CN1392949A - 光学传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明的光学传感器，由LED2、将LED的光调整成平行光且对从对象物而来的反射光聚光的远心透镜4、在远心透镜4侧反射LED光且使利用远心透镜4聚光的反射光透过的半透镜3、光圈7、二维摄像元件9构成。

Description

光学传感器
技术领域
本发明涉及检测位置信息和图像信息的小型光学传感器。
背景技术
基板检测装置对半导体晶片的表面进行检测，若存在半导体晶片表面上的缺陷部，则检测出该缺陷部。半导体晶片表面上的缺陷部例如为划痕、碎片、表面斑纹、污物、灰尘。
该基板检测装置进行通过目视检测半导体晶片的宏观检测，和通过显微镜放大检测半导体晶片表面的微观检测。
该基板检测装置包括：容纳多个半导体晶片的晶片容器，进行宏观检测和微观检测的检测部，取出容纳在晶片容器(carrier)中的半导体晶片并移送到检测部、接受由检测部检测结束的半导体晶片并再次将其返回到晶片容器的装载部。
检测部在从装载部接收半导体晶片时，首先对半导体晶片进行宏观检测或微观检测。
但是，容纳在晶片容器中的未检测的半导体晶片，其姿势没有排列。装载部将没有排列的半导体晶片原样取出，移送至检测部。因此，半导体晶片以晶片中心偏离的状态被移送至检测部。
因此，通常，对晶片中心进行定心，将半导体晶片移送到检测部中。
对于这样的半导体晶片的定心，如特开平11-243129号公报中所示的那样，采用通过夹住半导体晶片来配置发光部和受光部的非接触传感器。这是用于解决对于半导体晶片的损伤和除尘问题。
另外，在半导体制造的光刻工艺中，对半导体晶片表面的划痕、裂纹、污物、斑纹等进行缺陷检测。最近，检测附着到半导体晶片的边缘部分上的灰尘和裂纹、光致抗蚀剂的切割宽度，已经成为防止在后续工序中发生不良现象的检测项目。
对于这样的半导体晶片边缘检测，如特开2000-13696号公报中所公开的那样，对晶片边缘部照明的光源和检测该边缘部的缺陷的摄像机被分开配置。
由于上述非接触传感器和边缘部检测用图像传感器设置在基板检测装置内，所以需要小型化、节省空间和较低的成本。
因而，希望非接触传感器和图像传感器尽可能的被小型化、节省空间和降低成本。
发明的公开
本发明的目的是提供一种用于小型化、设置时节省空间且紧凑化、可以实现低成本的光学传感器。
本发明是一种光学传感器，其特征为，包括：照射激光的LED光源，配置在该LED光源的出射光轴上的光路分割元件，配置在该光路分割元件一侧的分割光路上、将从LED光源射出的激光调整为平行光的准直透镜，配置在光路分割元件的其他分割光路上，对从利用准直透镜聚光的对象物而来的反射光摄像的二维摄像元件。
采用上述结构的本发明光学传感器，可以实现小型化、设置的节省空间化、紧凑化、和降低成本。
附图的简要说明
图1是表示根据本发明的光学传感器的第一个实施形式的结构图。
图2是表示采用根据本发明的光学传感器的第一个使用例的基板检测装置的结构图。
图3是在同一装置中的光学传感器的配置图。
图4是表示采用根据本发明的光学传感器的第二个使用例的结构图。
图5是利用同一光学传感器获取的二维图像数据的模式图。
图6是表示附加上半导体晶片上的识别信息的图示。
图7是表示根据本发明的光学传感器的应用例的图示。
图8是利用根据本发明的光学传感器的应用例获取的二维图像数据的模式图。
图9是表示根据本发明的光学传感器的配置的变形例。
用于实施发明的最佳形式
以下，参照附图对本发明第一个实施形式进行说明。
图1是光学传感器的结构图。该光学传感器采用反射远心照明成像光学系统。传感器筐体1形成圆筒状。
光源是发光二极管(LED2)。该LED2发出LED光。该LED2设置在传感器筐体1的侧面。
半透镜(ハ-フミラ-)3倾斜的设置在传感器筐体1内部。半透镜3设置在从LED2发出的LED光的光路上且设于传感器筐体1内部的光轴p上。该半透镜3相对于光轴p倾斜大致45°角，且半透镜3的中心相对于光轴偏置设置。
半透镜3是在远心透镜4侧反射从LED2发出的LED光，且具有使通过远心透镜4聚光的来自对象物5的反射光透过的光路分割元件。
另外，半透镜3可以由分光束器代替。
远心透镜4设置在传感器筐体1的开口部。该远心透镜4靠近半透镜3的上端设置。该远心透镜4为凸透镜。该远心透镜4将LED2发出的LED光调整为平行光，且对从对象物5而来的反射光聚光。
即，远心透镜4具有将LED2发出的LED光调整成平行光并照射在对象物5的晶片边缘部上的准直透镜作用和对可从对象物反射的LED光进行的聚光透镜作用。
图像传感器部6设置在远心透镜4的后焦点侧的光轴p上。该图像传感器部6由光圈7、中继成像透镜8、二维摄像元件9构成。该图像传感器6靠近半透镜3的下端设置。
光图7是远心系光圈。该光图7配置在远心透镜4的后侧焦点上。
二维摄像元件9成二次平面状纵横配置多个固体摄像元件(CCD)。该二次摄像元件9例如采用CMOS。
二维摄像元件9对可从对象物5的晶片边缘部反射的LED光摄像，输出该二维图像信号。
中继成像用透镜8和二维摄像元件9被一体化。即，二维摄像9是与中继成像用透镜8一体化的CMOS。
二维摄像元件9的中心位置优选与光轴p一致。
另外，为了减小光学传感器高度方向的尺寸，优选靠近半透镜3的上下端配置。
另外，为了减小光学传感器宽度方向的尺寸，优选半透镜3的中心位置相对于光轴p向与LED2的配置方向相反的方向偏离，将LED2配置在至光轴p的距离短的半透镜3的左端部侧。
下面，说明上述结构的光学式传感器的作用。
LED2输出LED光。该LED光被半透镜3反射，由远心透镜4调整成平行光。
该平行光的LED光照射在对象物5上。
从对象物5而来的反射光再次入射到远心透镜4中，该远心透镜4对晶片边缘部而来的反射光进行聚光。
被聚光的反射光透过半透镜3。进而，利用光圈7缩小反射光束。通过光圈7的反射光利用中继成像用透镜8聚光并入射到二维摄像元件9。
该二维摄像9对入射的光摄像，输出该二维图像信号。
在上述第一个实施形式中，由LED2、将LED光调整成平行光且对从对象物5而来的反射光聚光的远心透镜4、将LED光反射到远心透镜4侧且使由远心透镜4聚光的反射光透过的半透镜3、光圈7、二维摄像元件9构成。
因而，光学传感器，通过在半透镜3附近配置LED2、远心透镜4和图像传感器部6，可以被小型化、设置的节省空间化、紧凑化、可以降低成本。进而，通过使半透镜3的中心位置相对于光轴p向一侧偏离，可以将LED2配置在光轴p附近，可减少宽度方向的尺寸。
特别地，带有透镜的CMOS与行(line)传感器等一次元摄像元件或其它二维摄像元件相比小而廉价，因而是有利的。
光学传感器由于采用将LED光反射到远心透镜4侧且利用远心透镜4聚光的反射光透过的半透镜3，所以，可以使远心透镜4与图像传感器部6的间隔接近至半透镜3的高度尺寸，可以抑制光轴p方向的高度。因此。可以使光学传感器小型化。
光学传感器采用利用远心透镜4将从LED2发出的LED光调整为平行光且对从对象物5而来的反射光聚光的反射远心照明成像光学系统。
因而，即使光学传感器和对象物5的间隔D变化，通常也可以正确获得对象物5的图像数据。即使对象物5在图1所示的箭头a方向移动，光学传感器通常也可以正确的获得对象物5的图像数据。
图像传感器6，通过提取出从二维摄像元件9发出的二维图像数据中的所需像素行数的图像数据，可以作为检测对象物5例如半导体晶片的边缘位置的行传感器使用。
另外，上述第一个实施形式可以按下述方式变形。
例如，光学传感器在光源处采用发出红外区域的光的红外发光LED，且采用红外滤光片。红外滤光片可以透过红外线区域的光。该红外滤光片靠近光圈7或二维摄像元件9且配置于光轴p上。
通过采用红外发光LED以及红外滤光片，光学传感器可以进行可减轻可见光产生的噪音的高精度测定。
远心透镜4可以使用非涅耳透镜。非涅耳透镜由于比凸透镜的厚度薄，所以可以进一步使光学传感器小型化。
下面，参照附图说明采用本发明的第一个使用例。
图2是适用于本发明的光学传感器的基板检测装置的结构图。基板检测装置大致区分由装载部10和检测部11构成。
装载部10和检测部11分别分离、独立的设置。装载部10从正面侧F观察配置在左侧，检测部11配置在右侧。
装载部10由晶片容器12和晶片输送机械手13构成。在晶片容器12中按规定的间距在上下方向上容纳有多个半导体晶片14。另外，这些半导体晶片14中未检测的半导体晶片14称为半导体晶片14a，检测过的半导体晶片14称为半导体晶片14b。
晶片输送机械手13取出容纳在晶片容器12内的未检测的半导体晶片14a并移至检测部11，接收由检测部11检测过的半导体晶片14b并装入到晶片容器12内。
晶片输送机械手13是多关节的机械手。该晶片输送机械手13连接了三个连接臂15～17，构成多关节臂。这些连接臂15～17中一端的连接臂15连接到旋转轴18上。该旋转轴18以轴向为中心绕箭头b方向旋转。
在另一端的连接臂7上连接手19。该手19吸附保持半导体晶片14。手19由退出部20和吸附部21构成。
在吸附部21中形成多个吸附孔22。该吸附孔22被连接到吸引泵等吸引装置上。晶片输送机械手13以旋转轴18为中心沿箭头a方向旋转多关节臂，且使各连接臂15～17作伸缩动作并使手19前进、后退。
晶片输送机械手13，在与检测部11之间交接半导体晶片14的情况下，从检测部11的左面侧(箭头A方向)送入、送出多关节臂。
检测部11进行宏观检测和微观检测。宏观检测利用目视观察半导体晶片14、检测半导体晶片14表面上的缺陷部。该缺陷部例如为划痕、碎片、表面斑纹、污物、灰尘。
微观检测利用显微镜放大由宏观检测出的半导体晶片14表面上的缺陷部并进行观察，获得缺陷部的种类和大小等。
在检测部11的架台上设有晶片输送装置23。该晶片输送装置23由旋转轴24和相对于该旋转轴24等角度(例如120度)设置的三条输送臂25a、25b、25c构成。
这些输送臂25a、25b、25c分别形成有L字形状的L型手26a、26b、26c。这些L型手26a、26b、26c如图3所示具有长指27和短指28。
这些L型手27a、27b、27c上形成多个吸附孔(晶片卡盘)29。这些吸附孔29连接到吸引泵等吸引装置上。
另外，虽然图3中仅示出了L型手26a，但其它L型手26b、26c也与L型手26a结构相同，因而省略对其的说明。
晶片输送装置23以旋转轴24为中心沿例如图面上的左旋(箭头c方向)旋转。因此，三条输送臂25a、25b、25c分别在晶片交接位置P1、宏观检测装置P2、微观检测交接位置P3循环移动。
晶片交接位置P1是在晶片输送机械手13和晶片输送装置23之间交接半导体晶片晶片14的位置。
晶片输送装置23使三条输送手臂25a、25b、25c中的任意一条输送臂、例如在图2中为输送臂25a位于晶片交接位置P1。
这时，晶片输送机械手13按下述方式操作。晶片输送机械手13伸出多关节臂并将手19送入到输送臂25a的L型手26a内。
晶片输送机械手13保持半导体晶片14并例如从L型手26a和上方将手19移动至下方，从而将半导体晶片14移至L型手26a中。
在从L型手26a将半导体晶片14移至晶片输送机械手13的手19中的情况下，晶片输送机械手13使手19从L型手26a的下方移动至上方。
晶片交接位置P1的中心位置设在晶片输送机械手13的输送行程范围内。
在晶片交接位置P1处如图3所示设有四个光学传感器27～30。
这些光学传感器27～30用于半导体晶片14的校准。这些光学传感器27～30固定设置在定位于晶片交接位置P1中的L型手26a、26b或26c下方的检测部11的架台上。
四个光学传感器27～30分别配置在与半导体晶片14的外围边缘(以下称晶片边缘部)相对应的各位置上。
这些光学传感器27～30的配置位置优选使连接这些光学传感器27～30的线形成梯形。这样，在由这四个点求出半导体晶片14中心位置的情况下，可以是正确且可靠的。
这些光学传感器27～30分别与图1所示的上述第一实施形式中说明的光学传感器具有相同的结构。这些光学传感器27～30对包含半导体晶片14晶片边缘部的图像摄像，输出二维图像信号。
在将半导体晶片14从手19移至L型手26a、26b或26c中的情况下，晶片输送机械手13使多关节臂和手19作移动操作，以半导体晶片14的晶片边缘部同时进入四个光学传感器27～30的全部检测视野内的方式对半导体晶片14进行定位。
这些光学传感器27和28的间隔、和光学传感器29、30的间隔相离比半导体晶片14的定向口(オリフラ)的间距或手19的颈部宽度长。
校准检测部31输入从四个光学传感器27～30输出的各二维图像信号并分别生成二维图像数据，提取出这些二维图像数据中的与半导体晶片14的晶片边缘部垂直方向上的一行或多行图像数据(以下称为行图像数据)由该行图像数据求出总计四点的半导体晶片14的晶片边缘部的各检测位置(坐标)，由其中不混入定向口(オリフラ)和切口(ノツチ)信息的三个坐标求出半导体晶片14的中心位置。
在这种情况下，校准控制部31由于采用从二维摄像元件输出的二维图像信号，所以晶片边缘部的检测位置易于由象素数求出。
该半导体晶片14的中心位置由求圆的中心坐标的公知方法求出。
校准控制部31对半导体晶片14的中心位置的正规中心求出偏移量。
校准控制部31由偏移量求出用于对准的修正量，将该修正量的指令赋予晶片输送和机械手13。
晶片输送机械手13根据修正量进行对准，以使半导体晶片14的中心与正规的中心位置一致。
检测部11的架台上的宏观检测位置P2中设有宏观检测用摆动机构32和宏观检测用旋转机构33。
宏观检测用摆动机构32在对半导体晶片14的表面进行宏观检测中使用。宏观检测通过检测人员Q的目视对半导体晶片14表面进行观察。
宏观检测用旋转机构33使保持在宏观检测用摆动机构32上的半导体晶片14旋转且沿上下方向移动。
微观检测部34具有载物台35和显微镜36。载物台35吸附保持半导体晶片14且移动半导体晶片14。
结果，半导体晶片14a的中心位置与正规的中心位置重合。即，半导体晶片14a被对准。
晶片输送机械手13在对准的状态下解除对半导体晶片14a的吸附，使保持半导体晶片14a的手19下降，并将半导体晶片14a移至L型手26a处。
对准到晶片交接位置P1中的半导体晶片14被交接到三条臂的晶片输送装置23中，并输送至宏观检测位置P2和微观检测交接位置P3。
在宏观检测位置P2中进行宏观检测。在微观检测交接位置P3中进行微观检测。
在上述第一使用例中，通过在基板检测装置的校准装置中采用使用了用于小型化、节省空间化、紧凑化的反射远心照明成像光学系统的光学传感器27～30，因而可以在不受下游影响的半导体晶片14a的下方配置光学传感器27～30。
另外，光学传感器27～30由于采用了反射远心照明成像光学系统，所以即使与半导体晶片14之间的间隔发生变化，也可以正确的检测半导体晶片14的晶片边缘部。
光学传感器27～30由于采用了各二维图像数中的行或多行图像数据，所以可以很快求出半导体晶片14的晶片边缘位置(坐标数据)的处理速度，可以缩短检测部11对半导体晶片14的宏观检测和微观检测的检测时间。
另外，上述第一个使用例可以按下述方式变形。
例如，如在上述第一个实施形式中说明的那样，光学式传感器在光源除采用发出红外线区域的光的红外发光LED且采用红外滤光片。红外滤光片透过红光线区域的光。该红外滤光片靠近光圈7或二维摄像元件9且配置在光轴p上。
通过采用这些红外发光LED及红外滤光片，对于半导体晶片14的宏观检测和微观检测，光学传感器可以进行可减轻可见光造成的噪音的高精度检测。
现在说明上述第一个使用例的应用例。
光学显微镜36配有XY载物台，该XY载物台可在X方向和与X方向垂直的Y方向上移动。
在该XY载物台上设有旋转载物台35。该旋转载物台35在中心配有旋转轴。
该旋转载物台35在XY载物台上以旋转轴为中心旋转。在该旋转载物台35上载置半导体晶片。
这样，在配有XY载物台和旋转载物台35的光学显微镜36中可以采用本发明的光学传感器。该光学传感器沿着载置于旋转载物台35上的半导体晶片14的晶片边缘部以规定间隔配置有多个。
这些光学传感器检测半导体晶片14的晶片边缘部，输出各二维图像信号。
从而，由这些二维图像信号求出半导体晶片14的中心位置。其次，求出半导体晶片14的中心位置和正规的中心的偏移量。其次，求出用于消除偏移量的修正量。其次，按照修正量移动XY载物台。结果，补正了半导体晶片14的中心偏移。
在采用这样的小型化、紧凑化、节省空间的光学传感器的光学显微镜36中，即使在半导体晶片14和XY载物台之间的间隔狭窄的位置也可以容易的配置光学式传感器。
其次，参照附图说明采用本发明的第二个使用例。另外，与图1相同的部分采用相同的符号，并省略对其的详细说明。
图4是采用光学传感器的图像处理装置的结果图。图像处理部41输入从二维摄像元件9输出的二维图像信号，获得对象物5的二维图像数据，输送到监视装置42。
图像处理部41提取出所获得的对象物5的二维图像数据中所需的像素行数的图像数据。
例如，若在上述图2中所示的基板检测装置的校准装置中采用本发明的光学传感器，则可以作为求出晶片边缘的位置信息的校准用传感器使用。另外，该光学传感器可以作为对半导体晶片14的晶片边缘部中的缺陷部(碎片、划痕、灰尘的附着)进行检测、取得图像数据的图像传感器使用。
即，配置在图2所示的基板检测装置的晶片交接位置P1中的四个光学传感器27~30，如图3所说明的那样用于作为求出晶片边缘的位置信息的校准用传感器。
若将图4所示的光学传感器40配置在图2所示的基板检测装置的具有旋转载物台的宏观检测位置P2、微观检测装置P3上，则可以获得半导体晶片14的晶片边缘部的二维图像数据。
该光学传感器40靠近对应于保持在图2所示宏观检测用旋转机构(旋转载物台)33上的半导体晶片14的外周边缘的半导体晶片的上方配置。
该二维图像数据在监视装置42显示输出。
图5是利用光学传感器42获得的二维图像数据。该图像数据41a～41d是按规定角度转动旋转载物台33所获得的四个位置的定点图像。
各图像数据41a～41d的中心坐标数据由旋转载物台33的角度位置求出。这些角度位置优选以半导体晶片14的定向口(オリフラ)或切口(ノツチ)位置为基准。
为了求出该定向口或切口位置，采用由光学传感器40获得的二维图像数据中的一行或多行图像数据作为边缘位置信息。由半导体晶片14的旋转角度和边缘位置信息的关系，利用边缘位置信息变动较大的位置求出定向口或切口位置。
从而，各图像数据41a～41d可以分别作为定点图像显示在监视装置41中，若缺陷位置与视野中心(X轴)重叠，则可以由半导体晶片14的旋转位置求出缺陷位置。
若显示输出这样的晶片边缘部的定点图像，则可以对半导体晶片14的晶片边缘部中的缺陷部进行检测。该缺陷部为碎片、划痕、灰尘的附着等。
下面，对其它变形例进行说明。
半导体晶片14载置于旋转载物台33(35)上。旋转载物台33以一定速度沿箭头d的方向旋转。
光学传感器40在对应于半导体晶片14的晶片边缘部的位置上至少设置有一个。
该光学传感器40作为获取所获得的二维图像数据中的一行或多行图像数据的行CCD照相机使用。
因而，在半导体晶片14的旋转中，光学传感器40以与旋转载物台33的旋转同步的定时进行摄像。
结果，获得遍及图8所示的半导体晶片14的晶片边缘部的全周的二维图像数据。
若在监视装置42中显示输出该二维图像数据的图像，则除了半导体晶片14的晶片边缘部中的碎片、划痕、灰尘的附着等之外，还可以检测抗蚀剂的斑纹、抗蚀剂向半导体晶片14背面的蔓延。
另外，在上述第一和第二使用例中，对将光学传感器27～30、40配置在半导体一侧的面上的情况进行了说明，但也可以如图9所示分别配置在半导体晶片14的外面和背面。
从而，可以获得半导体晶片的外侧和背侧的二维图像数据。
工业上的利用可能性
本发明的光学传感器可用于例如对半导体晶片等对象物进行宏观检测和微观检测的检测装置、或分档器(ステツパ-)等的IC制造装置、膜厚等测量装置等各种装置中的半导体晶片校准，获得对象物中所需部位的二维图像。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1、一种光学传感器，其特征在于，包括：
LED光源；
配置在该LED光源的出射光轴上的光路分割元件；
配置在该光路分割元件的一边的反射光路上，将从前述LED光源发出的光调整为平行光，将来自对象物的反射光聚光的反射成像光学系统；
配置在前述光路分割元件的另一边的透射光路上，对由上述反射成像光学系统聚光的来自上述对象物的反射光摄像的二维摄像元件；
上述光路分割元件相对于筒状的筐体倾斜约45℃而配置，在上述筐体的开口两侧接近上述光路分割元件的位置，配置上述反射成像光学系统和上述2维摄像元件，并在上述筐体的侧面配置上述LED光源。
2、如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，将上述反射成像光学系统和上述2维摄像元件的间隔设定为上述光路分割元件的高度。
3、如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，将上述光路分割元件的中心设置为：相对于连接上述反射成像光学系统和上述2维摄像元件的光轴，向与上述LED光源相反的方向偏离。
4、如权利要求3所述的光学传感器，其特征在于，将上述LED光源配置成接近上述反射光路侧的聚光光束，并配置在上述2维摄像元件侧。
5、如权利要求3所述的光学传感器，其特征在于，将上述LED光源配置在距连接上述反射成像光学系统和上述2维摄像元件的光轴距离短的上述光路分割元件端部侧。
6、如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，
上述反射成像光学系统是远心透镜。
7.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，前述反射成像光学系统为非涅耳透镜。
8、如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，提取从上述2维摄像元件输出的2维图像数据中所需像素行数的图像数据，用于行CCD摄像机。
9、如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，根据从上述2维摄像元件输出的2维图像数据取得定点图像，根据从上述2维摄像元件输出的2维图像数据中所需像素行数的图像数据，取得行图像。

Claims (7)

1、一种光学传感器，其特征在于，包括：
照射激光的LED光源，
配置在该LED光源的出射光轴上的光路分割元件，
配置在该光路分割元件的一个分割光路上、将从前述LED光源发出的激光调整为平行光的准直透镜，
配置在前述光路分割元件的另一个分割光路上、对从利用前述准直透镜聚光的对象物而来的反射光摄像的二维摄像元件。
2、如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，前述准直透镜为远心透镜。
3、如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，前述准直透镜为非涅耳透镜。
4、如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，前述二维摄像元件与光圈和中继成象透镜构成一体，该二维摄像元件和前述LED光源以及前述准直透镜靠近前述光路分割元件配置。
5、如权利要求4所述的光学传感器，其特征在于，前述二维摄像元件和前述准直透镜配置在传感器筐体的两侧，前述二维摄像元件和前述准直弹性之间的间隔大致以前述光路分割元件的高度设定。
6、如权利要求4所述的光学传感器，其特征在于，前述光路分割元件的中心相对于光轴偏离配置，在至前述光轴的距离最短的光路分割元件端部侧上设置前述LED光源和前述二维摄像元件。
7、如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，前述LED光源采用发出红外线区域的光的红外发光LED，在前述二维摄像元件的入射侧配置红外滤光片。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100375886C (zh) * 2004-05-05 2008-03-19 鲍勃斯脱股份有限公司 用于检测基片上的图案的方法和装置
CN103635794A (zh) * 2011-05-17 2014-03-12 Gii采集有限责任公司,以总检测有限责任公司的名义营业 用于光学检查零件的方法和系统
CN107168590A (zh) * 2017-06-30 2017-09-15 成都成电光信科技股份有限公司 一种触摸屏用表贴式复合式红外管
CN109073565A (zh) * 2016-02-03 2018-12-21 科磊股份有限公司 晶片缺陷检查及审查系统

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4118071B2 (ja) * 2002-03-28 2008-07-16 株式会社ニデック レジスト外周除去幅検査装置
US20050086024A1 (en) * 2003-09-19 2005-04-21 Cyberoptics Semiconductor Inc. Semiconductor wafer location sensing via non contact methods
JP2006226804A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd フラットディスプレイパネルの検査方法
JP2006279823A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像装置用通信装置
DE602006021785D1 (de) * 2005-12-06 2011-06-16 Shibaura Mechatronics Corp Oberflächenrauhigkeitsprüfer
TW200802666A (en) * 2006-04-03 2008-01-01 Rudolph Technologies Inc Wafer bevel inspection mechanism
KR20080015363A (ko) 2006-08-14 2008-02-19 야마하 가부시키가이샤 웨이퍼 및 반도체 소자의 검사 방법 및 장치
TWI327258B (en) * 2006-12-29 2010-07-11 Au Optronics Corp Developing apparatus with macroscopic inspection
JP5448303B2 (ja) 2007-03-29 2014-03-19 Ｊｆｅスチール株式会社 圧延機の芯ずれ量測定装置
US8135206B2 (en) * 2007-05-02 2012-03-13 Emhart Glass S.A. Machine for inspecting glass containers
JP5078583B2 (ja) * 2007-12-10 2012-11-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション マクロ検査装置、マクロ検査方法
JP2009168615A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Denso Corp 外観検査装置及び外観検査方法
JP2010147113A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂基板の加工装置
DE102010002954A1 (de) * 2010-03-17 2011-09-22 Linos Photonics Gmbh & Co. Kg Anzeigesystem zum akkommodationsreduzierten Anzeigen von Informationen in einem Fahrzeug
ES2375386B1 (es) * 2010-07-21 2012-09-27 Abengoa Solar New Technologies, S.A. Reflectómetro portátil y método de caracterización de espejos de centrales termosolares.
US9721853B2 (en) * 2013-03-13 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for forming a semiconductor device
JP2014174136A (ja) * 2013-03-13 2014-09-22 Panasonic Corp 受光装置、空間情報検出装置
AU2014231345B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-17 Synaptive Medical Inc. Intelligent positioning system and methods therefore

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2165639B (en) * 1984-08-24 1988-01-27 Philips Electronic Associated Pyroelectric infra-red detector
JPS61273519A (ja) * 1985-05-29 1986-12-03 Ricoh Co Ltd 原稿読取装置
JP2748175B2 (ja) * 1990-01-31 1998-05-06 コニカ株式会社 オートコリメータ
US5424838A (en) * 1993-03-01 1995-06-13 Siu; Bernard Microelectronics inspection system
JPH06293154A (ja) * 1993-04-09 1994-10-21 Oki Electric Ind Co Ltd スキャナ付き電子写真印刷装置
US5448649A (en) * 1994-05-24 1995-09-05 Chen; Wang S. Apparatus for imaging fingerprint or topographic relief pattern on the surface of an object
US5729024A (en) * 1995-05-08 1998-03-17 Ricoh Company, Ltd. Original edge detecting system and optical sensor
US5777321A (en) * 1996-01-29 1998-07-07 Hewlett-Packard Company Scanning device with non-contact optical components
JPH10267636A (ja) * 1997-03-28 1998-10-09 New Kurieishiyon:Kk 表面検査方法および表面検査装置
JPH1163913A (ja) * 1997-08-15 1999-03-05 Nikon Corp 光周波数領域反射光分布計測装置
JP4128254B2 (ja) 1998-02-25 2008-07-30 オリンパス株式会社 半導体ウエハ位置検出装置および検査装置
US6175107B1 (en) * 1998-05-27 2001-01-16 Owens-Brockway Glass Container Inc. Inspection of containers employing a single area array sensor and alternately strobed light sources
EP1001460B1 (en) 1998-10-15 2001-05-02 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Method and apparatus for detecting, monitoring and characterizing edge defects on semiconductor wafers

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100375886C (zh) * 2004-05-05 2008-03-19 鲍勃斯脱股份有限公司 用于检测基片上的图案的方法和装置
CN103635794A (zh) * 2011-05-17 2014-03-12 Gii采集有限责任公司,以总检测有限责任公司的名义营业 用于光学检查零件的方法和系统
CN109073565A (zh) * 2016-02-03 2018-12-21 科磊股份有限公司 晶片缺陷检查及审查系统
CN109073565B (zh) * 2016-02-03 2022-03-15 科磊股份有限公司 晶片缺陷检查及审查系统
CN107168590A (zh) * 2017-06-30 2017-09-15 成都成电光信科技股份有限公司 一种触摸屏用表贴式复合式红外管
CN107168590B (zh) * 2017-06-30 2023-07-07 成都成电光信科技股份有限公司 一种触摸屏用表贴式复合式红外管

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Publication number Publication date
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