CN107121852A - 一种阵列基板及液晶面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及液晶面板。该阵列基板包括显示区域和GOA区域，显示区域包括中心区域和围绕中心区域设置的周边区域；阵列基板包括公共电极层、源漏极层和遮光层，公共电极层包括设置于中心区域的第一公共电极区和设置于周边区域的第二公共电极区，源漏极层包括设置于GOA区域的第一信号走线和第二信号走线；其中，第一公共电极区通过遮光层与第一信号走线电连接，以使第一公共电极区的电压等于第一信号走线提供的第一电压；第二公共电极区与第二信号走线电连接，以使第二公共电极区的电压为第二信号走线提供的第二电压。通过上述方式，本发明能够改善液晶面板显示画面时的Flicker现象。

Description

一种阵列基板及液晶面板
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶面板。
背景技术
目前在LTPS-TFT LCD中小尺寸面板中，当液晶面板正常工作时，液晶面板中的公共电极的电压为固定的某一直流电压，该电压在工作过程中是固定不变的。在实际应用的过程中，当该电压发生漂移时，会造成液晶面板的Flicker现象。
所谓Flicker现象，就是当用户观看液晶面板显示的画面时，会感觉到画面有闪烁的感觉。其导致的原因是：由于现有技术的液晶面板采用一固定直流电压驱动公共电极，该电压由于漂移导致的误差会使得正负极性的同一灰阶电压产生差别，此时灰阶给用户的感觉也就不一样了。在不停切换画面时，由于正负极性画面交替出现，用户就会感觉到flicker现象的存在。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及液晶面板，能够改善液晶面板显示画面时的Flicker现象。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括显示区域和GOA区域，显示区域包括中心区域和围绕中心区域设置的周边区域；阵列基板包括公共电极层、源漏极层和遮光层；其中，公共电极层包括设置于中心区域的第一公共电极区和设置于周边区域的第二公共电极区；其中，源漏极层包括设置于GOA区域的第一信号走线和第二信号走线；其中，第一公共电极区通过遮光层与GOA区域的第一信号走线电连接，以使第一公共电极区的电压等于第一信号走线提供的第一电压；其中，第二公共电极区与GOA区域的第二信号走线电连接，以使第二公共电极区的电压为第二信号走线提供的第二电压。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种液晶面板，包括了上述的阵列基板。
本发明的有益效果是：本发明的阵列基板及液晶面板通过将公共电极层按照中心区域和周边区域划分为第一公共电极区和第二公共电极区，其中，第一公共电极区通过遮光层与第一信号线电连接以使第一公共电极区的电压等于第一信号线提供的第一电压，第二公共电极区与第二信号线电连接以使第二公共电极区的电压为第二信号线提供的第二电压，从而能够改善液晶面板显示画面时的Flicker现象。
附图说明
图1是本发明实施例的阵列基板的俯视示意图；
图2是本发明第一实施例的阵列基板的部分截面示意图；
图3是本发明第二实施例的阵列基板的部分截面示意图；
图4是本发明实施例的液晶面板的结构示意图。
具体实施方式
在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的组件，所属领域中的技术人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的组件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的基准。下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。
图1是本发明实施例的阵列基板的俯视示意图。如图1所示，阵列基板包括显示区域AA和GOA区域BB，显示区域AA包括中心区域AA1和围绕中心区域AA1设置的周边区域AA2。优选地，中心区域AA1呈矩形设置。
图2是本发明第一实施例的阵列基板的部分截面示意图。如图2所示，阵列基板包括从下到上依次形成的基板10、遮光层11、缓冲层12、多晶硅层13、栅极绝缘层14、栅极层15、层间介电层16、源漏极层17、平坦层18和公共电极层19。
基板10通常为透明玻璃板。
遮光层11覆盖基板10。优选地，遮光层11的材质为具有遮光功能与导电性质的金属。
缓冲层12覆盖遮光层11。优选地，缓冲层12的材质为氧化硅层、氮化硅层、或者氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
在缓冲层12上形成有多晶硅层13，对多晶硅层13进行离子掺杂以使多晶硅层13包括位于两侧的重掺杂区131、位于中间的沟道区132、及位于重掺杂区131和沟道区132之间的轻掺杂区133。优选地，离子掺杂的方式可以为离子植入机植入掺杂或者气相沉积掺杂。优选地，重掺杂区131、轻掺杂区133为N型掺杂，N型掺杂掺入的离子为磷离子或砷离子。
栅极绝缘层14覆盖缓冲层12和多晶硅层13。优选地，栅极绝缘层14采用氧化硅、氮化硅与氮氧化硅中的一种制成。
在栅极绝缘层14上形成有图形化的栅极层15，其中图形化是指对涂于整个栅极绝缘层14上的金属材料进行曝光刻蚀等工艺以形成图形化的栅极层15。优选地，栅极层15与多晶硅层13对应设置。
层间介电层16覆盖栅极层15和栅极绝缘层14。其中，对层间介电层16进行图形化处理，得到暴露出遮光层11的第二过孔161和第三过孔162、及暴露出重掺杂区131的两个第六过孔163，其中，第二过孔161设置在GOA区域BB、第三过孔162设置在中心区域AA1。
在层间介电层16形成有图形化的源漏极层17。其中，源漏极层17包括第一信号走线171、金属块172、源极173、漏极174和第二信号走线175。其中，第一信号走线171和第二信号走线175设置于GOA区域BB，第一信号走线171通过第二过孔161与遮光层11相连，第二信号走线175设置在层间介电层16之上。其中，金属块172通过第三过孔162与遮光层11相连，源极173、漏极174分别通过第六过孔163与重掺杂区131相连。优选地，源漏极层17的材质为钼铝合金、铬金属等导电材料。
在层间介电层16和源漏极层17上形成有平坦层18。其中，对平坦层18进行图形化处理，得到暴露出第二信号走线175的第一过孔181、及暴露出金属块172的第四过孔182。优选地，平坦层18的材质为有机膜。
在平坦层18形成有公共电极层19。其中，公共电极层19包括设置于中心区域AA1的第一公共电极区191和设置于周边区域AA2的第二公共电极区192。其中，第一公共电极区191通过第四过孔182与金属块172相连以使第一公共电极区191与遮光层11电连接，同时，由于第一信号走线171通过第二过孔161与遮光层11相连，从而使得第一公共电极区191的电压等于第一信号走线171提供的第一电压V1。其中，第二公共电极区192通过第一过孔181与第二信号走线175连接，从而使得第二公共电极区192的电压等于第二信号走线175提供的第二电压V2。优选地，第一电压V1和第二电压V2为不同的直流电压。
本领域的技术人员可以理解，由于公共电极层19被划分为设置在中心区域AA1的第一公共电极区191和设置在周边区域AA2的第二公共电极区192，而第一公共电极区191的电压为第一电压V1，第二公共电极区192的电压为第二电压V2，从而使得公共电极层19的驱动方式不同于现有技术的固定驱动方式，进而可以改善液晶面板的中心区域和周边区域的Flicker现象，也即改善液晶面板显示画面时的Flicker现象。
图3是本发明第二实施例的阵列基板的部分截面示意图。如图3所示，阵列基板包括从下到上依次形成的基板20、遮光层21、缓冲层22、多晶硅层23、栅极绝缘层24、栅极层25、层间介电层26、源漏极层27、平坦层28和公共电极层29。
基板20上形成有遮光层21。缓冲层22覆盖基板20和遮光层21。在缓冲层22上形成有多晶硅层23；其中，多晶硅层23包括位于两侧的重掺杂区231、位于中间的沟道区232、及位于重掺杂区231和沟道区232之间的轻掺杂区233。栅极绝缘层24覆盖缓冲层22和多晶硅层23。在栅极绝缘层24上形成有图形化的栅极层25。层间介电层26覆盖栅极层25和栅极绝缘层24；其中，对层间介电层26进行图形化处理，得到暴露出遮光层21的第二过孔261，重掺杂区231的两个第六过孔263，其中，第二过孔261设置于GOA区域BB。在层间介电层26形成有图形化的源漏极层27；其中，源漏极层27包括第一信号走线271、源极273、漏极274和第二信号走线275，第一信号走线271通过第二过孔261与遮光层21相连，源极273、漏极274分别通过第六过孔263与重掺杂区231相连。在层间介电层26和源漏极层27上形成有平坦层28，其中，对平坦层28进行图形化处理，得到暴露出第二信号走线275的第一过孔281、及暴露出遮光层21的第五过孔282，其中，第五过孔282设置在中心区域AA1。
在平坦层28形成有公共电极层29。其中，公共电极层29包括设置于中心区域AA1的第一公共电极区291和设置于周边区域AA2的第二公共电极区292。其中，第一公共电极区291通过第五过孔282与遮光层21相连，同时，由于第一信号走线271通过第二过孔261与遮光层21相连，从而使得第一公共电极区291的电压等于第一信号走线271提供的第一电压V1。其中，第二公共电极区292通过第一过孔281与第二信号走线275连接，从而使得第二公共电极区292的电压等于第二信号走线275提供的第二电压V2。优选地，第一电压V1和第二电压V2为不同的直流电压。
在本实施例中，基板20、遮光层21、缓冲层22、多晶硅层23、栅极绝缘层24、栅极层25、层间介电层26、源漏极层27、平坦层28和公共电极层29和图2所示的基板10、遮光层11、缓冲层12、多晶硅层13、栅极绝缘层14、栅极层15、层间介电层16、源漏极层17、平坦层18和公共电极层19的属性类似，为简约起见，在此不再赘述。
请一并参考图4，图4是本发明液晶面板的结构示意图。如图4所示，液晶面板1包括阵列基板2，其中阵列基板2为前述的阵列基板。
本发明的有益效果是：本发明的阵列基板及液晶面板通过将公共电极层按照中心区域和周边区域划分为第一公共电极区和第二公共电极区，其中，第一公共电极区通过遮光层与第一信号线电连接以使第一公共电极区的电压等于第一信号线提供的第一电压，第二公共电极区与第二信号线电连接以使第二公共电极区的电压为第二信号线提供的第二电压，从而能够改善液晶面板显示画面时的Flicker现象。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区域和GOA区域，所述显示区域包括中心区域和围绕所述中心区域设置的周边区域；
所述阵列基板包括公共电极层、源漏极层和遮光层；
其中，所述公共电极层包括设置于所述中心区域的第一公共电极区和设置于所述周边区域的第二公共电极区；
其中，所述源漏极层包括设置于GOA区域的第一信号走线和第二信号走线；
其中，所述第一公共电极区通过所述遮光层与所述GOA区域的所述第一信号走线电连接，以使所述第一公共电极区的电压等于所述第一信号走线提供的第一电压；
其中，所述第二公共电极区与所述GOA区域的所述第二信号走线电连接，以使所述第二公共电极区的电压为所述第二信号走线提供的第二电压。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括从下到上依次形成的基板、遮光层、缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源漏极层、平坦层和公共电极层；
所述平坦层设置有暴露出所述第二信号走线的第一过孔；
所述第二公共电极区通过所述第一过孔与所述第二信号走线相连。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介电层设置有暴露出所述遮光层的第二过孔，所述第二过孔设置在所述GOA区域；
所述第一信号线通过所述第二过孔与所述遮光层相连。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述层间介电层设置有暴露出所述遮光层的第三过孔，其中，所述第三过孔设置在所述中心区域；
所述源漏极层进一步包括金属块；
所述金属块通过所述第三过孔与所述遮光层相连；
所述平坦层设置有暴露出所述金属块的第四过孔；
所述第一公共电极区通过所述第四过孔与所述金属块相连以使所述第一公共电极区与所述第一信号线电连接。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述层间介电层、所述平坦层设置有暴露出所述遮光层的第五过孔，所述第五过孔设置在所述中心区域；
所述第一公共电极区通过所述第五过孔与所述遮光层相连以使所述第一公共电极区与所述第一信号线电连接。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述多晶硅层包括位于两侧的重掺杂区、位于中间的沟道区、及位于所述重掺杂区和所述沟道区之间的轻掺杂区；
所述层间介电层设置有暴露出所述重掺杂区的第六过孔；
所述源漏极层进一步包括源极和漏极；
所述源极和所述漏极分别通过对应的所述第六过孔与所述重掺杂区相连。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述基板为玻璃基板；所述遮光层的材料为金属；所述缓冲层为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电压和所述第二电压为不同的直流电压。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述中心区域呈矩形设置。
10.一种液晶面板，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的阵列基板。
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