CN1377855A - 应用超临界流体技术快速制备c/c复合材料的方法 - Google Patents
应用超临界流体技术快速制备c/c复合材料的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1377855A CN1377855A CN 02114554 CN02114554A CN1377855A CN 1377855 A CN1377855 A CN 1377855A CN 02114554 CN02114554 CN 02114554 CN 02114554 A CN02114554 A CN 02114554A CN 1377855 A CN1377855 A CN 1377855A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sic
- temperature
- infiltration
- precast body
- particulate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
本发明公开了一种应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法,在化学液－气相沉积制备C/C复合材料方法的基础上,结合超临界流体技术,将细小的SiC或C颗粒浸渗至多孔的C/C材料预制体内部及表面,经裂解制得的C/C复合材料具有强抗氧化性、良好的摩擦磨损性能和均匀的致密度。采用本发明制备的C/C复合材料密度可达到1.75g/cm3～1.85g/cm3,2DC/C材料开口孔隙率在5%以下,通过SEM、TEM观察到,纤维与基体碳界面间存在纳米级的SiC组织。材料制备时间为二十至三十几个小时,大大缩短了制备时间、降低了成本,使获得的C/C复合材料具有较高的致密度。可用于其它多孔性复合材料的致密化研究与制备,具有广泛的应用前景。
Description
一、所属领域
本发明涉及一种复合材料的快速制备，特别涉及一种应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法。
二、背景技术
制备C/C复合材料，国外的研究及应用都比我国早，如，美国专利(U.S.Patent：5035921)就公开了一种将超临界流体技术用于C/C复合材料制备方法，该美国专利采用的技术方案为多次浸渍工艺，是将聚碳硅烷、聚硅烷、己基硅硼烷等溶解入超临界流体中，改变温度或压力使其浸渗在多孔的预制体内，经3～6次浸渍、固化循环，裂解得到C/C复合材料。
但是，美国专利(U.S.Patent：5035921)为多次浸渍工艺，用这种方法制备的C/C复合材料周期较长，能耗大，成本较高，为此，采用超临界流体技术，结合快速致密化工艺，既可大大缩短制备时间，又使获得的C/C复合材料具有较高的致密度。
三、发明内容
根据上述现有技术存在的缺陷或不足，本发明的目的是，提供一种应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法。
为了实现上述目的，本发明所采取的技术方案是，应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，其特点是，将细小的SiC或C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以1℃/min～5℃/min、50kPa～200kPa的速率分别升温、加压，温度至90℃～150℃、压力至4000kPa～9000kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态。
4)在超临界流体状态下保持0.5hour～10hour，再以1℃/min～5℃/min的速率降温，或以20kPa～100kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，3min～8min内温度迅速升至900℃～1500℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持0.5hour～2hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2300℃-2600℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
采用本发明制备的C/C复合材料密度可达到1.75g/cm3～1.85g/cm3，2D C/C材料开口孔隙率在5％以下，材料制备时间为二十至三十几个小时，大大缩短了制备周期、降低了成本，材料组织较为致密。按照本发明的快速制备C/C复合材料的方法，既可大大缩短制备时间，又使获得的C/C复合材料具有较高的致密度。
四、具体实施方式
发明人给出了以下的实施例，下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明，但本发明不限于这些实施例。
实施例1：按照本发明的技术方案，应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，将细小的SiC或C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以1℃/min、50kPa的速率分别升温、加压，温度至90℃、压力至9000kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态；
4)在超临界流体状态下保持10hour，再以1℃/min的速率降温，或以20kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，3min内温度迅速升至900℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持2hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2600℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
实施例2：按照本发明的技术方案，应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，将细小的SiC或C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以5℃/min、200kPa的速率分别升温、加压，温度至150℃、压力至4000kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态；
4)在超临界流体状态下保持0.5hour，再以5℃/min的速率降温，或以100kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，8min内温度迅速升至1500℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持0.5hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2300℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
实施例3：按照本发明的技术方案，应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，将细小的SiC或C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以3℃/min、100kPa的速率分别升温、加压，温度至120℃、压力至6500kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态；
4)在超临界流体状态下保持5hour，再以3℃/min的速率降温，或以60kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，6min内温度迅速升至1200℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持1hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2400℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
实施例4：按照本发明的技术方案，应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，将细小的SiC或C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以4℃/min、120kPa的速率分别升温、加压，温度至100℃、压力至5000kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态；
4)在超临界流体状态下保持4hour，再以3℃/min的速率降温，或以80kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，5min内温度迅速升至1050℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持1hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2500℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
具体应用实例：
用吉林炭素厂生产的PAN 1k平纹碳布编织成2D C/C预制体，采用本发明的方法和步骤，将纳米级的SiC粉体分散于聚硅氧烷溶液中，进行超临界流体浸渗和快速化学液-气相沉积，最终获得的2D C/C材料密度为1.80g/cm3，材料开口孔隙率为5％，通过SEM、TEM观察到，纤维与基体碳界面间存在纳米级的SiC组织。
Claims (5)
1.一种应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，其特征在于，将细小的SiC或C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以1℃/min～5℃/min、50kPa～200kPa的速率分别升温、加压，温度至90℃～150℃、压力至4000kPa～9000kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态。
4)在超临界流体状态下保持0.5hour～10hour，再以1℃/min～5℃/min的速率降温，或以20kPa～100kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，3min～8min内温度迅速升至900℃～1500℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持0.5hour～2hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2300℃-2600℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
2.根据权利要求1所述的应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，其特征在于，将细小的SiC、C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以1℃/min、50kPa的速率分别升温、加压，温度至90℃、压力至9000kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态；
4)在超临界流体状态下保持10hour，再以1℃/min的速率降温，或以20kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，3min内温度迅速升至900℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持2hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2600℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
3.根据权利要求所述的应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，其特征在于，将细小的SiC或C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以5℃/min、200kPa的速率分别升温、加压，温度至150℃、压力至4000kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态；
4)在超临界流体状态下保持0.5hour，再以5℃/min的速率降温，或以100kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，8min内温度迅速升至1500℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持0.5hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2300℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
4.根据权利要求1所述的应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，其特征在于，将细小的SiC或C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以3℃/min、100kPa的速率分别升温、加压，温度至120℃、压力至6500kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态；
4)在超临界流体状态下保持5hour，再以3℃/min的速率降温，或以60kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，6min内温度迅速升至1200℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持1hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2400℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
5.根据权利要求1所述的应用超临界流体技术快速制备C/C复合材料的方法，其特征在于，将细小的SiC或C微粒等溶解入超临界流体中，通过调整温度或压力使其浸渗在C/C预制体内，再结合化学液-气相沉积工艺，进行快速沉积，整个过程只进行一次；具体过程步骤如下：
1)将微米或纳米级的SiC或C颗粒分散于聚硅氧烷溶液中；
2)将混合溶液装入压力容器中，通入丙烷气体并密封容器；
3)以4℃/min、120kPa的速率分别升温、加压，温度至100℃、压力至5000kPa时，可观测到丙烷达到超临界流体状态；
4)在超临界流体状态下保持4hour，再以3℃/min的速率降温，或以80kPa的速率降压，或同时降温降压，使SiC或C微粒浸渗在C/C预制体内的空隙中；
5)将液态低烃溶液(煤油、环己烷等)装入自制的快速化学液-气相沉积容器中，再将微米或纳米级的SiC或C粉体分散于低烃溶液中，经机械或超声波搅拌后，装入浸渗过的C/C预制体，密封后抽真空，真空度为-200kPa；
6)调整感应加热线圈频率，5min内温度迅速升至1050℃，使预制体内外表面形成较大温度梯度；
7)在状态6)下保持1hour，使浸渗的SiC或C微粒裂解沉积；
8)降低发热体温度至室温，取出C/C材料；
9)将C/C材料在2500℃条件下，保温1hour，进行热处理，使其石墨化，最终获得致密的C/C复合材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021145547A CN1164371C (zh) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 应用超临界流体技术快速制备c/c复合材料的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021145547A CN1164371C (zh) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 应用超临界流体技术快速制备c/c复合材料的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1377855A true CN1377855A (zh) | 2002-11-06 |
| CN1164371C CN1164371C (zh) | 2004-09-01 |
Family
ID=4743157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB021145547A Expired - Fee Related CN1164371C (zh) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 应用超临界流体技术快速制备c/c复合材料的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1164371C (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007003813A2 (fr) | 2005-05-13 | 2007-01-11 | Snecma Propulsion Solide | Procede de densification rapide d'un substrat poreux par formation d'un depot solide au sein de la porosite du substrat |
| CN1328215C (zh) * | 2005-07-18 | 2007-07-25 | 西安交通大学 | 一种制备碳/碳复合材料的方法 |
| CN100370055C (zh) * | 2005-11-07 | 2008-02-20 | 西安交通大学 | 热梯度化学气相渗透快速制备碳/碳复合材料的方法 |
| CN109142408A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-04 | 华东师范大学 | 一种干法制备二维材料的tem样品的方法 |
| CN109175355A (zh) * | 2018-08-17 | 2019-01-11 | 宁波瑞丰汽车零部件有限公司 | 一种铁基连接压板 |
| CN111446154A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-07-24 | 西安交通大学 | 一种基于超临界CO2处理的4H-SiC/SiO2界面低温改善方法及其应用 |
| CN111575515A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-25 | 西安融烯科技新材料有限公司 | 一种纳米碳铝合金复合材料的制备方法及其应用 |
| CN111690848A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-09-22 | 西安融烯科技新材料有限公司 | 一种低热膨胀率铝合金复合材料的制备方法及其应用 |
| CN111687406A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-09-22 | 西安融烯科技新材料有限公司 | 一种高韧性铝合金复合材料的制备方法及其应用 |
-
2002
- 2002-04-30 CN CNB021145547A patent/CN1164371C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007003813A2 (fr) | 2005-05-13 | 2007-01-11 | Snecma Propulsion Solide | Procede de densification rapide d'un substrat poreux par formation d'un depot solide au sein de la porosite du substrat |
| CN1328215C (zh) * | 2005-07-18 | 2007-07-25 | 西安交通大学 | 一种制备碳/碳复合材料的方法 |
| CN100370055C (zh) * | 2005-11-07 | 2008-02-20 | 西安交通大学 | 热梯度化学气相渗透快速制备碳/碳复合材料的方法 |
| CN109142408A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-04 | 华东师范大学 | 一种干法制备二维材料的tem样品的方法 |
| CN109142408B (zh) * | 2018-08-06 | 2021-02-26 | 华东师范大学 | 一种干法制备二维材料的tem样品的方法 |
| CN109175355A (zh) * | 2018-08-17 | 2019-01-11 | 宁波瑞丰汽车零部件有限公司 | 一种铁基连接压板 |
| CN109175355B (zh) * | 2018-08-17 | 2020-10-27 | 宁波瑞丰汽车零部件有限公司 | 一种铁基连接压板 |
| CN111690848A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-09-22 | 西安融烯科技新材料有限公司 | 一种低热膨胀率铝合金复合材料的制备方法及其应用 |
| CN111687406A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-09-22 | 西安融烯科技新材料有限公司 | 一种高韧性铝合金复合材料的制备方法及其应用 |
| CN111446154A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-07-24 | 西安交通大学 | 一种基于超临界CO2处理的4H-SiC/SiO2界面低温改善方法及其应用 |
| CN111446154B (zh) * | 2020-05-06 | 2023-05-16 | 西安交通大学 | 一种基于超临界CO2处理的4H-SiC/SiO2界面低温改善方法及其应用 |
| CN111575515A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-25 | 西安融烯科技新材料有限公司 | 一种纳米碳铝合金复合材料的制备方法及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1164371C (zh) | 2004-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109251052B (zh) | 一种c/c复合材料及其制备方法 | |
| CN104030716B (zh) | 溶胶凝胶法原位合成SiC纳米线改性碳/碳复合材料预制体的方法 | |
| US5217657A (en) | Method of making carbon-carbon composites | |
| CN107686366B (zh) | 一种纳米线和晶须协同增韧陶瓷基复合材料的制备方法 | |
| CN1164371C (zh) | 应用超临界流体技术快速制备c/c复合材料的方法 | |
| CN102641522B (zh) | 三维梯度网状碳纤维/ha/麦饭石医用复合材料的制备方法 | |
| CN108484190B (zh) | 一种碳纤维增强的多相碳化物陶瓷基复合材料的制备方法 | |
| CN109608218B (zh) | 一种自愈合陶瓷基复合材料及其低温快速制备方法 | |
| CN115058885B (zh) | 一种碳纤维布表面定向SiC纳米线阵列及制备方法 | |
| CN109665855B (zh) | 一种碳/碳-氮化硼减摩复合材料的制备方法 | |
| WO1998058888A1 (en) | Carbon composites | |
| CN110642634A (zh) | 一种C/SiC-ZrB2复合材料及其制备方法 | |
| CN113800935B (zh) | 一种原位自生SiC(nw,np)-ZrB2-ZrC改性碳/碳复合材料的制备方法 | |
| CN111410517B (zh) | 一种碳纳米管和石墨烯协同增强氧化铝基复合材料及制备方法 | |
| CN113248263B (zh) | Si3N4w/Si预制体及利用该预制体制备Si3N4w/Si3N4复合材料的方法 | |
| Wang et al. | Preparation of porous titanium materials by powder sintering process and use of space holder technique | |
| CN108178636B (zh) | 一种Si3N4/SiC复合吸波陶瓷及其制备方法 | |
| CN1317238C (zh) | 先驱体浸渍裂解工艺制备复合材料姿轨控推力室的方法 | |
| CN114891255B (zh) | 一种玻璃纤维增强六方氮化硼三维有序框架复合环氧树脂及制备方法和应用 | |
| CN112552067B (zh) | 一种C/C-SiC-CuSnTi复合材料及其制备方法 | |
| CN115196988A (zh) | 一种氮化物纳米带改性炭/炭复合材料及其制备方法 | |
| CN112409022A (zh) | 一种碳纳米管/纤维改性的自加热多孔疏水/亲油陶瓷及其制备方法 | |
| CN114349516A (zh) | 一种低温合成高致密SiC陶瓷的方法 | |
| CN110040713B (zh) | 一种碳气凝胶的制备方法 | |
| CN115259874A (zh) | 增韧、导电MXene-氧化锆复合陶瓷及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20040901 |