CN108535929A - 显示基板和显示装置 - Google Patents

显示基板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108535929A
CN108535929A CN201810522537.2A CN201810522537A CN108535929A CN 108535929 A CN108535929 A CN 108535929A CN 201810522537 A CN201810522537 A CN 201810522537A CN 108535929 A CN108535929 A CN 108535929A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tft
sub
pixel compartments
pix
base plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810522537.2A
Other languages
English (en)
Inventor
李阳恒
刘弘
李慧颖
田雪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810522537.2A priority Critical patent/CN108535929A/zh
Publication of CN108535929A publication Critical patent/CN108535929A/zh
Priority to US16/281,136 priority patent/US11329076B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/208—Circuits specially adapted for scintillation detectors, e.g. for the photo-multiplier section
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供了一种显示基板和显示装置。该显示基板包括：多个像素格；每个像素格中设置有指定个数的亚像素，每一亚像素均对应设置一薄膜晶体管TFT；其中：在每一所述像素格中，至少两个TFT关于该像素格的几何中心点对称。本申请实施例通过改变玻璃面板上的TFT排布方式设计，使得多个像素格中所包含的TFT，不再全部设置在对应亚像素的相同位置，TFT的寄生电容变化量会产生一定的相互补偿，大大降低了整个像素格内TFT的寄生电容的变化量；使得显示基板宏观上避免了出现大面积发黑或发白的情况，同时，显示的结果从视觉看起来也更为均一。

Description

显示基板和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
生活中常见有很多用于显示功能的显示装置，例如显示屏、显示板等等。有的显示装置若应用于工业领域，用户可通过显示装置观看到电子配件内部结构；若应用于医疗领域上，用户可通过显示装置观看到患者身体内部病变情况。可见，显示装置的性能直接关系到人们工作生活中的诸多方面。
附图1为现有技术的一种显示装置的玻璃面板上的薄膜晶体管TFT的一种排布方式，附图1中标号7代表TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)，标号8表示亚像素，标号9表示TFT7的上方覆盖的金属保护层的区域，从图1中可以看到，每个亚像素8包括的TFT7全部设置在所属亚像素8的相同位置。目前，业内关于间接式X射线显示装置的玻璃面板有效显示区域(也称AA区)的TFT7设计中，大多采用附图2中所示的TFT的膜层设计结构，附图2示出了TFT的漏极1，TFT的半导体有源层2，TFT的源极3，以及TFT的栅极4。
本申请的发明人发现，实际生产过程中，TFT的各膜层之间的对位难免会出现一些偏移，当源漏极层与栅极层的对位发生偏移时，源漏极层与栅极层之间产生的寄生电容(Cgs)就会受到影响，Cgs与附图2所示(S1+S2/2)成正比，S1表示TFT漏极的面积，S2表示TFT沟道区域的面积。因此可知，当源漏极发生偏移时，Cgs也就会发生偏差，而Cgs与栅极关断瞬间耦合出的Feedthrough(馈通电压)直接相关，将该馈通电压记为△Vp，这个△Vp会影响显示结果的准确性；而且实际生产时，源漏极发生的偏移往往是大面积的，具有批次性的，同时也可能存在偶发的很小范围区域的异常，这些都会影响到显示装置的显示结果(灰度异常)，影响了显示装置的玻璃面板的品质。
发明内容
为了克服实际工艺生产中由TFT各膜层之间对位偏移所导致显示装置的大面积灰度的技术问题和缺陷，本申请提供一种显示基板和显示装置，用以解决现有技术存在的显示装置容易出现大面积灰度异常的技术问题。
本申请技术方案如下：
本申请实施例根据第一个方面，提供一种基于显示基板，包括：多个像素格；
每个所述像素格中设置有指定个数的亚像素，每一所述亚像素均对应设置一薄膜晶体管TFT；其中：
在每一所述像素格中，至少两个TFT关于该像素格的几何中心点对称。
具体地，当所述指定个数具体为四个、且四个亚像素按照两行两列的矩阵排列时，该四个亚像素的对拼区域的中心点与该四个亚像素所属像素格的几何中心重合；所述四个亚像素中非相邻的两个亚像素对应的两个TFT与所述几何中心点位于所属像素格的同一对角线上。
进一步地，所述TFT设置在所述像素格中远离所述几何中心点的顶角位置。
进一步地，关于所述几何中心点对称的两个TFT，该两个TFT的两个源极相比于对应的漏极，更远离所述几何中心点。
进一步地，所述四个亚像素中相邻的两个亚像素对应的两个TFT，关于该相邻的两个亚像素的分界线对称，该分界线通过所述几何中心点。
进一步地，当所述指定个数具体为八个、且八个亚像素按照两行四列的矩阵排列时，该八个亚像素的对拼区域的中心点与该八个亚像素所属像素格的几何中心点重合；且所述TFT设置在所述像素格中远离所述几何中心点的顶角位置。
进一步地，所述像素格中还设置有对位组件，所述对位组件包括与该像素格中每个亚像素对应的TFT相同的膜层结构，用于展示该像素格中每个TFT的各膜层之间的对位状态。
进一步地，所述对位组件包括用于展示该对位组件所属像素格中每个TFT的各膜层之间的对位状态TFT，该TFT与该对位组件所属像素格中包括的TFT的结构相同。
进一步地，所述对位组件设置于所属像素格的几何中心处。
基于同一发明构思，本申请实施例根据第二个方面，提供一种显示装置，包括本申请实施例根据上述第一个方面所提供的显示基板。
本申请有益技术效果：
本申请实施例提供的显示基板中，由于该显示基板包括多个像素格，每个像素格中设置有指定个数的亚像素，每一亚像素均对应设置一TFT；其中：在每一像素格中，至少两个TFT关于该像素格的几何中心点对称。
因此，本申请实施例中多个像素格中所包含的TFT，不再似现有技术中的每个亚像素中的TFT全部设置在所属亚像素的相同位置，而是提出一种全新的像素格内TFT布局设计，即在每一像素格中，至少两个TFT关于该像素格的几何中心点对称；当一个TFT的膜层之间发生某一方向的偏移时，对称的另一个TFT的膜层之间发生与该方向相反方向的偏移；当一个TFT因膜层偏移导致寄生电容Cgs变大时，对称的另一个TFT因膜层偏移会导致寄生电容变小；相当于，对称的两个TFT的寄生电容变化量相互补偿，大大降低了整个像素格内TFT的寄生电容的变化量；使得显示基板宏观上避免了出现大面积发黑或发白的情况，同时，显示的结果从视觉看起来也相对均一，从而解决了显示装置的显示结果产生大面积灰度异常的技术问题，获得优化显示装置，使得显示结果准确性处于良好状态的技术效果。
另外，本申请实施例的像素格中还设置有对位组件，该对位组件包括与该像素格中每个亚像素对应的TFT相同的膜层结构，用于展示该像素格中每个TFT的各膜层之间的对位状态，即本申请实施例加入了便于进行后续不良分析时测量TFT各膜层之间对位情况的设计构思，以此来改善目前不良分析时无可避免地对TFT上方的遮挡层进行破坏才能进行测量的情况，真正实现了“无创测量”。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为现有技术中显示装置的玻璃面板上的TFT的一种排布方式示意图；
图2为现有技术薄膜晶体管TFT的膜层设计结构示意图；
图3为图1中椭圆虚线圈划区域的局部放大图；
图4为本申请实施例的含有相同的四个亚像素的像素格示例图；
图5为本申请实施例的含有不完全相同的四个亚像素的像素格示例图；
图6为本申请实施例的显示装置的玻璃面板上的TFT的一种排布方式示意图；
图7为本申请实施例的显示装置的玻璃面板上的TFT的另一种排布方式示意图。
1-TFT的漏极，2-TFT的半导体有源层，3-TFT的源级，4-TFT的栅极，5-金属保护层，6-对位组件，7-TFT，8-亚像素，9-TFT的上方覆盖有金属保护层的区域，10-像素格，12-像素格的几何中心点。
具体实施方式
介绍本申请之前，先简介一下与薄膜晶体管TFT相关的器件及工作原理。
TFT液晶显示屏主要由后板模块、液晶层和前板模块三部分组成。
后板模块是指液晶层后面的部分，主要由后偏光板、玻璃板、像素单元(像素单元包含像素电极、薄膜晶体管等结构)、以及后定向膜等组成，每一像素单元包括多个亚像素单元，如：一个像素单元包括三种基色的亚像素单元；三种基色的亚像素单元包括发光颜色为红色的亚像素单元、发光颜色为绿色的亚像素单元和发光颜色为蓝色的亚像素单元。需要说明的是，本申请中涉及到的亚像素，也可以称为子像素。
在玻璃板衬底上分布着许多横竖排列并互相绝缘的栅线和数据线，栅线和数据线将玻璃衬底分隔成许多微小的格子，每个小格子为一个亚像素单元；每个亚像素单元包括与周围导线绝缘的透明金属膜电极，称为像素电极。像素电极与TFT连接，TFT的功能表现为一个开关管，利用施加于TFT开关管的栅极电压，可控制TFT开关管的导通与截止。
下面结合附图1和附图2详细介绍现有技术的一种显示装置的玻璃面板上的TFT的一种排布方式。
图1示出的玻璃面板上设置有多个亚像素8，图1中仅以这些亚像素8按照四行四列的矩形形式排布开来为例介绍。每个亚像素8的左上角皆设置有一个TFT7。
本申请的发明人发现，实际生产过程中，TFT的各膜层之间的对位难免会出现一些偏移，当源漏极层与栅极层的对位发生偏移时，源漏极层与栅极层之间产生的寄生电容Cgs就会受到影响。寄生电容Cgs与附图2所示(S1+S2/2)成正比。虚线框S1表示TFT漏极的面积，虚线框S2表示TFT源漏之间的沟道区域的面积。因此可知，当源漏极发生偏移时，S1和/或S2的面积会发生变化，寄生电容Cgs也就会发生偏差，而寄生电容Cgs与栅极关断瞬间耦合出的Feedthrough(馈通电压)直接相关，这个Feedthrough(馈通电压)就会影响到显示装置的结果中去，从而影响了探测结果的准确性。
而且，本申请的发明人发现，实际生产时，源漏极发生的偏移往往是大面积的，具有批次性的，同时也可能存在偶发的很小范围区域的异常，这些都会影响显示装置的显示结果(例如产生灰度异常)，进而影响了显示装置的玻璃面板的品质。
图3为图1中椭圆虚线圈划分区域的局部放大图，附图3示出了现有技术中金属保护层5及覆盖在金属保护层5下方的TFT7。
为了解决现有技术源漏极发生偏移时时，寄生电容Cgs也就会发生偏差，进而影响探测结果的准确性的问题，本申请实施例提供一种新的TFT的设置方式，关于TFT的设置方式的具体改进，后续结合附图详细说明，此处暂不赘述。
下面结合附图4-7详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本申请的发明人进一步发现，在实际生产TFT的过程中，例如对TFT包括的各个膜层曝光对位时，光刻板均可能发生偏移，具体地，当对源漏极层曝光时，光刻板发生偏移，这样可能导致众多TFT的源极或漏极的图形统一都向某一方向偏移；由于现有基板的TFT的排布方式，是众多TFT与各自所属的亚像素的相对位置一致，即众多TFT相对于各自所属的亚像素的位置方向是一致的(例如图1中众多TFT都统一位于对应亚像素的左上方)；因此，同一基板中众多TFT的漏极的图形发生偏移时，往往是朝同一个方向偏移，这些TFT的漏极的面积S1，以及源漏之间的沟道区域的面积S2的变化都是一致的，导致这些TFT的整体Cgs的偏差较大，导致这些TFT的Cgs与栅极关断瞬间耦合出的△Vp发生较大的偏差，进而导致这些TFT对应的亚像素所占的大面积显示区域出现整体性灰度偏差(即显示异常)。
此外，基板出现大面积灰度偏差具有批次性的，同时也可能存在偶发的很小范围区域的异常，这些都会影响显示装置的显示结果，有时甚至导致显示异常(例如产生灰度异常)，进而影响了显示装置的玻璃面板的品质。
本申请的发明人基于上述发现考虑到，在生产过程中的对位偏差无法完全避免的情况下，可以通过改进TFT的排布方式，以减弱众多TFT的漏极的面积S1和源漏之间的沟道区域的面积S2在一个方向上整体的变化量，减弱这些TFT的整体Cgs的偏差，进而降低出现大面积灰度异常的几率。
基于这种构思，本申请的发明人提供一种显示基板，如图4所示，该显示基板包括：多个像素格，图4中仅示出了其中一个像素格10，其它像素格10的结构类似，图中不再进行一一示出；每个像素格中设置有指定个数的亚像素8，每一亚像素均对应设置一TFT7；其中：在每一像素格10中，至少两个TFT7关于该像素格10的几何中心点12对称。
本申请实施例提供的显示基板中，多个像素格中所包含的TFT，不再如现有技术的中的每个亚像素中的TFT全部设置在所属亚像素的相同位置，而是提出一种全新的像素格内TFT布局设计，即在每一像素格中，至少两个TFT关于该像素格的几何中心点对称；当一个TFT的膜层之间发生某一方向的偏移时，对称的另一个TFT的膜层之间发生与某一方向相反方向的偏移；当一个TFT因膜层偏移导致寄生电容Cgs变大时，对称的另一个TFT因膜层偏移会导致寄生电容Cgs变小。相当于，对称的两个TFT的寄生电容变化量会产生一定程度的相互补偿，大大降低了整个像素格内TFT的寄生电容的变化量；使得显示基板宏观上避免了出现大面积发黑或发白的情况，同时，显示的结果从视觉看起来也更为均一，从而可以有效的解决现有技术存在的有的显示装置容易出现大面积灰度异常的技术问题
进一步地，当像素格为矩形，且每个像素格中设置有指定的偶数个的亚像素8，以及每个亚像素8对应一个TFT时；每个亚像素8整体上呈矩形。这种规范化布局有利于亚像素在像素格中有序排列，从而使得显示基板更便于批量化生产。
进一步地，当指定个数具体为四个、且四个亚像素8按照两行两列的矩阵排列时，该四个亚像素的对拼区域的中心点与该四个亚像素所属像素格的几何中心点重合。
下面结合附图4介绍本申请实施例的含有相同的四个亚像素的像素格示例图。
如图4所示，图4中的像素格10包含四个等大的矩形亚像素8，且每个矩形的亚像素8都包含有1个TFT7，该四个亚像素呈两行两列矩阵排布，对拼在一起。像素格10的几何中心点12与该四个亚像素8的对拼区域的中心点重合。即附图4中间的实心黑点为像素格10的几何中心点12，也是四个亚像素8的对拼区域的中心点。两条虚线为像素格10的对角线。
进一步地，四个亚像素8中非相邻的两个亚像素8对应的两个TFT与几何中心点12位于所属像素格10的同一对角线上。附图4中位于像素格10的对角线上的黑色实心小矩形框代表TFT。
为了进一步从宏观上避免出现大面积发黑或发白的情况，本申请实施例进一步优选地，像素格内包括的所有TFT均关于该像素格的几何中心点对称设置；如本申请具体实施例中图4所示的设置方式，这种设置方式提供了像素格内优选的亚像素个数和几何中心点，使得像素格内所有亚像素对应的TFT都能够关于几何中心点对称；像素格内每个TFT在膜层偏移时的寄生电容变化量都能够得到对应的补偿。进一步从宏观上避免了出现大面积发黑或发白的情况，显示的结果在视觉上也更为均一。
进一步地，TFT设置在像素格中远离几何中心点的顶角位置。
当TFT设置在顶角位置时，TFT寄生电容的变化量的补偿效果较佳，使得灰度补偿效果较佳。
进一步地，四个亚像素中相邻的两个亚像素对应的两个TFT，关于该相邻的两个亚像素的分界线对称，该分界线通过几何中心点。此处通过描述相邻两个亚像素的位置关系，进一步展示了使得本申请实施例的显示基板达到更佳的灰度补偿效果时的TFT排布方式。
下面结合附图5介绍本申请的另一种类型的实施例，该实施例含有不完全相同的四个亚像素的像素格10。
不完全相同的亚像素存在几种可能状态：亚像素之间形状相同，但尺寸不同；或者，亚像素之间形状不同，但尺寸相同；或者，各个亚像素之间形状何尺寸都不同。
像素的形状也存在很多种，例如矩形，正方形，六边形，三角形，或者不规则多边形等等。
图5中例举了像素格10中包含四个形状或尺寸不完全相同的亚像素8，具体地，这四个亚像素8之间形状和尺寸皆不相同，分别是：第一亚像素(尺寸较大的矩形亚像素)，第二亚像素(尺寸较小的矩形亚像素)，六边形亚像素，带有两个弧形边的四边形亚像素。
附图5中包含四个亚像素的像素格的几何中心点12落入了其中一个尺寸较大的矩形第一亚像素中。每个亚像素都对应设置有1个TFT，虽然每个TFT在所属亚像素中的位置不尽相同，但每个TFT都与不相邻的亚像素对应的TFT相对于几何中心点对称设置。
进一步地，本申请实施例中，关于几何中心点对称的两个TFT，该两个TFT的两个源极相比于对应的漏极，更远离几何中心点。由于亚像素比TFT更靠近几何中心点，可知TFT中的漏极比源极更靠近几何中心点，使得TFT作为输出端的漏极更靠近作为被输出的对象的亚像素，便于简化TFT的漏极至亚像素之间布设的引线，减小引线长度和所占面积。显然，这种设置方式更便于TFT的制作，且便于整个显示基板引线的设置，并且能够占用相对较少的面积。
进一步地，本申请实施例中，还设置有覆盖TFT的沟道上的金属保护层。具体为，金属保护层覆盖在TFT的源极与漏极之间的沟道上方；进一步，金属保护层覆盖在TFT的沟道和漏极上方。以TFT的漏极上方覆盖有用于遮挡光线的金属保护层为例，金属保护层的设置起到了很好的遮光作用，能够很好的防止处于工作状态的TFT受到光照影响，导致异常开启的情况。
金属保护层的设置虽然能够很好的防止处于工作状态的TFT受到光照影响，导致异常开启的情况，但若实际生产过程中需要进行不良分析，以及需要确认TFT形貌时，金属保护层的设置使得在显微镜下不能直接观察到TFT结构各膜层的搭接和对位情况。
目前在不良分析且需要确认TFT形貌时，需要将金属保护层人为刮掉，但人为刮掉的操作过程中无法保证每次恰好剥掉金属保护层，使得TFT露出，并且无法保障破坏程度在可控范围内，很可能刮伤TFT。
这种人工操作使得操作过程中既无法保证能够使得TFT露出，也无法做到能够将破坏程度控制在最低水准。也就是说，人工操作使得无法精准、恰好地剥掉金属保护层；并且由于测量时只能通过刮掉一个被金属保护层覆盖的TFT区域，从中寻找能够测量的TFT进行确认。这种方法不仅具有破坏性，而且准确度较低。这种方法显然既无法避免破坏性测量，而且也难保障测量的准确程度。
为了保障更加精准方便地确认TFT各膜层之间的对位状态，本申请的发明人在提出对位组件及具体设置方式，使得本申请实施例能够在不破坏其他TFT上方的起遮蔽作用的金属保护层的同时，实现供技术人员进行不良分析，以及确认TFT形貌。具体结构参见附图6。
附图6示出了玻璃面板上的四个矩形像素格10，每个像素格10中包含四个矩形的亚像素8。
进一步地，如图6所示，本申请实施例的像素格10中还设置有对位组件6，该对位组件6包括与该像素格中每个亚像素对应的TFT相同的膜层结构，用于展示该像素格中每个TFT的各膜层之间的对位状态。
进一步地，对位组件6包括用于展示该对位组件所属像素格中每个TFT的各膜层之间的对位状态的TFT，该TFT与该对位组件所属像素格中包括的TFT的结构相同。
本申请实施例提出的对位组件及具体设置方式，使得本申请显示基板能够在不破坏TFT上方的起遮蔽作用的金属保护层的同时，展示TFT各膜层之间的对位状态，实现供技术人员进行不良分析，以及确认TFT形貌。
可选地，本申请实施例对位组件6设置于所属像素格10的几何中心处，如图6所示。
进一步地，当指定个数具体为八个、且八个亚像素按照两行四列的矩阵排列时，该八个亚像素的对拼区域的中心点与该八个亚像素所属像素格的几何中心点重合；且TFT设置在像素格中远离几何中心点的顶角位置。
图7为本申请实施例的显示装置的玻璃面板上的TFT的另一种排布方式示意图。该显示装置可以是平板探测器。
因此可知，当玻璃面板上的TFT的源漏极发生偏移时，如前文所示，寄生电容Cgs也就会发生偏差，而寄生电容Cgs与栅极关断瞬间耦合出的Feedthrough(馈通电压)直接相关，将该馈通电压记为△Vp，这个△Vp会影响显示结果的准确性；而且实际生产时，源漏极发生的偏移往往是大面积的，具有批次性的，同时也可能存在偶发的很小范围区域的异常，这些都会影响到显示装置的显示结果(灰度异常)，影响了显示装置的玻璃面板的品质。
附图7这种薄膜晶体管TFT的排布方式较好地解决了上述显示结果异常的技术问题和缺陷。该附图中的像素格包含以两行四列矩阵排布的8个亚像素8，且8个亚像素遵循中心对称的排列方式。图7中的两条交叉的虚线就是像素格的对角线，对角线交点是8个亚像素8所属像素格的几何中心点12，也是该8个亚像素的对拼区域的中心点。当在工艺上发生大面积的微小偏移时，附图7中的8个TFT向中心对称的四个方向偏移(分别为左上方，右上方，左下方，右下方)。宏观上避免了出现大面积发黑或发白的情况。
基于同一发明构思，本申请实施例还对应提供一种显示装置，包括本申请实施例上述提供的显示基板。该显示基板包括：多个像素格。每个像素格中设置有指定个数的亚像素，每一亚像素均对应设置一TFT，在每一像素格中，至少两个TFT关于该像素格的几何中心点对称。
显示装置可以用于平板探测器上，作为平板探测器的显示部件。以平板探测器为例，该显示装置变更了传统平板探测器的玻璃面板上的TFT排布方式设计，避免了实际工艺生产中由TFT各膜层之间对位偏移引起，从而导致产生大面积探测结果的干扰的情况，同时加入了便于进行后续不良分析时测量TFT各膜层之间对位的对位组件，以此来改变目前不良分析时需要对上方的金属保护层进行破坏才能进行测量的情况，提高了准确率且降低成本。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加至少一个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：多个像素格；
每个所述像素格中设置有指定个数的亚像素，每一所述亚像素均对应设置一薄膜晶体管TFT；其中：
在每一所述像素格中，至少两个TFT关于该像素格的几何中心点对称。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，当所述指定个数具体为四个、且四个亚像素按照两行两列的矩阵排列时，该四个亚像素的对拼区域的中心点与该四个亚像素所属像素格的几何中心点重合；
所述四个亚像素中非相邻的两个亚像素对应的两个TFT与所述几何中心点位于所属像素格的同一对角线上。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述TFT设置在所述像素格中远离所述几何中心点的顶角位置。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，关于所述几何中心点对称的两个TFT，该两个TFT的两个源极相比于对应的漏极，更远离所述几何中心点。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，
所述四个亚像素中相邻的两个亚像素对应的两个TFT，关于该相邻的两个亚像素的分界线对称，该分界线通过所述几何中心点。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
当所述指定个数具体为八个、且八个亚像素按照两行四列的矩阵排列时，该八个亚像素的对拼区域的中心点与该八个亚像素所属像素格的几何中心点重合；且所述TFT设置在所述像素格中远离所述几何中心点的顶角位置。
7.根据权利要求1-6任一项所述的显示基板，其特征在于，所述像素格中还设置有对位组件，所述对位组件包括与该像素格中每个亚像素对应的TFT相同的膜层结构，用于展示该像素格中每个TFT的各膜层之间的对位状态。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述对位组件包括用于展示该对位组件所属像素格中每个TFT的各膜层之间的对位状态的TFT，该TFT与该对位组件所属像素格中包括的TFT的结构相同。
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述对位组件设置于所属像素格的几何中心处。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的显示基板。
CN201810522537.2A 2018-05-28 2018-05-28 显示基板和显示装置 Pending CN108535929A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810522537.2A CN108535929A (zh) 2018-05-28 2018-05-28 显示基板和显示装置
US16/281,136 US11329076B2 (en) 2018-05-28 2019-02-21 Display substrate compensating alignment offset of thin film transistor electrodes for improving display quality, and display device thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810522537.2A CN108535929A (zh) 2018-05-28 2018-05-28 显示基板和显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108535929A true CN108535929A (zh) 2018-09-14

Family

ID=63473024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810522537.2A Pending CN108535929A (zh) 2018-05-28 2018-05-28 显示基板和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11329076B2 (zh)
CN (1) CN108535929A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841642A (zh) * 2019-03-28 2019-06-04 上海交通大学 一种防x射线干扰的x射线平板探测器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112015929A (zh) * 2019-05-30 2020-12-01 阿里巴巴集团控股有限公司 栅格数据访问方法、装置、电子设备及计算机存储介质
CN111696461B (zh) * 2020-06-30 2022-05-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20220015827A (ko) * 2020-07-31 2022-02-08 엘지디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101750809A (zh) * 2008-12-03 2010-06-23 上海天马微电子有限公司 液晶显示面板
CN102483550A (zh) * 2009-08-24 2012-05-30 夏普株式会社 液晶显示装置
CN203084393U (zh) * 2013-02-05 2013-07-24 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN103424916A (zh) * 2013-08-07 2013-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示屏、其驱动方法及显示装置
CN103698929A (zh) * 2012-09-27 2014-04-02 Nlt科技股份有限公司 液晶显示元件、图像显示装置、驱动图像显示装置的方法和便携式设备
CN104062821A (zh) * 2014-06-05 2014-09-24 厦门天马微电子有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板和显示装置
CN104181725A (zh) * 2014-08-07 2014-12-03 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及显示装置
CN104460140A (zh) * 2015-01-06 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US20150085215A1 (en) * 2012-04-10 2015-03-26 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
CN105789220A (zh) * 2016-03-24 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅线阵列基板、测试方法、显示面板和显示装置
CN205485204U (zh) * 2016-04-15 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及液晶显示装置
CN207380420U (zh) * 2017-11-17 2018-05-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN208141095U (zh) * 2018-05-28 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101750809A (zh) * 2008-12-03 2010-06-23 上海天马微电子有限公司 液晶显示面板
CN102483550A (zh) * 2009-08-24 2012-05-30 夏普株式会社 液晶显示装置
US20150085215A1 (en) * 2012-04-10 2015-03-26 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
CN103698929A (zh) * 2012-09-27 2014-04-02 Nlt科技股份有限公司 液晶显示元件、图像显示装置、驱动图像显示装置的方法和便携式设备
CN203084393U (zh) * 2013-02-05 2013-07-24 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN103424916A (zh) * 2013-08-07 2013-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示屏、其驱动方法及显示装置
CN104062821A (zh) * 2014-06-05 2014-09-24 厦门天马微电子有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板和显示装置
CN104181725A (zh) * 2014-08-07 2014-12-03 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及显示装置
CN104460140A (zh) * 2015-01-06 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN105789220A (zh) * 2016-03-24 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅线阵列基板、测试方法、显示面板和显示装置
CN205485204U (zh) * 2016-04-15 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及液晶显示装置
CN207380420U (zh) * 2017-11-17 2018-05-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN208141095U (zh) * 2018-05-28 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841642A (zh) * 2019-03-28 2019-06-04 上海交通大学 一种防x射线干扰的x射线平板探测器

Also Published As

Publication number Publication date
US20190363117A1 (en) 2019-11-28
US11329076B2 (en) 2022-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108535929A (zh) 显示基板和显示装置
KR100242225B1 (ko) 고 픽셀 구경비를 갖는 액정 디스플레이
US8400588B2 (en) Liquid crystal display
US7656372B2 (en) Method for driving liquid crystal display device having a display pixel region and a dummy pixel region
CN101515099B (zh) 电光装置及电子设备
US7859628B2 (en) IPS LCD having auxiliary common electrode lines
CN103713431A (zh) 显示基板及具有该显示基板的液晶显示面板
CN110109296A (zh) 一种阵列基板及液晶显示装置
US8035767B2 (en) Liquid crystal display
CN112447760A (zh) 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板及显示装置
US6927807B2 (en) Liquid crystal display device
CN107121852A (zh) 一种阵列基板及液晶面板
CN106773412B (zh) 一种显示基板、显示装置及驱动方法
CN208141095U (zh) 显示基板和显示装置
KR102438493B1 (ko) 액정 표시 장치
JPH0713196A (ja) アクティブマトリックス型液晶表示装置
KR101787598B1 (ko) 액정 표시 장치
KR20120114814A (ko) 액정 표시 장치
CN112513725B (zh) 阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制作方法
KR20110073571A (ko) 액티브 매트릭스 기판, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법, 액정 패널, 액정 패널의 제조 방법, 액정 표시 장치, 액정 표시 유닛, 텔레비전 수상기
US20040004606A1 (en) Image display element and image display device
CN101241285A (zh) 电光装置用基板、电光装置以及电子设备
KR20160086005A (ko) 액정 표시 장치
JPH0416930A (ja) アクティブマトリクス型表示装置
JPH02245740A (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination