承受激光退火。

其次，如图5D所示，形成栅绝缘膜5以覆盖多晶硅层4。形成栅绝缘膜5后，多晶硅层4的各部分，变为源极，漏极及存储电容器，用杂质掺杂。

以后，如图5E所示，通过用光刻技术和蚀刻法，将栅绝缘膜5及多晶硅层4制成岛。

再其次，由诸如WSi的金属材料构成金属膜6，然后通过对金属膜6制图将栅极线61及存储电容器线62有选择地形成在栅绝缘膜5上，如图5F所示。此后，通过用杂质有选择地对多晶硅层4掺杂，形成LDD区40。

此后，如图5G所示，在晶片上形成第二层间膜7。

其次，如图5H所示，穿过第二层间膜7和栅绝缘膜5形成接触孔75，使多晶硅层4部分地暴露出来。

此后，为了形成穿过接触孔75连接到多晶硅层4的数据线81，在晶片上形成像铝这样的金属膜，而通过对这样形成的金属膜制图形成数据线81，如图5I所示。

其次，如图5J所示，形成第三层间膜9，然后在它上面形成像铝这样的金属膜，如图5K所示。通过对金属膜制图，形成上遮光层，如图5L所示。

此后，如图5M所示，通过涂漆和烘干形成压平膜11。

其次，如图5N所示，形成用于暴露多晶硅层4一部分的接触孔119。

最后，形成穿过接触孔119连接到多晶硅层4的ITO(铟锡氧化物)膜，而且通过对ITO膜制图形成象素电极12，如图50所示。

如上所述形成示于图4的象素衬底。

图6和图7是分别在这样加工的象素衬底4上包括象素TFT的数据线侧IDD区41和象素电极侧LDD区42的各个部分的剖面图。就是说，图4中沿B-B线截取的剖面和沿C-C线截取的剖面分别对应于示于图6和图7的那些剖面图。

如图4，图6和图7所示，数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42具有基本相同的光屏蔽特性。下面将说明此项理由。

首先考虑光垂直地入射到液晶显示器上，可以说到达栅极线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42的光的强度相同，因为包括数据侧LDD区和象素电极侧LDD区的各个部分的结构和图4，图6和图7所示的相同。就是说，垂直入射到液晶显示器上的光基本上被包括数据线侧LDD区41及包括象素电极侧LDD区42的区域中的上遮光层10和下遮光层2屏蔽。因此，到达这两个LDD区的光强变为基本相同。

至于和其法线成一定角度入射到液晶显示器上的光，它从上遮光层10边缘附近进入象素衬底，而且，在它相继被遮光层10、下遮光层2、多晶硅层4和栅极线61重复反射并衰减后，只有部分入射光到达LDD区41和42。例如，图8是沿图4中箭头301方向观察的象素衬底的剖面。在这种情况下，光倾斜入射到上遮光层10边缘附近达到下遮光层2，而且，由各层反射后，到达数据线侧LDD区41。

在根据本实施例的象素衬底中，栅极线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42对称地布置在图4的A-A线周围。此外，象素电极12和存储电容器204也分别对称地布置在A-A线周围。因此，如果在图4中箭头301方向观察的剖面中存在光通路，沿此光通路入射在上光屏蔽金属层边缘附近的光在象素衬底内重复反射并到达数据线侧LDD区41，在图4中沿箭头302方向观察的剖面中存在光通路，它是对箭头301线对称的，而且沿该光通路，入射在上光屏蔽金属层边缘附近的光在象素衬底内重复反射并到达象素电极侧LDD区42。这样，在图4所示的象素衬底中，当一个光通路存在时，沿该光通路入射在遮光层边缘附近的光在象素衬底内重复反射并衰减后到达LDD区41和42之一，存在另一个光通路，所说另一个光通路对绕A-A线的光通路是线对称的，且沿该另一个光通路，衰减的入射光到达另一个LDD区。

因此，在图4中，数据线侧LDD区41和图4中象素电极侧LDD区42的光屏蔽特性是基本相同的。

通常，为了防止液晶降级，在每一帧中用含交变极性的AC电压驱动象素。因此，在每一帧中，象素TFT的漏极连接在数据线81和象素电极12之间转换。此外，因为在栅极和漏极之间的LDD区的电场在保持已写入电压的周期内(即象素TFT栅极的截止周期)增强，在每一帧中数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42的电场增强。当光入射在电场增强的部分上时，通过受光激励的载流子的迁移率产生漏电流。在这种情况下，在数据线侧变漏极的时间周期内，在各LDD区中光致漏电流与当象素电极侧变为漏极时不同，各帧中象素的亮度不同，使显示屏上出现闪烁。在使用根据本实施例的象素衬底的液晶显示器中，当数据线侧变为漏极时，栅极线侧LDD区和象素电极侧LDD区中的漏电流全同于当象素电极侧变为漏极时的那些漏电流，因为如上所述，数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42的光屏蔽结构是全同的。因此，在本液晶显示器中，闪烁的产生受到限制。

现在，参照图9和图10，将说明根据第二实施例的液晶显示器的象素衬底。

如图9所示，在第二实施例的象素衬底中，和第一实施例一样，多种象素TFT在两种相邻两个数据线之间及沿栅极线形成。在第二实施例的象素衬底中，沟道区201的中心定位于D-D线上，而且数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42绕D-D线以线对称形式构成。存储电容器204也围绕D-D线对称地形成。

第二实施例和第一实施例的区别在于，提供反射光衰减区45，用图9中的点划线表示。反射光衰减区45是由例如多晶硅层形成的，并在栅极线61下面形成栅绝缘膜5插入其间。换句话说，形成栅极氧化物膜5并在栅极氧化物膜5上构成栅极线61。顺便说明，反射光衰减区45是绕D-D线对称地形成的。

根据第二实施例的象素衬底是通过和第一实施例相同的加工步骤制成的。和第一实施例的唯一区别是多晶硅层4和绝缘膜5的区域，它是由图5E中所示的步骤蚀刻的。即在图5E所示的步骤中，多晶硅层4和栅绝缘膜5是这样蚀刻的，致使反射光衰减区45以岛的形式保留。反射光衰减区45不和任何金属件连接并保持电浮动状态。

因为第二实施例中象素电极的反射光衰减区45是围绕D-D线线对称分布的，出于和第一实施例象素衬底的同样理由，数据线侧LDD区41上的光屏蔽结构和象素电极侧LDD区42的该结构相同。

现在将说明反射光衰减区45的作用。图10是沿示于图9的箭头303方向观察时LDD区41的剖面图。

如图10所示，入射到上遮光层10边缘附近的光经过象素衬底内各层的重复反射后到达LDD区41。就此而论，光在反射光衰减区45(即多晶硅层)和下遮光层2之间多次重复反射。因为多晶硅的反射率比象WSi这样的金属层小，该层用做下遮光层2和栅极线61，当光到达LDD区41时，和图8所示的情况相比，其光强衰减得更多。因此，通过提供反射光衰减区45，能改善和第二实施例的数据线侧LDD区及象素衬底的象素电极侧LDD区相关的光屏蔽特性，从而减小由光到达这两种LDD区引起的漏电流。

因为数据线侧LDD区41的光屏蔽结构也等同于使用根据本实施例的象素衬底的液晶显示器中象素电极侧LDD区42的那种光屏蔽结构，如果在各LDD区中存在任何漏电流的话，这个漏电流也和数据线侧LDD区变为漏极及象素电极侧LDD区变为漏极的情况相同。因此，可能限制液晶显示器的显示屏上产生闪烁的现象。

参照图11至图13，将说明根据本发明第三实施例的液晶显示器的象素衬底。

如图11所示，在本实施例的象素衬底中，象素TFT布置在远离数据线81并沿栅极线61的位置上。每一个象素TFT不是象在第一和第二实施例那样，设置在两个相邻数据线81之间的位置，而是设在更接近象素TFT连接的(如图11左边所示)数据线81的位置。就是说，象素TFT是这样布置的，致使数据线侧LDD区41和上遮光层10之间的距离E1变短，比象素电极侧LDD区42和相邻象素的数据线81的上遮光层10之间的距离E2近。

如上所述，通过布置象素TFT在图面左侧的位置，在象素TFT右侧提供一个区域，其中可以安排触点203和一部分存储电容器204。

图11表示触点203及存储电容器204的一部分，安排在这样设置的右侧区域。通过移动象素TFT的位置到连接在这里的数据线81的一侧并突出存储电容器204的一部分到栅极线61的一侧，可以使连接象素TFT和触点202及203的接线长度和对接线要求的面积变小，从而增大每个象素区的孔径比。

通过用第一实施例使用的相同加工步骤可以制造第三实施例的象素衬底。

如图11所示，当使象素TFT的位置更靠近连接同一象素TFT的数据线时，在象素电极侧LDD区42和相邻象素的数据线81的上遮光层10之间的距离E2，比数据线侧LDD区41及上遮光层10之间的距离E1要长。因此，和数据线侧LDD区41相比，从上遮光层10的端部经在象素衬底内重复反射后到达LDD区的光通路在象素电极侧LDD区42的一侧起支配作用。

可是，如果光通过一个光通路到达象素电极侧LDD区42，该光通路在数据线侧LDD区41一侧不存在，只存在于象素电极侧LDD区42的一侧，光被象素衬底内一定数量的反射充分衰减，通过该光通路到达象素电极侧LDD区的光可以忽略不计。反之，数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42的光屏蔽特性可认为相等，如果象素TFT的位置是这样确定的，致使到达数据线侧LDD区和象素电极侧LDD区的不充分衰减的光的强度相等。

数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42的光屏蔽特性可认为相等的条件将在下述假设下说明：即当光到达一种LDD区时，光强度为入射在上遮光层10端部附近的光强的1/1000或更小。

图12是在示于图11的象素衬底上形成的象素TFT的放大视图，而图13是在图12中沿f-f线截取的剖面，顺便地说，图13还表示入射光从上遮光层10边缘附近穿过象素衬底的内部到数据线侧LDD区的光通路。

当用WSi做下光屏蔽膜2及栅极线61的材料其反射率为60％时，为了使到达LDD区的光强由于在下光屏蔽膜2和栅极线61之间的重复反射变为入射在上遮光层10边缘附近光强的1/1000或更小。重复反射的数目应为7或更多，这对应于14或更多次反射。就是说，在示于图13的实例中，在光沿栅极线在从入射点至数据线侧LDD区41的光通路中行进D1距离的时间内，入射在上遮光层10边缘部分附近的光必须在栅极线61和下遮光层2之间重复地反射7次。假定入射光分量角分布的最大值(最大入射角)是11°，而第一层间膜3的厚度用h表示，必须重复7次或更多的反射的距离为d1可由下式求出：

d1＞2·h·tan11°·7                   (公式1)

当第一层间膜3的厚度例如是1μm时，由公式1显而易见，d1必须大于2.7μm。在这种情况下，可以认为数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42的光屏蔽特性相等，即使当象素TFT设置在更接近连接TFT的数据线时亦是如此，条件是d1在大于2.7μm的范围内。

如上所述，在本实施例中，因为数据线侧LDD区41的光屏蔽结构也是和象素电极侧LDD区42基本相同，在数据线侧LDD区变为漏极、和象素电极侧LDD区变为漏极的情况下，如果存在漏电流的话，在对应的LDD区中漏电流的量是相同的。因此，可以限制液晶显示器中产生闪烁。

此外，在本实施例中，其中数据线侧LDD布置在更靠近数据线触点202处，可以移动象素电极203的位置，并缩小必须用于接线的面积。因此，和第一或第二实施例相比，可以增大象素的孔径比。

现在，参照图14至图16，说明本发明的第四实施例。

第四实施例的象素衬底和第三实施例的象素衬底的区别在于，第四实施例包括用双点划线表示的反射光衰减区45。

在本实施例中，象素TFT设置在靠近连接象素TFT的数据线81的位置上，和第三实施例一样。因此，在象素电极侧LDD区42和相邻象素的数据线81的上遮光层10之间的距离G2比数据线侧LDD区41和数据线81的上遮光层10之间的距离G1更长，如图14所示。可是，如上相对于第三实施例所述，如果象素TFT的位置从有关的数据线81分开预定的距离的话，可以认为数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42的光屏蔽特性相同。

假设当光到达LDD区时光强变为入射在上遮光层10的边部附近光强的1/1000或更小时，对于在第三实施例中数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42的光屏蔽特性可认为相同的条件进行说明。

图15是在示于图14的象素衬底上形成的象素TFT的放大视图，而图16是在图15中沿h-h线截取的剖面图，表示入射光从上遮光层10的边部附近穿过象素衬底内部到数据线侧LDD区401的光通路。

如图16所示，在下遮光层2和反射光衰减区45之间重复反射后，光入射在上遮光层10边部附近穿过象素衬底到达数据线侧LDD区41。当WSi用做下光屏蔽膜的材料时反射率为60％，而反射光衰减区45使用多晶硅时反射率为30％，为了使到达LDD区的光强由于在下遮光层2和反射光误减区45之间的重复反射，变为光入射在上遮光层10边部附近的光强的1/1000或更小，重复反射的数目必须是5或更多。就是说，在图16中，必须是这样的，即从上遮光层的边部穿过象素衬底内部到数据线侧LDD区41的光通路中，在光行进距离d2的时间内，入射在上遮光层10边缘附近的光必须在反射光衰减区45和下遮光层2之间，重复反射5次或更多。

假定入射光角分布的最大值(最大入射角)是11°而第一层间膜3的厚度用h表示，必须重复5次或更多次反射的距离为d2可由下式求出：

d2＞2·h·tan11°·5                        (公式2)

例如当第一层间膜3的厚度是1μm时，由公式2显而易见，d2必须大于1.9μm。因此，在这种情况下，即使当象素TFT设置在更接近连接TFT的数据线时，并假定d2在大于1.9μm的范围内，则可以认为数据线侧LDD区41和象素电极侧LDD区42的光屏蔽特性是相同的。

如上所述，因为数据线侧LDD区41的光屏蔽结构基本上等同于本实施例中象素电极侧LDD区的光屏蔽结构，漏电流的数量(如果有漏电流的话)在数据线侧LDD区变为漏极的情况下和象素电极侧LDD变为漏极的情况下是相同的。因此，可以限制液晶显示器中产生闪烁。

此外，本实施例中，其中数据线侧LDD区41布置在更靠近数据线的触点202处，能够移动象素电极203的位置，并缩小必须用于布线的面积。因此，和第一或第二实施例相比，可以增大象素的孔径比。

另外，本实施例包括反射光衰减区45，它是多晶硅层，设置在栅极线61的下部。因此，可以使数据线侧LDD更靠近触点202，从而和第一或第二实施例相比，增大象素的孔径比。

根据本发明，通过将象素TFT安排在远离数据线并沿栅极线的位置上，可使两个LDD区的光屏蔽特性相同。因此，可以使这两种LDD区的漏电流数量相等，从而限制在液晶显示器中产生闪烁。

进而，根据本发明，沿栅极线布置的象素TFT移到连接TFT的栅极线一侧。因此，可以增大象素的孔径比。

Claims (6)

1.一种液晶显示器，包含：

在透明绝缘衬底上形成的多个平行栅极线；

在所述透明绝缘衬底上形成的多个平行数据线，致使多个所述平行数据线和多个所述平行栅极线彼此交叉，多个所述平行数据线和多个所述平行栅极线是电绝缘的；以及

在所述透明绝缘衬底上设置的多个晶体管，它们分别在对应于由所述栅极线和所述数据线以矩阵形式划分的象素区的位置上，多个所述晶体管中的每一个都包含一个数据线侧LDD区和一个象素侧LDD区，而且所述晶体管的位置远离所述数据线并沿所述栅极线，致使所述数据线侧LDD区和所述象素侧LDD区的光屏蔽特性变为基本相同。

2.如权利要求1所述的液晶显示器，其中多个所述晶体管中的每一个都安排在两个相邻所述数据线之间的中间位置上。

3.如权利要求1所述的液晶显示器，其中多个所述晶体管中的每一个都安排在分别远离两个相邻所述数据线预定距离的位置上，并靠近连接所述晶体管的所述相邻数据线之一。

4.如权利要求3所述的液晶显示器，还包含在每个所述象素区中的存储电容器，其中所述存储电容器是沿所述栅极线形成的，致使所述晶体管定位于相邻栅极线之间，而且每个所述存储电容器具有突出部，部分地突伸到所述晶体管的象素侧LDD区的侧面上及所述栅极线的侧面上。

5.如权利要求4所述的液晶显示器，其中所述象素电极的触点设置在所述存储电容器的突出部上。

6.如权利要求1所述的液晶显示器，还包含反射光衰减层，设置在所述栅极线下面定位的栅极绝缘膜的下面。

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